案例4G通過調(diào)整上行功控及調(diào)度參數(shù)提高干擾場景MOS值低研究總結(jié)_第1頁
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1、案例-4G通過調(diào)整上行功控及調(diào)度參數(shù)提高干擾場景MOS值低研究總結(jié)廠家華為問題編號 設(shè)備類型eNode B問題類型參數(shù)配置問題影響ENODEB問題狀態(tài)已定位已解決上報省份廣東上報時間2016-6-6上報人問題描述VoLTE用戶在高干擾場景(干擾底噪-90dB至-80dB)下,MOS3.0占比低于90%,影響用戶感知及測試指標。針對該場景,經(jīng)過多次試驗,制定出一套基于上行功控和調(diào)度等的參數(shù),規(guī)避干擾、加強上行功率,有效的提高在高干擾場景下MOS3.0占比,降低丟包率。通過調(diào)整Pucch功控周期,加快PUCCH功率調(diào)整;加大Pucch功控目標SINR偏置,提高PUCCH功率;開啟PUCCH功控DT

2、X SINR優(yōu)化處理開關(guān),在干擾較嚴重的場景下提升PUCCH的發(fā)射功率以滿足PUCCH的解調(diào);同時降低PUCCH標稱P0值和消息3相對前導(dǎo)的功率偏置,緩解因加大Pucch功控目標SINR偏置后產(chǎn)生的鄰區(qū)干擾;打開智能預(yù)調(diào)度開關(guān),并增大預(yù)調(diào)度用戶最小間隔周期和智能預(yù)調(diào)度每次持續(xù)時間,降低上行干擾;修改QCI6、7、8、9業(yè)務(wù)預(yù)調(diào)度權(quán)重,降低預(yù)調(diào)度時延;調(diào)整后測試可見MOS有明顯的提升,MOS大于3.0占比96.23%,提升8.4%。MOS大于3.5占比86.79%,提升5.922%;丟包率改善0.57%;接入時延改善0.052S; 效果明顯;原因定位問題描述: VOLTE DT測試占用惠州皇后F

3、-HLH-2小區(qū),現(xiàn)場測試發(fā)現(xiàn)該小區(qū)存在高干擾,導(dǎo)致MOS3.0占比為87.83%,MOS3.5占比80.87%。 問題原因: 同過干擾排查,定位為同站GSM900小區(qū)天線存在故障產(chǎn)生互調(diào)干擾,并且影響同站4G小區(qū),導(dǎo)致MOS3.0占比為87.83%,MOS3.5占比80.87%。影響范圍: 道路測試指標。解決方案解決方案:調(diào)整上行功控參數(shù),保證接入順利;調(diào)整調(diào)度參數(shù)規(guī)避受干擾PRB;達到提升MOS值效果。調(diào)整后測試可見MOS有明顯的提升,MOS大于3.0占比96.23%,提升8.4%。MOS大于3.5占比86.79%,提升5.922%;丟包率改善0.57%;接入時延改善0.052S; 效果明

4、顯;測試日志名稱覆蓋率(RSRP>=-110&SINR>-3)(主叫)平均RSRP(主叫)平均SINR(主叫)VOLTE撥打次數(shù)接通次數(shù)接通率VOLTE掉話率主叫時延(ms)MOSRTP丟包率MOS大于3.0占比MOS大于3.5占比參數(shù)修改前94.01%-105.2317.371 35 35100%0.00%2.2293.8070.81%87.38%80.87%參數(shù)修改后97.82%-105.3378.428 34 34100%0.00%2.1774.0510.24%96.23%86.79%增益-0.0520.244-0.57%8.8

5、5%5.92%說明改善改善改善改善改善理論分析:針對該場景,經(jīng)過調(diào)整上行功控和調(diào)度參數(shù),可提高因為干擾導(dǎo)致的MOS低情況。該類問題在現(xiàn)網(wǎng)為普遍類型,影響用戶感知及道路測試指標。1. 上行功控參數(shù)1) Pucch功控周期該參數(shù)設(shè)置的越小,PUCCH功率調(diào)整越快,但是出現(xiàn)乒乓調(diào)整的概率越高;該參數(shù)設(shè)置的越大,PUCCH功率調(diào)整越慢,但是出現(xiàn)乒乓調(diào)整的概率越低。2) Pucch功控目標SINR偏置該參數(shù)設(shè)置的越小,本小區(qū)用戶的PUCCH功率越小,對本小區(qū)其他用戶和鄰區(qū)用戶的PUCCH干擾越??;該參數(shù)設(shè)置的越大,本小區(qū)用戶的PUCCH功率越大,對本小區(qū)其他用戶和鄰區(qū)用戶的PUCCH干擾越大。3) PU

6、CCH功控DTX SINR優(yōu)化處理開關(guān)在干擾較嚴重的場景下提升PUCCH的發(fā)射功率以滿足PUCCH的解調(diào),當(dāng)PUCCH功控DTX SINR優(yōu)化處理開關(guān)關(guān)閉時,在干擾較嚴重的場景下可能會由于終端的發(fā)射功率過低而不能解調(diào);PUCCH的解調(diào)性能變好會增加本小區(qū)業(yè)務(wù)建立和切換的成功率,提升下行速率,但是功率抬升可能會對鄰區(qū)造成干擾。4) PUCCH標稱P0值P0NominalPUCCH設(shè)置的過高,會增加鄰區(qū)干擾,降低整網(wǎng)的吞吐量;P0NominalPUCCH設(shè)置偏低,降低對鄰區(qū)的干擾,但是會降低本小區(qū)的吞吐率。5) 消息3相對前導(dǎo)的功率偏置DeltaPreambleMsg3設(shè)置偏低,不能滿足消息3發(fā)射

7、功率的要求,降低數(shù)據(jù)信道的發(fā)射功率,降低小區(qū)吞吐量;DeltaPreambleMsg3設(shè)置偏高,在滿足消息3發(fā)射功率的要求的基礎(chǔ)上,提高發(fā)射功率會增加對鄰區(qū)的干擾,降低整網(wǎng)吞吐量。2. 調(diào)度參數(shù)1) 智能預(yù)調(diào)度當(dāng)DRX關(guān)閉時,打開智能預(yù)調(diào)度開關(guān),上行時延增加,上行干擾變小,UE能耗降低。反之,關(guān)閉智能預(yù)調(diào)度開關(guān),上行時延降低,上行干擾變大,UE能耗增大。當(dāng)DRX打開時,打開智能預(yù)調(diào)度開關(guān),上行時延降低,下行吞吐量增加,上行干擾變大,UE能耗增大。反之,關(guān)閉智能預(yù)調(diào)度開關(guān),上行時延增加,下行吞吐量降低,上行干擾變小,UE能耗降低。性能影響的程度和 SmartPreAllocationDurati

8、on取值大小有關(guān)。2) 調(diào)度用戶最小間隔周期該參數(shù)表示用戶最短的預(yù)調(diào)度時間間隔,即同一UE兩次預(yù)調(diào)度之間的時間間隔不能小于該參數(shù)。在DRX算法開關(guān)打開,且用戶處于DRX模式時,此參數(shù)的實際生效值不會大于DRX非激活定時器的取值。該值設(shè)置的越小,上行業(yè)務(wù)時延改善的性能越好,但UE能耗和上行干擾增加;該值設(shè)置的越大,上行業(yè)務(wù)時延改善的性能越差,但UE能耗和上行干擾降低。3) 智能預(yù)調(diào)度每次持續(xù)時間該參數(shù)表示智能預(yù)調(diào)度每次持續(xù)時間。該參數(shù)取值為0,相當(dāng)于智能預(yù)調(diào)度功能不生效。增加該參數(shù)的取值,上行業(yè)務(wù)時延改善的性能越好,但UE能耗和上行干擾增加;減小該參數(shù)的取值,上行業(yè)務(wù)時延改善的性能下降,但UE能

9、耗和上行干擾減小;當(dāng)該參數(shù)的取值大于1000后,可以降低ping時延。4) QCI6、7、8、9業(yè)務(wù)預(yù)調(diào)度權(quán)重該參數(shù)表示業(yè)務(wù)的預(yù)調(diào)度權(quán)重。用戶的預(yù)調(diào)度權(quán)重是最高優(yōu)先級邏輯信道對應(yīng)業(yè)務(wù)的預(yù)調(diào)度權(quán)重。如果最高優(yōu)先級邏輯信道對應(yīng)業(yè)務(wù)預(yù)調(diào)度權(quán)重不一致,則取最大的預(yù)調(diào)度權(quán)重。預(yù)調(diào)度機會與預(yù)調(diào)度權(quán)重成正比,在資源受限時,預(yù)調(diào)度權(quán)重影響用戶的預(yù)調(diào)度機會。該參數(shù)設(shè)置的越大,對應(yīng)標準QCI的業(yè)務(wù)預(yù)調(diào)度權(quán)重越大,預(yù)調(diào)度時延越??;該參數(shù)設(shè)置的越小,對應(yīng)標準QCI的業(yè)務(wù)預(yù)調(diào)度權(quán)重越小,預(yù)調(diào)度時延越大。修改參數(shù)匯總:Pucch功控周期 = 1 (加快PUCCH功率調(diào)整。)Pucch功控目標SINR偏置 = 10 (提高用戶PUCCH功率)PUCCH功控DTX SINR優(yōu)化處理開關(guān) = 打開 (干擾較嚴重的場景下提升PUCCH的發(fā)射功率以滿足PUCCH的解調(diào))PUCCH標稱P0值 = -115 (降低對鄰區(qū)的干擾,緩解因Pucch功控目標SINR偏置加大后產(chǎn)生的鄰區(qū)干擾)消息3相對前導(dǎo)的功率偏置 = 0 (降低對鄰區(qū)的干擾,緩解因Pucch

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