2025年專利撰寫《實務(wù)》答題技巧卷考試時間：______分鐘總分：______分姓名：______注意事項：1.請在規(guī)定時間內(nèi)完成所有題目。2.答案書寫應(yīng)清晰、工整，符合專利文獻(xiàn)的撰寫規(guī)范。3.說明書撰寫部分，請合理使用草稿紙。一、根據(jù)以下給定的技術(shù)方案，撰寫一項能夠獨(dú)立保護(hù)該發(fā)明的權(quán)利要求。要求保護(hù)范圍適當(dāng)，撰寫清晰、無歧義。“一種用于制造半導(dǎo)體器件的蝕刻方法，包括以下步驟：a)提供一個包含待蝕刻區(qū)域的半導(dǎo)體襯底；b)在半導(dǎo)體襯底上形成一層包含第一類型摻雜元素的掩膜層；c)對所述掩膜層進(jìn)行圖案化處理，以在所述掩膜層上形成至少一個開口，所述開口對應(yīng)于所述待蝕刻區(qū)域；d)使用包含第二類型摻雜元素的等離子體對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行蝕刻，以去除所述掩膜層覆蓋區(qū)域及部分所述開口邊緣區(qū)域下的半導(dǎo)體材料，從而實現(xiàn)所述待蝕刻區(qū)域的蝕刻；其中，所述第二類型摻雜元素與所述第一類型摻雜元素不同，且在步驟d)中，所述等離子體包含能夠與所述第一類型摻雜元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活性物質(zhì)?！倍?、針對以下權(quán)利要求，請分別指出其中存在的缺陷或可以改進(jìn)之處（請至少指出兩處）。權(quán)利要求1：一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟：在半導(dǎo)體襯底上形成包含第一類型摻雜元素的掩膜層；對所述掩膜層進(jìn)行圖案化處理，形成開口；使用包含第二類型摻雜元素的等離子體對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行蝕刻，去除所述開口下方及所述掩膜層覆蓋區(qū)域下的半導(dǎo)體材料?！睓?quán)利要求2：一種如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體包含能夠與所述第一類型摻雜元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活性物質(zhì)?！比?、根據(jù)以下背景技術(shù)和發(fā)明內(nèi)容，撰寫說明書中的“背景技術(shù)”部分。要求客觀反映現(xiàn)有技術(shù)狀況，并清晰指出現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，為發(fā)明內(nèi)容的引入做鋪墊。背景技術(shù)：現(xiàn)有技術(shù)中，利用等離子體對半導(dǎo)體器件進(jìn)行蝕刻是常見的工藝。一種常見的蝕刻方法包括在襯底上形成掩膜層，通過光刻等手段形成圖案化的開口，然后使用等離子體進(jìn)行選擇性蝕刻。為了提高蝕刻速率和選擇性，常在等離子體中引入特定氣體。例如，對于含硅材料，可以使用包含氟化氫（HF）的等離子體進(jìn)行硅的蝕刻。然而，當(dāng)襯底或掩膜層中包含不同類型的摻雜元素時，不同元素與等離子體成分的反應(yīng)活性可能存在差異，導(dǎo)致蝕刻過程中出現(xiàn)選擇性不佳的問題，例如，掩膜層邊緣的保護(hù)效果下降，或者蝕刻區(qū)域邊緣形成不規(guī)則的錐形，影響后續(xù)器件的精度和性能。發(fā)明內(nèi)容：本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造方法，通過在等離子體中引入特定活性物質(zhì)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于不同摻雜元素與等離子體反應(yīng)活性差異導(dǎo)致的選擇性問題，實現(xiàn)更精確的蝕刻控制。”四、參照權(quán)利要求1和權(quán)利要求2的內(nèi)容，撰寫說明書中的“具體實施方式”部分（僅要求撰寫權(quán)利要求1所述步驟c)和權(quán)利要求2所述特征的實現(xiàn)方式）。要求內(nèi)容具體、清晰，足以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)該發(fā)明。至少描述一個實施例。五、假設(shè)你正在撰寫一項關(guān)于“一種新型環(huán)保制冷劑”發(fā)明的權(quán)利要求書。請簡要闡述在確定該發(fā)明的獨(dú)立權(quán)利要求保護(hù)范圍時，你認(rèn)為應(yīng)該重點(diǎn)考慮哪些因素？并說明為什么這些因素重要。試卷答案一、一種用于制造半導(dǎo)體器件的蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟：a)提供一個包含待蝕刻區(qū)域的半導(dǎo)體襯底；b)在所述半導(dǎo)體襯底上形成一層包含第一類型摻雜元素的掩膜層；c)對所述掩膜層進(jìn)行圖案化處理，以在所述掩膜層上形成至少一個開口，所述開口對應(yīng)于所述待蝕刻區(qū)域，且所述開口邊緣區(qū)域所述掩膜層的厚度小于所述掩膜層其他區(qū)域的厚度；d)使用包含第二類型摻雜元素的等離子體對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行蝕刻，以去除所述開口下方及所述掩膜層覆蓋區(qū)域下的半導(dǎo)體材料，其中，所述第二類型摻雜元素與所述第一類型摻雜元素不同，且在步驟d)中，所述等離子體包含能夠與所述第一類型摻雜元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活性物質(zhì)。解析思路：本題要求撰寫一項獨(dú)立權(quán)利要求，核心在于保護(hù)方案中的關(guān)鍵特征組合，特別是能夠?qū)崿F(xiàn)技術(shù)效果的特定結(jié)構(gòu)或步驟。分析給定技術(shù)方案：1.核心步驟：包含a)到d)四個步驟。2.關(guān)鍵特征：*第一類型摻雜元素掩膜層（步驟b)）。*圖案化處理形成開口（步驟c)）。*包含第二類型摻雜元素的等離子體（步驟d)）。*等離子體包含能與第一類型摻雜元素反應(yīng)的活性物質(zhì)（步驟d)）。*第二類型摻雜元素與第一類型不同（步驟d)）。*蝕刻去除開口下方及掩膜層覆蓋區(qū)域下的半導(dǎo)體材料（步驟d)）。*技術(shù)效果隱含：解決選擇性問題，實現(xiàn)精確蝕刻。3.權(quán)利要求撰寫技巧：*突出技術(shù)特征組合：將步驟c)中開口邊緣區(qū)域掩膜層厚度小于其他區(qū)域的特點(diǎn)明確寫入權(quán)利要求，這是實現(xiàn)精確蝕刻或控制邊緣行為的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)特征，有助于限定保護(hù)范圍。*要素齊全：確保包含所有核心步驟和關(guān)鍵要素，特別是等離子體的組成要求（包含能與第一類型摻雜元素反應(yīng)的活性物質(zhì)）和兩種摻雜元素不同的要求。*邏輯清晰：按照步驟順序或邏輯關(guān)系組織語言，使權(quán)利要求結(jié)構(gòu)清晰。*限定恰當(dāng)：加入“至少一個開口”確保新穎性，加入“厚度小于”使保護(hù)范圍更具體。二、權(quán)利要求1：缺陷/改進(jìn)之處：1.步驟描述不夠具體：“形成包含第一類型摻雜元素的掩膜層”過于寬泛，未明確摻雜類型或掩膜材料，可能包含現(xiàn)有技術(shù)。應(yīng)更具體，如“形成包含第一類型n型摻雜元素的絕緣層掩膜層”。2.蝕刻范圍不精確：“去除所述開口下方及所述掩膜層覆蓋區(qū)域下的半導(dǎo)體材料”中的“所述開口下方”可能過于狹窄，未涵蓋開口邊緣區(qū)域可能存在的側(cè)向蝕刻?？筛臑椤叭コ鲩_口下方區(qū)域及所述開口邊緣區(qū)域所述掩膜層覆蓋區(qū)域下的半導(dǎo)體材料”。3.缺乏技術(shù)效果：權(quán)利要求書應(yīng)盡可能體現(xiàn)發(fā)明目的或技術(shù)效果，本權(quán)利要求僅描述步驟?？煽紤]增加一項從屬權(quán)利要求來限定解決選擇性問題的技術(shù)效果，或在獨(dú)立權(quán)利要求中更具體地描述關(guān)鍵特征（如步驟c)的厚度差異）來實現(xiàn)該效果。權(quán)利要求2：缺陷/改進(jìn)之處：1.引用關(guān)系錯誤：從屬權(quán)利要求2引用了權(quán)利要求1，但權(quán)利要求1中并未包含“所述等離子體包含能夠與所述第一類型摻雜元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活性物質(zhì)”這一技術(shù)特征，導(dǎo)致引用基礎(chǔ)不成立。應(yīng)刪除該引用關(guān)系，或修改權(quán)利要求1以包含該特征，或重新撰寫權(quán)利要求2使其引用包含該特征的權(quán)利要求。2.限定可能過窄：“所述等離子體包含能夠與所述第一類型摻雜元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活性物質(zhì)”雖然與發(fā)明內(nèi)容相關(guān)，但可能并非實現(xiàn)所述方法所必需的唯一方式，限制了保護(hù)范圍?？煽紤]改為“所述等離子體包含活性物質(zhì)，所述活性物質(zhì)選自能夠與所述第一類型摻雜元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活性物質(zhì)組中的至少一種”。三、現(xiàn)有技術(shù)中，已公開多種用于半導(dǎo)體器件制造的蝕刻方法。其中，一種常見的蝕刻方法包括以下步驟：在半導(dǎo)體襯底上沉積一層掩膜材料，例如含硅材料或含氮化硅材料的層，該層中通常包含有不同濃度的摻雜元素，以調(diào)整其物理或化學(xué)特性；然后，利用光刻技術(shù)等圖案化手段，在掩膜層上形成具有預(yù)定形狀和尺寸的開口，該開口定義了需要被蝕刻的區(qū)域；接下來，將包含特定化學(xué)成分的等離子體引入反應(yīng)腔體中，對位于開口下方的襯底材料進(jìn)行選擇性蝕刻，同時保持掩膜層覆蓋區(qū)域下的襯底材料不受影響或受影響極小。例如，在含硅襯底上，可以使用包含氟化氫（HF）等成分的等離子體進(jìn)行硅的蝕刻。然而，實踐發(fā)現(xiàn)，當(dāng)襯底或掩膜層中存在不同類型的摻雜元素時，這些不同類型的摻雜元素與等離子體成分的反應(yīng)活性往往存在顯著差異。這種反應(yīng)活性的差異會導(dǎo)致等離子體在蝕刻過程中對掩膜層邊緣的保護(hù)能力不均勻，使得掩膜層邊緣容易被過度蝕刻或蝕刻不充分，從而導(dǎo)致形成的蝕刻區(qū)域邊緣出現(xiàn)不規(guī)則形貌，例如錐形或其他非理想的幾何形狀。此外，不同摻雜元素的差異也可能影響蝕刻速率和選擇比，使得最終蝕刻結(jié)果難以精確控制，這會直接影響后續(xù)器件的尺寸精度、電學(xué)性能和成品率，限制了器件制造水平的提高。解析思路：撰寫背景技術(shù)部分的關(guān)鍵在于：1.客觀概述：準(zhǔn)確、簡要地介紹與本發(fā)明主題相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)及其常規(guī)做法。要基于假設(shè)的背景技術(shù)進(jìn)行描述，不能包含本發(fā)明的技術(shù)特征。2.引出問題：清晰地指出現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處或未能解決的問題，即本發(fā)明要解決的技術(shù)問題。這部分是背景技術(shù)的核心目的。3.邏輯銜接：背景技術(shù)應(yīng)自然地過渡到發(fā)明內(nèi)容，說明為何需要提出本發(fā)明。4.要素引用：可以引用與發(fā)明相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)術(shù)語或概念，但要確保描述的是公開的技術(shù)。5.問題具體化：指出的問題應(yīng)具體，例如選擇性不佳、邊緣形貌不規(guī)則、尺寸控制難等，并簡要說明原因（如摻雜元素反應(yīng)活性差異）。本解析思路指導(dǎo)下的文本，首先概述了常規(guī)蝕刻方法，然后重點(diǎn)指出了摻雜元素差異導(dǎo)致選擇性不佳、邊緣形貌不規(guī)則以及尺寸控制困難等具體問題，為后續(xù)發(fā)明內(nèi)容的引入鋪墊了充分的理由。四、具體實施方式：本發(fā)明實施例提供一種具體的制造半導(dǎo)體器件的方法。在一個實施例中，步驟c)所述的“對所述掩膜層進(jìn)行圖案化處理，以在所述掩膜層上形成至少一個開口，所述開口對應(yīng)于所述待蝕刻區(qū)域，且所述開口邊緣區(qū)域所述掩膜層的厚度小于所述掩膜層其他區(qū)域的厚度”可以通過以下方式實現(xiàn)：例如，采用光刻工藝，在包含第一類型摻雜元素的掩膜層（如包含磷摻雜的二氧化硅層）上制備出具有預(yù)設(shè)圖形的感光層，然后通過曝光和顯影，去除感光層中對應(yīng)開口區(qū)域的材料，留下感光層中的抗蝕劑圖形。隨后，使用該抗蝕劑圖形作為掩模，通過干法蝕刻（如反應(yīng)離子刻蝕）或濕法蝕刻，將掩膜層中對應(yīng)抗蝕劑圖形開放區(qū)域的材料去除，從而在掩膜層上形成所需開口。在本實施例中，通過精確控制光刻工藝參數(shù)或蝕刻工藝參數(shù)，可以使得在開口邊緣區(qū)域，掩膜層的剩余厚度明顯小于掩膜層其他區(qū)域的厚度，例如，厚度差可以控制在10納米至1微米之間。這種厚度差異的圖案化掩膜層結(jié)構(gòu)是本發(fā)明的一個關(guān)鍵特征。對于權(quán)利要求2所述的“所述等離子體包含能夠與所述第一類型摻雜元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的活性物質(zhì)”，在一個具體的實施例中，可以采用氯氟烴（如三氯氟甲烷CFCl3）作為等離子體中的活性物質(zhì)。當(dāng)使用包含磷摻雜的二氧化硅掩膜層（第一類型摻雜元素為磷）進(jìn)行蝕刻時，CFCl3等離子體可以與磷元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成氣態(tài)的磷的鹵化物（如磷酰氯POCl3），從而提高磷摻雜區(qū)域下方半導(dǎo)體材料（如硅）的蝕刻速率，同時由于掩膜層邊緣區(qū)域厚度較薄，使得等離子體更容易接觸到并蝕刻襯底，通過這種協(xié)同作用，可以有效改善蝕刻的選擇性和邊緣控制，減少錐形形成。解析思路：撰寫具體實施方式部分的關(guān)鍵在于：1.實現(xiàn)方式：對權(quán)利要求中概括的技術(shù)特征（步驟c)的厚度差異、權(quán)利要求2的等離子體成分）提供具體的實現(xiàn)手段、工藝參數(shù)或材料選擇。2.細(xì)節(jié)描述：提供足以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠重復(fù)實現(xiàn)發(fā)明的具體細(xì)節(jié)，如光刻工藝、蝕刻方法、厚度范圍、具體活性物質(zhì)等。3.結(jié)合權(quán)利要求：描述的實施方式應(yīng)直接對應(yīng)權(quán)利要求中的限定，并解釋這些限定為何是必要的或有益的。4.實施例：至少提供一個或多個具體的實施例，通過實例來闡述發(fā)明。5.技術(shù)效果：在描述實施方式的同時，可以簡要提及通過該實施方式能夠達(dá)到的技術(shù)效果，但重點(diǎn)應(yīng)放在如何實現(xiàn)上。本解析思路指導(dǎo)下的文本，首先針對步驟c)的掩膜層厚度差異，描述了通過光刻和蝕刻工藝實現(xiàn)該結(jié)構(gòu)的方法和參數(shù)控制；然后針對權(quán)利要求2的等離子體成分，給出了具體的活性物質(zhì)（CFCl3）選擇，并解釋了其與第一類型摻雜元素（磷）反應(yīng)以及如何協(xié)同改善蝕刻效果的原理。文本提供了具體的工藝名稱、材料、參數(shù)范圍和作用機(jī)制，符合充分公開的要求。五、在確定“一種新型環(huán)保制冷劑”發(fā)明的獨(dú)立權(quán)利要求保護(hù)范圍時，應(yīng)重點(diǎn)考慮以下因素：1.制冷劑的化學(xué)組成：這是最核心的因素。應(yīng)明確界定制冷劑所包含的特定化學(xué)物質(zhì)、元素的種類、原子比例或分子式。這是區(qū)分本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)。例如，是單一組分、二元混合物還是多元混合物？具體是哪些化合物？它們的分子結(jié)構(gòu)有何特點(diǎn)？2.環(huán)保特性：明確界定體現(xiàn)“環(huán)?！碧匦缘木唧w技術(shù)特征。這通常涉及環(huán)境影響指標(biāo)，如全球變暖潛能值（GWP）、臭氧消耗潛能值（ODP）、相變特性（如臨界溫度、沸點(diǎn)、熔點(diǎn)）等。將這些特性作為限定條件寫入權(quán)利要求，可以確保保護(hù)范圍具有環(huán)境效益。3.制冷性能：雖然環(huán)保是首要考慮，但制冷劑的實用性也依賴于其制冷性能。應(yīng)考慮是否需要限定關(guān)鍵的性能參數(shù)，如單位質(zhì)量制冷量（HFCO2值）、壓力比、能效比等，以體現(xiàn)發(fā)明的優(yōu)越性或?qū)嵱眯浴?.技術(shù)特征組合：獨(dú)立權(quán)利要求應(yīng)體現(xiàn)發(fā)明的核心技術(shù)特征組合。例如，可能是特定化學(xué)結(jié)構(gòu)的制冷劑、特定組分比例的混合物、特定的制備方法、或者化學(xué)組成與環(huán)保特性/制冷性能之間的特定關(guān)系。單一要素可能不足以支撐獨(dú)立保護(hù)。5.保護(hù)范圍與新穎性、創(chuàng)造性的平衡：權(quán)利要求的撰寫需