1、去膠工藝培訓(xùn)材料,去膠工藝簡介,目前線上采用多種方式的去膠工藝 溶劑去膠:主要用于金屬之后的去膠，如：SST，WCAKR01；WCDNS01。 氧化去膠:H2SO4/H2O2=10：1去膠、SC1（NH4OH/H2O2）去膠 干法去膠:有等離子去膠、紫外光分解法去膠等， 目前我們在用的干法去膠工藝主要采用Gasonic Aura 1000 /3510/IPC21011等離子體去膠,CSMC去膠工藝模塊,A1000/3510干法去膠工藝,A1000/3510干法去膠工藝簡介,Aura1000/3510干法去膠設(shè)備為一種等離子下游式去膠，其去膠方式可以更小地減少對硅片的等離子損傷，去膠使用氣體主要

2、為O2，與光刻膠中的C反應(yīng)生成CO，去膠溫度一般為150-250。 O2在低壓反應(yīng)室中由于受到高頻電場的作用，被激發(fā)成游離態(tài)氧原子O*，并發(fā)生反應(yīng)： O2 O*+ O*；CXHY+ O* CO2 +H2O N2 的作用是阻止離化后的O*再次結(jié)合為O2以及增強離子轟擊。,A1000設(shè)備結(jié)構(gòu)原理圖,3510設(shè)備結(jié)構(gòu)原理圖,A1000/3510設(shè)備基本參數(shù),A1000/3510工藝原理,當(dāng)反應(yīng)氣體進(jìn)入PLASMA TUBE，流經(jīng)PRE-FIRE SPARKER或UV時，SPARKER產(chǎn)生高壓火花或UV激發(fā)氣體，打破部分O2分子的分子鍵，并增強氣體分子的能量，然后進(jìn)入由磁電管產(chǎn)生1000W，2.45G

3、Hz的微波的PLASMA TUBE，進(jìn)一步促使O2分子分解成游離基O1，O1是極不穩(wěn)定的，具有很強的活性，與光刻膠中的主要成分C結(jié)合形成CO、CO2，由泵抽出工藝腔。,PLASMA的形成,工藝溫度的控制：溫度是影響去膠時間唯一一個也是最為重要的因素。溫度越高去膠速率就越快。,1.A1000的工藝溫度控制： A1000設(shè)備是通過3盞鹵素?zé)簦↙AMP1 1000W/120V，LAMP2 250W/120V，LAMP3 1000W/120V）來加熱的，其中LAMP1、LAMP3為高溫?zé)?，一般設(shè)定工作時間為10-15秒，LAMP2為低溫?zé)簦话阍O(shè)定為工藝時間。 三盞鹵素?zé)舳即蜷_可以很快的加熱圓片，一般

4、10-13秒就能使圓片的溫度達(dá)到200。 在工藝腔進(jìn)行去膠工藝時，一般圓片被加熱至250左右。 2.3510的溫度：主要靠熱板（一般設(shè)定為250）來預(yù)熱圓片，為了增加去膠速率，圓片頂部的燈也開出一定的燈的強度，但燈的強度越大則腐蝕均勻性越差。,A1000的工藝過程簡介,圓片傳至工藝腔，門關(guān)上； 3盞鹵素?zé)糸_始工作； 打開SOFT VALVE，腔體抽真空至10MT； 打開MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔體抽至2MT； 壓力達(dá)到2MT，開始通工藝氣體（N2&O2）； 系統(tǒng)檢測參數(shù)，火花塞點火，加RF功率，開始去膠工藝； 關(guān)閉LAMP1&3 ,LAMP2繼續(xù)工作； 到達(dá)設(shè)定工藝

5、時間，去膠工藝結(jié)束； LAMP2、RF功率、火花塞停止工作； 腔體充氣至大氣狀態(tài)，圓片傳至下料腔；,3510的工藝過程簡介,圓片傳至工藝腔，門關(guān)上； PIN把圓片放到熱板上（大劑量注入后圓片去膠STEP1無須放到熱板上）； 打開SOFT VALVE，腔體抽真空至10MT； 打開MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔體抽至2MT； 壓力達(dá)到2MT，開始通工藝氣體（N2&O2），如預(yù)設(shè)燈照，則燈打開。 系統(tǒng)檢測參數(shù)，UV激發(fā)工藝氣體，加RF功率，開始去膠工藝；燈到設(shè)定的時間后關(guān)閉。 到達(dá)設(shè)定工藝時間，去膠工藝結(jié)束； 腔體充氣至大氣狀態(tài)，圓片傳至冷卻腔，冷卻完畢下料到片架中。,其他及

6、其注意事項,為了保持A1000的工藝穩(wěn)定，通常采用復(fù)合式菜單，如菜單BC、DE，即在進(jìn)行去膠工藝之前，運行一個程序B、D，過程中打開鹵素?zé)暨M(jìn)行加熱，并且通入工藝氣體。采用復(fù)合程序去膠能增強去膠能力。但設(shè)備允許最多連續(xù)依次運行3個程序。 采用復(fù)合菜單可以大大縮短去膠工藝時間,A1000實驗數(shù)據(jù)1(速率隨工藝時間變化的關(guān)系）,Recipe:A 4.5O2/0.5N2/RF on/2.5T/lamp(13-x-13),目前我們的速率監(jiān)控時間,A1000實驗數(shù)據(jù)2 (去膠能力隨工藝時間變化的關(guān)系）,Recipe:BC B:4.5O2/0.5N2/RF off/2.5T/lamp(9-15-9) C:4

7、.5O2/0.5N2/RF on/2.5T/lamp(9-x-9),A1000實驗數(shù)據(jù)3 (去膠能力隨燈照時間的變化關(guān)系）,A1000第一片效應(yīng),A1000速率有波動，但基本是自第三片開始趨于穩(wěn)定。,ICP2101去膠,ER21011是批處理干法去膠設(shè)備，屬于圓筒型等離子腐蝕機 ，,IPC2101的速率情況,2個舟上圓片速率趨勢圖,氧化去膠-H2SO4/H2O2工藝,該去膠工藝主要是利用H2SO4/H2O2的強氧化性，將膠中的主要成分C、H氧化形成CO2和H2O，從而達(dá)到去膠的目的。,藥液配比： H2SO4：H2O2=10：1（體積比）； TEMPERATURE：120+/-10； PROCE

8、SS TIME：10MIN； WATER FLOW：5 CYCLES（QDR）/12MIN；,注意事項,H2SO4/H2O2去膠工藝不適用于AL后去膠； 進(jìn)行去膠工藝前朝工藝槽補充200ML的H2O2（系統(tǒng)自動完成）或定期補充定量的H2O2； 換液周期：24Hours/30RUN；,氧化去膠工藝-SC1工藝,其主要作用是去除少量有機沾污和顆粒。缺點是可能會引起圓片表面的金屬沾污和增加表面的微粗糙度。通過降低NH4OH的濃度可以限制圓片表面的腐蝕從而降低表面的微粗糙度，降低NH4OH和H2O2的濃度還可以提高對于顆粒的去除效果。 目前，該去膠工藝主要用于SDG、POLY及SD注入后的去膠清洗（即

9、干法去膠后去表面的膠絲或POLYMER清洗）。,SC-1液中的H2O2具有很強的氧化性，可以把有機物和無機物等雜質(zhì)氧化成高價離子和氧化物而清除。氨水是充當(dāng)絡(luò)合劑的作用，與雜質(zhì)離子形成絡(luò)合物溶于水中被清除。,SC-1去膠機理：,SC-1由易分解的H2O2和易揮發(fā)的NH4OH組成，穩(wěn)定性差，常溫下貯存時的分解速率如下圖所示，隨著溫度的增加，半衰期急劇縮短。,SC-1 BATHLIFE,藥液配比： NH4OH：H2O2：H2O1：1：5或1：2：10（體積比） PROCESS TEMP：75+-5 或50+-5 ； PROCESS TIME=1.5MIN或10MIN； WATER FLOW：7 CY

10、CLES（QDR）,注意事項,由于NH4OH易揮發(fā)、H2O2易分解，因此，該藥液的BATH-LIFE時間較短，目前，規(guī)定換液2小時（1：1：6，75+-5 ）或12小時（1：2：10，50+-5 ）內(nèi)有效； AL后的圓片不能使用該工藝去膠。,溶劑去膠,溶劑去膠主要是利用在溶劑中使聚合物溶脹并分解，溶于該溶劑，從而達(dá)到去膠的目的。 CSMC-HJ的溶劑去膠設(shè)備主要是SST，WCDNS01、WCAKR01。該工藝用于AL后層次的去膠及刻蝕后POLYMER清洗。,SOLVENTS：EKC270、IPA； PROCESS TEMP： 70+/-5（EKC）、室溫（IPA） WATER FLOW： SPIN （WI