1、3. 壓電、熱釋電和鐵電器件,3.1 緒論 現(xiàn)實生活中的壓電器件： 水下通訊設備,超聲波清洗設備,傳感器, 濾波器,諧振器,延遲線,電聲器件 現(xiàn)實生活中的熱釋電器件: 紅外探測器,各種輻射計 現(xiàn)實生活中的鐵電器件: 電容器,存貯器,4.2 壓電濾波器,一.(正)壓電效應與逆壓電效應 正壓電效應： 對某些電介質晶體施加機械應力，晶體兩端面表面出現(xiàn)符號相反的束縛電荷，其電荷密度與外力成正比，這種由機械應力的作用而使電介質晶體產生極化并形成晶體表面電荷的現(xiàn)象，稱為(正)壓電效應,逆壓電效應： 若將具有正壓電效應的電介質晶體置于電場中，電介質晶體將發(fā)生形變，晶體的這種因外電場作用而產生形變的現(xiàn)象稱為逆

2、壓電效應 二壓電材料性能參數(shù) 機電耦合系數(shù) 正壓電效應時：機械功=彈性貯存能電能 逆壓電效應時：電功=極化電能機械能 并不能實現(xiàn)100%的能量轉換,機電耦合系數(shù)用于描述壓電體中機電耦合有效程度的參數(shù) k=轉換獲得的能量輸入的總能量 與壓電振子的振動模式有關 機械品質因素衡量壓電體(壓電振子)在諧振時機械內耗大小的參數(shù) m=2Wm/Wk Wm諧振時振子內貯存的最大機械能量 Wk-諧振時振子每周期內機械損耗的能量 m也是與壓電振子的振動模式有關,三濾波器的類型： 1. 低通濾波器,高通濾波器,帶通濾波器,帶阻濾波器,四壓電濾波器 何謂壓電濾波器 將壓電諧振器與電感，電阻和電容按一定的設計組合起來，

3、以滿足應用要求的功能組件 壓電濾波器的類型 晶體濾波器： 石英晶體，鈮酸鋰晶體，鉭酸鋰晶體 陶瓷濾波器,壓電陶瓷濾波器的組成 單個壓電振子組成的濾波器衰耗特性很差，一般都是將多個壓電振子按一定方式組合起來使用 組合方式： 梯形濾波器(鏈型濾波器)： 型，型，型 橋型濾波器： 橋式，差接橋式,二端振子組成的各種濾波器結構,壓電陶瓷濾波器的例子 低頻(124kHz)濾波器的網絡結構,中頻(465kHz)濾波器的電路結構,高頻(30MHz)濾波器的電路結構,壓電陶瓷濾波器的特點: 元件數(shù)目大為減少(對于長條伸縮振子=L+2C) 可靠性大為提高 溫度穩(wěn)定性：晶體濾波器：極佳 陶瓷濾波器：優(yōu)于 質量因數(shù)

4、：比LC高個數(shù)量級 用于窄帶濾波器時，比LC窄23數(shù)量級,普通晶體濾波器的帶寬和頻率范圍：,單晶體濾波器的帶寬和頻率范圍,陶瓷濾波器的帶寬和頻率范圍,6壓電濾波器的衰耗特性: (串片-串臂振子) (并片-并臂振子),3.3 壓電聲表面波器件,一固體的聲表面波 聲體波與聲表面波： 利用逆壓電效應，可在壓電體內部產生波動現(xiàn)象，即產生了聲體波也可在壓電體表面產生波動現(xiàn)象在固體介質中，既可傳播聲體波，也可傳播聲表面波 聲表面波的特點： 聲表面波的傳播速度比固體中傳播的縱波和橫波的傳播速度都要慢 隨傳播距離的衰減遠比縱波或橫波的要小,聲表面波的分類： 取決于激發(fā)狀態(tài)的不同和所用材料性能的差異 瑞利(Ra

5、yleigh)波(研究最充分) 蘭伯(Lamb)波 斯東尼萊(Stoneley)波 樂浦(Love)波,聲表面波的激發(fā)與檢測 利用叉指換能器,叉指換能器的頻率響應特性具有帶通性,二聲表面波延遲線 延遲原理：利用聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍的特點來實現(xiàn)信號的延遲相應器件尺寸比同頻率下的電磁波器件尺寸小得多，且易獲得大延遲時間，工作頻率可達幾個GHz 聲表面波延遲線的分類： 非色散延遲線： 延遲時間與信號的頻率無關的延遲線 采用叉指寬度和間隔相等的均勻叉指換能器 色散延遲線： 延遲時間與信號的頻率有關的延遲線 采用叉指間距隨x而變的叉指換能器(發(fā)射) 等長度指條的寬帶換能器(接收),聲表面波

6、色散延遲線的結構和頻率特性,三聲表面波濾波器 工作原理： 利用叉指換能器具有帶通性的頻率特性 組成：叉指換能器與之附著的壓電介質 工作過程： 在輸入換能器上施加交流信號，激起聲表面波，該聲表面波被輸出換能器接收并轉換成電信號，加到負載上 特點： 只有當輸入叉指換能器上的電信號頻率所對應的表面波波長與叉指換能器的電極周期一致時，電信號才能從輸入換能器傳輸?shù)捷敵鰮Q能器,據(jù)此可通過適當設計叉指電極的結構來控制電信號的傳輸,從而實現(xiàn)濾波的目的. 2. 僅能設計為帶通型的,難以實現(xiàn)低通和高通特性. 3. 可分別設計幅頻特性和相頻特性,3.4 壓電變壓器,一工作原理 通過逆壓電效應，輸入的電信號將激勵起壓

7、電片的機械振動，在機械振動中進行阻抗變換，再通過正壓電效應，將機械振動轉換成電信號，在諧振頻率上獲得電壓輸出,二壓電變壓器的結構形式與特點 具有反饋連接的橫向變壓器:結構簡單，輸出穩(wěn)定,縱向振動模式變壓器：升壓比與幾何尺寸無關，取決于Q和k2,遠低于橫向變壓器，但輸入阻抗高,組合式橫向變壓器：輸出功率大，采用多層獨石陶瓷電容器工藝制作多層獨石壓電陶瓷變壓器。,D組合式橫向變壓器2：諧振頻率低，升壓比小,E兩端輸出型變壓器：兩端輸出，兩端輸出電壓可以不同,中間抽頭型變壓器：靠近發(fā)電部分的端頭的輸出電壓較高，不同抽頭的輸出電壓不同，可多抽頭同時輸出，但總功率不變。,切變模式壓電變壓器:輸出電壓與厚

8、度切變模式、機電耦合系數(shù)有關，諧振頻率只與厚度有關，與長度無關，可以達到較高工作頻率,圓片型壓電變壓器：輸出電流較大,環(huán)形壓電變壓器：諧振頻率低，輸出電流較小，輸出電壓較高,三壓電變壓器的工作特性,升壓比特性 以橫向壓電變壓器為例： 開路升壓比：,獲得最大功率輸出時的電壓放大倍數(shù) 獲得最大效率時的電壓放大倍數(shù),重要特點： ()變壓器的升壓比與頻率有關，在接近壓電陶瓷片的諧振頻率處達到最大值，偏離諧振頻率時，升壓比迅速下降 ()變壓器的升壓比還與負載有關，當負載較小時，隨負載的增加而迅速增加，之后逐漸飽和，同時效率開始下降 ()當輸入電壓增大到一定值時，輸出電壓隨輸入電壓的變化不再是線性的，輸出

9、電壓增加變緩，甚至達到飽和,輸入阻抗特性 與頻率有關 在諧振頻率下阻抗的絕對值最低,在反諧振頻率阻抗最高. 輸入電壓與電流之間的相位差也隨頻率變化,在諧振頻率與反諧振頻率處,相位差為零,輸入阻抗呈純電阻,在此兩頻率之間,輸入阻抗呈電感性,在此兩頻率之外,輸入阻抗呈電容性,B. 與負載阻抗有關 隨負載阻抗的增加而減少,負載阻抗愈大,輸入阻抗愈小,開路時輸入阻抗最小. 開路狀態(tài)工作時,發(fā)熱嚴重,容易損壞 壓電變壓器的優(yōu)點：輸出電壓高，重量輕，體積小，無漏泄磁場，不燃燒等； 壓電變壓器的缺點：需在諧振頻率下工作，輸出功率低，電壓調整特性差。 應用：從靜電除塵、靜電復印、小功率激光管等到液晶顯示背光源

10、等,四壓電變壓器的應用例子 液晶顯示器背景光源的電源變壓器: 將電池的低直流電壓轉變?yōu)楦哳l電壓,開始時電壓超過1000V,穩(wěn)定時只需上述值的1/31/2，電流約56mA，與壓電變壓器的輸出電壓/電流特性相符。 電源的控制部分、驅動部分和壓電變壓器部分全部安裝在一塊玻璃環(huán)氧基板上，轉換效率80%, 實現(xiàn)小型化、高轉換效率和低成本。,2. 高頻降壓變壓器(DC-DC降壓變換器)(通過輸入輸出層間的絕緣層微調諧振頻率，通過各層厚度和層數(shù)來控制降壓比),3.5 熱釋電紅外探測器,熱釋電效應概述 定義 某些晶體可以因溫度變化而引起晶體表面電荷，這一現(xiàn)象稱為熱釋電效應 壓電、熱釋電和鐵電效應的關系 電介質

11、(絕緣體)與導體不同，帶電粒子被束縛在固定位置上，在電場作用下，僅能作微小的位移，即產生電極化，但不產生電流，稱這種性質為介電性,極性晶體與非極性晶體 在晶體的32種對稱群中，有11種具有對稱中心，晶格上為非極性原子或分子，在電性上是完全電中性的，稱為各向同性介電體另有20種結構的晶體，其結構上無對稱中心，在壓力作用下可產生極化現(xiàn)象，此即壓電效應,自發(fā)極化與自發(fā)極化偶極矩的變化 極性晶體的極化可能是自發(fā)產生的,此時在結構中產生永久偶極矩(表征極化大小與方向的物理量)當環(huán)境變化時，此偶極矩可能發(fā)生變化，這種變化可能是大小和方向同時變化，也可能僅僅是方向上的變化 熱釋電效應與鐵電效應的實質 當晶體

12、溫度改變時，自發(fā)極化偶極矩發(fā)生變化，從而使晶體表面出現(xiàn)束縛電荷，此即熱釋電效應；自發(fā)極化強度矢量在電場作用下會改變方向，此即鐵電效應,E壓電、熱釋電和鐵電效應的關系 介電體 壓電體 熱釋電體 鐵電體,熱釋電效應的分類 若晶體均勻受熱，且在此過程中受到機械支持，從而幾何尺寸不變，此時自發(fā)極化的改變?yōu)榈谝活悷後岆娦?自發(fā)極化改變量與溫度改變量間的比例系數(shù)稱為第一或恒應變熱釋電系數(shù),II若晶體均勻受熱，無機械夾持，使應力為零或保持恒定，此時晶體受熱膨脹，出現(xiàn)壓電效應并疊加到第一類熱釋電效應上，這一附加的熱釋電效應稱為第二熱釋電效應 應力自由熱釋電效應應是第一和第二熱釋電效應之和,III若晶體非均勻

13、受熱，則晶體中會產生附加的應力梯度，這應力梯度通過壓電效應改變電極化并疊加于第一熱釋電效應上，這種因非均勻加熱引入的附加熱釋電效應稱為第三熱釋電效應 由于第三熱釋電效應通常很小，往往可以忽略,二熱釋電紅外探測器,何謂紅外探測器？ 用來探測物體紅外輻射能量的一種器件，它將外界輻射能量吸收并轉變?yōu)橐子跍y量的電信號或其他形式的量 紅外探測器的分類： 光子探測器 熱探測器,熱釋電紅外探測器的特點： A. 與其他熱探測器(熱電偶、熱敏電阻器等)相同的特點: 在很寬的光譜范圍內具有相同的響應率,這種響應只與探測敏感元件對紅外輻射的吸收能力有關. B. 與其他熱探測器不同的特點: 這種探測器探測的是溫度隨時

14、間的變化率,而不是溫度值本身,工作過程不需建立熱平衡,故響應速度極快.,C. 與光子探測器相比的特點 在室溫下對從紫外光到毫米波段的光都有相同的響應，其光譜響應寬度比光電導探測器大個數(shù)量級 比探測度為5109cmHz1/2/W，與室溫光電導探測器的比探測度1010cmHz1/2/W接近 (光子探測器具有更快的響應速度和更高的比探測度) 熱釋電紅外探測器的組成與結構 組成：熱釋電薄晶體放大器等 結構類型：面電極式，邊電極式,面電極式熱釋電探測器的電極結構既是熱傳感器，又是電容性元件,邊電極式熱釋電探測器的電極結構,電路組成示意圖,熱釋電電流與溫度變化率的關系：,熱釋電探測器的性能 電壓響應率：

15、定義： 單位入射功率在傳感器上產生的電壓均方根值 表達式：,噪音等效功率NEP 定義： 在指定的噪音帶寬f下，信噪比S/N=1時入射功率的值(其值愈小，靈敏度愈高) 比探測度(其值愈大，探測器性能愈好),熱釋電材料評價指標 電壓響應優(yōu)值,探測度優(yōu)值,應用 景物紅外圖像的再現(xiàn) 紅外成像(熱釋電攝像管) 測量大氣的溫度和水氣分布(輻射計) 確定地球表面的熱輻射平衡特性,9例子,9例子,9例子,三薄膜型熱釋電紅外探測器,薄膜型熱釋電紅外探測器的引出 探測器的靈敏度與熱釋電敏感元厚度有關，敏感元越薄，其探測靈敏度越高 熱釋電薄膜制備方法 溶膠凝膠法 金屬有機化合物熱分解法 金屬有機化合物氣相沉積法 分

16、子束外延法 濺射鍍膜法 脈沖激光沉積法,熱釋電薄膜材料 無機熱釋電材料： (鈣鈦礦型氧化物) PT(PbTiO3)及其摻雜改性材料 PZT(Pb(ZrxTi1-x)O3)及其摻雜改性材料 PMN(Pb(MgxNb1-x)O3) BST(BaSr)TiO3) SBN(BaSr)NbO3),有機熱釋電材料： 聚偏氟乙烯(PVDF) TGS(硫酸三甘肽) 特點： 熱釋電系數(shù)低，介電常數(shù)小，損耗大 電壓響應優(yōu)值不低，但探測度優(yōu)值低 制作工藝簡單，成本低,發(fā)展方向 研制集成化的熱釋電器件 制作工藝與半導體工藝兼容性好： 硅片上制作半導體器件制作隔離層和隔熱層制作敏感元刻蝕與互連沉積保護層封裝,3.6 鐵

17、電器件,一鐵電性概述 電滯回線,電疇 宏觀尺寸的鐵電單晶被劃分為許多小區(qū)域，每個區(qū)域由許多晶胞組成，各個晶胞的偶極子方向，也即自發(fā)極化方向都是相同的，這樣的區(qū)域稱為電疇 多疇狀態(tài)與單疇狀態(tài) 一般情況下，相鄰電疇的極化方向是不同的，各電疇的電矩相互抵消，此時晶體的能量最低，稱之為多疇狀態(tài) 在強電場作用下，晶體內將出現(xiàn)微小的新疇核，其自發(fā)極化方向趨于與外電場方向一致，之后，新疇核長大，逐漸代替舊的電疇，從而使電疇方向趨于與外電場方向一致，稱這種狀態(tài)為單疇狀態(tài),鈦酸鋇晶體中的相變 低溫相的對稱性低，可能具有鐵電性,順電相與鐵電相 高溫下，對應相的結構的對稱性高，不具自發(fā)極化和鐵電性，稱為順電相，低溫

18、下，對應相的結構的對稱性低，能產生自發(fā)極化和鐵電性，稱為鐵電相 居里溫度TC 由高溫順電相轉變?yōu)榈蜏罔F電相所對應的溫度稱為居里溫度,7. 順電鐵電轉變與臨界現(xiàn)象 伴隨順電鐵電轉變過程，晶體的一系列物理性質發(fā)生劇烈的變化，這些反常變化通稱為臨界現(xiàn)象 晶體中出現(xiàn)劇烈變化的性質有： 介電性質 彈性 壓電性 熱力學性質 光學性質,例如，介電常數(shù)遵循居里外斯定律： 一級相變中，T0TC 二級相變中，T0TC,8鐵電材料 第一類：非氧化物鐵電體 SbSI (碘硫化銻) BiSBr (溴硫化鉍) FeS 第二類：氫鍵鐵電體 磷酸二氫鉀 (KH2PO4) 羅息鹽 (NaKC4H4O64H2O) 硫酸三甘肽 (

19、NH2CH2COOH)3 H2SO4,第三類：雙氧化物鐵電體(研究與應用最廣泛) 特點： 某種金屬離子，通常是過渡金屬離子，處于氧八面體間隙中，通過共用點、棱、面等要素，互相連接形成晶體結構的“骨架”。 類型： 鈣鈦礦型 BaTiO3 鎢青銅型 鈮酸鋰型 焦綠石型 含鉍層狀型,二鐵電陶瓷致動器,反鐵電效應 P與E的關系曲線：,將電場施加于反鐵電晶體時，初期,P與E成線性關系，類似于線性介質，當場強超過EC時，P與E呈非線性關系至飽和，E下降時P也降低，形成類似于鐵電體的電滯回線施加反向電場時，在第三象限出現(xiàn)與之對稱的電滯回線 反鐵電效應,內部變化： 當E逐漸增大至大于EC時： 反鐵電體相鐵電體

20、相 出現(xiàn)鐵電體的電滯回線 當E逐漸減小至小于EC時： 鐵電體相反鐵電體相 出現(xiàn)線性關系 反鐵電鐵電相變時，伴隨很大的應變(0.1%0.5%)，比壓電效應大一個數(shù)量級,電致伸縮效應 材料在電場作用下發(fā)生形變的現(xiàn)象，稱為電致伸縮效應電致伸縮效應與壓電效應不同，形變的符號與電場極性無關，形變與電場強度值的平方成正比 關于電致伸縮的重要特點 是介電材料的一般性質，不論材料處于晶態(tài)還是非晶態(tài)，不論是否存在對稱中心，均存在電致伸縮效應 電致伸致效應在恰處于居里點以上的鐵電材料中最顯著 居里溫度以上為順電相，在電場作用下誘發(fā)出鐵電相，溫度范圍較窄 弛豫鐵電體(PMN，PZN，PLZT)不存在明銳的鐵電順電相

21、變，Tc具有一定的溫度范圍，此即鐵電器件的工作溫區(qū)。,電致伸縮器件的優(yōu)點： 形變與電場強度的關系滯后很小或可忽略 形變輸出穩(wěn)定 形變量接近最好的壓電陶瓷 制作過程不需經過極化 電致伸縮器件的缺點： 工作溫區(qū)較窄 低電場下形變量小，通常需要較高的工作電壓,鐵電陶瓷致動器件的類型： 微致動器： 僅輸出材料本身的應變，其值在微米量級 宏致動器： 通過特殊的結構設計實現(xiàn)位移放大，其值可達毫米量級,新型致動器 弦月結構致動器 鐵電陶瓷 端帽 淺空腔 特點： 可將陶瓷的徑向伸縮轉換并放大為端帽的軸向位移,彩虹型致動器 陶瓷片 石墨片 還原層 特點： 還原層與陶瓷層的熱膨脹系數(shù)不同，降溫時將產生一彎曲表面，

22、此表面層中存在很大的內應力，能增強導電層的響應,三鐵電電光器件,電光效應 A. 何謂電光效應 晶體的折射率隨電場而變化的現(xiàn)象稱為電光效應. B. 折射率與電場的關系式: n=n0+aE+bE2+ C.一次電光效應(線性電光效應或Pockels效應)(出現(xiàn)在無對稱中心的晶體中) 折射率與電場強度成線性關系 . 二次電光效應(err效應) 折射率與電場強度的平方項成線性關系,電光快門 示意圖,半波電壓 隨著施加電壓的增大，光輸出也在逐漸增大，當所加電壓達到某一電壓值、光振動方向完全偏轉到水平方向時，光輸出達到最大，相當于快門完全打開，這個電壓稱為半波電壓。,3電光調制器 當在電光晶體上施加交變調制

23、信號電壓時，由于電光效應，晶體的折射率隨調制電壓即信號而交替變化此時，若有光波通過晶體，則原來不帶信號的光波則含有了調制信號的信息 電光強度調制器調制強度 電光相位調制器調制相位,電光偏轉器 何謂電光偏轉器 利用晶體的電光效應使激光束實現(xiàn)偏轉的器件稱為電光偏轉器 類型 數(shù)字偏轉器： 使激光束在特定的間隔位置上離散 連續(xù)偏轉器： 使光束發(fā)生連續(xù)偏轉而使光點在空間按預定要求連續(xù)移動,四集成化鐵電器件,集成化鐵電器件的基本結構 半導體集成電路芯片(IC) 集成在其上的鐵電材料 通過在鐵電薄膜上形成特定的電極來區(qū)分不同的鐵電單元，每個鐵電單元與薄膜下適當?shù)木w管電路直接相連 晶體管電路的作用：提供控制

24、、信號放大或檢測等功能。若鐵電單元用作存儲器，則將晶體管布置成適當形式的二維陣列，與鐵電存儲單元相連，可使尋址快捷方便。,2集成化鐵電器件 鐵電存儲器 集成化熱釋電探測器陣列 集成化聲表面波器件 集成化壓電器件 集成化介電敏感器件,最有競爭力的集成化鐵電器件 鐵電薄膜電容器晶體管基儲存器，即新一代的電可寫可擦隨機存取存儲器 (ferroelectric random access memory,FRAM) 兼具： 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的高速度特點 動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的高密度特點 只讀存儲器(ROM)的非易失性,FRAM的兩種結構 兩個晶體管和兩個鐵電單元組成的2T/2C結

25、構,一個晶體管和一個電容器組成的1T/1C結構,5.工作原理： 寫入時，通過PL(板線)使每對鐵電電容器處于相反的極化狀態(tài):Pr為“0”態(tài)，-Pr為“1”態(tài)；讀出時，把兩電容器沿相同方向極化，則“1”態(tài)電容器：-PrPs，存在大極化電流，“0”態(tài)電容器：PrPs，存在小極化電流，通過兩位線上的放大器測出兩輸出電荷量之差，完成“1”的讀出 反之，若電容器的極化在相同的方向，則讀出“”態(tài)。,6.FRAM單元結構剖面圖,7.鐵電儲存器制造鐵電存儲器技術和標準的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。,8.鐵電儲存器優(yōu)點和缺點,

26、鐵電記憶體不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)。 FRAM第一個最明顯的優(yōu)點是可以跟隨總線速度 (bus speed) 寫入，與EEPROM的最大不同是FRAM在寫入后無須任何等待時間，而EEPROM則要等幾毫秒才能寫進下一筆資料。 FRAM的第二大優(yōu)點是近乎無限次寫入。當EEPROM只能應付十萬(105) 至一百萬次寫入時, 新一代的FRAM 已達到一億個億次(1016)的寫入壽命。 FRAM 的第三大優(yōu)點是超低功耗， EEPROM的慢速和高電流寫入令它需要高出FRAM 2500倍的能量去寫入每個字節(jié) 缺點：鐵電材料的疲勞現(xiàn)象,9.鐵電儲存器的應用() 數(shù)據(jù)采集和記錄鐵電存貯器的出現(xiàn)使工程

27、師可以運用非易失性的特點進行多次高速寫入。在這以前, 在只有EEPROM的情況下, 大量數(shù)據(jù)采集和記錄對工程師來說是一件非常頭疼的事。數(shù)據(jù)采集包括記錄和存貯數(shù)據(jù)，更重要的是能在失去電源的情況下，不丟失任何資料。在數(shù)據(jù)采集的過程中, 數(shù)據(jù)需要不斷高速寫入，對舊資料進行更新，EEPROM的寫入壽命和速度往往不能滿足要求。典型應用：儀表(電力表、水表、煤氣表、暖氣表、記程車表)、測量、醫(yī)療儀表、非接觸式聰明卡(RFID)、門禁系統(tǒng)、汽車記錄儀(汽車事故黑匣子).,() 存儲配置參數(shù) (Configuration/Setting Data)以往在只有EEPROM的情況下, 由于寫入次數(shù)限制，工程師們只

28、能在偵測到掉電的時候，才把更新了的配置參數(shù)及時地存進EEPROM里， 這種做法很明顯地存在著可靠性的問題。鐵電存貯器的推出使工程師可以有更大的發(fā)揮空間去選擇實時記錄最新的配置參數(shù)， 免去是否能在掉電時及時寫入的憂慮。 典型應用：電話里的電子電話簿、 影印機、打印機、工業(yè)控制、機頂盒 (STB) 、網絡設備、TFT 屏顯、 游戲機、自動販賣機.,()非易失性緩沖(buffer) 記憶鐵電存貯器能夠無限次快速擦寫，令這種產品十分適合擔當重要系統(tǒng)里的暫存(buffer)記憶體。在一些重要系統(tǒng)里， 往往需要把資料從一個子系統(tǒng)非實時地傳到另一個子系統(tǒng)去，由于資料的重要性, 緩沖區(qū)內的數(shù)據(jù)在掉電時不能丟失。以往, 工程師們只能通過SRAM加后備電池的方法去實現(xiàn)，雖然知道這種方法隱藏著電池耗干, 化學液體泄出等安全和可靠性問題。鐵電存貯器的出現(xiàn)為業(yè)界提供了一個高可靠性, 但低成本的解決方案。典型應用: 銀行自動提款機 (ATM) 、稅控機、商業(yè)結算系統(tǒng) (POS)、傳真機.,() SRAM的取代和擴展鐵電存貯器無限次快速擦寫和非易失性的特點,令系統(tǒng)工程師可以把現(xiàn)在在線路板上分離的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器里。 為整個系統(tǒng)節(jié)省功耗、成本和空間，同時提高了整個系統(tǒng)的可靠性