項目8半導體存儲器的認知任務(wù)8.2常用ROM電路的結(jié)構(gòu)和使用方法吳蕾只讀存儲器和隨機存取存儲器的區(qū)別？隨機存取存儲器RAM（RandomAccessMemory）：在工作時既能從中讀出（取出）信息，又能隨時寫入（存入）信息，但斷電后所存信息消失。只讀存儲器ROM（Read-onlyMemory）：在工作時只能從中讀出信息，不能寫入信息，且斷電后其所存信息在仍能保持。任務(wù)8.2常用ROM電路的結(jié)構(gòu)和使用方法

一、ROM的分類二、ROM的結(jié)構(gòu)

三、ROM的的工作原理四、ROM的應(yīng)用

五、ROM的容量擴展一、ROM的分類ROM按存儲內(nèi)容的寫入方式，可分為固定ROM，可編程只讀存儲器（PROM），可擦除可編程只讀存取器（ErasableProarammableReadOnlyMemory，簡稱EPROM）。1、固定ROM：在制造時根據(jù)特定的要求作成固定的存儲內(nèi)容，出廠后，用戶無法更改，只能讀出。2、PROM：存儲內(nèi)容可以由使用者編制寫入，但是只能寫入一次，一經(jīng)寫入就不能再更改。3、EPROM：存儲內(nèi)容可以改變，但EPROM所存內(nèi)容的擦去或者改寫，需要專門的擦抹器和編程器實現(xiàn)。在工作時，只能讀出。（1）升級版E2PROM，可用電擦寫方式擦寫。（2）快閃存儲器（FlashMemory）一、ROM的分類思考：我們?nèi)粘Ｓ玫氖謾C中通常所說的內(nèi)存分別是什么樣的存儲器？存儲容量＝字線數(shù)×位線數(shù)＝N×M（位）存儲單元地址二、ROM的結(jié)構(gòu)掌握二極管與門陣列二極管或門陣列三、ROM的工作原理三、ROM的工作原理結(jié)合電路圖及上表可以看出，接有二極管的交叉點存1，末接二極管的交叉點存0。存儲單元是存1還是存0，完全取決于只讀存儲器的存儲需要，設(shè)計和制造時已完全確定，不能改變；而且信息存入后，即使斷開電源，所存信息也不會消失。所以，只讀存儲器又稱為固定存儲器。存儲內(nèi)容三、ROM的工作原理ROM的陣列圖三、ROM的工作原理接有三極管的交叉點存1，末接三極管的交叉點存0。三、ROM的工作原理接有場效應(yīng)管的交叉點存1，末接場效應(yīng)管的交叉點存0。三、ROM的工作原理1、用ROM實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)用ROM實現(xiàn)下列一組邏輯函數(shù)。解（1）列真值表四、ROM的應(yīng)用例（2）選擇合適的ROM，對照真值表畫出邏輯函數(shù)的陣列圖。四、ROM的應(yīng)用2、用ROM作函數(shù)運算表用ROM構(gòu)成能實現(xiàn)函數(shù)y＝x2的運算表電路。設(shè)x的取值范圍為0～15的正整數(shù)，則對應(yīng)的是4位二進制正整數(shù)，用B＝B3B2B1B0表示。根據(jù)y＝x2可算出y的最大值是152＝225，可以用8位二進制數(shù)Y＝Y(jié)7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。由此可列出Y＝B2即y＝x2的真值表。四、ROM的應(yīng)用例真值表四、ROM的應(yīng)用陣列圖四、ROM的應(yīng)用3、用ROM作字符發(fā)生器電路四、ROM的應(yīng)用五、ROM容量的擴展正常使用時，VCC=5V，VPP=5V。編程時，VPP=25V。

五、ROM容量的擴展1、位