1、晶振的測(cè)試報(bào)告CrystalFirst FailureFLRRDLD2RLD2SPDBC0C0/C1C1LppmOhmsOhmsOhmsdBpFfFmHHigh Limit20.080.08.080.0-2.07.0 Low Limit-20.01.01PASS3.45 50.57 2.24 54.39 -4.663.83 3,744.84 1.02 10.75 2PASS-5.8432.05 4.18 36.30 -6.963.86 4,113.29 0.94 11.70 3Fail DLD2 High0.44 73.86 27.81 108.17 -3.593.74 3,613.27 1.

2、03 10.63 4Fail SPDB High-8.9733.67 2.06 37.55 -0.443.92 5,538.01 0.71 15.54 5PASS-1.2740.11 1.65 42.75 -7.863.89 3,955.09 0.98 11.17 6PASS-6.7430.12 4.38 34.23 -9.583.81 3,608.85 1.06 10.42 7PASS-3.5241.97 1.52 42.86 -6.953.85 4,670.19 0.82 13.35 8PASS1.13 38.34 2.07 40.46 -4.153.88 5,017.95 0.77 14

3、.23 9PASS-7.0121.31 0.73 21.80 -9.893.83 3,018.17 1.27 8.67 10Fail DLD2 High-3.6224.75 52.36 78.55 -10.303.86 2,943.39 1.31 8.37 晶振的等效電器模型C0 ，是指以水晶為介質(zhì)，由兩個(gè)電極形成的電容。也稱為石英諧振器的并聯(lián)電容，它相當(dāng)于以石英片為介質(zhì)、以兩電極為極板的平板電容器的電容量和支架電容、引線電容的總和。幾幾十pF。 R1 等效石英片產(chǎn)生機(jī)械形變時(shí)材料的能耗；幾百歐C1 反映其材料的剛性,10(-3) 10(-4)pFL1 大體反映石英片的質(zhì)量.mHH晶振各種參數(shù)

4、晶振的一些參數(shù)并不是固定的大部分是會(huì)隨溫度、頻率、負(fù)載電容、激勵(lì)功率變化的RR諧振電阻 越小越好 影響：過大造成不易起振、電路不穩(wěn)定 阻抗 RR 越小越容易起振，反之若 ESR 值較高則較不易起振。所以好的 Crystal 設(shè)計(jì)應(yīng)在 ESR 與 Co 值間取得平衡。C1動(dòng)態(tài)電容L1動(dòng)態(tài)電感C0 靜電容 影響：不能太高，否則易產(chǎn)生較大的副波，影響頻率穩(wěn)定性LRC影響：LRC電路的Q值等于 (L/C)0.5 /R 因?yàn)槎鳯較大，C與R很小，石英晶振的Q值可達(dá)幾萬到幾百萬。Q值越大位于晶振的感性區(qū)間，電抗曲線陡峭，穩(wěn)頻性能極好。FL特定負(fù)載電容以及激勵(lì)功率下頻偏 越小越好DLD2不同驅(qū)動(dòng)功率下：阻抗

5、最大-阻抗最小 越小越好 影響：導(dǎo)致時(shí)振時(shí)不振，造成睡眠晶體 制造污染不良DLD2（Drive Level Dependency 2） ：在不同的功率驅(qū)動(dòng) Crystal 時(shí)，所得之最大阻抗與最小阻抗之差。DLD2越小越好，當(dāng) Crystal 製程受污染時(shí)，則DLD2值會(huì)偏高，導(dǎo)致時(shí)振與時(shí)不振現(xiàn)象，即 （”Crystal Sleeping”）。好的 Crystal 不因驅(qū)動(dòng)功率變化，而產(chǎn)生較高的阻抗差異，造成品質(zhì)異常。目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率不佳，並不主動(dòng)提供此重要指標(biāo)參數(shù)給客戶。備注：測(cè)出來很好不代表此參數(shù)很好，因?yàn)槭侨↑c(diǎn)法測(cè)試的。RLD2不同驅(qū)動(dòng)功率下：阻抗最大 與DLD關(guān)

6、系緊密 在指定的變化功率范圍內(nèi)所量測(cè)到的最大阻抗 Drive Level Dependency (maximum resistance RR).FDLD2不同驅(qū)動(dòng)功率下：F最大-F最小 越小越好 制造污染不良 影響：導(dǎo)致時(shí)振時(shí)不振，造成睡眠晶體 在不同的功率驅(qū)動(dòng) Crystal 時(shí)，所得之最大頻率與最小頻率之差，稱為 FLD2。FLD2 越小越好。當(dāng) Crystal 製程受污染，則 FLD2 值會(huì)偏高，導(dǎo)致時(shí)振與時(shí)不振現(xiàn)像，即Crystal Sleeping。好的 Crystal 不因驅(qū)動(dòng)功率變化，而產(chǎn)生較高的頻率差異，造成品質(zhì)異常。目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率不佳，並不主動(dòng)提供此

7、重要指標(biāo)參數(shù)給客戶。SPDB 寄生信號(hào)強(qiáng)度與主信號(hào)強(qiáng)度比值 影響：如果太大了就有可能造成直接啟機(jī)頻偏，并且修改負(fù)載電容不能改善?；蛘呖緳C(jī)之后溫度變化之后頻偏，冷卻或者重啟又正常了。 絕對(duì)值越大越好 制造污染不良 這個(gè)參數(shù)名字可以理解為 SP DB 其具體含義如下聽我細(xì)細(xì)道來SPDB（Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur）：Spurious 以 dB 為單位時(shí)，SPDB 的絕對(duì)值越大越好。-3dB 為最低的要求，以避免振盪出不想要的副波（Spur）頻率，造成系統(tǒng)頻率不正確。 “下圖顯示了石英諧振器的模態(tài)譜，包括基模，三

8、階泛音，5階泛音和一些亂真信號(hào)響應(yīng)，即寄生模。在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇最強(qiáng)的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率溫度特性。有時(shí)候，當(dāng)溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導(dǎo)致了“活動(dòng)性下降”。在活動(dòng)性下降時(shí)，寄生模的激勵(lì)引起諧振器的額外能量的消耗，導(dǎo)致Q值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當(dāng)阻抗增加到相當(dāng)大的時(shí)候，振蕩器就會(huì)停止，即振蕩器失效。當(dāng)溫度改變遠(yuǎn)離活動(dòng)性下降的溫度時(shí)，振蕩器又會(huì)重新工作。寄生模能有適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系（即應(yīng)用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模最小化”上面這段話看了是不是有點(diǎn)暈，說實(shí)

9、話我也有點(diǎn)暈。但是從上面我們可以總結(jié)出如下幾個(gè)結(jié)論：1.泛音晶振石英諧振器的模態(tài)譜，包括基模，三階泛音，5階泛音和一些亂真信號(hào)響應(yīng)，即寄生模。 寄生模的存在。2.在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇最強(qiáng)的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率溫度特性。寄生模會(huì)隨溫度頻率變化，并且影響振蕩。3.寄生模的缺陷是由于晶振的制造工藝造成。下來就很明確了，SPDB是一個(gè)衡量主頻強(qiáng)度與寄生模強(qiáng)度差值的量（主頻幅度/寄生頻率取對(duì)數(shù)吧）。這個(gè)值越小越好，代表寄生模越小。TS負(fù)載電容變化對(duì)頻率的影響率 影響頻偏對(duì)負(fù)載電容變化敏感造成電路不穩(wěn)定 越小越好TS（Trim Sensitivity of Load Measurement）：負(fù)載電容變化時(shí)，對(duì)晶體頻率變化量的影響，單位為