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文檔簡(jiǎn)介
ICS65.020.20
CCSB23
15
內(nèi)蒙古自治區(qū)地方標(biāo)準(zhǔn)
DB15/T3699—2024
馬鈴薯種質(zhì)資源離體培養(yǎng)及保存技術(shù)規(guī)程
Technicalcodeofpracticefortissuecultureandpreservationof
potatogermplasmresources
2024-10-25發(fā)布2024-11-25實(shí)施
內(nèi)蒙古自治區(qū)市場(chǎng)監(jiān)督管理局發(fā)布
DB15/T3699—2024
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起
草。
本文件由內(nèi)蒙古自治區(qū)農(nóng)牧廳提出。
本文件由內(nèi)蒙古自治區(qū)農(nóng)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAM/TC20)歸口。
本文件起草單位:內(nèi)蒙古自治區(qū)農(nóng)牧業(yè)科學(xué)院。
本文件主要起草人:曹春梅、逯春杏、王曉嬌、許飛、韓藝、張翠玲、胡嘉鑫。
I
DB15/T3699—2024
馬鈴薯種質(zhì)資源離體培養(yǎng)及保存技術(shù)規(guī)程
1范圍
本文件規(guī)定了馬鈴薯種質(zhì)資源離體培養(yǎng)技術(shù)規(guī)程及保存的莖尖剝離(脫毒)材料的選取、脫毒與培養(yǎng)、
試管苗保存、試管薯誘導(dǎo)等技術(shù)要求。
本文件適用于馬鈴薯種質(zhì)資源離體培養(yǎng)及保存。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,
僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文
件。
NY/T401脫毒馬鈴薯種薯(苗)病毒檢測(cè)技術(shù)規(guī)程
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。
莖尖剝離apicalstripping
應(yīng)用莖尖分生組織培養(yǎng)技術(shù),選取馬鈴薯芽頂端部分(直徑0.1mm~0.3mm),帶有1~2個(gè)葉原基的
莖尖分生組織,移植到誘導(dǎo)培養(yǎng)基中培養(yǎng)。
離體培養(yǎng)isolatedculture
選取馬鈴薯莖尖、莖段或其他離體組織通過(guò)無(wú)菌操作接種在特定的培養(yǎng)基上,在人工控制條件下進(jìn)行
培養(yǎng),已獲得的完整植株可保持其體內(nèi)所含遺傳物質(zhì)的完整性,從而達(dá)到保存目的的方法。
4莖尖剝離(脫毒)材料的選取
選取無(wú)類(lèi)病毒(PSTVd)、健壯且具備馬鈴薯品種(系)典型農(nóng)藝性狀植株的頂芽、腋芽或健康塊莖的莖
尖作為材料。
5脫毒與培養(yǎng)
脫毒材料的預(yù)處理
收獲脫毒材料,將塊莖放置在溫室或培養(yǎng)箱內(nèi)進(jìn)行催芽處理。待芽萌發(fā)2cm時(shí),在溫度35℃~37℃
進(jìn)行高溫鈍化處理15d,光照/黑暗12h,光照強(qiáng)度2000Lx。
1
DB15/T3699—2024
培養(yǎng)基的制備
選用MS+0.5mg/L萘乙酸+0.1mg/L6-芐氨基腺嘌呤或MS+0.2mg/L萘乙酸配方配制培養(yǎng)基,培養(yǎng)基
pH值調(diào)至5.8~6.0。分裝后在121℃條件下,滅菌25min~30min,待培養(yǎng)基冷卻凝固,觀(guān)測(cè)24h,確保無(wú)
菌后備用。
脫毒材料的消毒處理
5.3.1取材
選取經(jīng)處理的馬鈴薯塊莖上頂芽或側(cè)芽組織2cm左右,或選取經(jīng)處理的馬鈴薯植株頂芽、腋芽2cm左
右作為脫毒材料。
5.3.2清洗
將選取的脫毒材料放入玻璃燒杯內(nèi),放在水龍頭下,采用小水流,用毛刷輕刷塵土,隨后在燒杯上扎
塊紗布,置于流動(dòng)的小水流下沖洗時(shí)間30min。
5.3.3消毒
在超凈工作臺(tái)內(nèi),將脫毒材料放置在滅菌的燒杯內(nèi),先用75%的酒精浸泡30s,隨后用無(wú)菌水沖洗3遍,
控干水分后再用5%漂白粉溶液或10%次氯酸鈉溶液中浸泡5min~10min;最后用無(wú)菌水沖洗3遍,濾干水分
備用。
莖尖剝離與接種
解剖鏡下,用無(wú)菌解剖針或手術(shù)刀剝?nèi)в?~2個(gè)葉原基的莖尖分生組織,剝離后的莖尖分生組織直
徑0.1mm~0.3mm,接種到滅菌的培養(yǎng)基中進(jìn)行培養(yǎng),培養(yǎng)瓶或試管外壁寫(xiě)好編號(hào)和日期。
莖尖培養(yǎng)條件
光照培養(yǎng)14h,保持24℃,光照強(qiáng)度1500Lx~2000Lx,暗培養(yǎng)10h,保持18℃。
莖尖成苗
待愈傷分化成苗后,及時(shí)剪出生長(zhǎng)點(diǎn),轉(zhuǎn)移到MS培養(yǎng)基上。待植株生長(zhǎng)到3~4個(gè)葉片時(shí),單節(jié)切斷快繁,
同時(shí)標(biāo)明該種質(zhì)資源品種(系)名稱(chēng)、日期等信息,常規(guī)培養(yǎng)。
病毒檢測(cè)
按照NY/T401對(duì)擴(kuò)繁苗進(jìn)行PVX、PVY、PVS、PVA、PVM、PLRV病毒檢測(cè)。
6試管苗保存
保存培養(yǎng)基配方
MS+20g/L甘露醇,pH值5.8~6.0。
保存條件
將用保存培養(yǎng)基擴(kuò)繁的試管苗置于溫度22℃~24℃、光照強(qiáng)度2000Lx~3000Lx、光照時(shí)間16h/d
條件下培養(yǎng)2w,待生根后將培養(yǎng)溫度調(diào)為8℃~10℃、光照時(shí)間12h/d、光照強(qiáng)度2000Lx~3000Lx,持
續(xù)培養(yǎng)。建議每隔3個(gè)月進(jìn)行繼代培養(yǎng)。
2
DB15/T3699—2024
采用紫外線(xiàn)、熏蒸法,每隔10d對(duì)培養(yǎng)室進(jìn)行一次消毒,及時(shí)取出污染的試管苗并進(jìn)行高溫滅菌處理。
7試管薯誘導(dǎo)
誘導(dǎo)培養(yǎng)基配方
MS+100g/L蔗糖+4.5g/L瓊脂粉+1g/L活性炭,pH值為5.8~6.0。
誘導(dǎo)條件
將正常培養(yǎng)4w的試管苗置于溫度17℃~18℃、光照時(shí)間8h/d、光照強(qiáng)度1000Lx,進(jìn)行試管薯誘導(dǎo),
60d后可形成試管薯。
試管薯保存
將試管薯
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