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專升本理工科專業(yè)2025年電磁場與電磁波試卷(含答案)考試時間:______分鐘總分:______分姓名:______一、選擇題(每小題3分,共30分。請將正確選項的字母填在題后的括號內(nèi))1.在靜電場中,高斯定律表達式為??D=ρv。其中,D代表()。A.電場強度EB.電位移矢量DC.磁感應強度BD.磁場強度H2.下列哪個物理量是矢量?()A.電壓B.電流密度C.電動勢D.功3.一個點電荷Q位于無限大均勻介質(zhì)中,介質(zhì)的相對介電常數(shù)為εr。該點電荷產(chǎn)生的電場強度大小E與真空中電場強度大小E0的關系是()。A.E=εrE0B.E=E0/εrC.E=εr/E0D.E=1/(εr)E04.對于穩(wěn)恒電流,安培環(huán)路定律表達式為∮H?dl=I。該定律主要用于()。A.計算真空中的電場強度B.計算介質(zhì)中的電場強度C.計算磁場強度HD.計算電位移矢量D5.在電磁波傳播的介質(zhì)中,電場強度矢量E、磁場強度矢量H和電磁波傳播方向三者之間的關系是()。A.互相垂直,且E、H共面B.互相平行C.E與H平行,均與傳播方向垂直D.E與傳播方向平行,H與傳播方向垂直6.電磁波在真空中的傳播速度等于()。A.光速cB.聲速vC.介質(zhì)的聲速D.頻率的倒數(shù)7.當電磁波從一種介質(zhì)垂直入射到另一種介質(zhì)時,反射波與入射波相位()。A.相同B.相反C.可能相同可能相反,取決于兩種介質(zhì)的折射率D.無法確定8.矢量場A的旋度?×A在場中某點等于零,則稱該點A為()。A.無源點B.等值點C.磁單極子D.螺旋場點9.在無限大均勻理想介質(zhì)中,傳播的電磁波,其能量傳播方向()。A.與電場E平行B.與磁場H平行C.與電場E和磁場H均垂直D.與電場E和磁場H均平行10.下列哪個定律描述了變化的磁場產(chǎn)生電場?()A.高斯電場定律B.高斯磁場定律C.安培環(huán)路定律(修正)D.法拉第電磁感應定律二、填空題(每小題4分,共20分。請將答案填在題中的橫線上)1.在靜電場中,通過一個封閉曲面的電通量僅取決于該曲面內(nèi)的________。2.真空中,一個半徑為R的球面均勻帶電,總電荷量為Q,則球面上離球心R處的電場強度大小為________。3.磁場強度H的單位是________(國際單位制)。4.電磁波是________和________振動相互垂直,且都垂直于傳播方向的波。5.當電磁波從光密介質(zhì)入射到光疏介質(zhì)時,反射角θ?與折射角θ?的關系滿足________。三、計算題(共50分)1.(10分)一根無限長直導線通有穩(wěn)恒電流I,電流方向沿z軸正方向。求距離導線垂直距離為a的平面上,點P(x=0,y=a,z=0)處的磁場強度H。(用安培環(huán)路定律求解)2.(15分)半徑為R的無限長圓柱體,其內(nèi)部均勻分布著體電荷密度ρv(ρv>0)。求圓柱體內(nèi)(r<R)和圓柱體外(r>R)距離軸線r處的電場強度E。(用高斯定律求解)3.(15分)證明:電場強度E滿足拉普拉斯方程?2E=0的條件是電場E必須是球對稱的。(提示:選擇球坐標系,并利用球坐標下的拉普拉斯算子)4.(10分)一平面電磁波在真空中傳播,其電場強度E的表達式為E=E?cos(kz-ωt)?,其中E?=100V/m,k=0.5rad/m,ω=1.0×10?rad/s。求:(1)該電磁波的頻率f和波長λ;(2)磁場強度H的表達式。5.(10分)一束光從空氣(n?=1.0)斜入射到玻璃(n?=1.5)表面,入射角θ?=30°。求:(1)折射角θ?的大小;(2)反射光線的反射角。試卷答案一、選擇題1.B2.B3.A4.C5.A6.A7.A8.D9.C10.D二、填空題1.電荷2.Q/(4πε?R2)3.安培(A/m)4.電場,磁場5.sinθ?=sinθ?三、計算題1.解:取過點P的矩形回路,其長為l,寬為2a,且與導線平行,矩形的兩垂直邊平行于z軸,位于x=±a的平面內(nèi)。取順時針方向為回路繞行方向(與z軸右手法則對應)。根據(jù)安培環(huán)路定律:∮H?dl=I_enc由于電流I與回路共面且平行,且磁場H在回路上的分布關于中心對稱,垂直于l邊的分量積分為零。H只在兩垂直邊上有非零積分。∮H?dl=H×l+H×l=2Hl=I回路長度l=2a。所以2Hl=I,即2H(2a)=I。解得磁場強度H=I/(4a)。方向:根據(jù)右手法則,拇指指向電流方向(+z),則四指環(huán)繞方向為磁場方向,在點P(0,a,0)處,H的方向沿y軸負方向。答案:H=I/(4a)(-j)A/m(或寫為H=I/(4a)k?,如果回路繞向改為逆時針)2.解:(1)圓柱體內(nèi)(r<R):選擇半徑為r、高為h的同軸圓柱面為高斯面。由高斯定律∮D?dS=Q_enc。由于場分布和電荷分布的軸對稱性,D垂直于高斯面且大小處處相等。∮D?dS=D(2πrh)=ρv*(πr2h)=Q_enc解得電位移矢量D=ρvr/(2)。由D=ε?E+κε?E=εE(假設相對介電常數(shù)εr=1,κ=1),其中κ是相對磁導率,通常取1。得電場強度E=D/ε=ρvr/(2ε)。答案:E(r<R)=ρvr/(2ε)(方向沿徑向向外)(2)圓柱體外(r>R):選擇半徑為r、高為h的同軸圓柱面為高斯面。由高斯定律∮D?dS=Q_enc??傠姾蒕_enc=ρv*(πR2h)?!覦?dS=D(2πrh)=Q_enc=ρv(πR2h)解得電位移矢量D=ρvR2/(2r)。由D=ε?E+κε?E=εE(假設相對介電常數(shù)εr=1,κ=1)。得電場強度E=D/ε=ρvR2/(2εr)/r=ρvR2/(2εrr)。答案:E(r>R)=ρvR2/(2εrr)(方向沿徑向向外)3.解:證明球對稱場。球對稱場意味著場量(如E)僅是徑向距離r的函數(shù),與方位角θ和極角φ無關,即E=E(r)。在球坐標系中,拉普拉斯算子?2=?/?r2+(1/r)?/?r+(1/r2)?2_φ(其中?2_φ=?2/?θ2+(1/sin2θ)?/?θ+1/(r2sin2θ)?2/?φ2)。對于E=E(r),有?/?θ=0和?/?φ=0。?2E=?/?r2E(r)+(1/r)?/?rE(r)=(?2/?r2+1/r?/?r)E(r)。令E(r)=R(r)r(雖然這里E只與r有關,但形式上可以看作R(r)r,此時R(r)≡E(r))。?2E=?/?r[(?/?r)R(r)r]=?2R(r)/?r2+(1/r)?R(r)/?r+R(r)/r+(1/r)?2R(r)/?r2由于E=R(r)=E(r),且?2E/?r2=?/?r[?E/?r]=?E/?r。?2E=2(?E/?r)/r+E/r=(2/r?E/?r+E/r)。如果E滿足?2E=0,即(2/r?E/?r+E/r)=0。乘以r得2?E/?r+E/r=0。乘以e^(r2/2)得d/dr[e^(r2/2)E]=0。積分得e^(r2/2)E=C(常數(shù))。E=Ce^(-r2/2)。這表明E僅是r的函數(shù),是球對稱的。反之,任何球對稱的場E(r)必然滿足?2E=0。4.解:(1)頻率f和波長λ:電磁波在真空中的傳播速度c=1/√(ε?μ?)≈3×10?m/s。角頻率ω=2πf。頻率f=ω/(2π)=1.0×10?/(2π)rad/s。波數(shù)k=ω/c。波長λ=2π/k=2π/(ω/c)=2πc/ω=2π*(3×10?)/(1.0×10?)=0.6πm≈1.88m。答案:f≈1.59×10?Hz;λ≈1.88m(2)磁場強度H的表達式:在真空中,電場E和磁場H的振幅關系為|H?|=|E?|/c。|H?|=100/(3×10?)=1/3×10??A/m。磁場強度H振動方向與電場E垂直,且與傳播方向(+z)垂直。如果E振動方向為?,傳播方向為k?,則H振動方向為?。H?=(1/3×10??)?V/m。H=H?cos(kz-ωt)?=(1/3×10??)cos(0.5z-1.0×10?t)?A/m。答案:H=(1/3×10??)cos(0.5z-1.0×10?t)?A/m5.解:(1)折射角θ

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