2025電氣試驗員設(shè)備檢測題目及答案一、選擇題1.測量絕緣電阻時，影響準(zhǔn)確性的因素有（）。A.溫度B.濕度C.絕緣表面臟污D.以上都是答案：D。解析：溫度對絕緣材料的電阻值影響較大，一般溫度升高，絕緣電阻降低；濕度增大可能使絕緣表面受潮，導(dǎo)致表面泄漏電流增大，影響測量結(jié)果；絕緣表面臟污也會增加表面泄漏電流，從而影響絕緣電阻測量的準(zhǔn)確性，所以以上因素都會影響測量絕緣電阻的準(zhǔn)確性。2.直流耐壓試驗與交流耐壓試驗相比，其優(yōu)點是（）。A.試驗設(shè)備輕便B.能發(fā)現(xiàn)絕緣的局部缺陷C.對絕緣的損傷較小D.以上都是答案：D。解析：直流耐壓試驗設(shè)備所需的試驗變壓器容量較小，試驗設(shè)備輕便；直流電壓下電場分布與絕緣介質(zhì)的電阻率有關(guān)，能在一定程度上發(fā)現(xiàn)絕緣的局部缺陷；而且直流耐壓試驗對絕緣造成的累積損傷比交流耐壓試驗小，所以以上都是直流耐壓試驗相對交流耐壓試驗的優(yōu)點。3.電氣設(shè)備的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ增大，可能的原因是（）。A.絕緣受潮B.絕緣老化C.存在局部放電D.以上都是答案：D。解析：絕緣受潮時，水分會增加導(dǎo)電通道，使介質(zhì)損耗增大；絕緣老化會導(dǎo)致絕緣材料性能下降，介質(zhì)損耗因數(shù)也會提高；存在局部放電時，放電過程中會消耗能量，使介質(zhì)損耗因數(shù)增大，因此以上情況都可能導(dǎo)致電氣設(shè)備的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ增大。4.用QS1型西林電橋測量tanδ時，若有磁場干擾，可采用（）方法消除。A.倒相法B.移相法C.屏蔽法D.以上都是答案：D。解析：倒相法是通過將試驗電壓倒相，取兩次測量結(jié)果的平均值來消除磁場干擾；移相法是改變電壓或電流的相位，使干擾的影響相互抵消；屏蔽法是用屏蔽罩等屏蔽外界磁場，減少對測量的干擾，所以以上三種方法都可用來消除磁場干擾。5.測量接地電阻時，電流極、電壓極與被測接地體之間的夾角一般為（）。A.90°B.120°C.180°D.60°答案：C。解析：測量接地電阻采用三極法時，電流極、電壓極與被測接地體應(yīng)布置在一條直線上，即它們之間的夾角為180°，這樣可以使測量結(jié)果更準(zhǔn)確。二、判斷題1.絕緣電阻值隨溫度的升高而增大。（）答案：錯誤。解析：絕緣電阻值隨溫度的升高而降低，因為溫度升高時，絕緣材料內(nèi)部分子運動加劇，離子的遷移率增加，導(dǎo)電性能增強，導(dǎo)致絕緣電阻減小。2.交流耐壓試驗是鑒定電氣設(shè)備絕緣強度最有效、最直接的方法。（）答案：正確。解析：交流電壓作用下的電場分布與電氣設(shè)備在實際運行中的電場分布一致，能夠更真實地模擬設(shè)備的運行狀況，所以交流耐壓試驗是鑒定電氣設(shè)備絕緣強度最有效、最直接的方法。3.介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ只反映了絕緣的整體老化情況，不能反映局部缺陷。（）答案：錯誤。解析：介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ不僅能在一定程度上反映絕緣的整體老化情況，對于一些存在局部缺陷的絕緣，當(dāng)局部缺陷影響到絕緣的介質(zhì)損耗時，也能從tanδ值的變化中反映出來。4.用雙臂電橋測量直流電阻時，應(yīng)注意測量線的連接方式，避免測量誤差。（）答案：正確。解析：雙臂電橋在測量小電阻時，測量線的連接方式會對測量結(jié)果產(chǎn)生較大影響。正確的連接方式可以減少測量線電阻等因素帶來的誤差，保證測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。5.電容式電流互感器的末屏接地不良，會導(dǎo)致介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測量值增大。（）答案：正確。解析：電容式電流互感器的末屏接地不良時，會出現(xiàn)懸浮電位，導(dǎo)致局部放電等現(xiàn)象，使介質(zhì)損耗增加，從而使介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測量值增大。三、簡答題1.簡述絕緣電阻測量的步驟。答案：（1）準(zhǔn)備工作：選擇合適的兆歐表，其電壓等級應(yīng)與被測設(shè)備的電壓等級相適應(yīng)；檢查兆歐表是否完好，進行開路和短路試驗；將被測設(shè)備停電、驗電、接地放電。（2）測量接線：將兆歐表的L端接被測設(shè)備的導(dǎo)體部分，E端接設(shè)備的外殼或接地部分。對于有屏蔽層的設(shè)備，還需將G端接屏蔽層。（3）測量：驅(qū)動兆歐表手柄，使其轉(zhuǎn)速達到規(guī)定值（一般為120r/min），待指針穩(wěn)定后讀取絕緣電阻值。測量時間一般規(guī)定為1min。（4）拆線：測量完畢后，先將L端線從被測設(shè)備上取下，再停止搖動兆歐表，然后對被測設(shè)備進行放電。2.交流耐壓試驗中，試驗電壓的測量方法有哪些？答案：（1）用電壓互感器測量：將電壓互感器的一次側(cè)并聯(lián)在被試品的高壓側(cè)，二次側(cè)接電壓表，根據(jù)電壓互感器的變比計算出高壓側(cè)的試驗電壓。（2）用靜電電壓表測量：靜電電壓表可直接測量高壓交流電壓，其測量結(jié)果較為準(zhǔn)確，但測量范圍有限，且價格較貴。（3）用球隙測量：球隙測量是一種比較準(zhǔn)確的測量方法，根據(jù)球隙的放電電壓與球隙距離的關(guān)系，通過測量球隙距離來確定試驗電壓。（4）用分壓器測量：分壓器有電阻分壓器、電容分壓器和阻容分壓器等類型。將分壓器的高壓臂接試驗電壓，低壓臂輸出與高壓成正比的電壓，通過測量低壓臂的電壓，根據(jù)分壓比計算出高壓側(cè)的試驗電壓。3.為什么要測量電氣設(shè)備的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ？答案：測量電氣設(shè)備的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ具有重要意義：（1）判斷絕緣受潮情況：當(dāng)絕緣受潮時，其中的水分會增加導(dǎo)電通道，使介質(zhì)損耗增大，tanδ值也會相應(yīng)升高，通過測量tanδ可以及時發(fā)現(xiàn)絕緣受潮問題。（2）檢測絕緣老化：隨著絕緣材料的老化，其內(nèi)部的分子結(jié)構(gòu)會發(fā)生變化，導(dǎo)致介質(zhì)損耗增大，tanδ值上升。因此，測量tanδ可以監(jiān)測絕緣的老化程度。（3）發(fā)現(xiàn)局部缺陷：一些局部缺陷，如絕緣中的氣隙、裂紋等，在交變電壓作用下會產(chǎn)生局部放電，使介質(zhì)損耗增加。通過測量tanδ，可以發(fā)現(xiàn)這些能影響介質(zhì)損耗的局部缺陷。（4）綜合評估絕緣狀況：tanδ是反映絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下能量損耗的一個重要參數(shù)，結(jié)合其他絕緣試驗項目，如絕緣電阻測量、直流耐壓試驗等，可以更全面、準(zhǔn)確地評估電氣設(shè)備的絕緣狀況。4.簡述接地電阻測量的原理及常用方法。答案：原理：接地電阻是指電流由接地裝置流入大地再經(jīng)大地流向另一接地體或向遠處擴散所遇到的電阻。根據(jù)歐姆定律，用已知電流I注入接地體，測量接地體與遠處零電位點之間的電壓U，接地電阻R=U/I。常用方法：（1）三極法：在被測接地體周圍一定距離分別布置電流極和電壓極，通過測量加在接地體與電流極之間的電流I以及接地體與電壓極之間的電壓U，計算接地電阻R=U/I。這是最常用的測量方法。（2）鉗形接地電阻測量法：采用鉗形接地電阻儀，無需輔助電極，只需將鉗口夾住接地引下線，即可測量接地電阻。這種方法適用于一些難以進行三極法測量的場合，如多個接地體相互連接的情況，但測量結(jié)果可能會受到周圍其他接地導(dǎo)體的影響。（3）兩點法：適用于測量并聯(lián)接地體的接地電阻。將被測接地體與另一個已知接地電阻的接地體連接，測量它們之間的總電阻，再根據(jù)相關(guān)公式計算被測接地體的接地電阻。5.電氣設(shè)備試驗后，為什么要進行放電？答案：電氣設(shè)備試驗后進行放電的原因主要有以下幾點：（1）保障人身安全：在試驗過程中，電氣設(shè)備的電容等元件會儲存一定的電荷。如果試驗后不進行放電，當(dāng)操作人員接觸設(shè)備時，這些儲存的電荷會通過人體放電，可能導(dǎo)致人員觸電，造成人身傷害。（2）防止設(shè)備損壞：設(shè)備內(nèi)儲存的電荷可能會在后續(xù)操作中產(chǎn)生過高的電壓，對設(shè)備的絕緣等部件造成損壞。例如，在進行多次試驗時，如果前一次試驗后設(shè)備未放電，殘留電荷可能與后續(xù)施加的電壓疊加，使設(shè)備承受過高的電壓而損壞。（3）保證測量準(zhǔn)確性：如果設(shè)備內(nèi)有殘留電荷，會對后續(xù)的測量產(chǎn)生干擾，影響測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。例如，在進行絕緣電阻測量時，殘留電荷會影響測量時的電流值，導(dǎo)致測量結(jié)果不準(zhǔn)確。四、計算題1.用兆歐表測量某設(shè)備的絕緣電阻，若兆歐表的額定轉(zhuǎn)速為120r/min，測量時實際轉(zhuǎn)速為100r/min，測量值為500MΩ，求該設(shè)備真實的絕緣電阻（假設(shè)絕緣電阻與轉(zhuǎn)速成正比）。解：設(shè)真實絕緣電阻為R，測量絕緣電阻為R測，額定轉(zhuǎn)速為n0，實際轉(zhuǎn)速為n。因為絕緣電阻與轉(zhuǎn)速成正比，所以可得\(\frac{R}{R_{測}}=\frac{n_{0}}{n}\)。已知\(R_{測}=500M\Omega\)，\(n_{0}=120r/min\)，\(n=100r/min\)。則\(R=\frac{n_{0}}{n}\timesR_{測}=\frac{120}{100}\times500=600M\Omega\)。所以該設(shè)備真實的絕緣電阻為600MΩ。2.某電容式電壓互感器，額定電容為\(0.005\muF\)，在額定電壓\(110kV\)下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)\(\tan\delta=0.5\%\)，求該電壓互感器的介質(zhì)損耗功率。解：已知電容\(C=0.005\muF=0.005\times10^{6}F\)，電壓\(U=110kV=110\times10^{3}V\)，\(\tan\delta=0.5\%=0.005\)，電源頻率\(f=50Hz\)。根據(jù)介質(zhì)損耗功率公式\(P=U^{2}\omegaC\tan\delta\)，其中\(zhòng)(\omega=2\pif\)。\(\omega=2\pi\times50=100\pirad/s\)。\(P=(110\times10^{3})^{2}\times100\pi\times0.005\times10^{6}\times0.005\)\(P=110^{2}\times10^{6}\times100\pi\times0.005\times10^{6}\times0.005\)\(P=12100\times100\pi\times0.005\times10^{6}\times0.005\times10^{6}\)\(P=12100\times100\pi\times0.005\times0.005\)\(P\approx94.98W\approx95W\)。所以該電壓互感器的介質(zhì)損耗功率約為95W。3.用雙臂電橋測量某變壓器繞組的直流電阻，電橋平衡時，已知標(biāo)準(zhǔn)電阻\(R_{n}=0.1\Omega\)，比率臂\(C=0.01\)，求被測繞組的直流電阻\(R_{x}\)。解：根據(jù)雙臂電橋測量電阻的原理，被測電阻\(R_{x}=C\timesR_{n}\)。已知\(R_{n}=0.1\Omega\)，\(C=0.01\)。則\(R_{x}=0.01\times0.1=0.001\Omega\)。所以被測繞組的直流電阻為\(0.001\Omega\)。4.已知某電氣設(shè)備的電容\(C=0.1\muF\)，在\(50Hz\)的交流電壓\(U=10kV\)下進行耐壓試驗，求試驗電流\(I\)。解：根據(jù)電容的容抗公式\(X_{C}=\frac{1}{2\pifC}\)，其中\(zhòng)(f=50Hz\)，\(C=0.1\muF=0.1\times10^{6}F\)。\(X_{C}=\frac{1}{2\pi\times50\times0.1\times10^{6}}=\frac{1}{100\pi\times10^{6}}\)\(X_{C}=\frac{10^{6}}{100\pi}\Omega\approx3183.1\Omega\)。再根據(jù)歐姆定律\(I=\frac{U}{X_{C}}\)，\(U=10kV=10\times10^{3}V\)。\(I=\frac{10\times1