2026春招：工藝整合筆試題及答案

單項選擇題（每題2分，共20分）1.以下哪種工藝主要用于去除硅片表面氧化層？A.光刻B.刻蝕C.沉積D.摻雜2.工藝整合中，用來確定芯片圖案的是？A.擴散B.光刻C.離子注入D.化學機械拋光3.下面哪種氣體常用于化學氣相沉積（CVD）？A.氧氣B.氮氣C.硅烷D.氯氣4.銅互連工藝中，為防止銅擴散使用的是？A.氧化物層B.氮化物層C.阻擋層D.絕緣層5.光刻工藝中，光刻膠曝光后顯影，未曝光部分被去除的是？A.正性光刻膠B.負性光刻膠C.中性光刻膠D.以上都不是6.離子注入后通常需要進行哪種工藝來激活注入離子？A.氧化B.退火C.刻蝕D.沉積7.化學機械拋光的主要目的是？A.去除雜質B.使表面平整C.形成氧化層D.增加厚度8.半導體制造中，常用的襯底材料是？A.鍺B.砷化鎵C.硅D.碳化硅9.薄膜沉積中，物理氣相沉積（PVD）不包括？A.濺射B.蒸發(fā)C.MOCVDD.離子鍍10.以下哪項不屬于光刻工藝環(huán)節(jié)？A.涂膠B.曝光C.顯影D.退火多項選擇題（每題2分，共20分）1.工藝整合涉及的主要工藝有（）A.光刻B.刻蝕C.沉積D.摻雜2.光刻工藝中常用的曝光光源有（）A.紫外光B.深紫外光C.極紫外光D.紅外光3.刻蝕工藝可分為（）A.物理刻蝕B.化學刻蝕C.等離子體刻蝕D.濕法刻蝕4.常見的擴散工藝有（）A.固態(tài)擴散B.液態(tài)擴散C.氣態(tài)擴散D.離子擴散5.化學機械拋光可以用于（）A.平坦化芯片表面B.去除表面缺陷C.調整金屬布線的厚度D.形成絕緣層6.離子注入的優(yōu)點有（）A.精確控制雜質濃度B.低溫工藝C.均勻性好D.設備簡單7.金屬互連材料可以是（）A.鋁B.銅C.金D.銀8.下列屬于工藝整合考慮因素的有（）A.工藝兼容性B.成本C.生產(chǎn)效率D.器件性能9.以下屬于半導體制造潔凈室等級的有（）A.1級B.10級C.100級D.1000級10.沉積工藝中化學氣相沉積（CVD）包括（）A.APCVDB.LPCVDC.PECVDD.MOCVD判斷題（每題2分，共20分）1.光刻工藝對芯片制造精度影響不大。（）2.刻蝕工藝只能去除硅材料。（）3.離子注入不需要進行后續(xù)處理。（）4.化學機械拋光過程中不需要使用化學試劑。（）5.沉積工藝目的是在硅片表面形成薄膜。（）6.擴散工藝是高溫下雜質原子進入半導體的過程。（）7.半導體制造中襯底只能用硅材料。（）8.光刻膠只有正性光刻膠一種類型。（）9.工藝整合只需考慮單一工藝的效果。（）10.物理氣相沉積和化學氣相沉積原理相同。（）簡答題（每題5分，共20分）1.簡述光刻工藝的主要步驟。2.化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）的區(qū)別是什么？3.離子注入后為什么要進行退火處理？4.工藝整合的重要性體現(xiàn)在哪些方面？討論題（每題5分，共20分）1.討論光刻工藝中分辨率提高面臨的挑戰(zhàn)及可能解決方案。2.分析銅互連工藝相比鋁互連工藝的優(yōu)缺點。3.談談化學機械拋光在先進芯片制造中的作用和挑戰(zhàn)。4.探討工藝整合中如何平衡成本和器件性能。答案單項選擇題答案1.B2.B3.C4.C5.A6.B7.B8.C9.C10.D多項選擇題答案1.ABCD2.ABC3.ABCD4.ABC5.ABC6.ABC7.ABCD8.ABCD9.ABCD10.ABCD判斷題答案1.×2.×3.×4.×5.√6.√7.×8.×9.×10.×簡答題答案1.主要步驟為涂膠、曝光、顯影。先在硅片涂光刻膠，再用掩膜版曝光特定圖案，最后通過顯影去除部分光刻膠，呈現(xiàn)圖案。2.原理不同，CVD是化學反應生成薄膜，PVD是物理過程。CVD成膜質量好、覆蓋性好，PVD設備簡單、純度高。3.離子注入會損傷晶格，退火可修復晶格；同時激活注入的雜質原子，使其發(fā)揮電學作用。4.確保各工藝兼容，提高器件性能一致性；優(yōu)化流程，提高生產(chǎn)效率，降低成本。討論題答案1.挑戰(zhàn)有光源波長限制、光刻膠性能等?？裳邪l(fā)更短波長光源，改進光刻膠性能，采用浸沒式光刻等技術。2.優(yōu)點是電阻低、抗電遷移能力強，提升芯片性能。缺點是易擴散，需阻擋層，工藝復雜