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1、2020/8/1,IGCT應(yīng)用講義 劉文華 清華大學(xué)電機(jī)系FACTS研究所 2006年9月,2020/8/1,主要內(nèi)容,1. IGCT在電壓源逆變器中的應(yīng)用 2. 門極單元的應(yīng)用 3. 外部重觸發(fā) 4. IGCT的串聯(lián)運(yùn)行 5. IGCT在50MVA STATCOM中的應(yīng)用 6. IGCT功能仿真模型及應(yīng)用 7. IGCT異常故障及關(guān)斷故障機(jī)理 (SPEC:Prof.Huang),2020/8/1,1 IGCT在電壓源逆變器中的應(yīng)用設(shè)計(jì)準(zhǔn)則,2020/8/1,典型電壓源逆變器,2020/8/1,設(shè)計(jì)準(zhǔn)則,反并聯(lián)二極管的關(guān)斷di/dt限制 最小開通時(shí)間和最小開通時(shí)間 最大器件電壓 箝位過沖電壓
2、下次開通前回0 箝位二極管電流 下次開通前回0 一般設(shè)計(jì):tBD10-15us,2020/8/1,參數(shù)設(shè)計(jì),第一步:計(jì)算LI 第二步:計(jì)算CCL 第三步:計(jì)算RS,2020/8/1,雜散LCL電感的影響,LCL越大,第1過電壓尖峰值越大,EOFF越大。應(yīng)設(shè)計(jì)使LCL小于參數(shù)文件中測(cè)試時(shí)的值,否則,安全工作區(qū)要打折,2020/8/1,RS的影響,RS越大,箝位二極管能越快截止; RS越大,VDM越大; 應(yīng)根據(jù)實(shí)際試驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)。,(a)Rs=0.35,(b)Rs=0.65,(c)Rs=1.2,對(duì)5SHY35L4510的仿真結(jié)果,2020/8/1,LI2的影響,LI2越大,VDM越大,箝位二極管截止
3、時(shí)間越長(zhǎng); 應(yīng)盡可能減小LI2,(a)LI2=0.6uH,(b)LI2=1.2uH,(c)LI2=2.0uH,對(duì)5SHY35L4510的仿真結(jié)果,2020/8/1,CCL的影響,(a)CCL=6uF,(b)CCL=15uF,(c)CCL=24uF,CCL越大,VDM越小,箝位二極管截止時(shí)間越長(zhǎng); 應(yīng)根據(jù)實(shí)際試驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)CCL,對(duì)5SHY35L4510的仿真結(jié)果,2020/8/1,箝位二極管的影響,箝位二極管開通正向電壓VFR隨開通di/dt增大而增大,影響IGCT關(guān)斷第一個(gè)尖峰; 耐壓等級(jí)越高的二極管VFR越大; 盡量減小箝位二極管支路的雜散電感。,2020/8/1,2 門極單元的應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)
4、電源,直流供電:VDC= 交流供電: 方波幅值, 起動(dòng)限流:交流供電的IGCT內(nèi)部有限流和穩(wěn)壓電路;直流電源供電的IGCT內(nèi)部沒有供電電源限流電路,必須由直流電源完成其輸出限流。 IGCT消耗驅(qū)動(dòng)功率:與開關(guān)頻率、關(guān)斷電流及占空比有關(guān),關(guān)斷電流需要的功耗,空載需要的功耗,2020/8/1,門極驅(qū)動(dòng)電源,門極驅(qū)動(dòng)電源上電過程中要確保接受脈沖的光纖處于不發(fā)光狀態(tài)(對(duì)應(yīng)IGCT關(guān)斷狀態(tài))。門極單元上電5秒后才能接收驅(qū)動(dòng)脈沖。 (最好先上控制電,再上驅(qū)動(dòng)電源)。 控制電源上電、下電過程中要確保先封鎖驅(qū)動(dòng)脈沖,否則光強(qiáng)的不足會(huì)導(dǎo)致門極驅(qū)動(dòng)單元產(chǎn)生高頻脈沖,損壞門極驅(qū)動(dòng)。,2020/8/1,門極驅(qū)動(dòng)電源,
5、直流母線電壓必須在IGCT驅(qū)動(dòng)電源完全建立(上電5秒)之后建立;相反,IGCT驅(qū)動(dòng)電源必須在鏈節(jié)直流電容完全放電之后關(guān)閉,否則,由于IGCT驅(qū)動(dòng)電路的特殊機(jī)理,會(huì)導(dǎo)致IGCT誤導(dǎo)通進(jìn)而導(dǎo)致橋臂直通,損壞IGCT。 控制電源上電、下電過程中要確保先封鎖驅(qū)動(dòng)脈沖,否則光強(qiáng)的不足會(huì)導(dǎo)致門極驅(qū)動(dòng)單元產(chǎn)生高頻脈沖,損壞門極驅(qū)動(dòng)。 驅(qū)動(dòng)電源隔離絕緣電壓強(qiáng)度; 驅(qū)動(dòng)電源的高可靠性。,2020/8/1,光纖及信號(hào)接口,HFBR1521/2521;HFBR1528/2528。 需注意驅(qū)動(dòng)距離,防止驅(qū)動(dòng)不足。 開通和關(guān)斷信號(hào)延遲:3uS左右; 無門極返回信號(hào)IGCT的診斷:設(shè)計(jì)外加返回信號(hào); IGCT自身需:,2
6、020/8/1,3. 重觸發(fā),在任何電壓源逆變器中,當(dāng)續(xù)流二極管導(dǎo)通時(shí)都可能引起門陰極負(fù)偏壓。在處于門陰極負(fù)偏壓情況下時(shí)將會(huì)發(fā)生:1)門極的損耗增加;2)門極電流只流過GCT的陽(yáng)極,而不流過其陰極;3)當(dāng)電流由負(fù)電流(續(xù)流情況)向正方向過零點(diǎn)時(shí),在GCT進(jìn)入栓?。↙atching)狀態(tài)前,陽(yáng)陰極電壓就開始上升(趨于關(guān)斷)。 在ABB的IGCT門極單元設(shè)計(jì)中加入了re-trigger設(shè)計(jì):它1)檢測(cè)門陰極電壓極性VGK;2)當(dāng)處于VGK負(fù)極性時(shí)減小門極電流;3) 當(dāng)VGK重新變?yōu)檎驎r(shí),自動(dòng)重新施加一個(gè)開通信號(hào)(Internal Re-Trigger)。這個(gè)內(nèi)部re-trigger設(shè)計(jì)可以處理電
7、流變化率小于50A/us的情況,如果IGCT處于續(xù)流狀態(tài)或低電流導(dǎo)通狀態(tài)(low anode current conduction , quiescent mode)時(shí),有較大的di/dt的電流重復(fù)施加在IGCT上時(shí),需要施加一個(gè)外部的重觸發(fā)信號(hào)(External Re-trigger)。 IGCT在導(dǎo)通大于LATCHING電流的電流時(shí),可以承受大的di/dt,不需重觸發(fā)。,2020/8/1,外部重觸發(fā),A和C:電流上升前足夠大,不需重觸發(fā),可以承受大的di/dt; B:電流上升率過大,之前電流太小,在t1處需要外部重觸發(fā); D:電流上升率小,內(nèi)部重觸發(fā)足夠。,2020/8/1,外部重觸發(fā)方法
8、,在導(dǎo)通的光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)中插入寬度為tretrig的低電平; tretrig見參數(shù)文件; tretrig太小會(huì)被忽略,太大會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷;,2020/8/1,外部重觸發(fā)的時(shí)刻,應(yīng)該如上圖施加外部重觸發(fā),使大的di/dt發(fā)生在B段; 一般大的di/dt由另一個(gè)IGCT的開通引起,可與之同步施加外部重觸發(fā)。,2020/8/1,需要外部重觸發(fā)的實(shí)例,開始時(shí)電流沿實(shí)線流,V4和V3導(dǎo)通,V2截止; 接著V4關(guān)斷,死區(qū)時(shí)間后V2開通,電流開始沿虛線走; V2開通時(shí)V3和V4的反并聯(lián)二極管都流過反向恢復(fù)電流,如果V4D反恢復(fù)電流大于V3D的,則V3需承擔(dān)部分正向電流,此電流di/dt大,V3需外部重觸發(fā),否則V
9、3上會(huì)產(chǎn)生1-2uS/高達(dá)2kV的脈沖電壓。 有RC吸收電路時(shí),更需只需分析需要外部重觸發(fā)的情況。,2020/8/1,4. IGCT的串聯(lián)運(yùn)行,由于硬驅(qū)動(dòng)特性,IGCT存儲(chǔ)時(shí)間小到1us左右,只需小的吸收電路即可實(shí)現(xiàn)串聯(lián)運(yùn)行。,2020/8/1,開通過程,采用RC或RCD吸收后,開通過程器件的均壓只需考慮驅(qū)動(dòng)脈沖的時(shí)延; 開通脈沖有小的時(shí)延時(shí),由于陽(yáng)極電抗對(duì)電流的限制,開通過程承受的電壓差不會(huì)太大。 圖中,S1開通脈沖超前S2的時(shí)間是300ns。,2020/8/1,關(guān)斷過程,關(guān)斷過程的均壓效果受多個(gè)因數(shù)影響。,2020/8/1,設(shè)計(jì)準(zhǔn)則,1. 每個(gè)器件每個(gè)時(shí)刻承受的動(dòng)態(tài)電壓都必須小于VDRM、
10、直流電壓都必須小于VDC; 由于宇宙射線的影響,IGCT壽命與其承受的VDRM和VDC密切相關(guān),關(guān)斷后所有點(diǎn)電壓盡可能均分; 需設(shè)計(jì)冗余IGCT,否則損壞的IGCT短路后會(huì)導(dǎo)致其他串聯(lián)IGCT損壞; 增大吸收參數(shù)總能達(dá)到更好的均壓效果,需綜合考慮效率、成本和均壓效果。,2020/8/1,箝位電路參數(shù)的折算,箝位電路參數(shù)可按下式折算(n為串聯(lián)IGCT個(gè)數(shù)),2020/8/1,影響關(guān)斷均壓的因素,IGCT器件自身參數(shù)的影響 1)關(guān)斷延時(shí)的差別; 2)由于關(guān)斷延時(shí)與VT有關(guān),因此,VT的差別也影響關(guān)斷均壓。,2020/8/1,影響關(guān)斷均壓的因素,關(guān)斷延時(shí)差別越大時(shí),均壓誤差隨關(guān)斷電流的變化而更明顯變
11、化。 IDRM:斷態(tài)漏電流的差別會(huì)影響關(guān)斷后的均壓效果,需設(shè)置靜態(tài)均壓電壓,該電阻必須按IDRM大小來選擇。同時(shí)需考慮反并聯(lián)二極管的漏電流。,2020/8/1,影響關(guān)斷均壓的因素,控制脈沖信號(hào)延時(shí)的影響,吸收電容的影響,結(jié)溫差別的影響,吸收電阻的影響 吸收電阻太大,均壓效果差; 吸收電阻太小,阻尼關(guān)斷后振蕩效果差,也會(huì)增加IGCT的開通損耗。,2020/8/1,5. IGCT在50MVA STATCOM中的應(yīng)用50M STATCOM構(gòu)成,2020/8/1,基于IGCT的50M 鏈?zhǔn)侥孀兤髦麟娐?50M STATCOM是國(guó)際上首臺(tái)采用IGCT器件的MVA級(jí)鏈?zhǔn)絊TATCOM裝置,2020/8/1
12、,50M 鏈?zhǔn)絊TATCOM實(shí)物,2020/8/1,基頻優(yōu)化PWM控制策略,通過控制各LINK的開關(guān)角度,控制基波輸出電壓,并在同時(shí)尋求一個(gè)最優(yōu)的諧波優(yōu)化目標(biāo)。 優(yōu)化函數(shù)如下: 約束條件: 其中,實(shí)測(cè)相電壓,輸出相電壓,各單相橋輸出電壓,優(yōu)化條件少,對(duì)直流電壓紋波峰值限制及電壓平衡控制不利,2020/8/1,150Hz 優(yōu)化PWM控制策略,使輸出電壓的基波幅值為控制目標(biāo)值,并且使各單相橋輸出的基波電壓幅值相位完全相同,且對(duì)直流電壓峰值進(jìn)行限制; 使逆變器總輸出電壓中的低次諧波性能達(dá)到最優(yōu)。 優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)為 : 約束條件為 :,各單相橋輸出電壓,輸出相電壓,實(shí)測(cè)相電壓,2020/8/1,直流電壓
13、平衡控制:基于交流母線能量交換的直流電壓平衡控制,交換功率?。ㄐ∮?kW),IGBT器件要求耐壓高/電流小,選擇困難,控制復(fù)雜,不利于裝置的可靠性。,2020/8/1,基于脈沖循環(huán)換位及PWM制動(dòng)的直流電壓平衡控制方法,結(jié)合放電開關(guān)的PWM控制,脈沖循環(huán)換位示意圖,簡(jiǎn)單,成本低,隔離變壓器容量?。?.5kVA),輸出超前15kvar滯后15kvar,輸出滯后15kvar超前15kvar,2020/8/1,全數(shù)字化高速高精度控制系統(tǒng),系統(tǒng)故障及突增負(fù)荷時(shí),動(dòng)態(tài)地提供電壓支撐,減少低壓釋放負(fù)荷數(shù)量,防止發(fā)生暫態(tài)電壓崩潰 結(jié)合35KV母線4組電容器的綜合投切控制,保證35KV母線電壓的穩(wěn)定,4組電容
14、器綜合投切控制,操作界面,DSP控制板 反饋線性化動(dòng)態(tài)無功控制/電壓平衡控制,FPGA脈沖發(fā)生板 多目標(biāo)150Hz 優(yōu)化PWM控制/冗余控制,FPGA脈沖分配板編碼/解碼/高速異步通信,2020/8/1,分層分布式監(jiān)控系統(tǒng)的主界面,2020/8/1,試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)與試驗(yàn),制訂的標(biāo)準(zhǔn): 鏈?zhǔn)絊TATCOM閥的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) 1)閥端對(duì)地間的電介質(zhì)試驗(yàn) 2)閥端間電介質(zhì)試驗(yàn) 3)運(yùn)行試驗(yàn)和例行試驗(yàn) 4)閥的電磁干擾(EMI) 鏈 式 STATCOM 裝 置現(xiàn) 場(chǎng) 試 驗(yàn) 規(guī) 范 成套鏈?zhǔn)絊TATCOM裝置企業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 50Mvar STATCOM裝置按以上標(biāo)準(zhǔn)通過了全部試驗(yàn)內(nèi)容,2020/8/1,鏈節(jié)等價(jià)運(yùn)行與保
15、護(hù)試驗(yàn),試驗(yàn)?zāi)康?對(duì)鏈節(jié)進(jìn)行額定負(fù)載工況試驗(yàn),以便檢驗(yàn)鏈節(jié)在額定工況下運(yùn)行時(shí)電源、控制、保護(hù)、冷卻、電磁兼容等方面的設(shè)計(jì)是否達(dá)到了技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求,一個(gè)鏈節(jié)發(fā)無功,一個(gè)鏈節(jié)吸無功,外接直流電源只需提供被試對(duì)象的損耗,2020/8/1,額定工況試驗(yàn)結(jié)果(50Hz開關(guān)頻率),a) 容性鏈節(jié)輸出電壓電流 b) 感性鏈節(jié)輸出電壓電流 (直流電壓2400V/輸出電流1700A) (直流電壓1600V/輸出電流1700A),50Hz開關(guān)頻率時(shí)額定工況運(yùn)行試驗(yàn)總功耗為43.2kW,測(cè)算連接電抗功耗為18 kW,單個(gè)鏈節(jié)損耗12.6kW,30個(gè)鏈節(jié)總損耗為378kW,2020/8/1,額定工況試驗(yàn)結(jié)果(150H
16、z開關(guān)頻率),a) 容性鏈節(jié)輸出電壓電流b) 感性鏈節(jié)輸出電壓電流 (直流電壓2350V/輸出電流1700A) (直流電壓1400V/輸出電流1700A),150Hz開關(guān)頻率時(shí)額定工況運(yùn)行試驗(yàn)總功耗為51.8kW,測(cè)算連接電抗功耗為19 kW,單個(gè)鏈節(jié)損耗16.4kW,30個(gè)鏈節(jié)總損耗為492KW,2020/8/1,等價(jià)過電流試驗(yàn),等價(jià)過電流試驗(yàn)的目的是驗(yàn)證鏈節(jié)主要(一次)設(shè)備是否能夠耐受由過電流引起結(jié)溫升高后的電壓應(yīng)力和檢驗(yàn)過電流保護(hù)裝置在最大關(guān)斷電流出現(xiàn)時(shí)關(guān)斷IGCT的能力,通過同時(shí)觸發(fā)鏈節(jié)中的對(duì)角開關(guān)管SLA1和SRB或SRA和SLB,使直流電容電壓加在試驗(yàn)電抗器L上,引起L上電流線性上
17、升。當(dāng)保護(hù)電路檢測(cè)到L上電流達(dá)到保護(hù)整定值時(shí),封鎖全部開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)脈沖。試驗(yàn)前IGCT外殼加熱到額定運(yùn)行溫度。,2020/8/1,等價(jià)過電流試驗(yàn)結(jié)果,過電流波形(3000A峰值關(guān)斷),關(guān)斷2500V/3000A時(shí)過電壓波形,2020/8/1,絕緣試驗(yàn)考核指標(biāo)及要求的試驗(yàn)結(jié)果,2020/8/1,6. IGCT功能仿真模型及應(yīng)用,1. 功能模型的物理依據(jù) 置換定理:在線性或非線性電路中,若某一支路的電壓或電流為U和I,用Us=U的電壓源或Is=I的電流源來置換該支路,如果置換后的電路有唯一解,則置換前后電路中全部支路電壓和支路電流的量保持不變。 2. 不同等級(jí)下U(t)或I(t)的來源,a.開通時(shí)
18、,器件的電壓形狀相對(duì)簡(jiǎn)單,且有一定的規(guī)律 b. 關(guān)斷時(shí),器件的電流形狀相對(duì)簡(jiǎn)單,且有一定的規(guī)律,2020/8/1,IGCT工作原理及開關(guān)特性,5SHY 35L4510 IGCT主要參數(shù),2020/8/1,二極管工作原理及開關(guān)特性,反向阻斷電壓和正向通態(tài)電壓 開通:正向恢復(fù)過程 呈現(xiàn)“電感效應(yīng)”,而不立即響應(yīng)正向電流的變化 關(guān)斷:反向恢復(fù)過程 加反壓到截止,清除過剩少數(shù)載流子,表現(xiàn)為電流反向流動(dòng);達(dá)最大值后,二極管恢復(fù)阻斷能力,2020/8/1,二極管工作原理及開關(guān)特性,5SDF 16L4503 二極管主要參數(shù),2020/8/1,建模環(huán)境和方法,采用PSCAD仿真平臺(tái); 與C語言內(nèi)部接口,可編程
19、,系統(tǒng)設(shè)計(jì)的仿真平臺(tái); 開通過程,僅能控制電壓V,由開通前瞬間器件承受的阻斷電壓按照一定規(guī)律降為導(dǎo)通電壓;而電流I由負(fù)載電流決定。 關(guān)斷過程,僅能控制電流I,由關(guān)斷前瞬間的負(fù)載電流按照一定規(guī)律降為關(guān)斷后的泄漏電流;而電壓V由外部電路、吸收回路決定。 比如:關(guān)斷過程中,對(duì)電流的控制,下降電流,拖尾電流,分別用兩個(gè)正弦曲線的一段來模擬,2020/8/1,IGCT的C語言功能模型,2020/8/1,IGCT的C語言功能模型測(cè)試電路,2020/8/1,仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果,開通波形,開通損耗,關(guān)斷波形,關(guān)斷損耗,2020/8/1,功率二極管C語言功能模型,2020/8/1,功率二極管模型仿真結(jié)果,2020/
20、8/1,T/D模型,內(nèi)部結(jié)構(gòu),受控電壓源的切斷靠Breaker-G 受控電流源的切斷是將其置零,2020/8/1,T/D模型,顯著優(yōu)點(diǎn) 橋臂中點(diǎn)引出,器件兩端可以并聯(lián)RC吸收電路 仿真結(jié)果,450uH,900uH,2020/8/1,等價(jià)額定運(yùn)行試驗(yàn)仿真結(jié)果,容性工況,感性工況,2020/8/1,等價(jià)過電流保護(hù)試驗(yàn)仿真結(jié)果,IGCT電壓,直流電容電流,2020/8/1,7. IGCT異常故障及關(guān)斷故障機(jī)理(SPEC :Prof. Huang),IGCT故障原因: 開通di/dt限制不夠; 過電壓(靜態(tài)和動(dòng)態(tài)); 過溫; TON、TOFF、TBD時(shí)間太短; 門極驅(qū)動(dòng)電源及控制電源的上、下電; 門極驅(qū)動(dòng)電源故障; 關(guān)斷過電流; 反并聯(lián)二極管損壞引起IGCT損壞; 異常故障及關(guān)斷故障,2020/8/1,Sn的故障,開始時(shí),ILOAD大于0,SP處于關(guān)斷狀態(tài) Sn關(guān)斷后,經(jīng)過死區(qū)時(shí)間SP開通。,S,P,S,n,D,P,D,n,V,BUS,I,Load,2020/8/1,IGCT等效模型,G-A極等效為一個(gè)二極管 Dpa,Ig,陽(yáng)極,陰極,寄生二極管 Dpa,2020/8/1,反向電流流過 IGCT,Sn導(dǎo)通,Sn 導(dǎo)通時(shí)有反向電流沿
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