1、微電子設(shè)計大賽采用JTE終端結(jié)構(gòu) VDMOS的ATLAS仿真,內(nèi)容,第一部分：MOSFET介紹,MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,MOSFET的分類：,VDMOS,P溝道增強型,P溝道耗盡型,N溝道增強型,N溝道耗盡型,MOSFET主要工作原理（以N溝道增強型為例）： 襯底材料為P型硅，源區(qū)和漏區(qū)均為N+區(qū)。在柵極電壓為零時，由于氧化層中正電荷的作用使半導(dǎo)體表面耗盡但未形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)在柵極加上正電壓是，表面有耗盡層變?yōu)榉葱蛯樱?dāng)Vgs=Vt（閾值電壓）表面發(fā)生強反型，即形成n型溝道

2、，則此時加在柵極上的電壓Vt即為MOS管的開啟電壓。在此時，如果在漏源之間加正電壓，電子就能夠從源極流向漏極，形成漏極向源極的電流。,MOSFET的特點：,雙邊對稱：電學(xué)性質(zhì)上，源漏極可以互換（VDMOS不可以） 單極性：參與導(dǎo)電的只有一種載流子，雙極器件是兩種載流子導(dǎo)電。 高輸入阻抗：由于存在柵氧化層，在柵和其它端點之間不存在直流通路，輸入阻抗非常高。 電壓控制：MOS場效應(yīng)管是電壓控制器件，雙極功率器件是電流控制器件。驅(qū)動簡單。 自隔離：MOS管具有很高的封裝密度，因為MOS晶體管之間能夠自動隔離。能廣泛用于并聯(lián)。 其它：溫度穩(wěn)定性好,功率器件的特征：,功率器件的特征：,功率MOSFET的

3、主要類型：,VDMOS（垂直雙擴散MOS） VVMOS（垂直V型槽MOS） UMOS（U型槽MOS） 其它如cool MOS等,功率MOSFET的主要類型：,VDMOS是大量重要特征結(jié)合的產(chǎn)物，包括垂直幾何結(jié)構(gòu)、雙擴散工藝、多晶硅柵結(jié)構(gòu)和單胞結(jié)構(gòu)等。,VDMOS主要參數(shù)：,VDMOS主要參數(shù)：,VDMOS主要參數(shù)（靜態(tài)參數(shù)）：,BVdss: 漏源擊穿電壓 (與三極管的cb電壓相似),Id: 連續(xù)漏極電流,Rds（on）：通態(tài)電阻，器件導(dǎo)通時，給定電流時的漏源電阻,gfs：跨導(dǎo)，漏極電流隨柵源電壓變化的比值（單位：S西門子）,Vgs(th)：閾值電壓，多晶下面的溝道出現(xiàn)強反型層并且在源極和 漏極

4、之間形成導(dǎo)電溝道時的柵源電壓,VDMOS主要參數(shù)（開關(guān)參數(shù)）：,開關(guān)參數(shù),Td(on)：開啟延遲時間,Tr：上升時間,Tf：下降時間,Td(off)：關(guān)閉延遲時間,Qg：柵極電荷,Ton：開通時間,Toff：關(guān)斷時間,VDMOS主要參數(shù)（原理圖）：,Ciss: 輸入電容（Cgs+Cgd）,Coss:輸出電容（Cgd+Cds）,Crss：反向傳輸電容（Cgd）,VDMOS主要參數(shù)（動態(tài)參數(shù)）：,VDMOS主要動態(tài)參數(shù)（原理圖）：,第三部分：VDMOS產(chǎn)品工藝流程,場氧化,J-FET注入,環(huán)光刻,分壓環(huán)制備,多晶淀積,多晶激活,柵氧制造和P-注入：,柵氧,P-注入,去膠,多晶光刻,P+注入,去膠,P+注入和阱推結(jié)：,P+光刻,P阱推結(jié),N+注入,去膠,N+注入：,N+光刻,PSG回流,接觸孔制備：,PSG淀積,接觸孔光刻,金屬光刻,正