1、擁有業(yè)界領(lǐng)先的768DUT的DRAM晶圓并行測(cè)試能力愛德萬測(cè)試為DRAM晶圓測(cè)試開發(fā)的新一代存 儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)T5385提供了無與倫比的 768DUT并行測(cè)試能力及533Mbps測(cè)試速率， 可進(jìn)一步提升您的產(chǎn)量并降低您的測(cè)試成本。 T5385能夠根據(jù)待測(cè)器件靈活地配置測(cè)試通道 數(shù)量，以最優(yōu)化的方式為各種DRAM器件分配 通道資源，從而最大化同測(cè)數(shù)、最小化扎針次數(shù)、 進(jìn)一步提升產(chǎn)能，因此特別適用于高產(chǎn)量的晶圓 廠。T5385在提升同測(cè)數(shù)量的同時(shí)更提高了每顆 待測(cè)器件的測(cè)試效率，使其在消費(fèi)類器件（如LPDDR2、DDR3多die堆疊型器件）的KGD （Known Good Die）測(cè)試中大幅提升產(chǎn)能

2、。高吞吐速率、低測(cè)試成本當(dāng)今，在電腦及其他各類電子產(chǎn)品中，新一代的DRAM存儲(chǔ)器提供了更快的存 取速度、更高的存儲(chǔ)容量，以及更優(yōu)良的電源功耗。這一切都得益于半導(dǎo)體行 業(yè)對(duì)更小節(jié)點(diǎn)制程的積極推進(jìn)。更小節(jié)點(diǎn)的制程可以在每片晶圓上制造出更多 的、更高密度的芯片，同時(shí)也對(duì)DRAM晶圓測(cè)試的吞吐速率提出了苛刻的要求。 在各大芯片制造廠商的要求下，愛德萬測(cè)試推出的新一代T5385測(cè)試系統(tǒng)提供 了無與倫比的同測(cè)能力及靈活的通道資源分配能力，顯著提升了晶圓測(cè)試過程 中的吞吐速率。高速的存儲(chǔ)器修復(fù)分析（Memory Repair Analysis，艮口 MRA）T5385在軟硬件系統(tǒng)上具備大量?jī)?yōu)勢(shì)，其中之一是高

3、速的存儲(chǔ)器修復(fù)分析系統(tǒng) （Memory Repair Analysis，即MRA）。高速的存儲(chǔ)器修復(fù)分析可以大幅降低 DRAM或FLASH晶圓測(cè)試的時(shí)間。與本公司的前一代系統(tǒng)相比，T5385可以 縮短30%的測(cè)試時(shí)間。通過將冗余處理及數(shù)據(jù)傳輸交由后臺(tái)處理，T5385可進(jìn) 一步縮短晶圓測(cè)試時(shí)間。FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試能力T5385支持FLASH存儲(chǔ)器的晶圓測(cè)試。它獨(dú)家擁有專為FLASH存儲(chǔ)器優(yōu)化的 tester-per-site構(gòu)架，可大幅縮短測(cè)試時(shí)間。適用于DRAM研發(fā)的T5385ES存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)專為工程目的而設(shè)計(jì)的T5385ES,既擁有更小的體積，又具備T5385的所有功 能及性能。通過T5

4、385ES,可以方便地對(duì)待測(cè)器件進(jìn)行工程驗(yàn)證及特性分析。 此外，在T5385ES上開發(fā)的測(cè)試程序可以無縫移植到T5385上，加快DRAM程序的開發(fā)速度。主要性能目標(biāo)芯片:DRAM、SDRAM、DDR 器件、SRAM、FLASH 存儲(chǔ) 器、EPROM.等同測(cè)能力:T5385:最大768同測(cè)T5385ES：最大12同測(cè)測(cè)試速率:266MHz / 533Mbps (在 DDR 模式下)IC測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品的維修和維護(hù)，請(qǐng)使用下列聯(lián)絡(luò)信息:關(guān)于IC測(cè)試系統(tǒng)的維修和維護(hù)，請(qǐng)聯(lián)系我們:華東地區(qū)客戶請(qǐng)聯(lián)系TEL: (0512)6256-8318FAX: (0512)6256-8328華南及上海地區(qū)客戶請(qǐng)聯(lián)系TE

5、L: (021)6485-2725FAX: (021)6485-2726北方地區(qū)客戶請(qǐng)聯(lián)系TEL: (010)8235-3377FAX: (010)8235-6717西南地區(qū)客戶請(qǐng)聯(lián)系TEL: (028)8785-0652FAX: (028)8782-0771關(guān)于電子測(cè)量?jī)x器的維修和維護(hù)，請(qǐng)聯(lián)系：#S易(上海)有限公司TEL: (021)5820-5887FAX: (021)5820-4861地址:上海市行區(qū)紫竹科學(xué)I!區(qū)紫日路609號(hào)URL: HYPERLINK E-mail: HYPERLINK mailto:denkei_china denkei_china科雷工程有限公司TEL: (8

6、52)2559-2041FAX: (852)2858-2555地址:香港鲗魚涌海灣街1號(hào)華懋交易廣場(chǎng)25樓URL: HYPERLINK .hk/chs/location.htm .hk/chs/location.htm電路板修理申請(qǐng)系統(tǒng)登錄該系統(tǒng)，電路板修理將變得更方便，正確及時(shí)的信息錄入既可以降低修理費(fèi)用，又可以 加快修理速度。登錄鏈接：電路板修理申請(qǐng)系統(tǒng)VENUS高速的Per-Site系統(tǒng)購價(jià)，測(cè)試頻率高達(dá)266MHz/533MbpsT5781T5781ES隨著移動(dòng)電話，移動(dòng)設(shè)備功能的提升，高像素的照相機(jī)、內(nèi)嵌的音樂播放器等功能，越來越 多的被嵌入到移動(dòng)設(shè)備中。隨之應(yīng)運(yùn)而生的是對(duì)移動(dòng)設(shè)備中

7、存儲(chǔ)器容量、功能、速度的提高。這一趨勢(shì)，推動(dòng)了 MCP的發(fā)展，所謂MCP(multi chip packages)是指將多個(gè)存儲(chǔ)器芯片- 比如NAND、NOR、SDRAM等安裝在同一個(gè)封裝中。T5781為此類芯片提供了高性價(jià)比， 高產(chǎn)能的測(cè)試方案。同測(cè)能力高達(dá)512個(gè)芯T5781的Per-Site構(gòu)架為MCP和Flash芯片測(cè)試提供了最優(yōu)化的測(cè)試環(huán)境T5781的同測(cè) 能力對(duì)于MCP最大可達(dá)256同測(cè)，對(duì)于NAND Flash最大可達(dá)512同測(cè)。T5781具有全 IO通道，配合新開發(fā)的switch matrix測(cè)試接口，測(cè)試資源可以被更加靈活的分配，以對(duì)應(yīng) 不同種類MCP的測(cè)試需求。此外T578

8、1的DRAM測(cè)試功能能夠滿足不同種類DRAM的測(cè) 試要求。T5781ES面向芯片評(píng)價(jià)以及測(cè)試程序開發(fā)T5781ES工程用機(jī)具備T5781測(cè)試系統(tǒng)的全部功能，占地面積小，為芯片的分析評(píng)價(jià)以及 測(cè)試程序的開發(fā)提供了低成本的方案。此外測(cè)試程序，操作系統(tǒng)，以及硬件構(gòu)架的與T5781 兼容。測(cè)試程序基本可以直接移植到T5781。最大程度的縮短了新產(chǎn)品從程序開發(fā)/評(píng)價(jià)到 量產(chǎn)的整個(gè)周期。FutureSuite,支持多種編程語言FutureSuite系統(tǒng)，為per-site構(gòu)架提供了更好的支持。其良好的擴(kuò)展性，極大程度上簡(jiǎn)化 了設(shè)計(jì)階段到量產(chǎn)階段測(cè)試程序的擴(kuò)展。FutureSuite支持多種編程語言。包括傳

9、統(tǒng)的ATL 編程語言，以及基于C語言的MCI（Macro Control Interface）語言。主要性能機(jī)型T5781T5781ES目標(biāo)芯片：Flash memory, MCP等同測(cè)能力：最大支持512芯片同測(cè)最大支持32芯片同測(cè)（x8/x9 bits, I/O 共享模式）測(cè)試速率：266MHz/533Mbps （DDR 模式）FutureSuite是由ADVANTEST CORPORATION在日本，美國和其他國家注冊(cè)的注冊(cè)商標(biāo)存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)同測(cè)能力高達(dá)384芯片高集成度的測(cè)試通道設(shè)計(jì)降低測(cè)試成本 在DRAM的制造中，12寸原晶片工藝的提高使 芯片的集成度、頻率達(dá)到了一個(gè)新的高度。在手

10、機(jī)、個(gè)人電腦等各類數(shù)碼產(chǎn)品的運(yùn)用需求的推動(dòng) 下，存儲(chǔ)器特別是多層SIP（系統(tǒng)級(jí)封裝）器件的 需求量日益增加。對(duì)于這一發(fā)展趨勢(shì)，從DRAM芯片的前道測(cè)試到Flash/MCP/SIP的后道測(cè)試，T5383及時(shí)的提供了測(cè)試 階段的解決方案。與早期的系統(tǒng)相比，在相同占地面的情況下，T5383高集成度的測(cè)試通道設(shè)計(jì)能可以增 加50%以上測(cè)試資源。高同測(cè)數(shù)，靈活的測(cè)試通道配置降低測(cè)試成本T5383提供了更豐富的測(cè)試資源，因此T5383可以支持具有更高通道數(shù)的芯片，同時(shí)也具備更高的同測(cè) 能力。其同測(cè)能力為前一代系統(tǒng)的1.5倍，達(dá)到384芯片同測(cè)。此外T5383靈活的通道配置方式也大大 的增強(qiáng)了同測(cè)試時(shí)系統(tǒng)配

11、置的靈活性與多樣性。從而大大降低了測(cè)試成本。行業(yè)內(nèi)最塊的測(cè)試速度，最短的測(cè)試時(shí)間T5383的測(cè)試頻率為286MHz/572Mbps，使其成為這一領(lǐng)域中最高速的測(cè)試設(shè)備。測(cè)試速度提高的同時(shí)， 使得測(cè)試時(shí)間縮短，同時(shí)也提高了系統(tǒng)的錯(cuò)誤檢出比率（比如KGD測(cè)試）。此外T5383在存儲(chǔ)器修復(fù)分 析硬件（MRA4ev3和DualAFM選件）得到了進(jìn)一步的提高，高速的數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)傳輸使其在芯片修 復(fù)分析階段的效率提高了一倍。FutureSuite 支持多種編程語言T5503使用愛德萬測(cè)試版權(quán)所有的FutureSuite軟件作為其操作系統(tǒng)，F(xiàn)utureSuite支持多種編程語言。包 括傳統(tǒng)的ATL編程語言

12、，以及基于C語言的MCI（Macro Control Interface）語言。目標(biāo)芯片:主要性能DRAM, SDRAM, DDR devices, SRAM and flash memory, EPROM,等同測(cè)能力:最大支持384芯片同測(cè)測(cè)試速率：286MHz/572MbpsFutureSuite是由ADVANTEST CORPORATION在日本，美國和其他國家注冊(cè)的注冊(cè)商標(biāo)存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)可靈活測(cè)試MCP等器件的高吞吐速率的測(cè)試系 統(tǒng)隨著手機(jī)、筆記本電腦等產(chǎn)品的功能不斷提升、 體積不斷縮小，存儲(chǔ)器器件也相應(yīng)地向著高速、 大容量的方向在發(fā)展。此外，隨著終端市場(chǎng)需求的多元化，MCP類芯 片（

13、如DRAM + FLASH堆疊芯片）的需求量也 在持續(xù)暴漲。T5587滿足了以上市場(chǎng)的需求，它擁有增強(qiáng)的 FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試功能及高吞吐速率，可實(shí)現(xiàn) 最大400Mbps的測(cè)試速率及高達(dá)512器件的同 測(cè)能力。同測(cè)能力高達(dá)512芯片T5587滿足了 MCP對(duì)更高的測(cè)試吞吐速率的需求，可同時(shí)測(cè)試最大512個(gè)待測(cè)器件。高速的Flash存儲(chǔ)器測(cè)試能力T5587可實(shí)現(xiàn)400Mbps的高速測(cè)試。此外，T5587的增強(qiáng)型壞塊屏蔽功能及全新設(shè)計(jì)的高速數(shù)據(jù)傳輸總 線更可大幅提升NAND FLASH的同測(cè)效率。MCP/DRAM12S256&12Number of simuftaneous testing使用Fu

14、tureSuite,支持多種編程語言T5587使用愛德萬測(cè)試版權(quán)所有的FutureSuite軟件作為其操作系統(tǒng)，F(xiàn)utureSuite支持多種編程語言。包 括傳統(tǒng)的ATL編程語言，以及基于C語言的MCI(Macro Control Interface)語言。主要性能目標(biāo)芯片：DDR-SDRAMs, FLASH memories同測(cè)能力：最大支持512芯片同測(cè)測(cè)試速率：200MHz/400Mbps(DDR 模式)存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)面向NAND Flash芯片，最高可達(dá)512芯片同測(cè)T5761T5761ES由于被包括手機(jī)、隨身聽、數(shù)字電視產(chǎn)品以及汽車導(dǎo)航系統(tǒng)等消費(fèi)類產(chǎn)品無止境的需求所推動(dòng)，市場(chǎng)上對(duì) N

15、AND flash的需求持續(xù)急速上升。雖然芯片內(nèi)部集成度的增加和MLC技術(shù)在NAND flash開始應(yīng)用使得 測(cè)試時(shí)間增加，但是消費(fèi)類市場(chǎng)銷售價(jià)格的持續(xù)下降，對(duì)整體測(cè)試成本的削減提出了進(jìn)一步需求。作為應(yīng) 對(duì)，T5761存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)不但可以大幅縮短測(cè)試時(shí)間，而且憑借其擁有的512同測(cè)能力，per-site的架 構(gòu)，ECC以及實(shí)時(shí)測(cè)試編程功能，T5761也能大幅降低測(cè)試成本。512芯片同測(cè)能力與ECC功能提高了測(cè)試產(chǎn)量T5761基于per-site構(gòu)架，其同測(cè)能力高達(dá)512個(gè)芯片，每個(gè)site具備2個(gè)NAND Flash芯片的測(cè)試能 力，同時(shí)per-site構(gòu)架使每個(gè)被測(cè)芯片之間互相獨(dú)立，因此極大的提高了測(cè)試效率。T5761搭載的ECC 模塊，提供實(shí)時(shí)的ECC功能。對(duì)于Bit密度日益增加的NAND Flash良率的提高有顯著的作用。緊湊的工程站T5761ESCEngineering Station)降低了小批量芯片的測(cè)試程序開發(fā)，評(píng)價(jià)成本。與T5761相比，T5761ES 具有緊湊的結(jié)構(gòu)，該機(jī)型在性能與功能上與T5761相同。T5761ES與T5761提供了芯片測(cè)試程序開發(fā)， 評(píng)價(jià)到量產(chǎn)的無縫連接。使用FutureSuite,支持多種編程