畢業(yè)設(shè)計（論文）題目學(xué)院（系）專業(yè)班級學(xué)生姓名指導(dǎo)教師學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨立進(jìn)行研究所取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外，本論文不包括任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果作品。本人完全意識到本聲明的法律后果由本人承擔(dān)。作者簽名年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保障、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向有關(guān)學(xué)位論文管理部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)省級優(yōu)秀學(xué)士論文評選機(jī)構(gòu)將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。本學(xué)位論文屬于1、保密囗，在10年解密后適用本授權(quán)書2、不保密囗。（請在以上相應(yīng)方框內(nèi)打“”）作者簽名年月日導(dǎo)師簽名年月日武漢理工大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計論文任務(wù)書學(xué)生姓名程琪專業(yè)班級自動化0802班指導(dǎo)教師黃亮工作單位自動化學(xué)院設(shè)計論文題目20KW蓄電池放電機(jī)研究與設(shè)計設(shè)計（論文）主要內(nèi)容設(shè)計一款20KW蓄電池放電機(jī)，放電機(jī)輸入源為蓄電池，電壓范圍為300430V，放電機(jī)由用戶通過CAN總線控制，電壓變化范圍為360V400V，電壓紋波05，可見，輸出電壓U0大于UI，所以是升壓式電路。圖20為占空比與輸入電壓的關(guān)系圖。圖20占空比與輸出電壓的關(guān)系圖2222電路外特性變換器輸出電壓在恒定占空比系數(shù)下與輸出電流的關(guān)系。稱為變換器的外DIFU0特性。（式7）表示了電感電流連續(xù)式變換器的外特性，輸出電壓與負(fù)載電流無關(guān)，當(dāng)負(fù)載電流減小，就可出現(xiàn)電感電流斷續(xù)。負(fù)載電流為最小值時即為電感電流臨界連續(xù)，如圖21所示。圖21電感電流臨界連續(xù)波形圖（式OFOFTGITIIN12MI08）IG為電感臨界連續(xù)電流。穩(wěn)態(tài)時，因，由式6可得IILMNAXOFIGUTI1（式9）2DI當(dāng)D075時，得到最大臨界連續(xù)電流（式LIIG16MAX10）將（式10）帶入（式9）得到（式128216MAXMAXDIDIGG11）這就是電感電流臨界連續(xù)的一般表達(dá)式，以示于圖22。/AXFI圖22電感臨界連續(xù)電流與占空比的關(guān)系因臨界連續(xù)是連續(xù)的特例，在本電路中（式021UNDIT12）因此圖22也反應(yīng)了電壓比與的關(guān)系。當(dāng)給定占空比D時，即給定，IO/MAX/GIIOU/如負(fù)載電流大于由（式11）決定的IG電感電流連續(xù)，電壓比與負(fù)載電流無關(guān)，如（式7）所示。如負(fù)載電流小于由（式11）決定的IG，電感電流斷續(xù)，波形如圖23所示。圖23電感電流斷續(xù)波形圖在圖23中沒電感電流在功率開關(guān)管關(guān)斷時間TOFF結(jié)束前就下降到零。此時輸出平均電流為（式121OFOFTOININI13）式中，TOFF時功率開關(guān)管關(guān)斷后電感電流持續(xù)時間，穩(wěn)態(tài)時，由（式5）得ONLIIUMAX（式IT14）和（式6）可得OFLTIINUMAXN0（式1FI15）整理得（式ONITIOFU16）將（式14）帶入（式13）可得（式1OFNITOLI17）再將（式16）帶入（式17）得（式ONITOINITOULI/118）并結(jié)合（式10）和，得UIIG16MAX2DON（式ITOIGNI/14MAX19）經(jīng)整理得到電感電流斷續(xù)時的電壓傳輸比（式201241MAXOTGTOIINDU將電感電流連續(xù)時的表達(dá)式繪成曲線A、電感電流臨界連續(xù)的表達(dá)式繪成曲線B和電感電流斷續(xù)時的表達(dá)式繪成曲線C，如圖24中曲線A、B、C所示。臨界連續(xù)曲線B右邊為電感電流連續(xù)區(qū)，左邊衛(wèi)電感電流斷續(xù)區(qū)。圖24輸出特性應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)IO0時，輸出開路，即，這是不允許的，因為這將損0/OIUO壞電路。由圖24可見在電流斷續(xù)區(qū)輸出電壓與輸入電壓比不僅與真空比系數(shù)有關(guān)，而且與負(fù)載電流有關(guān)，在討論中雖然忽略了電感電阻和晶體管壓降，但從特性上可以發(fā)現(xiàn)，變換器存在很高的非線性內(nèi)阻。如變換器工作在這一區(qū)域，為維持一定的輸出與輸入電壓比，占空比系數(shù)改變非常大，這樣會在低輸出電流時變換器失控。因此，在電路設(shè)計是應(yīng)以電感臨界連續(xù)電流作為最小電流來設(shè)計電感線圈。實際上電感線圈和功率開關(guān)管都不是理想的，輸入電感存在線圈電阻，功率開關(guān)管有壓降。為了簡化，可以認(rèn)為功率開關(guān)管飽和壓降與二極管正向壓降相等，并用功率開關(guān)管飽和電阻代替，與電感線圈電阻一起用R表示。因此實際等效電路如圖25所示。圖25實際隔離BOOST全橋變換器等效電路圖如電感電流文波較小，當(dāng)功率開關(guān)管導(dǎo)通時（式ONLITRUMI21）當(dāng)功率開關(guān)管截止時（式OFLITONI/MAX22）聯(lián)解（式21）和（式22），并令I(lǐng)LILMAXILMIN得到（式12DRIUNLITO23）由（式23）可見，隨負(fù)載電流增加，輸入電流增加，電阻上壓降加大，輸出電壓下降。如果作如下變換（式12INIOTL24）（式LORU/25）代入（式23）并整理得到（式LTIORND21426）上式示于圖26。由圖可見當(dāng)參數(shù)加大時，輸出與輸入電壓之比偏離越L/12/DNT大，即UO對D的敏感程度下降，控制特性變差。圖26調(diào)節(jié)特性2223功率開關(guān)管電壓電流應(yīng)力不考慮變壓器漏感時，功率開關(guān)管所承受的電壓應(yīng)力應(yīng)為變壓器原邊電壓，即TOCENUV由于輸入為大電感，電感有阻礙電流變化的作用，所以輸入電流紋波教小，而輸出紋波較大。當(dāng)其中一對功率開關(guān)管關(guān)斷時，輸入電流全部流經(jīng)另一對功率開關(guān)管，此時功率開關(guān)管電流應(yīng)力最大。變換器效率為（式LOSOPIU27）其中PLOSS為整個變換器的損耗。由此輸入平均電流為IOLUPI功率開關(guān)管導(dǎo)通時流過的峰值電流為（式MINAX2OLILQPTIII28）式中NTIOMIN為電感臨界連雪電流。ILMAX由下式?jīng)Q定（式MINAXOLUI29）2224副邊整流二極管電壓電流應(yīng)力副邊此阿勇全橋整流方式，同時整流橋的輸出端接濾波電容，由此整流管不存在電壓尖峰，承受最大電壓應(yīng)力應(yīng)為輸出電壓，即VKAUO最大電流應(yīng)力為額定輸出功率時輸出的峰值電流，即TQPDNI2225輸出濾波電容工頻整流濾波電路中的電容器，其脈動電壓頻率低，獲得較小的脈動電壓要求電容量很大，常采用普通鋁電解電容，在選擇時主要關(guān)心的指標(biāo)是電容的耐壓和電容量及漏電流，同時希望較小的體積。在開關(guān)變壓器中作為能量傳輸?shù)臑V波電容器，其上脈動電壓頻率達(dá)千赫甚至數(shù)百千赫，這時電容量雖然任然是以個重要指標(biāo)并且也是選擇的依據(jù)，但是電容量達(dá)到一定值后，電容量只是影響電壓文波的一個次要因素，更重要的是實際電容器的阻抗頻率特性，高頻下電容器等效電路圖如圖27所示。圖27高頻下電容器的等效電路途中C為電容器標(biāo)稱電容量，RS為等效串聯(lián)電阻（ESR），它包含兩個含義，以是引線及焊接接觸電阻，另一個是介質(zhì)損耗電阻。LS為等效串聯(lián)電感（ESL）；G為漏電導(dǎo)，同城很小，因此電容等效電路可以簡化為圖28所示。圖28電容簡化等效電路圖這時電容器的實際阻抗為（式1CLJRZSSC30）低頻時，上式和，呈容性，因此，ESR和ESL對濾波器不產(chǎn)生影響。隨SRC/1L著工作頻率增高，低頻電容器的ESR、ESL就會產(chǎn)生明顯的影響，當(dāng)大于LSC諧振頻率時，甚至呈現(xiàn)電感性，失去濾波性能。在高頻開關(guān)電路中，如開關(guān)頻率比電容器諧振頻率低得多沒這事可不考慮FSO21ESL的影響，僅考慮ESR及標(biāo)稱電容影響，此時電壓紋波應(yīng)是兩部分疊加而成，即ICRS及，一般電容量足夠大時，電壓紋波主要有ESR決定。而對于開關(guān)瞬時，由于電壓電DTICTO1流瞬時變換，產(chǎn)生電流電壓尖峰，包含了比開關(guān)頻率高得多的諧波，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過諧振頻率FO，這時電容器的阻抗呈感抗，主要是ESL起作用，對尖峰已無抑制作用。因此對高頻開關(guān)電路應(yīng)此采用ESR和ESL盡可能低的濾波電容高頻電容。同時為了提高濾波效果，應(yīng)當(dāng)盡量縮短濾波電容的引線，減少分布電感。并且采用多個小容量的電容器并聯(lián)，以減少ESR。由上面的分析可知，高頻開關(guān)電路中濾波電容器的參數(shù)ESR和ESL很重要，但這只是在電容量足夠大時才是正確的。對于隔離全橋BOOST升壓電路，輸出電壓和濾波電容電流的變化如圖29所示，電感電流變化量（式12DLTUII31）圖29輸出電壓和濾波電容電流變化輸出電流的變化量為，它實際上是電容電流變化量和負(fù)載電流變化量之和。TLNI/CIOI若設(shè)，即全部電感電流變化量等于電容電流變化量，電容充電時間是，0OI42TTFON因此電容充電的平均電流為（式1284DLNTUIIIC32）因此電容電壓峰值文波電壓為（式24031411LCFNDUTIDTICUICTO33）所以，濾波電容的值為（式OTIFN23134）式中為開關(guān)頻率。TF/1在高頻時電容量大于（式34）的計算值后，決定輸出文波的是ESL和ESR。為了減少ESR，應(yīng)同時采用多個小容量的電容并聯(lián)。為了抑制尖峰，常采用高質(zhì)量的無極性無感電容與電解電容并聯(lián)。23IGBT介紹本文在介紹BOOST電路時，多次提到可控開關(guān)器件，作為BOOST電路中的核心元件，這里對本次設(shè)計采用的開關(guān)器件IGBT做一個簡單的介紹。IGBT（INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR），絕緣柵雙極型晶體管，是有BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通降壓兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流教導(dǎo)；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。231IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT結(jié)構(gòu)如圖30。圖30IGBT結(jié)構(gòu)N區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。P區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)的邊界形成。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需要控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET得溝道形成夠，從P基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)壓降。圖31IGBT等效電路圖31為IGBT的等效電路圖，由圖30可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通，若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。232IGBT的工作特性IGBT的工作特性包括靜態(tài)特性和動態(tài)特性。2321靜態(tài)特性IGBT的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。IGBT的伏安特性是指以柵源電壓UGS為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流受柵源電壓UGS的控制，UGS越高，ID越大。他與GTR的輸出特性相似，也可以分為飽和區(qū)、放大區(qū)和擊穿特性三部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N區(qū)緩沖，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。IGBT的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)時，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET的電流稱為IGBT總電流的主要成分。2322動態(tài)特性IGBT在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET來運行的，只是在漏源電壓UDS下降過程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至包和，又增加了一段延遲時間。TDON為開通延遲時間，TRI為電流上升時間。世紀(jì)應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間TON即為TDON與TRI之和。漏源電壓的下降時間由TFE1和TFE2組成，如圖32所示圖32開通時IGBT的電壓電流波形IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍Ｒ驗镸OSFET管關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間。TDOFF為管段延遲時間，TRV為電壓UDS（F）的上升時間。實際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時間TF由圖32中的TF1和TF2兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時間TOFFTDOFFTRVTF（式35）式中的TDOFF與TRV之和又稱為存儲時間。24器件選型根據(jù)電路的基本關(guān)系可以得到IGBT的電壓應(yīng)力為，本次設(shè)計的UO為TOCENUV400V，NT為13，所以IGBT的電壓應(yīng)力為1200V。電流應(yīng)力根據(jù)（式30）為131A。整流二極管的電壓電流應(yīng)力根據(jù)2224中給出的關(guān)系應(yīng)為400V/72A。輸出濾波電容應(yīng)采用30MF的低ESR、低ESL的高頻濾波電容，或者采用多個小容量電容并聯(lián)。儲能電感采用56H的電感。3控制器模型建立控制器包括采樣環(huán)節(jié)，電壓閉環(huán)，PWM信號發(fā)生環(huán)節(jié)。31采樣環(huán)節(jié)電壓采樣式用的電壓LEM，其瞬態(tài)模型為OVFUK由此，其動態(tài)小信號模型SUKOVF其傳遞函數(shù)框圖如圖33所示圖33電壓采樣環(huán)節(jié)傳遞函數(shù)框圖32電壓環(huán)電壓環(huán)采用的是PI調(diào)節(jié)器，其S域瞬態(tài)模型為（式SKUSUVIPFRC36）進(jìn)行小信號擾動，線性化并消去穩(wěn)態(tài)量得到電壓環(huán)的模型函數(shù)為（式SGUSKSSVFRVIPFRC37）式中SKSGVIPV電壓環(huán)傳遞函數(shù)框圖如圖34圖34電壓環(huán)傳遞函數(shù)框圖33PWM信號發(fā)生環(huán)節(jié)PWM信號發(fā)生環(huán)節(jié)傳遞函數(shù)框圖如圖35。圖35PWM信號發(fā)生環(huán)節(jié)傳遞函數(shù)框圖圖36PWM信號生成示意圖由PWM信號發(fā)生器模型如圖36可運算得到（式SESESONAIITTD2138）對其進(jìn)行拉式變換并進(jìn)行小信號擾動，線性化并消去穩(wěn)態(tài)量得到模型函數(shù)為（式21SIKSISDEPWME39）其中。SPWMAK2134系統(tǒng)閉環(huán)傳遞函數(shù)結(jié)構(gòu)框圖圖37閉環(huán)傳遞函數(shù)框圖上圖為系統(tǒng)整體傳遞函數(shù)框圖，根據(jù)整體傳遞函數(shù)，可以確定PID控制器的設(shè)計。4SIMULINK仿真電力電子技術(shù)仿真的平臺和軟件有很多，也各具特色。我選擇集數(shù)學(xué)計算、結(jié)果可視化和編程于一身的強(qiáng)大數(shù)學(xué)和工程運算軟件MATLAB來實現(xiàn)，采用MATLAB提供的仿真工具SIMULINK對本次設(shè)計的隔離型BOOST全橋升壓電路進(jìn)行仿真。41MATLAB/SIMULINK環(huán)境介紹MATLAB式矩陣實驗室（MATRIXLABORATORY）的簡稱，式美國MATHWORKS公司出品的商業(yè)數(shù)學(xué)軟件，用于算法開發(fā)、數(shù)據(jù)可視化、數(shù)據(jù)分析以及數(shù)值計算的高級技術(shù)計算語言和交互式環(huán)境，主要包括MATLAB和SIMULINK兩大部分。SIMULINK式MATLAB最重要的組件之一，它提供一個動態(tài)系統(tǒng)建模、仿真和綜合分析的集成環(huán)境。在該環(huán)境中，無需大量書寫程序，而只需要通過簡單直觀的鼠標(biāo)操作，就可構(gòu)造出復(fù)雜的系統(tǒng)。SIMULINK具有適應(yīng)面廣、結(jié)構(gòu)和流程清晰即反正驚喜、貼近世界、效率高、靈活等優(yōu)點，基于以上優(yōu)點SIMULINK已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于控制理論和數(shù)字信號處理的復(fù)雜仿真和設(shè)計。同時又大量的第三方軟件和硬件可應(yīng)用于或被要求應(yīng)用于SIMULINK。SIMULINK即動態(tài)仿真工具箱，允許用戶在屏幕上通過繪制一個個框圖來構(gòu)建系統(tǒng)，并能動態(tài)的控制該系統(tǒng)。目前的SIMULINK不僅能進(jìn)行線性系統(tǒng)的仿真，還能進(jìn)行非線性系統(tǒng)的仿真，既可以實現(xiàn)連續(xù)時間系統(tǒng)的仿真，也可以實現(xiàn)離散時間系統(tǒng)的仿真。此外，SIMULINK能夠用MATLAB自身的語言、C語言或其他語言，根據(jù)S函數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)格式寫成用戶自定義的功能模塊。42隔離型BOOST全橋電路仿真421IGBT驅(qū)動模塊圖38IGBT驅(qū)動電路恒定的脈沖源以50占空比驅(qū)動四個IGBT中的S1和S4，使這兩個開關(guān)管同時導(dǎo)通或者截止。將脈沖源的信號引出后經(jīng)過反相器與幅值為1的恒定輸入相加，相加后的值與經(jīng)過PID控制后的PWM控制信號一起接入延時器，來控制另一對開關(guān)管S2、S3。經(jīng)過合適的參數(shù)設(shè)計之后，使得S2與S3的控制信號為與脈沖源剛好相反地脈沖信號，當(dāng)脈沖源為高電平時，控制信號為低電平，當(dāng)脈沖源為低電平時，控制信號為高電平。這樣就達(dá)到了兩組開關(guān)管交互導(dǎo)通的目的。將四個開關(guān)管的控制信號使用示波器同時顯示如圖39，可以看到是我們需要的波形。圖39四個開關(guān)管S1、S4、S2、S3的控制信號波形422PID控制驅(qū)動模塊圖40PID控制驅(qū)動電路將電路的輸出UO作為反饋量，與制定電壓U取差值之后控制PID控制器，PID控制器的輸出控制驅(qū)動電路與脈沖信號一起驅(qū)動延時環(huán)節(jié)，然后驅(qū)動開關(guān)管S2、S3。得到圖33所示的控制信號波形。423隔離型BOOST全橋電路圖40隔離型BOOST全橋升壓電路總體仿真圖電路輸出電壓波形如圖41圖41輸出電壓波形紋波觀測可以對Y軸放大觀察，如圖42。圖42Y軸放大后的輸出電壓波形可以看到，電壓紋波很小，滿足要求的紋波1的要求。結(jié)束語本次設(shè)計重點圍繞隔離型BOOST全橋升壓電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)展開研究，針對用用特點（如電動汽車中輸入低壓大電流，大升壓比），深入研究了變換激勵，同時關(guān)注奇數(shù)上實驗的可能性，建立了比較完善的基礎(chǔ)分析和系統(tǒng)設(shè)計理論體系，所得出的結(jié)論可以知道工程實際。本文提出了隔離型BOOSTDCDC變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。對電路進(jìn)行了詳細(xì)的穩(wěn)態(tài)分析和小信號建模分析，尾氣分析設(shè)計提供了電路理論基礎(chǔ)。分析了電壓傳輸關(guān)系，這位變換器升壓比的確定和隔離變壓器匝比的確定奠定了理論基礎(chǔ)。分析了電路外特性，得出在電路設(shè)計時應(yīng)以最小輸出電流作為電感電流臨界連續(xù)電流來設(shè)計電感線圈。這為輸入電感的設(shè)計提供了理論基礎(chǔ)。建立了控制系統(tǒng)的小信號模型，為其控制系統(tǒng)的分析和設(shè)計提供了理論基礎(chǔ)。最后進(jìn)行了SIMULINK仿真，展示了設(shè)計的實際可行性。鑒于隔離型BOOST全橋升壓變換器是一種應(yīng)用前景很好的通用型變換器，有必要對其研究繼續(xù)投入，盡快使之成熟并走向應(yīng)用。隔離型BOOST全橋是一種新型的變換器拓?fù)洌瑢λ难芯磕壳安艅偲鸩?，電路理論體系不完善，本文的研究工作也很有限，許多問題值得進(jìn)一步研究。1采用磁集成技術(shù)，把輸入電感和隔離變夜騎公用一個磁芯，進(jìn)一步減小體積重量。在此基礎(chǔ)上，研究輸入電感的磁復(fù)位技術(shù)，考慮是否利用隔離變壓器的副邊繞組替代輸入電感的磁復(fù)位繞組。2研究控制型軟PWM技術(shù)，能否不借助任何輔助電路，僅利用PWM的發(fā)生實現(xiàn)變換器的控制型軟開關(guān)。3應(yīng)用最新功率開關(guān)管（如COOLMOSFET）和二極管（如碳化硅二極管、砷化鎵二極管等）的隔離BOOST全橋電路進(jìn)行研究，進(jìn)一步提高工作頻率，減小變換器的體積重量。4研究單機(jī)功率因數(shù)校正技術(shù)，進(jìn)一步拓寬該變換器的應(yīng)用領(lǐng)域。致謝在大學(xué)這四年的光陰里，我遇到了許多良師益友，他們