1、會計(jì)學(xué)1數(shù)字電路數(shù)字電路 半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器1、功能、功能2、結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)利用利用地址碼地址碼分配輸入輸出。分配輸入輸出。寄存器寄存器 一種能存儲一種能存儲大量大量二值信息二值信息（二值數(shù)據(jù)）的半導(dǎo)體器件；（二值數(shù)據(jù)）的半導(dǎo)體器件；輸入輸出輸入輸出直接引出直接引出；半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器第2頁/共31頁雙極型雙極型MOS型型工作速度快，在微機(jī)中作工作速度快，在微機(jī)中作高速緩存高速緩存功耗小，因而集成度高；用于大容量功耗小，因而集成度高；用于大容量存儲，如微機(jī)中的存儲，如微機(jī)中的內(nèi)存條內(nèi)存條。第3頁/共31頁只讀存儲器只讀存儲器ROMRead Only Memory

2、隨機(jī)存取存儲器隨機(jī)存取存儲器RAMRandom Access Memory信息可長期保存信息可長期保存，斷電也不丟失斷電也不丟失隨寫隨讀，隨寫隨讀，斷電后信息就丟失斷電后信息就丟失。EPROMROMPROMprogrammableErasableDRAMSRAMstaticdynamic第4頁/共31頁第5頁/共31頁MOS 、二極、二極管、三極管管、三極管地址譯成地址譯成控制信號控制信號提高負(fù)載能力提高負(fù)載能力三態(tài)控制，總線結(jié)構(gòu)三態(tài)控制，總線結(jié)構(gòu)第6頁/共31頁第7頁/共31頁存儲矩存儲矩陣陣(4個(gè)個(gè)或門或門)地址譯碼地址譯碼器器(4個(gè)與個(gè)與門門)緩 沖緩 沖輸出輸出位位線線字字線線地地址址

3、線線第8頁/共31頁110101111000001100001111地地 址址A1A0D3D2D1D0內(nèi)內(nèi) 容容4、容量表示、容量表示字線字線位線位線存儲存儲單元單元第9頁/共31頁0011100101111100第10頁/共31頁2、方法：、方法：熔絲未熔為熔絲未熔為1熔絲熔斷為熔絲熔斷為0第11頁/共31頁缺點(diǎn)缺點(diǎn)：只能寫入一次只能寫入一次第12頁/共31頁2、實(shí)現(xiàn)：、實(shí)現(xiàn)：3、結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu):總體是一樣，只是存儲單元的結(jié)構(gòu)不同總體是一樣，只是存儲單元的結(jié)構(gòu)不同UVEPROM紫外線可擦除的紫外線可擦除的PROME2PROM電可擦除的電可擦除的PROMFlash Memory快閃存儲器快閃存儲器

4、第13頁/共31頁UVEPROM E2PROMFlash Memory存儲存儲單元單元SIMOS(疊柵注入疊柵注入MOS)Flotox（浮柵隧道氧（浮柵隧道氧化層化層MOS）寫入類似寫入類似EPROM，擦除類似擦除類似E2PROM特點(diǎn)特點(diǎn) 單單MOS管管2個(gè)個(gè)MOS管管單單MOS，集成度高，集成度高擊穿電壓高擊穿電壓高擊穿電壓高擊穿電壓高結(jié)構(gòu)簡單，編程可靠結(jié)構(gòu)簡單，編程可靠操作復(fù)雜，操作復(fù)雜，防止光照防止光照讀寫時(shí)間長讀寫時(shí)間長擦除快擦除快應(yīng)用應(yīng)用 ROMROM移動磁盤移動磁盤第14頁/共31頁理理第15頁/共31頁第16頁/共31頁第17頁/共31頁123456789181716151413

5、121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM 2114 102442345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM 6116 20488A2A711112141324A8D5D6D7RDWR第18頁/共31頁SR鎖存器鎖存器門控管門控管字線字線位位線線讀寫控讀寫控制電路制電路存儲存儲單元單元第19頁/共31頁1、單管動態(tài)、單管動態(tài)MOS存儲單元存儲單元破壞性讀出破壞性讀出存儲存儲單元單元需要配置靈敏恢復(fù)需要配置靈敏恢復(fù)/讀出放大器讀出放大器第20頁/共31頁第

6、21頁/共31頁方法：方法：地址線共用，而數(shù)據(jù)線并行使用地址線共用，而數(shù)據(jù)線并行使用第22頁/共31頁思路：思路：(1) 訪問訪問1024個(gè)單元，必然有個(gè)單元，必然有 10 根地址線；根地址線；(2) 訪問訪問 256個(gè)單元，只需個(gè)單元，只需 8 根地址線，根地址線，尚余尚余 2 根地址線根地址線 ；(3) 設(shè)法用設(shè)法用剩余的剩余的2根地址線去控制根地址線去控制4個(gè)個(gè)2568RAM的片選端的片選端 。（需要一個(gè)（需要一個(gè)2線線4線譯碼器）線譯碼器）數(shù)據(jù)線共用，地址線擴(kuò)展數(shù)據(jù)線共用，地址線擴(kuò)展第23頁/共31頁第24頁/共31頁A9A8選中片序號選中片序號 對應(yīng)的存儲單元對應(yīng)的存儲單元 0 0

7、1 1RAM(1)RAM(2)RAM(3) RAM(4)000 255256 511512 767768 1023 0 1 1 0第25頁/共31頁例：例：用用RAM2114（1K4）擴(kuò)展成）擴(kuò)展成4K8，需要幾片？需要幾片？8片片一般先位擴(kuò)展再字?jǐn)U展一般先位擴(kuò)展再字?jǐn)U展第26頁/共31頁000011111011010001011101地地 址址A1A0D3D2D1D0內(nèi)內(nèi) 容容也是一個(gè)多輸出組合邏輯電路的真值表也是一個(gè)多輸出組合邏輯電路的真值表函數(shù)函數(shù)輸出輸出變量變量輸入輸入函數(shù)函數(shù)取值取值第27頁/共31頁1234YABCABCYABCDBCDABCDYABCDABC DYABCDABCD化成最小項(xiàng)之和形式化成最小項(xiàng)之和形式12367267101434144215YmmmmYmmmmYmmYmm選擇選擇244的的ROMABCD作為作為4