高頻工程師電機(jī)選型面試題及答案Q1：在高頻動(dòng)態(tài)響應(yīng)場(chǎng)景中，永磁同步電機(jī)（PMSM）與感應(yīng)電機(jī)（IM）的核心差異體現(xiàn)在哪些方面？選型時(shí)如何根據(jù)場(chǎng)景取舍？A1：核心差異主要體現(xiàn)在四個(gè)維度：（1）轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)與損耗：PMSM轉(zhuǎn)子嵌入永磁體，無(wú)感應(yīng)電流損耗，高頻下轉(zhuǎn)子銅損趨近于零；IM轉(zhuǎn)子依賴感應(yīng)電流產(chǎn)生磁場(chǎng)，高頻時(shí)轉(zhuǎn)子趨膚效應(yīng)加劇，轉(zhuǎn)子銅損顯著增加（約為額定負(fù)載的20%-30%），效率下降5%-8%。（2）動(dòng)態(tài)響應(yīng)：PMSM轉(zhuǎn)子慣量小（同功率下比IM低30%-50%），且磁鏈由永磁體直接提供，電流環(huán)帶寬可做到500Hz以上；IM需通過(guò)定子電流同時(shí)勵(lì)磁和轉(zhuǎn)矩控制，動(dòng)態(tài)響應(yīng)受限于勵(lì)磁時(shí)間常數(shù)（通常在10-50ms），電流環(huán)帶寬一般不超過(guò)200Hz。（3）控制復(fù)雜度：PMSM需精確測(cè)量轉(zhuǎn)子位置（依賴高分辨率編碼器），且存在弱磁控制邊界（反電動(dòng)勢(shì)與母線電壓的匹配）；IM無(wú)位置傳感器控制技術(shù)更成熟（如模型參考自適應(yīng)），但高頻下參數(shù)辨識(shí)難度增大（轉(zhuǎn)子電阻隨溫度變化率達(dá)0.4%/℃）。（4）成本與可靠性：PMSM依賴稀土材料（如釹鐵硼），成本比IM高20%-40%；IM無(wú)永磁體退磁風(fēng)險(xiǎn)（PMSM在180℃以上可能不可逆退磁），適合高溫（>150℃）或強(qiáng)沖擊場(chǎng)景。選型時(shí)，若場(chǎng)景要求高頻響應(yīng)（如工業(yè)機(jī)器人關(guān)節(jié)、高速加工中心）且溫度≤120℃，優(yōu)先選PMSM；若需寬溫域（>150℃）、低成本或?qū)ξ恢脗鞲衅鞴收先萑潭雀撸ㄈ顼L(fēng)機(jī)、泵類負(fù)載），則選IM。Q2：高頻高精度伺服系統(tǒng)中，電機(jī)極對(duì)數(shù)的選擇需重點(diǎn)考慮哪些因素？極對(duì)數(shù)增加對(duì)性能有何影響？A2：極對(duì)數(shù)（p）選擇需平衡以下四點(diǎn)：（1）電頻率與開(kāi)關(guān)頻率的匹配：電機(jī)電頻率f_e=p×n/60（n為機(jī)械轉(zhuǎn)速，rpm）。若驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)頻率為f_sw，通常要求f_sw≥10×f_e以抑制電流紋波。例如，n=6000rpm時(shí)，p=4則f_e=400Hz，需f_sw≥4kHz；p=8則f_e=800Hz，需f_sw≥8kHz（對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器成本影響顯著）。（2）電感與電流環(huán)帶寬：極對(duì)數(shù)增加會(huì)降低定子電感L（L∝1/p2），導(dǎo)致電流環(huán)帶寬ω_c=R/L（R為定子電阻）上升，但L過(guò)小會(huì)使電流紋波增大（ΔI=V_dc/(2×L×f_sw)），需在帶寬與紋波間權(quán)衡（典型L取值0.1-1mH）。（3）齒槽轉(zhuǎn)矩與振動(dòng)：極對(duì)數(shù)增加可減小齒槽轉(zhuǎn)矩幅值（T_c∝1/p），但會(huì)增加諧波次數(shù)（齒槽轉(zhuǎn)矩頻率=Z×p×n/60，Z為槽數(shù)），需避免與機(jī)械共振頻率（如200-500Hz）重合。例如，Z=24、p=8時(shí)，齒槽轉(zhuǎn)矩頻率=24×8×6000/60=19200Hz，遠(yuǎn)超常見(jiàn)機(jī)械共振區(qū)間。（4）反電動(dòng)勢(shì)系數(shù)：反電動(dòng)勢(shì)常數(shù)K_e=π×p×Φ/√2（Φ為每極磁通量），p增加會(huì)提升K_e，導(dǎo)致高速時(shí)反電動(dòng)勢(shì)E=K_e×n接近母線電壓V_dc（通常需E≤0.8V_dc以保留弱磁裕量）。例如，V_dc=700V時(shí)，K_e=0.2V·s/rad的電機(jī)，n_max=700×0.8/0.2=2800rpm；若p翻倍，K_e=0.4V·s/rad，則n_max降至1400rpm，需通過(guò)弱磁擴(kuò)速但會(huì)犧牲轉(zhuǎn)矩（T=K_t×I，K_t=K_e×√3/π，弱磁區(qū)I_d負(fù)向增大，I_q受限）。綜上，高頻高精度場(chǎng)景（如半導(dǎo)體封裝設(shè)備）通常選p=4-8，兼顧電流環(huán)帶寬（300-800Hz）、紋波抑制（ΔI≤5%額定電流）及弱磁裕量（E≤0.8V_dc）；超高速場(chǎng)景（>10萬(wàn)rpm）則選p=2-4以降低電頻率（如n=12萬(wàn)rpm、p=2時(shí)f_e=4000Hz，需f_sw≥40kHz，需用SiC驅(qū)動(dòng)器）。Q3：高頻運(yùn)行時(shí)，電機(jī)鐵損的主要組成部分是什么？選型時(shí)如何通過(guò)材料與設(shè)計(jì)降低鐵損？A3：鐵損（P_fe）由磁滯損耗（P_h）、渦流損耗（P_e）和異常損耗（P_a）組成，高頻下以前兩者為主（占比>90%）：（1）磁滯損耗：P_h=k_h×f×B_m^α（k_h為材料系數(shù)，f為頻率，B_m為磁密峰值，α≈1.6-2.3）。高頻下f升高，需選擇磁滯回線面積小的材料（如取向硅鋼片，k_h比無(wú)取向低30%），并降低B_m（通?！?.5T，高頻下建議≤1.2T）。（2）渦流損耗：P_e=k_e×f2×t2×B_m2（k_e為材料電導(dǎo)率相關(guān)系數(shù)，t為硅鋼片厚度）。高頻下f2項(xiàng)主導(dǎo)，需減小t（常規(guī)0.35mm，高頻用0.1-0.2mm），并采用高電阻率材料（如加入3%-5%硅的硅鋼，電阻率ρ=4.5×10^-7Ω·m，比純鐵高5倍）。選型時(shí)可采取以下措施：①材料選擇：優(yōu)先選高頻低損耗硅鋼（如日本JFE的23ZH900，1kHz下鐵損≤9W/kg，比常規(guī)50Hz硅鋼低60%），或納米晶合金（如Finemet，10kHz下鐵損<0.5W/kg，但成本高3-5倍，適用于>10kHz場(chǎng)景）。②結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：采用分?jǐn)?shù)槽集中繞組（如12槽8極），減少齒部磁密波動(dòng)（諧波次數(shù)高、幅值低），降低高頻磁密分量；優(yōu)化氣隙長(zhǎng)度（δ=0.5-1.5mm），避免氣隙過(guò)小導(dǎo)致齒部磁密飽和（B齒>2T時(shí)渦流損耗激增）。③工藝控制：硅鋼片表面絕緣涂層厚度≥2μm（降低片間渦流），沖片毛刺≤0.02mm（避免局部短路增加渦流）。實(shí)際案例中，某高速離心機(jī)（f=2000Hz）原用0.35mm硅鋼，鐵損120W；更換為0.1mm高頻硅鋼并優(yōu)化氣隙后，鐵損降至45W，效率提升4%。Q4：周期性負(fù)載（如注塑機(jī)開(kāi)合模）場(chǎng)景下，如何通過(guò)電機(jī)選型避免過(guò)熱與性能不足？需重點(diǎn)校核哪些參數(shù)？A4：關(guān)鍵在于匹配電機(jī)的熱特性與負(fù)載循環(huán)，需校核以下參數(shù)：（1）負(fù)載循環(huán)分析：繪制轉(zhuǎn)矩-時(shí)間曲線，計(jì)算等效轉(zhuǎn)矩T_rms=√[(T12×t1+T22×t2+…+Tn2×tn)/(t1+t2+…+tn)]，等效功率P_rms=T_rms×n/9550。電機(jī)額定轉(zhuǎn)矩T_n需滿足T_n≥T_rms×K（K為安全系數(shù)，一般1.2-1.5，考慮散熱惡化）。（2）峰值轉(zhuǎn)矩能力：負(fù)載峰值轉(zhuǎn)矩T_p需≤電機(jī)短時(shí)過(guò)載能力（通常PMSM可承受2-3倍額定轉(zhuǎn)矩3-5s，IM為1.5-2倍持續(xù)10-20s）。例如，負(fù)載峰值T_p=200N·m，持續(xù)1s，若電機(jī)T_n=100N·m（過(guò)載3倍3s），則滿足要求；若T_p=250N·m且持續(xù)2s，則需選T_n=120N·m（3倍過(guò)載360N·m>250N·m）。（3）熱時(shí)間常數(shù)：電機(jī)熱時(shí)間常數(shù)τ=mc/R（m為質(zhì)量，c為比熱容，R為熱阻）。需確保負(fù)載循環(huán)周期T_c≤3τ（電機(jī)達(dá)到熱平衡前完成一個(gè)周期），否則需強(qiáng)制散熱（如液冷，τ可降低40%-60%）。例如，自然冷卻電機(jī)τ=120s，若負(fù)載周期T_c=60s（3τ=360s>T_c），則溫升不會(huì)飽和；若T_c=400s，則需液冷（τ=50s，3τ=150s<T_c）。（4）轉(zhuǎn)動(dòng)慣量匹配：負(fù)載慣量J_L與電機(jī)慣量J_M的比值需≤10（伺服系統(tǒng)建議≤3），否則會(huì)導(dǎo)致響應(yīng)滯后（調(diào)節(jié)時(shí)間t_s=4×(J_L+J_M)/(K_t×K_v)，K_t為轉(zhuǎn)矩系數(shù)，K_v為速度環(huán)增益）。例如，J_L=0.1kg·m2，選J_M=0.03kg·m2（比值3.3），比J_M=0.01kg·m2（比值10）的t_s降低60%。實(shí)際選型步驟：①測(cè)量負(fù)載循環(huán)（如T1=150N·m持續(xù)2s，T2=50N·m持續(xù)8s，周期10s）；②計(jì)算T_rms=√[(1502×2+502×8)/10]=√[(45000+20000)/10]=√6500≈80.6N·m；③選T_n=100N·m（K=1.24），校核T_p=150N·m≤2×T_n=200N·m（滿足）；④檢查J_L/J_M≤3（假設(shè)J_L=0.05kg·m2，選J_M≥0.017kg·m2）；⑤確認(rèn)散熱（τ=80s，3τ=240s>10s，自然冷卻可行）。Q5：高頻電機(jī)與驅(qū)動(dòng)器匹配時(shí)，母線電壓、電流及開(kāi)關(guān)頻率的選擇需遵循哪些原則？常見(jiàn)匹配錯(cuò)誤有哪些？A5：匹配原則如下：（1）母線電壓V_dc：需滿足V_dc≥√3×E_max/0.8（E_max為電機(jī)最高轉(zhuǎn)速反電動(dòng)勢(shì)），保留20%弱磁裕量。例如，電機(jī)最高轉(zhuǎn)速n_max=6000rpm，反電動(dòng)勢(shì)常數(shù)K_e=0.15V·s/rad，則E_max=K_e×2π×n_max/60=0.15×2π×100≈94.2V，V_dc≥94.2×√3/0.8≈203V（實(shí)際選220V或310V標(biāo)準(zhǔn)母線）。（2）額定電流I_n：驅(qū)動(dòng)器I_n需≥電機(jī)I_n×1.1（考慮電流測(cè)量誤差），峰值電流I_p≥電機(jī)過(guò)載電流（如3×I_n）。例如，電機(jī)I_n=20A，過(guò)載3倍60A，則驅(qū)動(dòng)器需I_n≥22A，I_p≥60A（需確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器持續(xù)1s的峰值電流能力）。（3）開(kāi)關(guān)頻率f_sw：需滿足f_sw≥10×f_e（f_e為電機(jī)最高電頻率，f_e=p×n_max/60），同時(shí)f_sw≤驅(qū)動(dòng)器最大允許頻率（IGBT通?！?0kHz，SiC可達(dá)100kHz）。例如，p=4，n_max=6000rpm，f_e=400Hz，則f_sw≥4kHz（IGBT選8-16kHz，SiC可選20-40kHz以降低紋波）。常見(jiàn)錯(cuò)誤：①母線電壓不足：V_dc過(guò)低導(dǎo)致弱磁區(qū)轉(zhuǎn)矩下降（T=√(I2-I_d2)×K_t，I_d負(fù)向增大時(shí)I_q受限），例如V_dc=200V，E_max=180V（裕量?jī)H10%），高速時(shí)轉(zhuǎn)矩比額定值降低30%。②電流匹配不足：驅(qū)動(dòng)器I_n=電機(jī)I_n，但電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)電流達(dá)1.5×I_n，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器過(guò)流保護(hù)（需留10%-15%裕量）。③開(kāi)關(guān)頻率過(guò)低：f_sw=2kHz，f_e=400Hz（f_sw/f_e=5），電流紋波ΔI=V_dc/(2×L×f_sw)=310/(2×0.5mH×2000)=155A（遠(yuǎn)超過(guò)電機(jī)I_n=20A），導(dǎo)致轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)（ΔT=K_t×ΔI=0.3×155=46.5N·m，額定轉(zhuǎn)矩僅50N·m）。Q6：高頻運(yùn)行時(shí)，電機(jī)振動(dòng)與噪聲的主要來(lái)源有哪些？選型時(shí)如何通過(guò)參數(shù)設(shè)計(jì)抑制？A6：主要來(lái)源及抑制措施：（1）電磁力波：由氣隙磁密諧波（如齒諧波、繞組諧波）產(chǎn)生，頻率f=|kZ±p|×n/60（k為諧波階數(shù)，Z為槽數(shù)）。例如，Z=24，p=8，k=1時(shí)，f=(24±8)×6000/60=3200Hz或1600Hz。若與電機(jī)機(jī)械固有頻率（如1500Hz）重合，會(huì)引發(fā)共振。抑制方法：選擇分?jǐn)?shù)槽配合（如Z=12，p=10，槽極比3:2.5），使齒諧波次數(shù)升高（kZ±p=12×1±10=2或22，f=2×6000/60=200Hz或22×100=2200Hz），避開(kāi)常見(jiàn)機(jī)械共振區(qū)（200-500Hz）；采用斜槽（斜槽角度=極距×1/3），降低齒諧波幅值（可減少50%-70%）。（2）機(jī)械不平衡：轉(zhuǎn)子動(dòng)平衡等級(jí)G（G=e×ω，e為質(zhì)心偏移，ω為角速度）。高頻下ω=2πn/60，n=10000rpm時(shí)ω≈1047rad/s，G=2.5（普通電機(jī)）對(duì)應(yīng)e=2.5/1047≈2.4μm；G=1.0（精密電機(jī)）對(duì)應(yīng)e=0.95μm。不平衡力F=e×m×ω2，m=2kg時(shí)，G=2.5的F=2×(2.4e-6)×(1047)^2≈5.3N，G=1.0的F≈2.1N（振動(dòng)幅值降低60%）。選型時(shí)需明確動(dòng)平衡等級(jí)（伺服電機(jī)選G1.0，普通電機(jī)G2.5），并要求供應(yīng)商提供動(dòng)平衡測(cè)試報(bào)告（殘余不平衡量≤e×m）。（3）軸承噪聲：高頻下軸承滾動(dòng)體公轉(zhuǎn)頻率f_b=0.5×Z_b×n×(1-d/D×cosα)（Z_b為滾動(dòng)體數(shù)，d為滾動(dòng)體直徑，D為軸承節(jié)徑，α為接觸角）。例如，深溝球軸承6204（Z_b=8，d=7.9mm，D=32mm，α=0°），n=10000rpm時(shí)，f_b=0.5×8×10000/60×(1-7.9/32)≈0.5×8×166.67×0.75≈500Hz，若與電磁力波頻率（如500Hz）重合會(huì)放大噪聲。抑制方法：選擇低噪聲軸承（如SKF的“Q”級(jí)，內(nèi)部游隙C3，潤(rùn)滑脂為低粘度合成油），并在電機(jī)端蓋增加橡膠減震墊（衰減30%-50%振動(dòng)傳遞）。實(shí)際案例中，某高速風(fēng)機(jī)（n=12000rpm）原振動(dòng)值12mm/s，通過(guò)更換為Z=18、p=10的分?jǐn)?shù)槽電機(jī)（電磁力波頻率2400Hz），并采用G0.4動(dòng)平衡轉(zhuǎn)子，振動(dòng)降至3mm/s，噪聲從85dB降至68dB。Q7：高溫環(huán)境（>80℃）下選型高頻電機(jī)時(shí)，需重點(diǎn)關(guān)注哪些參數(shù)？如何避免永磁體退磁？A7：重點(diǎn)關(guān)注參數(shù)及應(yīng)對(duì)措施：（1）永磁體溫度系數(shù)：釹鐵硼（NdFeB）的剩磁溫度系數(shù)α_B≈-0.12%/℃（20-100℃），矯頑力溫度系數(shù)α_H≈-0.6%/℃。例如，100℃時(shí)剩磁B_r=B_r20×(1+α_B×80)=B_r20×0.904（下降9.6%），矯頑力H_c=H_c20×(1+α_H×80)=H_c20×0.52（下降48%）。需選擇高矯頑力牌號(hào)（如N52SH，H_c≥1400kA/m，最高工作溫度150℃），或采用釤鈷（SmCo）磁體（α_B≈-0.03%/℃，工作溫度達(dá)300℃，但成本高2-3倍）。（2）繞組絕緣等級(jí)：高頻電機(jī)繞組損耗大（銅損P_cu=I2R，R隨溫度升高而增加，α_R≈0.393%/℃），需選擇F級(jí)（155℃）或H級(jí)（180℃）絕緣（常規(guī)B級(jí)130℃易老化）。例如，H級(jí)絕緣的耐溫指數(shù)為180，允許繞組溫度≤180℃（比B級(jí)高50℃，壽命延長(zhǎng)5-8倍）。（3）散熱設(shè)計(jì)：高溫環(huán)境下自然冷卻效率下降（空氣熱容比20℃時(shí)降低10%），需采用強(qiáng)制散熱：①風(fēng)冷：增加散熱片面積（比表面積≥500mm2/W），或使用離心風(fēng)機(jī)（風(fēng)量≥0.1m3/s，風(fēng)壓≥1kPa），可降低繞組溫度30-50℃。②液冷：采用水-乙二醇混合液（體積比50:50，凝固點(diǎn)-35℃），冷卻管路貼近定子軛部（熱阻≤0.1℃/W），可將繞組溫度控制在100℃以下（環(huán)境溫度80℃時(shí)）。避免退磁的關(guān)鍵措施：①校核最大去磁場(chǎng)：電機(jī)啟動(dòng)或短路時(shí)，電樞反應(yīng)去磁場(chǎng)H_d=I×N/(p×δ)（N為每相匝數(shù)，δ為氣隙長(zhǎng)度）。需確保H_d≤H_c×(1+α_H×(T-20))（T為工作溫度）。例如，T=120℃，H_c20=1600kA/m，H_c=1600×(1-0.6%×100)=1600×0.4=640kA/m，若H_d=500kA/m<640kA/m，則安全。②增加磁障設(shè)計(jì)：在永磁體兩側(cè)設(shè)置非導(dǎo)磁隔磁橋（厚度0.5-1mm），降低電樞反應(yīng)漏磁（可減少去磁場(chǎng)15%-25%）。③溫度監(jiān)測(cè)：內(nèi)置PTC熱敏電阻（動(dòng)作溫度130℃）或PT100傳感器（精度±0.5℃），超溫時(shí)驅(qū)動(dòng)器降額運(yùn)行（如電流限制為80%I_n）。Q8：請(qǐng)結(jié)合具體案例，說(shuō)明如何根據(jù)負(fù)載曲線計(jì)算電機(jī)所需的額定功率與峰值功率？A8：以某工業(yè)機(jī)械臂旋轉(zhuǎn)關(guān)節(jié)為例，負(fù)載曲線如下：加速階段：t1=0.5s，從0加速到n1=120rpm（ω1=2π×120/60=4πrad/s），負(fù)載轉(zhuǎn)矩T1=30N·m（含慣性轉(zhuǎn)矩T_inertia=J×Δω/Δt，J=0.05kg·m2，Δω=4πrad/s，Δt=0.5s，則T_inertia=0.05×4π/0.5≈1.26N·m，實(shí)際負(fù)載轉(zhuǎn)矩T_load=30-1.26=28.74N·m）。勻速階段：t2=2s，n=120rpm，T2=15N·m（僅克服摩擦與負(fù)載）。減速階段：t3=0.5s，從120rpm降到0，T3=-25N·m（再生制動(dòng)，絕對(duì)值為25N·m）。停止階段：t4=1s，T4=0N·m。計(jì)算步驟：1.等效轉(zhuǎn)矩T_rms：T_rms=√[(T12×t1+T22×t2+T32×t3+T42×t4)/(t1+t2+t3+t4)]=√[(302×0.5+152×2+(-25)2×0.5+02×1)/(0.5+2+0.5+1)]=√[(450+450+312.5+0)/4]=√[1212.5/4]=√303.125≈17.41N·m2.等效功率P_rms=T_rms×n_avg/9550，n_avg=120rpm（勻速階段占比高），則P_rms=17.41×120/9550≈0.219kW≈220W。3.峰值功率P_peak：加速階段功率P1=T1×n1/9550=30×120/9550≈0.377kW≈380W；減速階段為再生功率（負(fù)值，不影響峰值）。4.選型驗(yàn)證：電機(jī)額定功率P_n≥P_rms×1.2=220×1.2=264W（選300W）。電機(jī)峰值轉(zhuǎn)矩T_p≥T1=30N·m（300W電機(jī)額定轉(zhuǎn)矩T_n=9550×P_n/n=9550×0.3/120≈23.88N·m，需過(guò)載能力≥30/23.88≈1.26倍（PMSM通常2-3倍，滿足）。熱校核：電機(jī)熱時(shí)間常數(shù)τ=60s（自然冷卻），負(fù)載周期T_c=4s（3τ=180s>T_c），溫升不會(huì)飽和（ΔT=P_loss×R_th，P_loss≈P_rms×(1-η)，η=0.85時(shí)P_loss=220×0.15=33W，R_th=1℃/W，則ΔT=33℃，環(huán)境溫度25℃時(shí)繞組溫度58℃<F級(jí)絕緣155℃）。最終選型：300W、23.88N·m、3倍過(guò)載的PMSM（如松下MINASA6系列MSMF032L1U2），匹配200V、3A驅(qū)動(dòng)器（峰值9A），滿足高頻響應(yīng)（電流環(huán)帶寬500Hz）與溫升要求。Q9：高速高頻場(chǎng)景（>10萬(wàn)rpm）下，傳統(tǒng)電機(jī)面臨哪些技術(shù)瓶頸？新型電機(jī)（如磁阻電機(jī)、超高速永磁電機(jī)）如何突破？A9：傳統(tǒng)電機(jī)的瓶頸：（1）機(jī)械強(qiáng)度：高速下轉(zhuǎn)子離心力F=mrω2（m為轉(zhuǎn)子質(zhì)量，r為半徑，ω為角速度）。例如，永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子（r=0.02m，m=0.1kg，n=12萬(wàn)rpm，ω=12566rad/s），F(xiàn)=0.1×0.02×(12566)^2≈3.16×10^6N（相當(dāng)于322噸力），常規(guī)永磁體（抗拉強(qiáng)度300MPa）易碎裂（應(yīng)力σ=F/A=3.16e6/(π×0.022)≈252MPa<300MPa，接近極限）。（2）高頻損耗：傳統(tǒng)硅鋼在10kHz下鐵損>20W/kg，導(dǎo)致效率<80%（額定轉(zhuǎn)速下）。（3）軸承壽命：高速下滾動(dòng)軸承dn值（d為軸承內(nèi)徑，mm；n為轉(zhuǎn)速，rpm）>2×10^6時(shí)（如d=20mm，n=10萬(wàn)rpm，dn=2×10^6），壽命L=10^6/(6