隨著時(shí)代的發(fā)展，人們對(duì)于世界的認(rèn)識(shí)也在不斷地加深。不斷有新的材料和技術(shù)被人們發(fā)現(xiàn)創(chuàng)造出來(lái)，微帶線技術(shù)就是其中之一。在工作和生產(chǎn)中慢慢人們發(fā)現(xiàn)，平行線在高頻場(chǎng)合輻射損耗很大，它不適合作為分米波、厘米波段的傳輸線。為了克服這個(gè)問(wèn)題，同軸線和波導(dǎo)被創(chuàng)造了出來(lái)，它們可以很好的在高頻場(chǎng)合工作。但是其笨重的確定點(diǎn)，在航空航天、衛(wèi)星領(lǐng)域快速發(fā)展的時(shí)代里又被淘汰。為了適應(yīng)現(xiàn)代無(wú)線電技術(shù)的發(fā)展，微帶線登上了歷史的舞臺(tái)。1.微帶線的結(jié)構(gòu)其具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造難度低、輕小精巧等諸多優(yōu)點(diǎn)。它可以用光刻制作，在裝設(shè)器件和進(jìn)行調(diào)試時(shí)比較便捷。它很容易和其他微波電路集成。Wh圖2.1結(jié)構(gòu)圖h是基片厚度；W是導(dǎo)帶寬度；ε,是相對(duì)介電常數(shù)；tanδ(δ是材料的損耗角)。最常見(jiàn)的微帶線的構(gòu)圖方法有兩種錯(cuò)誤!未找到引用源。:a.厚膜技術(shù)：該方法利用掩膜，使用金屬材料在基片上燒結(jié)；b.薄膜技術(shù)：使用真空蒸發(fā)或者其他的方法，在基片上形成薄薄的金屬膜。然后再使用光刻的方法在形成的薄膜上構(gòu)建圖形。薄膜技術(shù)制作微帶線主要工藝過(guò)程：圖2.2薄膜技術(shù)工藝過(guò)程在制作過(guò)程中，二次加厚的目的是為了：其一，節(jié)省貴重金屬防止圖形以外的其他部分的金屬被腐蝕損耗掉。其二，如果金屬膜太厚腐蝕的速度會(huì)加快，當(dāng)?shù)灼膶?duì)比不明顯時(shí)容易產(chǎn)生廢品。為了制造出性能更好的產(chǎn)品，我們應(yīng)當(dāng)慎重選擇材料的種類(lèi)。不同材料的屬性對(duì)于微帶線的性能影響差異很大。下表是不同材料的屬性：表2.1基片材料屬性良良不能良6差良不能良玻璃5不能差瓷不能良瓷Al?O?99.6%不能良由表2.1可見(jiàn)，石英的介電常數(shù)比較小，它的絕緣性能較弱不利于產(chǎn)品的體積的小型化。與其他材料相比金紅石它的絕緣性能良好，它就可以應(yīng)用在集成化程度高的產(chǎn)品中。玻璃其耐化學(xué)性氧化和機(jī)械加工度都性能比較差，藍(lán)寶石是稀有礦物它不適合于大規(guī)模的用于生產(chǎn)制造。綜合對(duì)比之后我們發(fā)現(xiàn)瓷是最理想材料，它的組成成分是Al?O?。大多數(shù)基片都選用99瓷來(lái)用作制作的材料。對(duì)于金屬材料，應(yīng)有下列要求：銀銀銅金鋁鎢電阻率趨膚深度熱膨脹系數(shù)181525很差很差很差好的影響。(1)首先是它的制造方法。和帶狀線不同的是帶狀線需進(jìn)行機(jī)加工，而微帶線通過(guò)薄(2)相較于其他傳輸線它更加的輕巧精致；(3)生產(chǎn)的成本降低；(4)精度和可靠性更高；(5)易于與其他電路和元件集成；(6)損耗較大；(7)功率容量小。從上面的公式中我們可以分析出，輸入阻抗Zin的值與Z?和ε的值密切相關(guān)的。如若Z?和ε_(tái)的值發(fā)生變化時(shí)，Zin的值也會(huì)發(fā)生變化。當(dāng)ε(介電常數(shù))和d