1、 化學(xué)反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)能否發(fā)生（反應(yīng)方向）能否發(fā)生（反應(yīng)方向）能量轉(zhuǎn)換（熱效應(yīng)）能量轉(zhuǎn)換（熱效應(yīng)）反應(yīng)限度（化學(xué)平衡）反應(yīng)限度（化學(xué)平衡）反應(yīng)速率反應(yīng)速率反應(yīng)機(jī)理反應(yīng)機(jī)理化化學(xué)學(xué)熱熱力力學(xué)學(xué)化化學(xué)學(xué)動(dòng)動(dòng)力力學(xué)學(xué)反反應(yīng)應(yīng)的的可可能能性性反反應(yīng)應(yīng)的的現(xiàn)現(xiàn)實(shí)實(shí)性性體系體系境境敞開體系敞開體系封閉體系封閉體系孤立體系孤立體系物質(zhì)交換物質(zhì)交換能量交換能量交換性質(zhì)性質(zhì)深度深度. .廣度廣度環(huán)環(huán)狀態(tài)狀態(tài)物理物理. .化學(xué)化學(xué) U = Q W 封閉體系：封閉體系：G 0, 自發(fā)過程自發(fā)過程 T=0 K, 純物質(zhì)完整晶態(tài)，純物質(zhì)完整晶態(tài)， 混亂度最小，混亂度最小，S= 0-GT,PT,P=(=(W有用有用) ) 最

2、大最大概念：概念：計(jì)算：計(jì)算： rHm (T) vBfHm(B，T) G(T)H(T)TS (T) 3. rG m(298.15K) v B f G m (B， ，298.15K)4. rS m (298.15K) v B S m (B， ，298.15K)lnK2K1rHm R T2 T1 T2 T1 （2）c(HAc)/ Ka 400c(NH3H2O)/ Kb 400c(弱酸弱酸) c(弱酸鹽弱酸鹽)pH pKa lg c(弱堿弱堿) c(弱堿鹽弱堿鹽)pH 14pKb lg a O + z e - = b R (R=8.315 J K -1 mol-1 ；F = 96,485 C mol

3、-1 ;T298.15K）E(電極電極) = E (電極電極) lg c(R)/c b0.0592Vc(O)/c az（1）pH影響：氧化物（影響：氧化物（MnO2、PbO2）、含氧酸及其鹽）、含氧酸及其鹽(KMnO4、KClO3)pH減小減小(酸度增大酸度增大)，電極電勢(shì)增加，氧化能力增強(qiáng)。，電極電勢(shì)增加，氧化能力增強(qiáng)。（2）生成沉淀（配離子）影響：氧化型形成沉淀）生成沉淀（配離子）影響：氧化型形成沉淀 ，E ；還原型形成沉淀；還原型形成沉淀 ，E ； 氧化型和還原型都形成沉淀，看二者氧化型和還原型都形成沉淀，看二者Ks 的相對(duì)大小。的相對(duì)大小。-D DrG =Welec,maxD DrGm

4、= - zFE 或或 D DrGm = - zFE E（ （O/R) O氧化能力氧化能力 R還還原能力原能力電動(dòng)勢(shì)電動(dòng)勢(shì)E 0, D DrGm 0, 正向自發(fā)正向自發(fā) lnK zFE/RTlgK zE/0.0592V y y：y y2 2y y角量子數(shù)角量子數(shù) l 可表示原子軌道或電子云的形狀?？杀硎驹榆壍阑螂娮釉频男螤睢?l= 0, 1, 2, 3, , (n-1) m = 0，1，2，l。l=0，m=0，亞層只有一個(gè)球形的，亞層只有一個(gè)球形的s軌道，無方向性。軌道，無方向性。l=1，m=01，p亞層有三個(gè)不同伸展方向的亞層有三個(gè)不同伸展方向的p軌道，常用軌道，常用pz，px，py表示這三

5、個(gè)不同伸展方向。表示這三個(gè)不同伸展方向。l=2，m=012，d亞層有亞層有5個(gè)不同伸展方向的個(gè)不同伸展方向的d軌道。軌道。當(dāng)當(dāng)都確定，就決定了是哪一個(gè)都確定，就決定了是哪一個(gè)主層主層、什么形狀的、什么形狀的亞層亞層、某個(gè)伸展方向的某個(gè)伸展方向的軌道軌道。msElectron spin visualized 想象中的電子自旋想象中的電子自旋 l兩種可能的自旋方向兩種可能的自旋方向: : 正向正向(+1/2)(+1/2)和反向和反向(-1/2)(-1/2)l自旋運(yùn)動(dòng)使電子具有類似于微磁體的行為，自旋運(yùn)動(dòng)使電子具有類似于微磁體的行為， 產(chǎn)生方向相反的磁場(chǎng)產(chǎn)生方向相反的磁場(chǎng)l自旋相反的一對(duì)電子自旋相反

6、的一對(duì)電子, , 磁場(chǎng)相互抵消磁場(chǎng)相互抵消. . Magnetic fieldscreenSmall clearance spaceSilver atomic raykiln最外層電子最外層電子 ns np次外層電子次外層電子 （n-1）d （n-2）f分分 區(qū)區(qū) 最后一個(gè)電子填入的軌道最后一個(gè)電子填入的軌道 位位 置置 外層電子構(gòu)型外層電子構(gòu)型 s區(qū)區(qū) s軌道軌道 A A ns1-2 p區(qū)區(qū) p軌道軌道 A-零族零族 ns2np1-6 d區(qū)區(qū) d軌道軌道 B- (n-1)d1-9ns1-2 ds區(qū)區(qū) d軌道軌道 d10 B B (n-1)d10ns1-2 f區(qū)區(qū) f軌道軌道 鑭系鑭系 錒系錒系 (n-2)f1-14(n-1)d0-2ns2共價(jià)鍵類型雜化類型雜化類型spsp2sp3雜化軌道構(gòu)雜化軌道構(gòu)型型直線形直線形 三角形三角形四面體形四面體形雜化軌道中雜化軌道中孤電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)分子幾何構(gòu)分子幾何構(gòu)型型直線形直線形 三角形三角形四面體四面體三角錐三角錐V形形實(shí)例實(shí)例