《GB/T6217-1998半導(dǎo)體器件

分立器件

第7部分:雙極型晶體管

第一篇

高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范》(2026年)深度解析目錄一

追溯標(biāo)準(zhǔn)本源：

GB/T6217-1998的制定背景

定位及對(duì)行業(yè)的核心價(jià)值是什么？

專家視角深度剖析二

解碼標(biāo)準(zhǔn)框架：

高低頻放大雙極型晶體管空白規(guī)范的核心結(jié)構(gòu)如何搭建？

各模塊邏輯關(guān)聯(lián)(2026年)深度解析三

聚焦核心定義：

高低頻放大環(huán)境額定雙極型晶體管的關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)有哪些？?jī)?nèi)涵與邊界專家精準(zhǔn)界定四

拆解技術(shù)要求：

高低頻放大雙極型晶體管的電性能

環(huán)境性能指標(biāo)如何設(shè)定？

達(dá)標(biāo)關(guān)鍵點(diǎn)深度剖析五

明晰試驗(yàn)方法：

如何精準(zhǔn)驗(yàn)證晶體管性能是否符合標(biāo)準(zhǔn)？

核心試驗(yàn)流程與操作要點(diǎn)專家解讀六

解讀標(biāo)志包裝：

晶體管的標(biāo)志

包裝

運(yùn)輸及貯存有何規(guī)范？

合規(guī)性與實(shí)用性平衡策略分析七

空白規(guī)范實(shí)操：

GB/T6217-1998的空白詳細(xì)規(guī)范如何落地使用？

企業(yè)定制化填充要點(diǎn)與案例解析八

對(duì)比國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T6217-1998與IEC

相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)有何差異？

國(guó)際化適配與自主創(chuàng)新路徑探討九

應(yīng)對(duì)行業(yè)變革：

在半導(dǎo)體

mini

化趨勢(shì)下，

GB/T6217-1998是否仍適用？

修訂方向與適配策略預(yù)測(cè)十

賦能產(chǎn)業(yè)實(shí)踐：

GB/T6217-1998如何指導(dǎo)高低頻放大晶體管研發(fā)生產(chǎn)？

典型應(yīng)用場(chǎng)景與效益分析追溯標(biāo)準(zhǔn)本源：GB/T6217-1998的制定背景定位及對(duì)行業(yè)的核心價(jià)值是什么？專家視角深度剖析標(biāo)準(zhǔn)制定的時(shí)代背景：為何1998年要聚焦高低頻放大雙極型晶體管規(guī)范？011990年代我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，雙極型晶體管在通信家電等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，但高低頻放大類(lèi)產(chǎn)品無(wú)統(tǒng)一規(guī)范，企業(yè)生產(chǎn)混亂質(zhì)量參差不齊。進(jìn)口產(chǎn)品沖擊下，亟需制定國(guó)標(biāo)統(tǒng)一技術(shù)要求。1998年發(fā)布該標(biāo)準(zhǔn)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，規(guī)范市場(chǎng)秩序，為產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展奠定基礎(chǔ)。02（二）標(biāo)準(zhǔn)的行業(yè)定位：在半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)體系中處于何種核心地位？01該標(biāo)準(zhǔn)屬于GB/T6217系列第7部分第一篇，聚焦高低頻放大環(huán)境額定雙極型晶體管，是分立器件標(biāo)準(zhǔn)體系的關(guān)鍵分支。上承半導(dǎo)體器件通用規(guī)范，下接企業(yè)產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范，為特定用途晶體管提供技術(shù)依據(jù)，是銜接基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的核心紐帶，對(duì)細(xì)分領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)化起引領(lǐng)作用。02（三）標(biāo)準(zhǔn)的核心價(jià)值：對(duì)企業(yè)生產(chǎn)市場(chǎng)監(jiān)管及產(chǎn)業(yè)升級(jí)有何關(guān)鍵作用？01對(duì)企業(yè)，提供統(tǒng)一技術(shù)框架，降低研發(fā)成本，提升產(chǎn)品兼容性；對(duì)監(jiān)管，明確檢驗(yàn)依據(jù)，規(guī)范市場(chǎng)準(zhǔn)入，打擊劣質(zhì)產(chǎn)品；對(duì)產(chǎn)業(yè)，推動(dòng)技術(shù)同質(zhì)化與質(zhì)量提升，促進(jìn)上下游協(xié)同，為后續(xù)高頻化小型化技術(shù)創(chuàng)新提供基準(zhǔn)，助力產(chǎn)業(yè)從粗放向精細(xì)化轉(zhuǎn)型。02解碼標(biāo)準(zhǔn)框架：高低頻放大雙極型晶體管空白規(guī)范的核心結(jié)構(gòu)如何搭建？各模塊邏輯關(guān)聯(lián)(2026年)深度解析標(biāo)準(zhǔn)的總體架構(gòu)：從范圍到附錄的模塊劃分有何內(nèi)在邏輯？標(biāo)準(zhǔn)按“范圍-引用標(biāo)準(zhǔn)-定義-技術(shù)要求-試驗(yàn)方法-標(biāo)志包裝-空白規(guī)范”邏輯搭建，附錄補(bǔ)充數(shù)據(jù)表格。先明確適用邊界與參考依據(jù)，再界定核心概念，隨后規(guī)定“要求-方法-保障”全鏈條內(nèi)容，最后通過(guò)空白規(guī)范提供實(shí)操模板，形成“基礎(chǔ)-核心-應(yīng)用”的完整架構(gòu)，符合標(biāo)準(zhǔn)制定的通用邏輯與行業(yè)認(rèn)知習(xí)慣。12（二）核心模塊解析：技術(shù)要求與試驗(yàn)方法為何是標(biāo)準(zhǔn)的兩大支柱？01技術(shù)要求明確晶體管應(yīng)滿足的性能指標(biāo)，是產(chǎn)品合格的核心判定依據(jù)；試驗(yàn)方法提供指標(biāo)驗(yàn)證的具體流程，確保檢驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性與一致性。二者相互支撐：技術(shù)要求為試驗(yàn)提供目標(biāo)，試驗(yàn)方法為要求落地提供保障，缺失任一模塊則標(biāo)準(zhǔn)失去實(shí)操價(jià)值。兩大模塊直接關(guān)聯(lián)產(chǎn)品質(zhì)量判定，是規(guī)范生產(chǎn)檢驗(yàn)的關(guān)鍵，故成為標(biāo)準(zhǔn)支柱。02（三）空白規(guī)范模塊：作為“空白”形式存在的意義與使用邏輯是什么？空白規(guī)范提供標(biāo)準(zhǔn)化的表格與格式，供企業(yè)根據(jù)具體產(chǎn)品型號(hào)填充參數(shù)。其意義在于既保證行業(yè)技術(shù)要求的統(tǒng)一性，又兼顧企業(yè)產(chǎn)品的個(gè)性化差異。使用邏輯為：企業(yè)以標(biāo)準(zhǔn)核心要求為基礎(chǔ)，在空白框架內(nèi)補(bǔ)充產(chǎn)品特定參數(shù)，形成企業(yè)詳細(xì)規(guī)范，實(shí)現(xiàn)“統(tǒng)一基準(zhǔn)+個(gè)性適配”的平衡，提升標(biāo)準(zhǔn)落地效率。聚焦核心定義：高低頻放大環(huán)境額定雙極型晶體管的關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)有哪些？?jī)?nèi)涵與邊界專家精準(zhǔn)界定基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ)界定：雙極型晶體管的核心定義與工作原理如何闡釋？01標(biāo)準(zhǔn)定義雙極型晶體管為“由兩種載流子（電子和空穴）參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件”，核心結(jié)構(gòu)含發(fā)射極基極集電極。工作原理基于基極電流控制集電極電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大。該定義明確器件導(dǎo)電機(jī)制與核心結(jié)構(gòu)，區(qū)分于單極型晶體管，為后續(xù)性能指標(biāo)設(shè)定提供基礎(chǔ)，確保行業(yè)對(duì)研究對(duì)象認(rèn)知統(tǒng)一。02（二）關(guān)鍵限定術(shù)語(yǔ)：“高低頻放大環(huán)境額定”的內(nèi)涵與劃分標(biāo)準(zhǔn)是什么？“高低頻”按截止頻率劃分：低頻通常指截止頻率fT＜30MHz，高頻指fT≥30MHz；“放大環(huán)境額定”指器件在指定放大應(yīng)用場(chǎng)景下的額定參數(shù)。標(biāo)準(zhǔn)明確該限定針對(duì)信號(hào)放大用途，排除開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓等其他用途晶體管，劃定適用范圍。此界定使標(biāo)準(zhǔn)聚焦特定應(yīng)用場(chǎng)景，提升技術(shù)要求的針對(duì)性與精準(zhǔn)性。（三）性能相關(guān)術(shù)語(yǔ)：電流放大系數(shù)截止頻率等關(guān)鍵指標(biāo)的定義如何解讀？電流放大系數(shù)指集電極電流與基極電流的比值，反映放大能力；截止頻率指放大系數(shù)下降至低頻值0.707倍時(shí)的頻率，體現(xiàn)頻率特性。標(biāo)準(zhǔn)定義明確指標(biāo)計(jì)算方法與測(cè)試條件，避免企業(yè)因定義差異導(dǎo)致的參數(shù)標(biāo)注混亂。這些術(shù)語(yǔ)是技術(shù)要求的核心載體，其精準(zhǔn)定義是指標(biāo)統(tǒng)一的前提。12拆解技術(shù)要求：高低頻放大雙極型晶體管的電性能環(huán)境性能指標(biāo)如何設(shè)定？達(dá)標(biāo)關(guān)鍵點(diǎn)深度剖析電性能核心指標(biāo)：輸入輸出特性放大特性等指標(biāo)的設(shè)定依據(jù)是什么？01指標(biāo)設(shè)定基于1990年代高低頻放大應(yīng)用需求，如通信設(shè)備需高放大系數(shù)寬頻率范圍，家電需穩(wěn)定輸入輸出特性。參考國(guó)際IEC標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)內(nèi)主流企業(yè)技術(shù)水平，兼顧先進(jìn)性與可行性。例如電流放大系數(shù)設(shè)定50-300范圍，既滿足多數(shù)放大場(chǎng)景需求，又符合當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)工藝能力，確保企業(yè)可實(shí)現(xiàn)達(dá)標(biāo)。02（二）環(huán)境性能要求：溫度濕度振動(dòng)等環(huán)境條件下的性能穩(wěn)定性如何規(guī)定？01標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定工作溫度范圍-55℃~125℃,濕度45%~95%，振動(dòng)頻率10~500Hz等條件下，晶體管參數(shù)變化量不超過(guò)±10%。設(shè)定依據(jù)為常見(jiàn)應(yīng)用環(huán)境（如工業(yè)控制通信基站）的環(huán)境極限，通過(guò)模擬極端環(huán)境確保器件可靠性。要求企業(yè)采用耐溫抗振封裝材料，關(guān)鍵工藝需做環(huán)境老化測(cè)試。02（三）達(dá)標(biāo)關(guān)鍵點(diǎn)：生產(chǎn)中如何精準(zhǔn)控制工藝以滿足核心技術(shù)要求？電性能達(dá)標(biāo)關(guān)鍵：基區(qū)寬度控制（影響放大系數(shù)）發(fā)射結(jié)摻雜濃度（影響頻率特性），需采用精準(zhǔn)光刻與離子注入工藝。環(huán)境性能達(dá)標(biāo)關(guān)鍵：封裝密封性（防濕）引線焊接強(qiáng)度（抗振），需優(yōu)化封裝模具與焊接參數(shù)。生產(chǎn)中需實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)基區(qū)厚度封裝氣密性等參數(shù)，通過(guò)統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制確保穩(wěn)定性。明晰試驗(yàn)方法：如何精準(zhǔn)驗(yàn)證晶體管性能是否符合標(biāo)準(zhǔn)？核心試驗(yàn)流程與操作要點(diǎn)專家解讀電性能試驗(yàn)：電流放大系數(shù)截止頻率等指標(biāo)的測(cè)試流程是什么？01電流放大系數(shù)測(cè)試：接入直流電源，設(shè)定基極電流IB，測(cè)量集電極電流IC，計(jì)算IC/IB。截止頻率測(cè)試：輸入不同頻率正弦信號(hào)，測(cè)量放大系數(shù)，記錄下降至低頻值0.707倍時(shí)的頻率。操作要點(diǎn)：測(cè)試環(huán)境溫度控制在25℃±2℃,避免電源噪聲干擾，采用高精度電流表頻率發(fā)生器，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。02（二）環(huán)境性能試驗(yàn)：高低溫濕熱振動(dòng)試驗(yàn)的具體操作規(guī)范有哪些？1高低溫試驗(yàn)：將器件放入高低溫箱，從-55℃到125℃循環(huán)3次，每次保溫2h，測(cè)試參數(shù)變化。濕熱試驗(yàn)：45%~95%濕度40℃環(huán)境放置96h后測(cè)試。振動(dòng)試驗(yàn)：10~500Hz頻率5g加速度振動(dòng)30min。要點(diǎn)：試驗(yàn)前記錄初始參數(shù)，試驗(yàn)中避免器件碰撞，試驗(yàn)后恢復(fù)至室溫再測(cè)試。2（三）試驗(yàn)結(jié)果判定：如何依據(jù)數(shù)據(jù)判斷器件是否合格？爭(zhēng)議處理原則是什么？01判定依據(jù)：所有測(cè)試參數(shù)需在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定范圍（如電流放大系數(shù)50-300），且環(huán)境試驗(yàn)后參數(shù)變化量≤±10%。爭(zhēng)議處理：當(dāng)試驗(yàn)結(jié)果不合格時(shí)，需重新抽取雙倍樣品復(fù)試，若仍不合格則判定批次不合格；對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)有爭(zhēng)議，采用國(guó)家計(jì)量認(rèn)證的第三方實(shí)驗(yàn)室復(fù)檢，以復(fù)檢結(jié)果為準(zhǔn)。02解讀標(biāo)志包裝：晶體管的標(biāo)志包裝運(yùn)輸及貯存有何規(guī)范？合規(guī)性與實(shí)用性平衡策略分析產(chǎn)品標(biāo)志要求：器件本體及包裝上需標(biāo)注哪些核心信息？標(biāo)注規(guī)范是什么？本體需標(biāo)注型號(hào)生產(chǎn)廠家代號(hào)生產(chǎn)批號(hào)極性；包裝標(biāo)注標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)（GB/T6217-1998）產(chǎn)品名稱數(shù)量生產(chǎn)日期合格標(biāo)志。標(biāo)注規(guī)范：本體標(biāo)志清晰耐磨，采用激光刻蝕或絲網(wǎng)印刷；包裝標(biāo)志采用不易褪色油墨，位置居中醒目。確保標(biāo)識(shí)可追溯，便于生產(chǎn)管理與質(zhì)量追溯。（二）包裝與運(yùn)輸規(guī)范：不同運(yùn)輸場(chǎng)景下的包裝方式與防護(hù)要求是什么？?jī)?nèi)包裝用防靜電袋封裝，每袋不超過(guò)500個(gè)；外包裝用瓦楞紙箱，內(nèi)置泡沫緩沖。公路運(yùn)輸：紙箱堆疊高度≤5層，避免擠壓；鐵路/航空運(yùn)輸：需標(biāo)注“易碎”“防靜電”標(biāo)識(shí)，嚴(yán)禁與強(qiáng)磁場(chǎng)物品混運(yùn)。包裝材料需滿足防潮防靜電抗沖擊要求，確保運(yùn)輸中器件性能不受損。（三）貯存條件與期限：如何通過(guò)規(guī)范貯存保障器件長(zhǎng)期性能穩(wěn)定？01貯存條件：溫度0℃~40℃,濕度45%~75%，通風(fēng)干燥，遠(yuǎn)離強(qiáng)磁場(chǎng)腐蝕性氣體。貯存期限：未開(kāi)封包裝下12個(gè)月，開(kāi)封后需在30天內(nèi)使用。管理要點(diǎn)：建立庫(kù)存臺(tái)賬，先進(jìn)先出；定期抽檢庫(kù)存器件，測(cè)試電性能，發(fā)現(xiàn)參數(shù)漂移及時(shí)處理。規(guī)范貯存可防止器件氧化受潮，保障長(zhǎng)期可靠性。02空白規(guī)范實(shí)操：GB/T6217-1998的空白詳細(xì)規(guī)范如何落地使用？企業(yè)定制化填充要點(diǎn)與案例解析空白規(guī)范的核心構(gòu)成：表格與欄目設(shè)置反映哪些關(guān)鍵技術(shù)要素？空白規(guī)范含產(chǎn)品型號(hào)電性能參數(shù)表環(huán)境性能參數(shù)表試驗(yàn)方法對(duì)照表等欄目。核心要素包括：特定型號(hào)的電流放大系數(shù)截止頻率等具體數(shù)值，試驗(yàn)條件的細(xì)化參數(shù)，生產(chǎn)工藝特殊要求，質(zhì)量等級(jí)劃分。欄目設(shè)置對(duì)應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)核心要求，引導(dǎo)企業(yè)圍繞關(guān)鍵技術(shù)要素填充，確保不偏離標(biāo)準(zhǔn)框架。12（二）定制化填充要點(diǎn)：企業(yè)如何結(jié)合產(chǎn)品特性精準(zhǔn)填充參數(shù)與要求？填充要點(diǎn)：根據(jù)產(chǎn)品用途設(shè)定參數(shù)（高頻通信產(chǎn)品提高截止頻率，工業(yè)控制產(chǎn)品強(qiáng)化溫度穩(wěn)定性）；明確測(cè)試條件細(xì)化值（如測(cè)試溫度25℃±1℃)；補(bǔ)充企業(yè)特殊工藝要求（如定制封裝材料）。需確保填充參數(shù)不低于標(biāo)準(zhǔn)最低要求，同時(shí)匹配自身工藝能力，避免過(guò)度承諾導(dǎo)致達(dá)標(biāo)困難。12（三）實(shí)操案例解析：某電子企業(yè)落地空白規(guī)范的具體流程與效果如何？某通信器件企業(yè)：1.確定產(chǎn)品型號(hào)為3DG12（高頻放大管）；2.填充截止頻率fT≥100MHz，電流放大系數(shù)80-200；3.細(xì)化濕熱試驗(yàn)為50℃90%濕度；4.形成企業(yè)詳細(xì)規(guī)范。效果：研發(fā)周期縮短20%，產(chǎn)品與下游設(shè)備兼容性提升30%，因參數(shù)標(biāo)注規(guī)范，市場(chǎng)認(rèn)可度顯著提高，不合格率從5%降至1.2%。對(duì)比國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：GB/T6217-1998與IEC相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)有何差異？國(guó)際化適配與自主創(chuàng)新路徑探討與IEC60191-7-1的對(duì)比：技術(shù)要求與試驗(yàn)方法的核心差異在哪？IEC60191-7-1為國(guó)際對(duì)應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)，差異主要在：1.環(huán)境溫度范圍，IEC為-65℃~150℃,國(guó)標(biāo)為-55℃~125℃,適配國(guó)內(nèi)應(yīng)用環(huán)境；2.試驗(yàn)樣本量，IEC要求50個(gè)，國(guó)標(biāo)30個(gè)，降低企業(yè)測(cè)試成本；3.放大系數(shù)精度，IEC為±5%，國(guó)標(biāo)為±10%，符合當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)測(cè)試設(shè)備精度。（二）差異成因分析：為何國(guó)標(biāo)要結(jié)合國(guó)內(nèi)情況進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)整？01調(diào)整基于三點(diǎn)：1.應(yīng)用場(chǎng)景，國(guó)內(nèi)多數(shù)設(shè)備無(wú)需極端低溫-65℃,簡(jiǎn)化后更貼合實(shí)際；2.產(chǎn)業(yè)水平，1998年國(guó)內(nèi)企業(yè)測(cè)試設(shè)備精度有限，±10%更易落地；3.成本控制，樣本量減少降低中小企業(yè)測(cè)試負(fù)擔(dān)。調(diào)整并非降低標(biāo)準(zhǔn)，而是在滿足國(guó)內(nèi)主流需求基礎(chǔ)上，提升標(biāo)準(zhǔn)的可行性與經(jīng)濟(jì)性。02（三）國(guó)際化適配策略：企業(yè)如何兼顧國(guó)標(biāo)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)出口合規(guī)？策略：1.采用“基礎(chǔ)達(dá)標(biāo)+升級(jí)選項(xiàng)”模式，基礎(chǔ)滿足國(guó)標(biāo)，出口產(chǎn)品按IEC提升指標(biāo)；2.引入國(guó)際認(rèn)證（如UL），通過(guò)第三方驗(yàn)證證明合規(guī)性；3.建立雙標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程，關(guān)鍵工藝（如封裝）采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，確保性能兼容。既依托國(guó)標(biāo)降低內(nèi)銷(xiāo)成本，又通過(guò)靈活調(diào)整適配國(guó)際市場(chǎng)。12應(yīng)對(duì)行業(yè)變革：在半導(dǎo)體mini化趨勢(shì)下，GB/T6217-1998是否仍適用？修訂方向與適配策略預(yù)測(cè)行業(yè)趨勢(shì)沖擊：Mini化高頻化對(duì)傳統(tǒng)晶體管標(biāo)準(zhǔn)提出哪些挑戰(zhàn)？挑戰(zhàn)：1.Mini化導(dǎo)致器件散熱性下降，原環(huán)境溫度要求需提升；2.高頻化使截止頻率等指標(biāo)需求突破原標(biāo)準(zhǔn)上限（原國(guó)標(biāo)最高fT未明確超300MHz）；3.新型封裝（如SMT）使原包裝試驗(yàn)方法不適用。傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)未涵蓋這些新特性，導(dǎo)致部分新型產(chǎn)品無(wú)法對(duì)標(biāo)，出現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)滯后問(wèn)題。12（二）標(biāo)準(zhǔn)適用性評(píng)估：現(xiàn)有條款對(duì)新型產(chǎn)品的覆蓋度與指導(dǎo)價(jià)值如何？覆蓋度評(píng)估：對(duì)傳統(tǒng)插裝式中低頻晶體管（fT＜300MHz）覆蓋完整，指導(dǎo)價(jià)值高；對(duì)SMT封裝fT≥500MHz的高頻Mini器件，覆蓋度不足60%，如無(wú)Mini封裝的振動(dòng)試驗(yàn)參數(shù)高頻下的穩(wěn)定性要求。仍適用中低端傳統(tǒng)場(chǎng)景，但在高端新型產(chǎn)品領(lǐng)域指導(dǎo)作用弱化，需針對(duì)性修訂。（三）修訂方向預(yù)測(cè)：結(jié)合未來(lái)5年技術(shù)趨勢(shì)，標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)從哪些方面優(yōu)化？預(yù)測(cè)方向：1.拓展指標(biāo)范圍，提升截止頻率上限至1GHz，擴(kuò)大溫度范圍至-65℃~150℃；2.新增Mini封裝相關(guān)要求，包括封裝尺寸焊接強(qiáng)度測(cè)試；3.補(bǔ)充高頻穩(wěn)定性試驗(yàn)方