2026年衛(wèi)生專業(yè)技術(shù)資格考試（神經(jīng)電生理（腦電圖）技術(shù)專業(yè)知識(shí)與專業(yè)實(shí)踐能力初級(jí)師代碼215）綜合能力測(cè)試題及答案解析1.單選題（每題1分，共30題）1.1腦電圖儀的輸入阻抗應(yīng)不低于A.0.1MΩ?B.1MΩ?C.10MΩ?D.100MΩ?E.1000MΩ答案：D?解析：國際電生理學(xué)會(huì)規(guī)定，腦電圖儀差分放大器的輸入阻抗必須≥100MΩ，以減少電極-皮膚界面阻抗不匹配造成的信號(hào)衰減和偽差。1.210-20系統(tǒng)中，C3電極位于A.左中央10%?B.左中央20%?C.左中央30%?D.左中央40%?E.左中央50%答案：B?解析：C3位于中央左20%，即Cz與T3連線的20%處。1.3對(duì)閃光刺激誘發(fā)試驗(yàn)最敏感的頻率是A.1Hz?B.3Hz?C.8Hz?D.15Hz?E.30Hz答案：D?解析：15Hz左右的光刺激最易激活枕葉皮層，誘發(fā)光驅(qū)動(dòng)反應(yīng)及光敏性反應(yīng)。1.4新生兒爆發(fā)-抑制圖形中，爆發(fā)段持續(xù)時(shí)間一般A.<0.5s?B.0.5–2s?C.2–5s?D.5–10s?E.>10s答案：B?解析：新生兒爆發(fā)-抑制的爆發(fā)段多為0.5–2s，與孕周及腦成熟度相關(guān)。1.5腦電高頻振蕩（HFO）的上限頻率通常定義為A.70Hz?B.100Hz?C.200Hz?D.500Hz?E.1000Hz答案：D?解析：HFO指80–500Hz的節(jié)律，>500Hz易受肌電干擾，臨床不常規(guī)分析。1.6參考電極導(dǎo)聯(lián)最易出現(xiàn)的偽差是A.心電?B.肌電?C.眼電?D.脈波?E.50Hz答案：A?解析：參考電極常置于乳突或耳垂，靠近心電場，易記錄到心電偽差。1.7判斷腦死亡時(shí)，短潛伏期體感誘發(fā)電位（SLSEP）需觀察A.N9?B.N13?C.N20?D.P25?E.N35答案：C?解析：腦死亡標(biāo)準(zhǔn)之一為N20皮層電位消失，而N9、N13為周圍/脊髓電位，可保留。1.8局灶性癲癇發(fā)作期腦電最典型表現(xiàn)是A.彌漫性β活動(dòng)?B.局灶性θ增多?C.局灶性低波幅快活動(dòng)起始?D.彌漫性δ減慢?E.周期性三相波答案：C?解析：發(fā)作期常由>13Hz的低波幅快活動(dòng)起始，隨后演變?yōu)棣?、δ棘?jié)律。1.9腦電采樣頻率設(shè)為500Hz時(shí)，可準(zhǔn)確記錄的最高頻率為A.100Hz?B.200Hz?C.250Hz?D.500Hz?E.1000Hz答案：C?解析：奈奎斯特定理指出，最高可記錄頻率為采樣頻率的一半，即250Hz。1.10睡眠紡錘波的頻率范圍是A.8–10Hz?B.10–12Hz?C.12–14Hz?D.14–16Hz?E.16–18Hz答案：C?解析：紡錘波定義為12–14Hz，持續(xù)≥0.5s，為N2期標(biāo)志。1.11腦電放大器共模抑制比（CMRR）應(yīng)≥A.40dB?B.60dB?C.80dB?D.100dB?E.120dB答案：D?解析：現(xiàn)代儀器CMRR≥100dB，才能有效抑制50Hz共模干擾。1.12對(duì)癲癇灶定位價(jià)值最高的發(fā)作間期圖形是A.彌漫性慢波?B.前顳棘波?C.三相波?D.burst-suppression?E.α節(jié)律答案：B?解析：前顳棘波與內(nèi)側(cè)顳葉硬化高度相關(guān)，定位價(jià)值最高。1.13腦電導(dǎo)聯(lián)排列方式中，"雙極縱聯(lián)"又稱A.前后鏈?B.橫鏈?C.環(huán)聯(lián)?D.三角聯(lián)?E.參考聯(lián)答案：A?解析：縱聯(lián)即前后鏈，如Fp1-F3、F3-C3、C3-P3。1.14閃光刺激時(shí)，受檢者閉眼狀態(tài)下最易出現(xiàn)A.光肌陣攣反應(yīng)?B.光驚厥反應(yīng)?C.光驅(qū)動(dòng)?D.光撇除?E.光失神答案：C?解析：閉眼狀態(tài)枕葉α背景明顯，光驅(qū)動(dòng)最易被誘發(fā)。1.15腦電報(bào)告書寫中，"節(jié)律"指連續(xù)出現(xiàn)≥A.0.5s?B.1s?C.2s?D.3s?E.5s答案：B?國際慣例，≥1s的重復(fù)波形可稱節(jié)律。1.16新生兒糾正胎齡32周，清醒期枕區(qū)優(yōu)勢(shì)節(jié)律應(yīng)為A.0.75–1.5Hz?B.2–3Hz?C.4–5Hz?D.6–7Hz?E.8–9Hz答案：A?解析：32周早產(chǎn)兒枕區(qū)δ刷背景，優(yōu)勢(shì)頻率<2Hz。1.17腦電檢查前停用咖啡因至少A.2h?B.4h?C.6h?D.8h?E.12h答案：D?解析：咖啡因半衰期約5h，停8h可基本清除。1.18腦電高頻濾波設(shè)為70Hz時(shí)，主要影響A.α節(jié)律?B.β節(jié)律?C.棘波?D.肌電?E.眼電答案：D?解析：肌電頻譜達(dá)數(shù)百Hz，70Hz低通可顯著衰減肌電偽差。1.19判斷睡眠N3期，δ波比例需占A.≥6%?B.≥20%?C.≥40%?D.≥60%?E.≥80%答案：B?解析：AASM標(biāo)準(zhǔn)，N3期δ波（0.5–2Hz，>75μV）占≥20%。1.20腦電記錄中，電極阻抗>5kΩ時(shí)最可能出現(xiàn)A.50Hz干擾?B.心電偽差?C.眼電偽差?D.高頻衰減?E.低頻漂移答案：A?解析：阻抗高→共模轉(zhuǎn)差?！?0Hz顯著增強(qiáng)。1.21對(duì)光敏性癲癇患者，最安全的光刺激方案是A.1–60Hz全程?B.僅白天?C.僅夜間?D.隔眼遮蓋單眼?E.先單眼后雙眼答案：E?解析：先單眼可減半刺激強(qiáng)度，降低誘發(fā)全面發(fā)作風(fēng)險(xiǎn)。1.22腦電放大器輸入噪聲應(yīng)<A.1μV?B.2μV?C.5μV?D.10μV?E.20μV答案：B?解析：行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)<2μVRMS，確保微小信號(hào)分辨。1.23腦電檢查中，使用氯化銀電極的主要優(yōu)點(diǎn)是A.成本低?B.可塑性強(qiáng)?C.極化電位低?D.質(zhì)量輕?E.可高溫消毒答案：C?解析：Ag/AgCl電極極化電位極低，適合直流耦合。1.24腦電報(bào)告術(shù)語"陣發(fā)"指波形突然出現(xiàn)并持續(xù)A.<0.5s?B.0.5–2s?C.2–10s?D.≥10s?E.任意時(shí)間答案：C?解析：2–10s的突然變化稱陣發(fā)，>10s稱持續(xù)。1.25腦電記錄時(shí)，患者深呼吸3min后，正常成人可見A.δ增多?B.α增強(qiáng)?C.β抑制?D.三相波?E.尖波答案：A?解析：過度通氣→PCO?↓→腦血管收縮→廣泛δ節(jié)律。1.26腦電高頻振蕩（ripple）頻率為A.20–40Hz?B.40–80Hz?C.80–250Hz?D.250–500Hz?E.500–1000Hz答案：C?解析：ripple80–250Hz，fastripple250–500Hz。1.27腦電檢查中，參考電極脫落最可能表現(xiàn)為A.全導(dǎo)高幅δ?B.全導(dǎo)等電位?C.全導(dǎo)50Hz?D.全導(dǎo)尖波?E.全導(dǎo)β增多答案：B?解析：參考脫落→各導(dǎo)同相→差分輸出≈0，呈等電位直線。1.28腦電記錄時(shí)，若患者眨眼，枕區(qū)最可能出現(xiàn)A.正向尖波?B.負(fù)向尖波?C.正向慢波?D.負(fù)向慢波?E.無變化答案：C?解析：眼電偶極子前端為正，枕區(qū)記錄到正向慢波。1.29腦電檢查中，若出現(xiàn)"電極跳躍"偽差，應(yīng)首先A.降低增益?B.更換電極膏?C.增加濾波?D.讓患者靜止?E.重啟儀器答案：B?解析：電極膏干結(jié)→阻抗不穩(wěn)→跳躍，重涂導(dǎo)電膏即可。1.30腦電報(bào)告書寫時(shí)，"背景活動(dòng)"應(yīng)首先描述A.頻率?B.波幅?C.分布?D.對(duì)稱性?E.調(diào)節(jié)答案：A?解析：先頻率后波幅、分布、對(duì)稱性、調(diào)節(jié)，為國際通用順序。2.共用題干單選題（每題1分，共10題）【題干】患者男，28歲，發(fā)作性意識(shí)喪失伴四肢抽搐3年。VEEG監(jiān)測(cè)到一次臨床發(fā)作：患者突然睜眼→頭眼右偏→右側(cè)肢體陣攣→GTCS。同期腦電示：左側(cè)額極區(qū)低波幅快波→10Hz節(jié)律→彌漫性棘慢波。2.1發(fā)作起始最可能部位A.右側(cè)額葉?B.左側(cè)額葉?C.右側(cè)顳葉?D.左側(cè)頂葉?E.右側(cè)枕葉答案：B?解析：癥狀與腦電均提示左側(cè)額極起始。2.2該發(fā)作類型屬于A.局灶性進(jìn)展至雙側(cè)強(qiáng)直-陣攣?B.典型失神?C.肌陣攣?D.痙攣?E.失張力答案：A?解析：局灶起始→擴(kuò)散→GTCS，符合FBTCS。2.3發(fā)作期腦電10Hz節(jié)律最可能位于A.額區(qū)?B.中央?yún)^(qū)?C.枕區(qū)?D.顳區(qū)?E.全面答案：A?解析：額葉起始發(fā)作期節(jié)律多位于額區(qū)。2.4若需術(shù)前評(píng)估，首選影像A.CT?B.PET?C.3TMRI癲癇協(xié)議?D.SPECT?E.DSA答案：C?解析：高場MRI可發(fā)現(xiàn)細(xì)微皮質(zhì)發(fā)育不良。2.5發(fā)作間期最可能圖形A.左側(cè)額區(qū)棘慢波?B.右側(cè)顳區(qū)尖波?C.彌漫性三相波?D.爆發(fā)抑制?E.睡眠紡錘缺失答案：A?解析：與發(fā)作區(qū)一致的發(fā)作間期棘慢波。2.6若MRI陰性，下一步A.放棄手術(shù)?B.腦磁圖?C.顱內(nèi)電極?D.基因測(cè)序?E.生酮飲食答案：B?解析：MEG可進(jìn)一步定位發(fā)作區(qū)。2.7顱內(nèi)電極置入后，確認(rèn)發(fā)作區(qū)在左側(cè)額上回，手術(shù)方式A.胼胝體切開?B.左側(cè)額葉局灶切除?C.迷走神經(jīng)刺激?D.多處軟膜下橫切?E.半球切除答案：B?解析：局灶切除為根治性方案。2.8術(shù)后3月復(fù)查腦電，理想結(jié)果A.背景α節(jié)律?B.左側(cè)額區(qū)θ增多?C.發(fā)作間期棘波消失?D.彌漫性δ?E.爆發(fā)抑制答案：C?解析：棘波消失提示發(fā)作源切除完全。2.9若術(shù)后出現(xiàn)命名困難，最可能損傷A.布洛卡區(qū)?B.韋尼克區(qū)?C.角回?D.緣上回?E.輔助運(yùn)動(dòng)區(qū)答案：C?解析：左側(cè)角回?fù)p傷可致命名性失語。2.10術(shù)后抗癲癇藥物調(diào)整原則A.立即停藥?B.1周減半?C.1年無發(fā)作可考慮減停?D.終身不變?E.改用苯二氮卓答案：C?解析：術(shù)后1年無發(fā)作、腦電正?？删徛郎p停。3.多選題（每題2分，共10題，每題至少2個(gè)正確答案，多選少選均不得分）3.1關(guān)于腦電α節(jié)律的正確描述A.閉眼放松時(shí)出現(xiàn)?B.睜眼抑制?C.頻率9–13Hz?D.枕區(qū)優(yōu)勢(shì)?E.波幅<20μV答案：ABCD?解析：α波幅常30–50μV，E錯(cuò)誤。3.2下列屬于良性變異圖形A.6Hz良性棘慢波?B.小棘波?C.睡眠中一過性枕區(qū)負(fù)相尖波?D.三相波?E.14&6Hz正相爆發(fā)答案：ABCE?解析：三相波提示代謝/缺氧性腦病，非良性。3.3降低腦電肌電偽差的方法A.讓患者放松?B.降低高頻濾波?C.降低低頻濾波?D.使用notch?E.增加電極阻抗答案：ABD?解析：C、E會(huì)增強(qiáng)偽差。3.4睡眠腦電NREM期特征A.紡錘波?B.K復(fù)合波?C.δ波<20%?D.眼動(dòng)慢?E.肌電增高答案：ABD?解析：N3期δ≥20%，NREM肌電下降。3.5腦電誘發(fā)試驗(yàn)包括A.過度換氣?B.閃光刺激?C.睡眠剝奪?D.睜閉眼?E.頸動(dòng)脈按壓答案：ABCD?解析：E為TCD試驗(yàn)，非腦電常規(guī)。3.6腦電高頻振蕩臨床意義A.提示癲癇灶?B.與發(fā)作頻率正相關(guān)?C.術(shù)后殘留HFO預(yù)示復(fù)發(fā)?D.正常成人睡眠常見?E.可用普通腦電直接視覺識(shí)別答案：ABC?解析：HFO需特殊算法，睡眠正常極少。3.7腦電電極消毒方法A.高溫高壓?B.戊二醛浸泡?C.次氯酸擦拭?D.環(huán)氧乙烷?E.75%酒精答案：BCD?解析：Ag/AgCl怕高溫，酒精易腐蝕。3.8腦電報(bào)告必須包含A.背景活動(dòng)?B.誘發(fā)試驗(yàn)結(jié)果?C.發(fā)作間期異常?D.發(fā)作期描述?E.臨床診斷答案：ABCD?解析：臨床診斷由臨床醫(yī)生下，技師可提示。3.9腦電檢查適應(yīng)證A.癲癇診斷?B.意識(shí)障礙評(píng)估?C.睡眠障礙?D.腦死亡判定?E.頭痛常規(guī)篩查答案：ABCD?解析：頭痛無特異改變，非適應(yīng)證。3.10腦電導(dǎo)聯(lián)編排原則A.相鄰解剖關(guān)系?B.覆蓋所有腦區(qū)?C.左右對(duì)稱?D.先縱后橫?E.避免交叉答案：ABCD?解析：交叉導(dǎo)聯(lián)必要時(shí)可用。4.判斷題（每題1分，共10題）4.1腦電放大器差分輸入可完全消除共模干擾。答案：錯(cuò)?解析：CMRR有限，僅大幅抑制。4.2新生兒腦電可用針電極作為常規(guī)。答案：錯(cuò)?解析：針電極僅特殊監(jiān)護(hù)，常規(guī)用盤狀電極。4.3腦電α節(jié)律頻率與年齡負(fù)相關(guān)。答案：對(duì)?解析：兒童α慢，老年略慢。4.4腦電檢查時(shí)患者可佩戴金屬眼鏡框。答案：錯(cuò)?解析：金屬產(chǎn)生渦流偽差。4.5腦電高頻濾波越低，棘波尖端越鈍。答案：對(duì)?解析：高頻衰減使瞬態(tài)變鈍。4.6腦電記錄中，電極阻抗越高，信號(hào)越真實(shí)。答案：錯(cuò)?解析：阻抗高→噪聲↑、衰減↑。4.7腦電報(bào)告可縮寫"PDR"代表后優(yōu)勢(shì)節(jié)律。答案：對(duì)?解析：posteriordominantrhythm。4.8腦電檢查時(shí)，室溫低于18℃可致肌電增多。答案：對(duì)?解析：寒冷致肌顫。4.9腦電δ波一定提示病理。答案：錯(cuò)?解析：睡眠N3期δ為正常。4.10腦電閃光刺激可誘發(fā)PPR即光陣發(fā)反應(yīng)。答案：對(duì)?解析：PPR為癲癇風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)志。5.填空題（每空1分，共10空）5.1國際10-20系統(tǒng)共含____個(gè)電極點(diǎn)。答案：21?解析：含F(xiàn)pz、Cz等共21。5.2腦電儀器校準(zhǔn)方波常用____μV。答案：50?解析：50μV方波為標(biāo)準(zhǔn)。5.3睡眠腦電N1期θ波頻率為____Hz。答案：4–7?解析：AASM定義。5.4腦電高頻振蕩檢測(cè)需采樣率≥____Hz。答案：2000?解析：≥4倍最高頻率。5.5腦電記錄中，電極阻抗合格值應(yīng)<____kΩ。答案：5?解析：<5kΩ為佳。5.6腦電α節(jié)律的調(diào)節(jié)指頻率變化≤____Hz。答案：0.5?解析：調(diào)節(jié)好≤0.5Hz。5.7新生兒爆發(fā)-抑制中，抑制段持續(xù)>____秒為異常。答案：10?解析：>10s提示嚴(yán)重腦病。5.8腦電誘發(fā)試驗(yàn)中，過度通氣需持續(xù)____分鐘。答案：3?解析：常規(guī)3min。5.9腦電報(bào)告書寫時(shí)，對(duì)稱性用____表示左右差異。答案：%?解析：如α節(jié)律右側(cè)波幅較左側(cè)低30%。5.10腦電儀器校準(zhǔn)時(shí)間常數(shù)標(biāo)準(zhǔn)為____秒。答案：0.3?解析：對(duì)應(yīng)低頻濾波0.53Hz。6.簡答題（每題5分，共4題）6.1簡述腦電電極安置前皮膚處理步驟。答案：①用酒精棉球去脂；②磨砂膏去角質(zhì)；③再次酒精擦拭；④測(cè)量阻抗<5kΩ；⑤若阻抗高，可再用導(dǎo)電膏輕揉降低。6.2列舉并解釋腦電檢查中三種常見生理性偽差來源及解決方法。答案：①眼電：眼球前后偶極子，用EOG記錄并軟件減法；②心電：電極靠近心臟，改參考至頭頂或離線重建；③肌電：咀嚼、緊張，囑放松、降低高頻濾波、使用肌松藥（麻醉時(shí)）。6.3簡述新生兒腦電成熟度的五個(gè)主要參數(shù)。答案：①背景電壓；②δ刷數(shù)量；③睡眠周期是否出現(xiàn)；④棘波是否良性；⑤爆發(fā)-抑制比例。6.4簡述腦電高頻振蕩（HFO）采集的技術(shù)要點(diǎn)。答案：①采樣率≥2000Hz；②使用直流放大器；③電極阻抗<1kΩ；④避免肌電：短潛伏期肌松；⑤帶通80–500Hz離線濾波；⑥使用軟件自動(dòng)檢測(cè)+人工復(fù)核。7.案例分析題（每題10分，共2題）7.1患者女，35歲，月經(jīng)相關(guān)性癲癇。VEEG示：發(fā)作間期右前中顳尖波；發(fā)作期右顳區(qū)5Hzθ節(jié)律→擴(kuò)散。MRI陰性。問題：①定位；②進(jìn)一步檢查；③手術(shù)策略；④術(shù)后管理。答案：①右前顳；②PET、MEG、顱內(nèi)電極；③選擇性杏仁核海馬切除；④術(shù)后1年無發(fā)作可減藥，隨訪記憶功能。7.2患兒男，6月，嬰兒痙攣。VEEG示：高峰失律。ACT