鐵磁學(xué)第八章_第1頁
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1、鐵磁學(xué)鐵磁學(xué)(下下)曹慶曹慶琪琪Email: Tel: 83594127第八章第八章 磁化曲線和磁疇結(jié)構(gòu)磁化曲線和磁疇結(jié)構(gòu)8.1 技術(shù)磁化的機理技術(shù)磁化的機理 (1) 三種磁化過程. iiisVMMcos0MHMisiiiiisiiisHMVVMVMMcoscoscos退磁態(tài) , 在外加磁場下, 磁化強度改變?yōu)閂i , 疇壁位移 DWD,cos i , 磁疇轉(zhuǎn)動 DR,MS , 內(nèi)稟磁化, 飽和磁化強度的增加,三種磁化過程示意圖圖3.1.1各階段的磁化曲線 (2) 磁化曲線的各個階段. a、初始部分. 主要為可逆疇壁位移和可逆磁疇轉(zhuǎn)動. b、陡峻部分. 不可逆疇壁位移 (多疇) 為主; 不可逆

2、磁疇轉(zhuǎn)動 (單疇) 為主. c、膝點以上. 主要為可逆磁疇轉(zhuǎn)動 .d、高場, 趨近飽和律. 順磁化過程.SM (3) 與磁化曲線相關(guān)的一些因素磁疇結(jié)構(gòu)的具體類型. 磁場變化的頻率磁后效材料形狀8.2 剩磁點上磁疇磁化強度的分布圖8.2.1磁化過程中各點磁疇磁化矢量的分布 (單軸晶體) 磁場足夠高的時候磁化矢量都排列在差不多平行于磁場的方向上 磁場減小到H=0時,剩磁點,各個磁化矢量將轉(zhuǎn)回到與它最靠近的易磁化方向上 cossrMM 2/020sincos2ddMs2sM (單軸晶體) 對三軸晶體(K10的立方晶系材料)srMM8312. 0 對四軸晶體(K10的立方晶系材料)srMM866. 0圖8.2.3 各種磁性材料的Mr/Ms的期待值其他因素對剩磁的影響8.3一次退磁后, H = 0, M = 0點上磁疇磁化的分布 飽和剩磁點反向磁化H=-(Hc+H)撤去反向場,使H=0,M=0正向磁化 疇壁位移反磁化情況 設(shè)反轉(zhuǎn)部分最大角度為0(疇壁位移機制)42sincos00srsMMdM應(yīng)有可得42/2sin00(單軸晶體)對立方晶體75.310)0(1K73.270)0(1K反磁化機制為不可逆轉(zhuǎn)運時 易磁化方向與外磁場成45角的粒子，其磁化矢量最容易反轉(zhuǎn) 半頂角為30及60的園錐之間的磁化矢量發(fā)生了反轉(zhuǎn) 各種材料

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