1、集成電路版圖設(shè)計,主講 李斌 E_mail:bin_lichina,西南科技大學(xué),信息類專業(yè)課程,一、緊湊型版圖 二、棒狀圖 三、CMOS主從觸發(fā)器棍棒圖的畫法,內(nèi)容,一、緊湊型版圖,經(jīng)驗法則：通過小的、易于理解的功能模塊構(gòu)造大的設(shè)計。 設(shè)計目標(biāo)是使版圖緊湊，在設(shè)計器件時應(yīng)盡可能利用矩形。,二、棒狀圖（棍棒圖）,如何才能容易的從電路圖得到最有效的源漏共用版圖呢？ 棒狀圖 棒狀圖的作用： 1、告訴器件的布局和連線關(guān)系，之后的工作是用實際的器件和連線替代棒狀圖。 2、層之間的連接由“”決定。表示對氧化層進(jìn)行刻蝕,倒相器,以倒相器為例 在設(shè)計中，P型器件通常放在一個共用的N阱中，N型器件也被放置在一

2、個共用的P阱中。,MOS晶體管,1、用一條水平的棒狀圖形來表示P型擴(kuò)散區(qū)并使其位于圖的頂部，以另一條水平的棒狀圖形表示N型擴(kuò)散區(qū)并使其位于圖的底部。 2、在棒狀圖中，多晶硅、擴(kuò)散區(qū)以及連線都可以用一條簡單的線來表示 3、多晶硅與擴(kuò)散區(qū)交叉的時候表示一個晶體管。通常棒狀圖中，將p型器件放置在頂部，n型器件放置在底部。以“x”表示器件接觸點(diǎn)連接的位置。一兩條平行的豎線表示擴(kuò)散區(qū)斷開點(diǎn)的位置。,NMOS版圖,實現(xiàn)源漏共用設(shè)計：晶體管有兩 個端點(diǎn)A和V+，將它們在左邊第一個柵的兩邊分 別標(biāo)注。,為了找到源漏共用的晶體管，建議把擴(kuò)散區(qū)拆成幾段,改進(jìn)：設(shè)法減小版圖的面積。利用源漏共用，除去一些斷開點(diǎn)，試著連接V+端。 將第二個晶體管左右翻轉(zhuǎn)。能達(dá)到的最好的結(jié)果：,連接后的棍棒圖,最后的一對晶體管(連接C點(diǎn)的)，將它們進(jìn)行翻轉(zhuǎn)可 以去除一個線的交叉。,最終的棒狀圖,由器件B構(gòu)造的倒相器和由器件C構(gòu)造的倒相器之間的連接，由于最后的那個器件翻轉(zhuǎn)而變得簡單。,- 混合棒狀圖：是指采用擴(kuò)散區(qū)的矩形代替棒圖，它給以更多器件的感覺，更接近于真實版圖。,圖形關(guān)系,思考題,1、試著畫出m=1、m=3下的反相器的棍棒圖,2、畫出傳輸門的棍棒圖,3、畫出二輸入與非門的棍棒圖,4、二選一電路,三、CMOS主從D觸發(fā)器的棍棒圖畫法,棍棒圖與原理圖對照,共用前的版圖,共用后的版圖,共用前的版圖,共用后的版圖,方案