正文目錄本輪存儲(chǔ)AI超級(jí)周期特點(diǎn) 3存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈拆分 4傳統(tǒng)DRAM與HBM 5存儲(chǔ)芯片細(xì)分優(yōu)勢(shì)賽道 6存儲(chǔ)芯片漲價(jià)持續(xù)性 7存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)機(jī)會(huì) 9傳統(tǒng)的DRAM和NANDFlash漲價(jià)傳導(dǎo)情況 10存儲(chǔ)行情當(dāng)前判斷 風(fēng)險(xiǎn)提示 圖表目錄圖表1：北美四大云廠商資本支出（億美元） 3圖表2：全球智能手機(jī)季度出貨量（百萬(wàn)部） 4圖表3：全球PC出貨量（百萬(wàn)臺(tái)） 4圖表4：eMMC價(jià)格趨勢(shì) 8圖表5：UFS價(jià)格趨勢(shì) 8圖表6：全球聯(lián)想PC季度出貨量（百萬(wàn)臺(tái)） 10AI超級(jí)周期特點(diǎn)本輪超級(jí)周期的核心因素是在三大原廠停產(chǎn)、減產(chǎn)、產(chǎn)線升級(jí)等綜合情形下，AI算力等基礎(chǔ)建設(shè)的爆炸式擴(kuò)張下開啟的。2025AI帶來(lái)的增量需求SKSKNAND閃存原廠計(jì)劃2025年上半年集體啟動(dòng)減產(chǎn)計(jì)劃，10%15%20234725（1998202325年DRAMNAND閃存芯片。據(jù)華爾街見聞，為了滿足需求，20245SK海力士20%DRAMHBM生產(chǎn)線；與以往周期不同之處是有兩個(gè)大不同：第一，過(guò)去的周期更多是主要由手機(jī)換機(jī)潮和電腦普及帶來(lái)的普適性需求主導(dǎo)，以量的增長(zhǎng)為核心；而本輪周期則是在AI應(yīng)用從訓(xùn)練向推理與邊緣側(cè)轉(zhuǎn)向而引起的結(jié)構(gòu)性、爆發(fā)性需求所驅(qū)動(dòng)，不僅僅單機(jī)存儲(chǔ)容量大大增加，同時(shí)對(duì)性能（如帶寬、速度）提出極高要求，直接拉動(dòng)HBM、高性能DDR5等品類的快速增長(zhǎng)。第二，過(guò)去周期的產(chǎn)能調(diào)整多為庫(kù)存調(diào)整與清理；而本輪周期中，原廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向技術(shù)壁壘高、利潤(rùn)高的HBM、DDR5等產(chǎn)品，主動(dòng)收縮并淘汰DDR4等產(chǎn)能，導(dǎo)致傳統(tǒng)需求領(lǐng)域出現(xiàn)永久性供給缺口，漲價(jià)解決不了需求問(wèn)題，后續(xù)也將帶動(dòng)傳統(tǒng)需求進(jìn)入更高制程領(lǐng)域，這或?qū)⑦M(jìn)一步增大對(duì)高性能

產(chǎn)品的需求缺口。圖表1：北美四大云廠商資本支出（億美元）圖表2：全球智能手機(jī)季度出貨量（百萬(wàn)部） 圖表3：全球PC出貨量（百萬(wàn)臺(tái)）存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈拆分在存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、模組、分銷等環(huán)節(jié)中，存儲(chǔ)設(shè)備（含前道薄膜沉積、后道測(cè)試等）和模組環(huán)節(jié)短期投資彈性突出，制造環(huán)節(jié)憑借量?jī)r(jià)齊升具備中高彈性，設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)則是高毛利下的穩(wěn)健彈性，分銷環(huán)節(jié)彈性最弱。各環(huán)節(jié)投資彈性差異源于其盈利邏輯與行業(yè)周期、技術(shù)迭代等因素的綁定深度。

存儲(chǔ)設(shè)備環(huán)節(jié)：長(zhǎng)期投資彈性最優(yōu)，確定性強(qiáng)該環(huán)節(jié)是當(dāng)前存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈中投資彈性具備長(zhǎng)期價(jià)值的領(lǐng)域，尤其前道的薄膜沉積、刻蝕設(shè)備和后道的測(cè)試設(shè)備等細(xì)分賽道。存儲(chǔ)芯片技術(shù)向3DNAND300層以上、DDR5、HBM迭代，高層寬比刻蝕、ALD（原子層沉積）等設(shè)備成為工藝核心，技術(shù)升級(jí)推高單機(jī)價(jià)值，對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的設(shè)備廠商需求較快，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈廠商這幾年發(fā)展速度預(yù)計(jì)會(huì)比較快。存儲(chǔ)模組環(huán)節(jié)：短中期彈性領(lǐng)漲，兌現(xiàn)速度快模組環(huán)節(jié)在短期內(nèi)的投資彈性領(lǐng)跑產(chǎn)業(yè)鏈，業(yè)績(jī)和股價(jià)的兌現(xiàn)速度快于多數(shù)環(huán)節(jié)，如果存儲(chǔ)芯片短期有較大漲幅，或者漲價(jià)持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間，預(yù)計(jì)可為模組環(huán)節(jié)帶來(lái)短期紅利。2025AIPC制造環(huán)節(jié)：量?jī)r(jià)齊升驅(qū)動(dòng)，彈性隨周期放大制造環(huán)節(jié)投資彈性處于中高水平，受益于AI需求爆發(fā)和行業(yè)去庫(kù)存完成，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年行業(yè)增速較快。當(dāng)前行業(yè)處于供給側(cè)產(chǎn)能管控+需求側(cè)AI爆發(fā)的共振期，實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。需求端，AI服務(wù)器對(duì)DDR5、3DNAND需求快速增長(zhǎng)，高端芯片缺口或持續(xù)擴(kuò)大；供給端，SK海力士、三星、美光等大廠減少產(chǎn)能，預(yù)計(jì)會(huì)推動(dòng)芯片價(jià)格繼續(xù)上漲。設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)：高毛利穩(wěn)健彈性，依賴技術(shù)優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的投資彈性偏穩(wěn)健，頭部企業(yè)憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)能維持較高毛利率，受行業(yè)周期波動(dòng)的影響相對(duì)可控。該領(lǐng)域頭部企業(yè)占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，且高端產(chǎn)品毛利較好。技術(shù)優(yōu)勢(shì)構(gòu)筑的較高毛利護(hù)城河。高端存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)門檻高，頭部企業(yè)（美光等）部分產(chǎn)品，比如云存儲(chǔ)毛利率可達(dá)60%以上。與此同時(shí)，AI、車規(guī)等新興場(chǎng)景催生差異化需求。不過(guò)，設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)研發(fā)投入大，產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)，業(yè)績(jī)彈性釋放速度預(yù)計(jì)會(huì)慢于設(shè)備和模組。封測(cè)環(huán)節(jié)：彈性中等，依托產(chǎn)能與技術(shù)升級(jí)封測(cè)環(huán)節(jié)投資彈性中等，受益于制造環(huán)節(jié)的產(chǎn)能釋放，但彈性受限于加工費(fèi)模式。

盈利核心是訂單量增長(zhǎng)與先進(jìn)工藝溢價(jià)。制造環(huán)節(jié)產(chǎn)能釋放或?qū)?dòng)封測(cè)訂單增加，該環(huán)節(jié)整體以加工費(fèi)為主，盈利增長(zhǎng)幅度受限于制造環(huán)節(jié)的產(chǎn)能增速，彈性弱于設(shè)備和模組。DRAMHBMHBM為AI算力爆發(fā)前提下的核心增量賽道，投資機(jī)會(huì)貫穿芯片制造、封裝、設(shè)備、材料等全產(chǎn)業(yè)鏈細(xì)分領(lǐng)域，HBM核心投資機(jī)會(huì)細(xì)分領(lǐng)域：HBM芯片制造：該領(lǐng)域是產(chǎn)業(yè)鏈核心，當(dāng)前全球僅三星、美光、SK海力士等巨頭具備大規(guī)模量產(chǎn)能力，國(guó)內(nèi)企業(yè)在HBM領(lǐng)域的進(jìn)展也值得大家關(guān)注。先進(jìn)封裝：HBM依賴3D集成、Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)，封裝環(huán)節(jié)的技術(shù)突破和產(chǎn)能釋放是關(guān)鍵投資點(diǎn)。核心設(shè)備：HBM制造和封裝對(duì)設(shè)備要求較高，相關(guān)設(shè)備企業(yè)因擁有技術(shù)優(yōu)勢(shì)，具有投資價(jià)值以及同時(shí)受資本市場(chǎng)關(guān)注。關(guān)鍵材料：HBM高集成度和高性能對(duì)材料提出嚴(yán)苛要求，材料領(lǐng)域?qū)Ω唠y度和高性能的需求催生大量投資機(jī)會(huì)。HBM與傳統(tǒng)DRAM的投資邏輯差異區(qū)別有兩點(diǎn)，包括核心驅(qū)動(dòng)因素與投資側(cè)重點(diǎn)等：核心驅(qū)動(dòng)因素：HBM：AI模型訓(xùn)練和推理對(duì)高帶寬存儲(chǔ)的依賴顯著增加，HBMAI芯片的AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的重要配置；傳統(tǒng)DRAM：需求覆蓋消費(fèi)電子、普通服務(wù)器等大眾市場(chǎng)，當(dāng)前雖受益于AI推理場(chǎng)景需求增長(zhǎng)，但整體需求更依賴消費(fèi)電子換機(jī)周期和傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心擴(kuò)容，需求波動(dòng)與消費(fèi)端景氣度高度綁定。投資側(cè)重點(diǎn)：1HBMAI芯片廠商綁定的企業(yè)，短期看產(chǎn)能兌現(xiàn)，長(zhǎng)期看技術(shù)迭代領(lǐng)先性。2、傳統(tǒng)DRAM側(cè)重產(chǎn)能規(guī)模和成本控制，關(guān)注具備先進(jìn)制程量產(chǎn)能力、能快速響應(yīng)市場(chǎng)需求的龍頭企業(yè)，同時(shí)需要關(guān)注行業(yè)庫(kù)存去化進(jìn)度和價(jià)格上漲拐點(diǎn)。存儲(chǔ)芯片細(xì)分優(yōu)勢(shì)賽道A股存儲(chǔ)芯片細(xì)分板塊中，存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、封測(cè)、設(shè)備材料、特色存儲(chǔ)（車規(guī)/工業(yè)級(jí)等）以及存儲(chǔ)模組等幾大細(xì)分賽道都涌現(xiàn)了不少優(yōu)秀的公司。存儲(chǔ)設(shè)計(jì)賽道，該賽道技術(shù)難度較大，頭部企業(yè)多掌握核心架構(gòu)與制程技術(shù)，且深度綁定全球頭部終端廠商與存儲(chǔ)原廠，盈利能力較強(qiáng)。

兆易創(chuàng)新：同時(shí)布局NOR/NAND/DRAM三大存儲(chǔ)品類，在全品類布局與客戶資源均有優(yōu)勢(shì)。公司也是全球排名第一的無(wú)晶圓廠Flash供應(yīng)商。瀾起科技：在技術(shù)實(shí)力方面，瀾起科技處于國(guó)際領(lǐng)先水平。公司發(fā)明的DDR4全緩沖1+9架構(gòu)被JEDEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)采納，并在DDR5世代演化為1+10框架，繼續(xù)作為L(zhǎng)RDIMM的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)衍生出MRDIMM國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。在DDR5世代，瀾起科技進(jìn)一步鞏固了在內(nèi)存接口技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。存儲(chǔ)封測(cè)賽道，賽道核心競(jìng)爭(zhēng)力體現(xiàn)在先進(jìn)封裝技術(shù)落地與頭部存儲(chǔ)廠商的合作，產(chǎn)能規(guī)模與良率控制是需要持續(xù)關(guān)注的。長(zhǎng)電科技：長(zhǎng)電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造與技術(shù)服務(wù)提供商，向全球半導(dǎo)體客戶提供全方位、一站式芯片成品制造解決方案，涵蓋微系統(tǒng)集成、設(shè)計(jì)仿真、晶圓中測(cè)、芯片及器件封裝、成品測(cè)試、產(chǎn)品認(rèn)證以及全球直運(yùn)等服務(wù)。擁有先進(jìn)和全面的芯片成品制造技術(shù)，包括晶圓級(jí)封裝（WLP）、2.5D/3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、倒裝芯片封裝、引線鍵合封裝及傳統(tǒng)封裝先進(jìn)化解決方案，廣泛應(yīng)用于汽車電子、人工智能、高性能計(jì)算、高密度存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)通信、智能終端、工業(yè)與醫(yī)療、功率與能源等領(lǐng)域。設(shè)備與材料賽道，賽道需求較好，核心關(guān)注點(diǎn)在于技術(shù)適配性與下游大廠的認(rèn)證，一旦通過(guò)驗(yàn)證便或具備長(zhǎng)期供貨優(yōu)勢(shì)。PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積ALD（原子層沉積、SACVD（次常壓化學(xué)氣相沉積HDPCVD（高密度等離子體化學(xué)氣相沉積）FlowableCVD（流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積）等薄膜設(shè)備系列產(chǎn)品，在集成電路邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片制造等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。特色存儲(chǔ)賽道，聚焦車規(guī)、工業(yè)級(jí)等細(xì)分場(chǎng)景，壁壘在于車規(guī)認(rèn)證、穩(wěn)定供貨能力以及場(chǎng)景化技術(shù)適配。北京君正：公司產(chǎn)品包括了計(jì)算芯片、存儲(chǔ)芯片、模擬與互聯(lián)芯片等多類芯片產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域涉及汽車、工業(yè)、醫(yī)療、通信、安防監(jiān)控等多種市場(chǎng)。公司自主創(chuàng)新的核心技術(shù)和產(chǎn)品突出的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，使公司產(chǎn)品在多類市場(chǎng)應(yīng)用中名列前茅。在安防監(jiān)控領(lǐng)域，公司業(yè)務(wù)發(fā)展迅速，目前已成為國(guó)內(nèi)消費(fèi)類安防監(jiān)控市場(chǎng)的主流SRAMDRAMNORFlash產(chǎn)品收入在全球市場(chǎng)中均處于國(guó)際市場(chǎng)前列。存儲(chǔ)模組賽道，核心優(yōu)勢(shì)在于產(chǎn)能規(guī)模、品牌影響力與高端客戶適配能力。德明利：公司深耕存儲(chǔ)行業(yè)多年，以主控芯片為核心的存儲(chǔ)解決方案，將主控芯片、固件方案及量產(chǎn)工具程序相結(jié)合，產(chǎn)品在各項(xiàng)性能展現(xiàn)出較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)

勢(shì)，鞏固了公司行業(yè)地位，為公司贏得了行業(yè)廣泛的認(rèn)可，也為公司與產(chǎn)業(yè)鏈上下游知名廠商的深入合作奠定了基礎(chǔ)。公司作為行業(yè)內(nèi)較早上市的企業(yè)之一，在公司聲譽(yù)、融資渠道、人才吸引、客戶供應(yīng)商合作等方面，均具有一定優(yōu)勢(shì)。存儲(chǔ)芯片漲價(jià)持續(xù)性當(dāng)前存儲(chǔ)芯片漲價(jià)傳導(dǎo)至下游終端，會(huì)對(duì)部分消費(fèi)電子需求形成抑制，但短期難以終結(jié)漲價(jià)周期；而漲價(jià)的持續(xù)性需從需求結(jié)構(gòu)、供應(yīng)彈性、行業(yè)行為等多維度AI需求持續(xù)性與產(chǎn)能釋放節(jié)奏。圖表4：eMMC價(jià)格趨勢(shì)圖表5：UFS價(jià)格趨勢(shì)終端漲價(jià)對(duì)需求的抑制作用有限，難以終結(jié)當(dāng)前漲價(jià)周期，原因有二：1AIPC服務(wù)器等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)的需求仍然很多，這類需求可以對(duì)沖消費(fèi)端的部分需求下滑。2轉(zhuǎn)移成本，而是通過(guò)降配、與產(chǎn)業(yè)鏈共擔(dān)成本、內(nèi)部降本增效等方式消化壓力。例如部分廠商調(diào)整產(chǎn)品配置、錯(cuò)峰發(fā)布旗艦機(jī)型避開漲價(jià)高峰，還有企業(yè)選擇與經(jīng)銷商共擔(dān)成本延遲漲價(jià)，這些舉措有效緩解了需求被大幅抑制的情況，避免因需求驟降打斷漲價(jià)周期。（1-2個(gè)季度DDR4NAND2027AI需求增速AI產(chǎn)業(yè)持續(xù)推進(jìn)，存儲(chǔ)作為核心基礎(chǔ)設(shè)施的需求持續(xù)存在，漲價(jià)周期或?qū)⒊掷m(xù)較長(zhǎng)時(shí)間。存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)機(jī)會(huì)實(shí)際上，下游廠商囤貨和預(yù)警的策略分化，會(huì)從供需匹配、技術(shù)迭代方向、企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局等多個(gè)維度影響上游存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的投資機(jī)會(huì)，既會(huì)讓部分企業(yè)獲得明確利好，也可能會(huì)使部分中小配套廠商面臨不確定性：利好具備規(guī)模與穩(wěn)定供應(yīng)能力的頭部存儲(chǔ)原廠定供貨關(guān)系。這使得頭部原廠的訂單確定性大幅提升，產(chǎn)能利用率維持高位，業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)具備強(qiáng)支撐，進(jìn)而吸引投資者聚焦這類具備穩(wěn)定出貨能力的企業(yè)。加速存儲(chǔ)廠商發(fā)展進(jìn)程，打開細(xì)分領(lǐng)域投資空間。部分下游廠商雖發(fā)布漲價(jià)預(yù)警，但也可能簽訂了2026年內(nèi)存供應(yīng)協(xié)議，且終端

行業(yè)整體對(duì)存儲(chǔ)