目 錄一、AI算力云側：大起兮，算力需求催云爆發(fā) 6（一）需端上端需持爆發(fā) 61、求：外本支快上，頭團定AI投信心 62、給：外大AI芯片制國廠突圍 8（二）PCB：AIPCB求高增新術關單外溢新術革標的 （三）儲企級高增驅新輪儲級周期 181、廠資開高，服器NAND和DRAM應占持增長 182、DRAM：功內需求益盛，26年統DRAM增能限 203、受長 22二、AI算力端側：創(chuàng)不斷，AI產品探索C端地場景 24三、自主可控：中復，半導體自主可控謂之重器 28四、風險提示 37圖表目錄圖表1 美技頭本開快上（美） 6圖表2 外廠于capex引描述 7圖表3 2025年美AI頭部業(yè)資戰(zhàn)合關系覽 7圖表4 偉營高增 9圖表5 外件應歸母利（美）續(xù)高（取分應） 9圖表6 內AI件鏈Q3母利（）高增 10圖表7 Gemini3其他AI品力比 10圖表8 歌nano產級顯著 圖表9 偉產不迭代級 12圖表10 數中交不斷級代 12圖表2020-2029E高層PCB市規(guī)，產品數分十美） 12圖表12 2020-2029E球14層以高層PCB場模十美） 12圖表13 2020-2029E球HDIPCB場模產品數分十美） 13圖表14 2020-2029E高階HDIPCB市規(guī)按下劃（億元） 13圖表15 PCB板望英偉后新上用 13圖表16 與封技關參及構對比 14圖表17 高產品PCB厚度材Df指要求 14圖表18 覆板方極為雜 14圖表19 覆板構圖 15圖表20 高速CCL發(fā)趨勢 15圖表21 銅等及途 15圖表22 特玻布應于AI服器/換等高數產品 15圖表23 電布著耗、膨方發(fā)展 16圖表24 25Q3PCB固定產在工情（億） 16圖表25 PCB司定產周率況 16圖表26 部分PCB上企業(yè)產劃 17圖表27 2021-2026E八大CSP本出總額 18圖表28 2023-2026年AI服務出增及比 18圖表29 AI運行段儲需求 19圖表30 NANDFlash用分布 20圖表31 DRAM用布 20圖表32 Llama370B準化理吐量 21圖表33 Llama370B準化遲能 21圖表34 HBM/統DRAM位出占比 21圖表35 HBM/統DRAM營占比 21圖表36 2025年DRAM產能況千片月） 22圖表37 2026EDRAM能情（片/22圖表38 KVCache機示意圖 23圖表39 HDD溫的核介層 24圖表40 NearlineHDD與QLCSSD比較 24圖表41 多基測中AI的術現人現對比 25圖表42 隨模規(guī)大，個NLP務性變化線 25圖表43 智眼示圖 26圖表44 AI眼鏡業(yè)圖譜 26圖表45 AI眼鏡貨況（臺） 27圖表46 AI眼鏡業(yè)場空間 28圖表47 2024.11-2025.11半導領主出限政策理 29圖表48 2024-2028E晶圓能況 31圖表49 2024-2028E先進程圓能況 31圖表50 全主晶工廠2024–2028先程擴路圖（25年劃） 31圖表51 2025年家海代廠布產劃 32圖表52 23Q3-25Q3華月產及能用情況 33圖表53 23Q3-25Q3中國際產及能用情況 33圖表54 2023Q1-2026Q1EASML簽EUV非EUV臺單值同速 33圖表55 全半體市場測億元） 34圖表56 半體備競爭局 34圖表57 2024年球導體備值占比 35圖表58 2021-2025Q2ASML地劃營結構 36圖表59 2024年類光刻各商貨（） 36圖表60 2024年類光刻各商貨份額 36圖表61 中光機歷程 37圖表62 國光機鏈代性業(yè) 37一、AI算力云側：大風起兮，算力需求催發(fā)云側爆發(fā)2025206AI/AI///交換機/AIPCBPCBPCB及//HBM++PCIeGen5/6SSDAI/摩爾線程/（一）供需兩端向上，云端需求持續(xù)爆發(fā)1、需求端：海外資本開支快速上行，巨頭抱團堅定AI投入信心AI算力成為此輪AI發(fā)展的核心驅動力，海外大廠加快算力基礎設施建設。ChatGPT掀起新一輪的AI發(fā)展浪潮，大模型的性能遵守Scalinglaw法則即大模型的最終性能主要AIAIAICY2025MetaCapEx2574.2Y+5024圖表1 北美科技巨頭本開支快速上行（美）0Amazon Microsoft Google Meta YoY

120%100%80%60%40%20%0%-20%loomberg海外云廠商25202550%202591030Y73.27.的AIMeta25700-720,251250Y+0.圖表2 海外大廠關于capex指引及描述公司名稱最新全財年capex指引財年對應自然季度YoY（%）語言描述Amazon1250億美元2025Q1-2025Q450.6%大部分支出將用于支持技術基礎設施的增長。這主要包括AWS的投資，以滿足AI服務的需求，并支持北美和國際業(yè)務板塊的技術基礎設施。此外還會繼續(xù)投資于提高我們履約和運輸網絡的能力，以支持未來的增長，還會投資當日達配送設施和入庫網絡，以及機器人和自動化技術，以提高配送速度，降低履約成本。這些資本投資將支持amazon未來多年的增長。Google910-930億美金2025Q1-2025Q473.2%-77.0%將繼續(xù)向AI領域傾斜，開支主要用于對服務器和數據中心的投資2025AIMeta700-720億美元2025Q1-2025Q487.9%-93.3%表示未來數年，Meta還將投入數千億美元用于人工智能基礎設施，他仍然認為，從長遠來看，大力投入資本支出和基礎設施建設將成為一種戰(zhàn)略優(yōu)勢。公司業(yè)績說明會、Bloomberg北美巨頭戰(zhàn)略合作堅定AI2025OpenAIOracle+AI9OpenAI1000時間投資/合作方被投資/合作方投資/合作方承諾被投資/合作方承諾2025年微軟英偉達AzureNVIDIADGXSuperPOD架構①在AzureAIFoundry中提供NVIDIANIM服務②深度集成NVIDIAAI軟件棧②優(yōu)化熱門開源語言模型的推理功能并確保這些模型能在時間投資/合作方被投資/合作方投資/合作方承諾被投資/合作方承諾2025年微軟英偉達AzureNVIDIADGXSuperPOD架構①在AzureAIFoundry中提供NVIDIANIM服務②深度集成NVIDIAAI軟件棧②優(yōu)化熱門開源語言模型的推理功能并確保這些模型能在AzureAIFoundry上使用AzureNVIDIAGPUAzure虛擬機驅動的創(chuàng)新產品③聯合開發(fā)AzureNDGB200V6等虛擬機實例，配備NVIDIA網絡加速器NVIDIANIMAzureContainerApps無服務器圖形處理單元正式上市⑤將NVIDIABlackwellUltraGPU和NVIDIARTXPRO6000Blackwell服務器版引入Azure2025-2026分批次英偉達OpenAI①向OpenAI進行分階段投資，總額最高達1000億美1001①部署至少10GW的NVIDIA系統，用于訓練和運行下一代AI模型的建成而逐步投入②支持OpenAI建設10GW的AI數據中心②聯合優(yōu)化OpenAI的模型路線圖、基礎設施軟件與英偉達的硬件及軟件2025年初OpenAIOracle53000OracleAI數據中心算力AI數據中心（Stargate項目，定期交付并滿足OpenAI訓練與推理需求4.5GW數據芯片2025.5Oracle英偉達1040GB200Superchip芯400OpenAIStargate數據中心建設①按期交付GB200芯片2025.11微軟+英偉達Anthropic①微軟、英偉達分別投資至多50億、100億美元①向微軟采購300億美元Azure算力和最高1GW額外算力ClaudeCopilot問權限②算力完全基于英偉達的GraceBlackwall和VeraRubin架構③允許微軟和英偉達云服務平臺使用Claude公司官網，IT之家，華爾街日報、路透社，轉引自幣界網，AI科技網，華爾街見聞，愛范兒，至頂頭2、供給端：海外加大AI芯片限制，國產廠家突圍NV2026（截至2025年10月26570.06（非317.6723%（CFO）（Colette2026和RubinAI5000圖表4 英偉達營收高增600 300%500

250%400300200100

200%150%100%50%0%16Q116Q216Q116Q216Q316Q417Q117Q217Q317Q418Q118Q218Q318Q419Q119Q219Q319Q420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3NVIDIA營收/億美元 同比25圖表5 海外硬件供應歸母凈利潤（億美）續(xù)高增（選取部分應）0

500%400%300%200%100%0%-100%博通歸母凈利潤 天弘科技歸母凈利潤 邁威爾科技歸母凈利潤-200%Lumentum歸母凈利潤 Coherent歸母凈利潤 北美公司計yoy（%）注：海外公司為財季數據）圖表6 國內AI硬件供鏈Q3歸母凈利潤（）高增1801800100%80%60%40%20%0%-20%工業(yè)富聯歸母凈利潤新易盛歸母凈利潤勝宏歸母凈利潤中國公司合計yoy（%）中際旭創(chuàng)歸母凈利潤注：國內公司為自然季度數據）應用端向前推進有望形成AI投入閉環(huán)。Gemini3NanoBanana2測試項目Gemini3ProGemini2.5ProClaudeSonnet4.5GPT-5.1學術推理37.5%21.6%13.7%26.5%測試項目Gemini3ProGemini2.5ProClaudeSonnet4.5GPT-5.1學術推理37.5%21.6%13.7%26.5%視覺推理謎題31.1%4.9%13.6%17.6%科學知識91.9%86.4%83.4%88.1%數學95.0%88.0%87.0%94.0%具有挑戰(zhàn)性的數學競賽題23.4%0.5%1.6%1.0%多模態(tài)理解與推理81.0%68.0%68.0%76.0%屏幕理解72.7%11.4%36.2%3.5%從復雜圖表中進行信息綜合81.4%69.6%68.5%69.5%OCR（數值越低越好）0.1150.1450.1450.147從視頻中獲取知識87.6%83.6%77.8%80.4%競爭性編程題2,4391,7751,4182,243智能終端編碼54.2%32.6%42.8%47.6%智能編碼76.2%59.6%77.2%76.3%智能工具使用85.4%54.9%84.7%80.2%長期智能任務$5,478.16$573.64$3,838.74$1,473.43保留內部基礎、參數化、多模態(tài)和搜索檢索基準70.5%63.4%50.4%50.8%參數化知識72.1%54.5%29.3%34.9%多語言通用人工智能評估91.8%89.5%89.1%91.0%跨100種語言和文化的常識推理93.4%91.5%90.1%90.9%長上下文表現77.0%58.0%47.1%61.6%訊科技AI未來指北官方賬號谷歌旗下圖像生成模型NanoBanana迎來重磅升級，全新版本NanoBananaPro正式亮相，文本渲染能力、分辨率、生成速度等顯著升級。圖表8 谷歌nano產品級顯著refgoCSPAIGeminiAI產業(yè)（二）PCB：AIPCB需求高增&新技術，關注訂單外溢&新技術變革受益標的AI服務器&高速交換機持續(xù)迭代升級，推動PCB產品朝著高密度化、高性能化發(fā)展。AIPCB朝（1）PCBHDIPCBPCBICHDI（2）PCB功能性如阻抗性、散熱性等方面的性能要求越來越高，從而增強產品的功能及可靠性。此PCB圖表9 英偉達產品不迭代升級 圖表10 數據中心交換不斷升級迭代偉達官網 ell’Oro，轉引自Arista隨著AIPCBPCBPCB143070層及以上的高多層PCB/線距也從主流的100/100μm75/75μm50/50μm（3）高頻高速材料：M4M6M7M8M9圖表2020-2029E球高多層PCB市場規(guī)模，按產品層數劃分（十億元）

圖表12 2020-2029E全球14層及以上高多層PCB市場規(guī)模（十億美元）利文研究，轉引自勝宏科技H股申請材料 利文研究，轉引自勝宏科技H股申請材料HDIPCB可劃分為低增層HDI及高階。HDI是指三階及以上的HDI（3+N+3PCB。NPCB1/2/3HDIHDIPCB/10m縮減至4μ150μm60μm10:125:1圖表13 2020-2029E全球HDIPCB市場規(guī)模，產品階數劃分（十億元）

圖表14 2020-2029E全球高階HDIPCB市場規(guī)，按下游劃分（十億元）利文研究，轉引自勝宏科技H股申請材料 利文研究，轉引自勝宏科技H股申請材料PCB由于其在高密互連的優(yōu)勢，有望被運用于AI服務器背板中。據semianalysis分析，VR300NVL576PCB為機架內GPU與NVSwitch圖表15 PCB背板有在英偉達后續(xù)新品使用emianalysisPCB復雜度顯著提升。PCB圖表16 與封裝技術關鍵參數結構對比參數參數CoWoSCoWoP材料PCB線寬/間距（L/S）≤5μm（ABF）20–30μm（采最大尺寸120×150mm（受光罩限制）支持HBM堆棧6–8層散熱效率成本因素中等高（硅中介層+A結構圖YStechnology，IT之CCL高速化發(fā)展，CCLAICCLCCLCCLAICCLCCL圖表17 高速產品PCB厚度和板材Df指標要求 圖表18 覆銅板配方開極為復雜刷電路資訊 亞新材招股說明書圖表19 覆銅板結構圖 圖表20 高速CCL發(fā)展趨勢 亞新材招股說明書 益科技，轉引自電路板制造公眾號圖表21 銅箔等級及用途河電工官網圖表22 特種玻纖布廣應用于AI服務器交換等高端數通產品東紡官網注：，低膨脹纖維（Low-CTE；E，第一代Low-K電子布；ER，第二Low-DK電子布）圖表23 電子布朝著低耗、低膨脹方向發(fā)展東紡官網AIPCBPCBPCBPCBAIPCBPCBCCL圖表24 25Q3PCB公司固定資產和在建工情況（元）

圖表25 PCB公司固資產周轉率情況8060200

深南電路滬電股份勝宏科技生益電子景旺電子方正科固定資產 在建工程

4.003.503.002.502.001.501.000.500.00

2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024深南電路滬電股份景旺電子生益電子勝宏科技方正科技公司項目名稱擬投資金額擬釋放產能擬建設周期生益電子智能制造高多層算力電路板項目預計約19億元人民幣項目計劃年產印制電路板公司項目名稱擬投資金額擬釋放產能擬建設周期生益電子智能制造高多層算力電路板項目預計約19億元人民幣項目計劃年產印制電路板70萬平方米，每階段各年產35萬平方米計劃分兩階段實施，總建設周期計劃2.5年。其中第一階段預計在2026年試生產；第二階段預計在2027年試生產泰國投資新建生產基地預計約1.7億美元TFD工業(yè)園中120生產基地注冊及未來項目建設需求計劃分階段實施建設泰國生產基地，并計劃于2025年下半年試生產景旺電子珠海金灣基地擴產項目預計50億元人民幣HDIAI服務HDIHDI工產能投資建設項目周期為2025年至2027年泰國投資新建生產基地不超過7億元人民幣東山精密高端印制電路板項目不超過10億美元用于高速運算服務器、人工智能等新興場景的高端印制電路板勝宏科技越南勝宏人工智能HDI項目預計18.15億元人民幣擬建設生產人工智能用高階HDI產品，計劃年產能15萬平方米，達產后年銷售收入165,000萬元建設期3年，第三年開始分步投產，至第五年全部達產泰國高多層印制線路板項目預計14.02億元人民幣擬建設生產服務器、交換機、消費電子等PCB萬平方米。建設期2年，第三年全部達產滬電股份人工智能芯片配套高端印制電路板擴產項目預計43億元人民幣2918HDIHDI板。總建設期計劃為8年，其中第一階段預計在2028年以前實施完成；第二階段預計在2032年底前實施完成。方正科技人工智能及算力類高密度互連電路板產業(yè)基地項目預計21.3億元人民幣建設應用于人工智能及算力類高密度互連電路板產業(yè)基地，主要生產人工智能及算力類高密度互連電路板(HDI板)，預計達產后可實現年產值為20.03億元建設期為19個月泰國投資新建方正科技（泰國）智造基地項目預計12.23億元人民幣建設高多層板和高密度互連板（HDI）產能計劃分階段實施建設泰國生產基地，一次性完成一期廠房建設，根據市場環(huán)境變化和客戶需求在適當的時機進一步投資建設二期工廠廣合科技云擎智造基地項目預計26億元人民幣建設應用于服務器應用的高端印制電路板投資建設項目周期為20252027年廣合電路多高層精密線預計6.68億人民幣路板項目一期第二階段工程鵬鼎控股淮安產業(yè)園建設項目預計80億元人民幣建設用于服務器、光通訊、人形機器人、智能汽車及AI端側產品等多領域的SLP、高階HDI及HLC等產品產能，擴充軟板產能投資建設項目周期為2025年下半年至2028年公司公表中所列為各公司擬投產項目的規(guī)劃情況，并不代表實際投資的情況。AI算力需求依舊強勁，推動PCB需求高增長，國內PCB、CCL及其上游原材料產業(yè)迎來黃金發(fā)展機遇。PCB行業(yè)重資產屬性導致其產能釋放需要一定時間，AI需求持續(xù)高增PCBCCL、AI/COWOPPCBCCL（三）存儲：企業(yè)級需求高增，驅動新一輪存儲超級周期1、云廠商資本開支高增，服務器NAND和DRAM應用占比持續(xù)增長AI全球大型云廠商正擴大采購英偉達GPU加速自研AIASIC2025MetaP200Y61.0203年202426GPU、ASICAITrendforceAIServer20%Server17%。圖表27 2021-2026E全球八大CSP資本支出總額 圖表28 2023-2026年AI服務器出貨增速及占比6000500040003000200010000

2021 2022 2023 2024 2025E 資本開支（億美金） YoY（%）

70%60%50%40%30%20%10%0%-10%

50%45%40%35%25%20%15%10%

2023 2024 2025E 2026E AI服務器出貨增速 AI服務器出貨占比rendforc rendforcAIAI圖表29 AI運行階段儲需求階段I/O特性存儲需求影響數據輸入海量順序寫入高順序寫入吞吐量優(yōu)化存儲意味著數據輸入過程更加快速數據準備隨機讀取數據，按順序寫入預處理項小規(guī)模隨機讀取低延遲，高順序寫入吞吐量優(yōu)化存儲意味著在模型訓練過程中能提供更多的數據，使模型準確性提升模型訓練隨機數據讀取多任務性能和容量可擴展性；優(yōu)化隨機讀?。贿m用于檢查點寫入的高順序寫入性能優(yōu)化存儲可以提升昂貴訓練資源（GPU,TPU,CPU）利用率模型部署混合隨機讀取和寫入處理組件故障的自修復能力；不中斷的擴展和升級；如果模型持續(xù)微調，則應具備與訓練過程相同的特征端側需要高可用性、良好的服務能力和可靠性存檔順序及隨機寫入高寫入性能為了合規(guī)和審計的目的，需要更好的數據保留FM閃存市場《2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書全球數據中心基建持續(xù)升溫，服務器NAND和DRAM應用占比持續(xù)增長。近年來大型云服務商適度超前投資AI基礎設施，為未來長期發(fā)展提前部署存算力資源。服務器NAND和DRAMNAND202316%2025，服務器DRAM2023年的32%36%。NANDeSSD以提升性能并降低能耗，25年服務器NAND應用占比有望達30%2024-20252025年互聯網企業(yè)對PCIe5.0eSSD需求持續(xù)增加，32TB及以上QLCeSSDCFMPC的NAND應用占比分別為30%、31%和14%，而服務器NAND應用202316%202530%。DRAMDDR5及HBM年服務器DRAM應用占比有望達36%DDR5的IntelEMR與AMDBergamo疊加搭載NvidiaHopper/Blackwell及AMDMI300等加速芯片的AI服務器出貨量顯增務器DDR5及HBM 需實快攀升據CFM閃市據，2024年務PC終端在DRAM應中占比別達34%32%和14%，其中務器DRAM應占比從2023的32%預計至2025年的36%。在64GB及上DDR5與HBM3e12hi出量長推動年務儲位元需同增將過。圖表30 NANDFlash應用分布 圖表31 DRAM應用分布100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

2023 2024 2025E

100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

2023 2024 2025E手機 服務器 PC 其他 手機 服務器 PC HBM 其他

存市場《2024-2025

存市場《2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》，DDR5及HBM2024-2025NAND和DRAM12%15%。2、DRAM：低功耗內存需求日益旺盛，26年傳統DRAM新增產能有限數據中心建設面臨能耗問題，低功耗內存架構至關重要。隨著AI技術迅速興起，數據中心面臨如何在提供海量算力的同時降低能耗的問題。據美光官網援引美國能源部發(fā)布2028AIDDR5低功耗內存架構是數據中心必備戰(zhàn)略要務，英偉達GraceCPU已采用LPDDR5X。與DDR5LPDDR5XDDR5MetaLlama370BLD5X相比于DR548、73%一代GraceCPU的LPDDR5X5（HPC）圖表32 Llama370B準化推理吞吐量 圖表33 Llama370B準化延遲性能光官網 光官網針對AI數據中心對低功耗DRAM的需求，存儲廠商亦積極拓展低功耗內存在數據中心的應用。25年10月，美光正式送樣業(yè)界高容量SOCAMM2模組，在其25年3月發(fā)布的LPDRAMSOCAMM50%token顯著縮80%RDIMMHBMDRAMHBMDRAMDRAMHBM20245%DRAM19%2026HBM9%DRAM41%圖表34 HBM/傳統DRAM位元出貨占比 圖表35 HBM/傳統DRAM營收占比

5%

HBM

8%2025E傳統DRAM

9%2026E

19%33%41%2024 2025E HBM 傳統DRAM19%33%41%rendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook

rendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook主要原廠26年均聚焦HBM產能擴張，傳統DRAM新增產能有限。2026年，DRAM領域主要擴產集中于HBM，整個行業(yè)的HBM產能占比將顯著提升。各家廠商均專注于HBMHBM2026之一的總產能用于HBMHBM年規(guī)劃HBM近翻倍。從傳統DRAM1.5萬片5000片/1萬片7000片圖表36 2025年DRAM產能情況（千片月） 圖表37 2026EDRAM產能情況（千片月）0

1501501505550510395285270三星 海力士 美光 長鑫存儲 南亞傳統DRAM HBM

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15020010020400260280520三星 海力士 美光 長鑫存儲 南亞傳統DRAM HBMrendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook 注：HBMTSV行衡量，TSVHBM）

rendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook 注：HBMTSV行衡量，TSVHBM）3、NAND：受KVCache卸載&HDD擠占影響，NAND出貨或將出現爆發(fā)式增長中高容量eSSD應用占比大幅提升，預計25年8TB及以上應用占比超40%。在數據量8TB/16TBeSSDCFM20248TBeSSD21%，16TB20258TBeSSD8TB占比8Y7pc，6B4Y4pc歷史tokenCachetokentokenCacheGPU圖表38 KVCache機示意圖偉達開發(fā)者官網KVCache容量增長超出HBMCPU和SSDLLM推理過程中，HBM的消耗主要來自模型權重和KVCache，其中KVCache和序列長度呈正相關性。以Llama27B模型為例，一個包含4096個token序列的單次請求，其KVCache將消耗約2GB的HBM，給GPU內存帶來顯著壓力。KVCache容量的增長已超過HBM承載上限，頻繁的內存溢出可能導致推理過程出現記憶斷片，迫使GPU執(zhí)行重復計算，從而引發(fā)延遲和卡頓。然而，并非所有KV緩存數據都需要始終保留在GPU內存中，在許多實際應用中用戶可能不會與LLM持續(xù)交互。將KVCache卸載（offloading）到成本更低、容量更充裕的內存層級（如CPUDRAM、SSD）成為業(yè)界核心策略。HDD80%存儲容量。SSDHDD同存儲技術來平衡不同工作負載的需求。其中SSD性能最強但成本也最高，磁帶提供最低成本但性能最差；HDD則在二者之間取得了平衡。在目前數據中心建設中，HDD是冷數據的首選，承載了近80%的存儲容量。圖表39 是溫存儲的核心介質層部數據《HDDsarestillheretostay》推理需求導致NearlineHDD嚴重缺貨，Trendforce預計26年SSD出貨有望趁勢爆發(fā)。AIAINearlineHDD（）TrendforceHDDNLHDD52CSPCSPHDDQLCSSD出貨可能于2026圖表40NearlineHDD與QLCSSD比較產品交付周期每GB平均售價最大容量性能能效NearlineHDD52周0.01532TB弱較低QLCSSD8周0.05-0.06122TB強較高rendforcDDR4AI25Q426二、AI算力端側：創(chuàng)新不斷，AI產品探索C端落地場景人工智能取得突破性進展，有望驅動產業(yè)步入關鍵轉折點。十年前，世界上最好的人工智能系統也無法以人類的水平對圖像中的物體進行分類。如今，人工智能已在多項基準測試中實現了超越人類能力的性能水平。據斯坦福大學在《ArtificialIntelligenceIndexReport20242015201720202021理解、視覺推理和自然語言推理任務中超越人類表現。2023年，人工智能聊天機器人ChatGPTAI編程工具GitHubCoPilotStableDiffusion圖表41 多項基準測中AI的技術表現與人類現對比tanfordUniversity《ArtificialIntelligenceIndexReport2024》得益于大語言模型及AI終端設備的語音交互等功能。JasonEmergentAbilitiesofLargeLanguageModel現，模型在較小規(guī)模時，其性能與規(guī)模大致呈線性關系，隨著模型規(guī)模進一步增大，比例定律被打破，模型能力有了明顯的質的飛躍，這些能力也被稱為大模型的涌現能力（2022ChatGPT圖表42 隨著模型規(guī)模大，多個NLP任務的性能變化曲線asonetal.《EmergentAbilitiesofLargeLanguageModels》端側AI風起，智能眼鏡引發(fā)市場廣泛關注。隨著全球數據量的迅猛增長及物聯網設備的/AIAIPC及AI眼鏡等，其中AI圖表43智能眼鏡示意圖范兒轉引自鳳凰網、及時會官AI眼鏡產業(yè)鏈分工明確，不帶顯示的AI眼鏡產業(yè)鏈成熟度較高或有望率先放量。AI眼鏡產業(yè)鏈分工明確，各環(huán)節(jié)專業(yè)度較高，其中應用于AR眼鏡的光學和顯示環(huán)節(jié)當前行ARAIARAIAIAIAR圖表44AIellsennXR全球AI國際市場方面，全球AI2024AI153202323.92025AI39.33%。2025（312）2024（153）103.92%2025Q3，AI165萬臺，其中RayBanMeta圖表45AI（萬臺）180160140120100806040200

120%2023Q4 2024Q1 2024Q2 2024Q3 2024Q4 2025Q1 2025Q2 2025Q3100%2023Q4 2024Q1 2024Q2 2024Q3 2024Q4 2025Q1 2025Q2 2025Q380%60%40%20%0%-20%-40%銷售量（萬臺） MoMellsennXR《2025年3季度VR/AR/AI眼鏡產業(yè)銷量跟蹤報告國內AI眼鏡市場迎來政策與需求利好,更多廠商入局AI眼鏡產品。在政策端，2025年3AI15%2AI眼2025346%3CAIAI2025MetaAIAI眼鏡出貨量提升拉動行業(yè)增長，行業(yè)有望達到千億市場空間。出貨量方面，參考XR2024年AI1522025130%2030AI9000Ray-BanMetaV329999917992025224165524AIASP25年26年智能眼鏡ASP年-30ASP5%2024年全球AI252030AI圖表46 AI眼鏡行業(yè)市空間20242025E2026E2027E2028E2029E2030E銷量/萬副15235010002200350060009000ASP/元1655149013411274121011491092市場空間/億元2552134280423690983ellsennXR《AI（2024OpenAI入局AI終端行業(yè)，行業(yè)迭代進程有望加速。5月22日，OpenAI宣布將以約65億美元收購前蘋果首席設計師艾維的IO公司，并計劃在2026年推出首批AI設備。據映維網與TheInformation的報道，OpenAI與艾維致力于合作開發(fā)設備家族，其首款產品可能是口袋大小、具有環(huán)境感知能力且無屏幕的類AIpin硬件，而智能眼鏡可能會作為后續(xù)推出的設備，用以提升核心AI訂閱效果。OpenAIAI（SamAltman）DevDay202510OpenAI8AIAI伴隨AIAI的周期，后續(xù)伴隨著OpenAI之類的新玩家入局AI三、自主可控：中華復興，半導體自主可控可謂國之重器與2025年相比，2026年的半導體自主可控主題不再只是風險防范式的前瞻布局，而是外部約束進一步強化、先進制程擴產加速與國產設備量產導入三重共振下的戰(zhàn)略+景氣+業(yè)績同步兌現期。美國對華半導體限制已從先進制程產品延伸至設備、零部件與成熟節(jié)點關鍵產線，供應鏈獨立性的緊迫度顯著高于2025年。與此同時，2026年將迎來存儲與先進邏輯擴產共振，為國內設備與零部件提供跨周期、可明確確認的訂單上行動力。先進邏輯及存儲制造能力是AI時代的底層基座，產業(yè)敘事正逐漸落地到訂單、業(yè)績端，EPS預期樂觀的同時，高端制程擴產也在帶動板塊估值水位上修，自主開發(fā)產業(yè)鏈有望迎來新一輪戴維斯雙擊。2019法案不斷重塑全球產業(yè)格局；2024年底以來，美國對華出口管制從高端GPU與先進DRAM/HBM快速下沉至成熟制程關鍵設備、先進封裝設備與EDA工具，并疊加FDPR擴圍、實體清單擴張、取消在華外資廠VEU快速通道及50%關聯方規(guī)則等組合措施，政策目標由限制中國獲取先進產品進一步演化為限制中國本土產線擴建與升級，全產業(yè)鏈供應穩(wěn)定性承壓明顯。政策反復造成產業(yè)鏈情緒顯著收緊，半導體全產業(yè)鏈系統化自主開發(fā)刻不容緩。2024Q4—2025年多輪擾動推高產業(yè)鏈對長期供應穩(wěn)定性的擔憂。國產化推進范圍從刻蝕、薄膜、清洗等成熟環(huán)節(jié)拓展，逐步擴展至量測、先進封裝、EDA工具與關鍵輔材等全鏈條環(huán)節(jié)均主動尋求自主開發(fā)方案。供應鏈安全已成為擴產與工藝迭代的前置條件，驅動本土代工平臺加速擴產、國產設備驗證周期顯著縮短。隨著外資晶圓廠在華擴產受限、成熟制程持續(xù)升級，國產代工與國產設備的滲透提升正成為2025-2026年具有高確定性的主線，國產化將在產線與設備兩端同步進入加速兌現階段。時間事件解讀2024年11月1日BIS《實體清單修訂》最終規(guī)則多家與芯片貿易相關企業(yè)（如時間事件解讀2024年11月1日BIS《實體清單修訂》最終規(guī)則多家與芯片貿易相關企業(yè)（如C&ISemiconductor、E-ChipsSolution等）EAR約束物項”實施型分銷商形成直接沖擊。2024年11月11日美國商務部信函通知臺積電停止對華供應7納米以下先進制程AI芯片7nmAI訓練/用芯片不在本次限制范圍內。2024年12月BIS兩部規(guī)則：①“加強對先進計算和半導體制造項的管制”新聞稿+IFR；②“FDPR新增與完善”IFR+“實體清單與VEU調整”最終規(guī)則①新增24類半導體制造設備和3類EDA相關工具的出口管制；②HBM、DRAM及先進封裝設備正式納入FDPR監(jiān)管；③一次性新增約140家實體進入實體清單；④部分在華外資工廠被剔除出VEU計劃。這是繼2022/2023之后規(guī)模最大的一輪加碼，從高端GPU進一步擴展到HBM、DRAM與先進封裝SME，對中國高端算力、存儲與先進封裝能力形成系統性限制。2025年1月、5月“AI擴散框架規(guī)則”(AIDiffusionRule)，后續(xù)撤銷+新一輪先進計算IC規(guī)則+實體清單更新1AIIC管制，擴大地理覆蓋并細化豁免場景；③10AI研發(fā)/1AI大模型、云算力及先進光刻相關研發(fā)參與方。5月，BIS在規(guī)則生效前宣布撤銷AIDiffusionRule，僅保留指導性政策聲明。管制范圍從單顆芯片向“算力系統”延伸，但最終執(zhí)行力度有所收斂。2025年2-3月對華加征關稅，芯片暫時豁免高額關稅2110%關稅，24日生效；3334210%10%水平，但芯片等產品暫時豁免了此次高額“對等關稅”。2025年4月升級關稅，后臨時豁免芯片高額關稅4234%4884%。4月11日，美國海關及邊境保護局發(fā)布指南，免除上述行政令下的“對等關稅”，包括芯片在內的多項中國商品不再被征收高額前。2025年5月限制中國先進計算芯片使用，后通過會談降低芯片相關關稅美國政府發(fā)布新聞和指南，一方面限制使用華為昇騰芯片等中國先進計算集成電路，另一方面禁止美國人工智能芯片用于訓練中國人工智能模型。5月12日，中美發(fā)布日內瓦經貿會談聯合聲明，美方取消此前對中國商品加征的91%關稅，其中涉及特定存儲芯片、光模塊等半導體相關產品，同時暫停24%的對等關稅，僅保留10%基礎關稅，這是貿易談判達成的最大規(guī)模單次關稅回撤，中國也相應取消對美芯片91%的反制關稅。2025年5-7月BIS對華EDA軟件出口實施許可要求，后撤銷5月末，BIS向數家大型EDA軟件公司（如Synopsys、CadenceDesignSystems、SiemensEDA）發(fā)出is-informed信函，要求對華出口其3D991／3E991類別EDA軟件與工具須申請許可；7月BIS撤銷此前針對中國客戶的EDA軟件出口許可要求，允許恢復銷售，為中國產業(yè)設計工具提供短暫緩沖。該撤銷與中美在稀土出口/技術談判中達成初步框架有關。2025年8-9月BIS《關閉在華外資晶圓廠出口管制漏洞》最終規(guī)則①全面撤銷在華半導體廠的VEU快速通道授權（包括TSMC、三星、SKhynix、部分Intel在華設施等）；②要求其在120天內申請出口許可以維持既有運營；③明確不打算批準用于擴產或升級技術節(jié)點的許可。雖然對現有產能給予維持運營空間，但意味著即使是成熟制程，擴產和升級都將高度受限，基本堵死對華追加擴產/升級路徑，同時削弱美系設備在華銷售確定性。2025年9月底BIS采納50%關聯方規(guī)則10月初，參照OFAC做法，規(guī)定被實體清單主體持股≥50%的子公司/關聯企業(yè)自動視同被管制實體，無需另行列名。這將影響中國大型半導體集團的境外子公司、合資平臺與采購架構，顯著壓縮通過關聯主體采購設備/IP的空間。2025年10月下旬美中達成初步貿易協議，對部分出口管制暫緩實施10月末，中美雙方達成的初步協議中：①BIS50%關聯方規(guī)則執(zhí)行被推遲一年至2026年11月左右；②同步暫停部分計劃中的關稅和ShipsFee等費用；③中方則階段性放寬對鎵、鍺等關鍵礦物對美出口禁令，但保留許可審批。短期內對部分企業(yè)是緩和信號，但現有實體清單及先進芯片/SME管制并未被實質回滾，更多是節(jié)奏放緩。邦公報，美國商務部工業(yè)與安全局，中國政府網，路透社，彭博，北京海關，CNN，維科網，君合法評，MorrisonFoerste（一）半導體代工：國產fab產能持續(xù)滿載，先進制程加速突圍AI驅動的先進邏輯與先進存儲需求持續(xù)強勁，全球半導體行業(yè)進入新一輪強擴產周期。251）AIGPU/NPU及HBMMCUCIS/SSDAR/VRAISEMI202515%2024–20287%2028圖表48 2024-2028E全球晶圓產能情況 圖表49 2024-2028E全球先進制程晶圓產情況1150110010501000950900850800750700

2024-2028ECAGR:7%2024 2025E 2028E2024-2028ECAGR:7%全球晶圓產能（萬片/月）

160140120100806040200

7nm7nm及以下產能2024-2028ECAGR:2nm及以下產2025-2028ECAGR:能35.7%2024 2025E 2026E 2028E及以下晶圓產能（萬片/月） 及以下晶圓產能（萬片/月）EMI、轉引自證券時報網，半導體前 EMI、轉引自證券時報2nm及以下節(jié)點將在2026年迎來集中爬坡。SEMI預測，7nm202485萬片202814069%CAGR2nm20252020285035%Q3N2（2nm）2025HPC/AI2026N2P2026HPC/AI2026AI圖表50 全球主要晶圓工廠2024–2028年先進制程擴產路線圖（25年初計劃）公司20242025F2026F2027F2028FKumamoto1stfab(12/16nm)Arizona1stfab(N4)/Baoshan1stfab/Kaohsiung1stfab(2nm)Baoshan2ndfab(2nm)Kumamoto2ndfab(6/7nm)/Dresdenfab,Germany(12/16nm)Arizona2ndfab(N2/N3)—Arizonafab52/62(18A)—Ohiofabs(18A)——Taylorfab(2nm)—————IIM-1fab(2nm)—Malta2ndfab(Detailstobereleased)rendforc在AI算力需求驅動下，臺積電、三星、英特爾、SK海力士等頭部廠商自2025年底以來集中公布新一輪擴產方案，11月中上旬單周披露投資規(guī)模已超過400億美元，重點指向7nm及以下先進邏輯、DRAM/HBM等先進存儲產能。ChinaforChina與GlobalforGlobalAI2026–2028年AI圖表51 2025年月多家海外代工廠發(fā)布產劃時間事件擴產計劃意義11月8日AMD與臺積電深化合作AMD宣布與臺積電簽署長期協議，臺積電將3nm2nmGPUCPU。加速其AI芯片出貨，預計2026年產能翻倍。11月9日SK海力士投資日本晶圓廠SK海力士宣布在日本和歌山縣投資新DRAM晶圓廠，產能目標為每月5萬片，投資額約100億美元。工廠預計2027年投產。分散供應鏈風險，并利用日本的先進材料優(yōu)勢。11月10日GlobalWafers收購Siltronic后產能整合完成GlobalWafersSiltronic的產能25MSI（方英寸206新產能主要用于歐洲市場。11月12日英特爾與阿斯麥合作提升EUV產能英特爾宣布與荷蘭阿斯麥（ASML）簽署協EUV桑那州晶圓廠（Fb27nm及以下制程產能，預計2026年實現量產。IDM2.0戰(zhàn)略11月13日三星電子投資韓國新晶圓廠三星電子宣布在韓國平澤市建設新12英寸晶圓廠，產能目標為每月10萬片，投資約200億美元。工廠預計2028年投產。專注于先進制程（3nm以下，以對抗臺積電和11月14日臺積電宣布歐洲晶圓廠產能擴張臺積電（TSMC）宣布其位于德國德累斯頓的晶圓廠（Fab21）產能將從2026年起增加30%AI約50億美元，預計2027年滿負荷運營。緩解歐洲芯片短缺，并回應歐盟的芯片法案。導體前存儲與特色工藝持續(xù)供不應求，部分代工環(huán)節(jié)已出現漲價預期。本輪周期呈現明顯的AI擠出效應：HBM需求飆升促使DRAM原廠將標準DRAM產能大幅轉向HBM/DDR5，而HBM晶圓用量為標準DRAM的3倍以上并需TSV等復雜工藝，使DDR4/LPDDR4供給持續(xù)收縮；邏輯端，消費電子回補與汽車電子高景氣支撐BCD、電源管理等特色工藝滿載運行。以臺積電為例，其先進制程供不應求，據華爾街見聞，市場預期其5nm及以下制程2026年起或將開啟3–10%區(qū)間的連續(xù)漲價。TrendForce亦指出，BCD與電源管理芯片需求強勁，部分晶圓廠已規(guī)劃自2026年起上調代工價格。國產代工稼動率與ASP同步改善，盈利能力進入加速修復階段。經歷24年的去庫與價格壓力后，車規(guī)、電源管理、CIS等特色工藝需求維持高景氣，國內客戶訂單回流，國產代工龍頭在25年已確立反轉趨勢。華虹稼動率自2024Q1的91.7%升至2025Q3的109.5%，連續(xù)五個季度滿載；中芯國際亦由23Q3的77.1%升至2025Q3的95.8%。產能端，華虹Fab9A預計明年年中爬坡至6–6.5萬片/月，中芯國際同樣對2026年擴產節(jié)奏保持樂觀。隨著高附加值工藝占比提升，兩家公司25Q3均披露ASP環(huán)比、同比雙升，帶動產品結構與毛利率同步改善。擴產+高稼動率攤薄折舊疊加ASP上行，形成盈利修復剪刀差，兩家代工廠毛利率與凈利率在2026年有望實現顯著優(yōu)于營收增速的彈性恢復。圖表52 23Q3-25Q3華月產能及產能利用情況 圖表5323Q3-25Q3中國際月產能及產能用情況4846444240383634323023Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3月產能（折合8寸晶圓）（萬片） 產能利用

120%110%100%90%80%70%60%50%

1009080706050

23Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3月產能（折合8寸晶圓）（萬片） 產能利用

100%95%90%85%80%75%70%65%60%55%50%虹半導體官 芯國際官作為半導體產業(yè)鏈自主可控的起點，在外資產能凍結、制程結構升級與擴產平臺化趨勢的三重共振下，國產代工將呈現產能擴張、客戶回流與盈利能力改善三條主線同時兌現，是本輪自主開發(fā)中確定性最強的主線之一。（二）半導體設備：邏輯+存儲擴產共振，設備國產化進入深水區(qū)2026BloombergASML2–32026WFE2026圖表54 2023Q1-2026Q1EASML新簽EUV及非EUV機臺訂單價值及同增速100009000800070006000500040003000200010000

（百萬歐元）

EUVOrders Non-EUVOrders YOY

200%150%100%50%0%-50%-100%loombergEMI025年增長至125（+72026年進一步升至1381(WFE)20241043202520261221AI帶動的先進邏輯、存儲擴產及2nmGAA等前沿節(jié)點遷移驅動。按應用維度看，Foundry/LogicWFE2025–2026Memory202320242025–2026圖表55 全球半導體設市場預測（億美元）市場20242025E2026E增長驅動總設備銷售額11691255(+7.4%)1381(+10%)在先進邏輯、存儲器及技術遷移的持續(xù)推動下，設備銷售額有望實現連續(xù)三年增長。WFE(含晶圓加工、廠務設施、掩模設備)10431108