2025年模擬電路試卷及一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.溫度升高時(shí)，硅PN結(jié)的反向飽和電流Is將（）。A.基本不變B.指數(shù)級(jí)增大C.線性減小D.先增后減2.某增強(qiáng)型NMOS管的開啟電壓UT=2V，當(dāng)柵源電壓UGS=3V、漏源電壓UDS=5V時(shí)，該管工作在（）。A.截止區(qū)B.可變電阻區(qū)C.飽和區(qū)D.擊穿區(qū)3.共集電極放大電路的主要特點(diǎn)是（）。A.電壓增益高、輸入電阻小B.電壓增益近似為1、輸出電阻小C.電流增益低、輸出電阻大D.頻帶窄、噪聲抑制能力強(qiáng)4.差分放大電路抑制零點(diǎn)漂移的根本原因是（）。A.采用雙電源供電B.電路參數(shù)對(duì)稱C.引入共模負(fù)反饋D.輸出端接負(fù)載電阻5.某放大電路的中頻電壓增益為40dB，上限截止頻率fH=100kHz，下限截止頻率fL=50Hz。當(dāng)輸入信號(hào)頻率為10Hz時(shí)，實(shí)際電壓增益約為（）。A.37dBB.40dBC.20dBD.0dB6.集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差分放大電路，主要是為了（）。A.提高電壓增益B.增大輸出功率C.抑制溫漂和共模信號(hào)D.降低輸出電阻7.設(shè)計(jì)一個(gè)同相比例運(yùn)算電路，要求電壓增益Av=100，若反饋電阻Rf=100kΩ，則輸入電阻R1應(yīng)取（）。A.1kΩB.10kΩC.100kΩD.1MΩ8.某OCL功率放大電路的電源電壓VCC=±15V，負(fù)載電阻RL=8Ω，忽略晶體管飽和壓降時(shí)，最大輸出功率約為（）。A.14WB.28WC.56WD.7W9.串聯(lián)型線性穩(wěn)壓電源中，調(diào)整管工作在（）。A.截止區(qū)B.飽和區(qū)C.放大區(qū)D.擊穿區(qū)10.為了穩(wěn)定放大電路的輸出電流并提高輸入電阻，應(yīng)引入（）。A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋B.電壓并聯(lián)負(fù)反饋C.電流串聯(lián)負(fù)反饋D.電流并聯(lián)負(fù)反饋二、填空題（每題3分，共15分）1.某二極管的伏安特性近似為iD=IS(e^(uD/UT)-1)，其中UT為溫度電壓當(dāng)量，當(dāng)溫度為300K時(shí)，UT≈______mV。2.某BJT的共射極輸出特性曲線中，當(dāng)IB=40μA時(shí)，IC=3.2mA；IB=60μA時(shí)，IC=4.8mA，則該管的交流電流放大系數(shù)β≈______。3.共基放大電路的輸入電阻主要由______決定，其頻率特性優(yōu)于共射電路的原因是______。4.某集成運(yùn)放的開環(huán)差模增益Aud=10^5，差模輸入電阻rid=2MΩ，輸出電阻ro=200Ω。當(dāng)引入深度電壓串聯(lián)負(fù)反饋（反饋系數(shù)F=0.01）時(shí)，閉環(huán)電壓增益Avf≈______，閉環(huán)輸入電阻rif≈______。5.設(shè)計(jì)RC橋式正弦波振蕩電路時(shí)，若選頻網(wǎng)絡(luò)的電阻R=10kΩ，電容C=0.01μF，則振蕩頻率f0≈______Hz（保留整數(shù)）。三、分析計(jì)算題（每題15分，共45分）1.圖1所示為分壓式偏置共射放大電路（注：VCC=12V，Rb1=47kΩ，Rb2=15kΩ，Rc=3kΩ，Re=1kΩ，RL=3kΩ，Rs=500Ω，晶體管β=80，UBE=0.7V，rbb'=200Ω，C1、C2、Ce為耦合/旁路電容且容量足夠大）。（1）計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)Q（ICQ、UCEQ）；（2）畫出小信號(hào)等效電路；（3）計(jì)算中頻電壓增益Av=uo/ui、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro；（4）若Ce開路，重新計(jì)算Av、Ri（保留兩位小數(shù)）。2.圖2所示為雙端輸入-單端輸出差分放大電路（注：VCC=VEE=12V，Rb=1kΩ，Rc=10kΩ，Re=10kΩ，RL=10kΩ，晶體管T1、T2特性對(duì)稱，β=100，UBE=0.7V，rbe=2kΩ）。（1）計(jì)算差模電壓增益Ad=uo/uid；（2）計(jì)算共模電壓增益Ac=uo/uic；（3）計(jì)算共模抑制比KCMR（用分貝表示）；（4）若輸入信號(hào)uid=20mV，uic=500mV，求輸出電壓uo的大小。3.圖3所示為集成運(yùn)放組成的運(yùn)算電路（注：運(yùn)放為理想器件，R1=10kΩ，R2=20kΩ，R3=30kΩ，Rf=60kΩ，C=1μF）。（1）說明A1、A2各自構(gòu)成的運(yùn)算電路類型；（2）推導(dǎo)uo1與ui1、ui2的關(guān)系式；（3）推導(dǎo)uo與uo1的關(guān)系式（設(shè)t=0時(shí)uo=0）；（4）若ui1=0.5V，ui2=1V，求t=1s時(shí)的uo值。四、設(shè)計(jì)題（20分）設(shè)計(jì)一個(gè)多級(jí)放大電路，要求滿足以下指標(biāo)：-電壓增益|Av|≥1000-輸入電阻Ri≥50kΩ-輸出電阻Ro≤100Ω-負(fù)載電阻RL=1kΩ-電源電壓VCC=+15V已知可用器件：NPN型晶體管（β=100，rbb'=200Ω，UBE=0.7V）、集成運(yùn)放（理想特性）、電阻（1kΩ~1MΩ）、電容（1μF~100μF）。要求：