場效應(yīng)管放大電路(1)靜態(tài)：適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn)，使場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，場效應(yīng)管的偏置電路相對簡單。(2)動(dòng)態(tài)：能為交流信號提供通路。組成原則：靜態(tài)分析：估算法、圖解法。動(dòng)態(tài)分析：微變等效電路法。分析方法：MOSFET放大電路一、直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算1、共源放大電路結(jié)構(gòu)DGSBRG1RG2RDRSRLC1C2CSuiuo++--+UDDMOS管必須工作于恒流狀態(tài)，即：UGS>UGS(th)、UDS>UGS-UGS(th)采用分壓偏置式偏置電路，以保證靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定。輸入回路與輸出回路共源極。2、共源放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算Q點(diǎn)=（VGSQ、IDQ、VDSQ）IGQ=？直流通路DGSBRG1RG2RDRS+VDDVGSQIDQVDSQDGSBRG1RG2RDRSRLC1C2CSuiuo++--+UDD由于IG=0，則G點(diǎn)電位為假定MOS管工作在飽和區(qū)解方程組（2），可得IDQ。直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算求VGSQ判斷飽和區(qū)的假設(shè)是否正確例1：在N溝道EMOS管電路中，已知解：由于IG=0,柵極和源極上的電壓分別為設(shè)MOS管工作在飽和區(qū)，則不合理MOS管工作在飽和區(qū)，假設(shè)成立管子參數(shù)，求直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算：例1例2：圖示為雙電源供電的在N溝道EMOS管電路中，已知解：由于IG=0,柵極和源極上的電壓分別為設(shè)MOS管工作在飽和區(qū)，則不合理MOS管工作在飽和區(qū)，假設(shè)成立管子參數(shù)，求直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算：例2解：設(shè)MOS管工作于飽和區(qū)，則有：例：設(shè)MOS管參數(shù)為：電路參數(shù)流過Rg1的電流為ID的1/10求：Rg1Rg2的值？由此可得：流過Rg1，Rg2的電流約為0.05mA，即有：MOS管工作在飽和區(qū)，假設(shè)成立由此可得：考慮到：有：解：當(dāng)vI=0時(shí)，珊極相當(dāng)于接地，且Rg上無電流通過例：設(shè)NMOS管參數(shù)為：電源電壓、電流求：電路參數(shù)？由此可得：源極電壓設(shè)MOS管工作于飽和區(qū)，則有：漏極電流MOS管工作在飽和區(qū)，假設(shè)成立考慮到：當(dāng)：漏源電壓：gsd跨導(dǎo)漏極輸出電阻vGSiDvDS二、場效應(yīng)管的微變等效電路

場效應(yīng)管的微變等效電路為：因?yàn)闁艠O電流為零，所以柵源間相當(dāng)于開路。

很大，可忽略。gsdvGSiDvDS三、MOS場效應(yīng)管放大電路分析（1）共源放大電路的微變等效電路交流通路DGSBRG1RG2RDRSRLC1C2CSvivo++--+VDDDGSRG1RG2RDRLvivo++--+-vgsgmvgsidii結(jié)論：（1）共源電路與共射電路結(jié)構(gòu)相似，性能也相似。（2）共源電路放大電路的Ri比共射電路的Ri大很多，可由電阻RG1、RG2決定。微變等效電路DGSBRG1RG2RDRLuivo++--電壓放大倍數(shù)Av：輸入電阻Ri：輸出電阻Ro：共漏放大電路1、共漏放大電路結(jié)構(gòu)DGSBRG1RG2RSRLC1C2viuo++--+VDD輸入回路與輸出回路共漏極2、靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算Q點(diǎn)=（VGSQ、IDQ、VDSQ）由電路結(jié)構(gòu)，有即：又：解方程組2，可得IDQ、VGSQ。MOS場效應(yīng)管放大電路分析（2）3、共漏放大電路動(dòng)態(tài)參數(shù)計(jì)算DGSBRG1RG2RSRLC1C2vivo++--+VDD微變等效電路DGSRG1RG2RSRLViVo++--+-VgsgmVgsidii電壓放大倍數(shù)AV：輸入電阻Ri：所以：即：結(jié)論：（1）共漏電路與共集電路結(jié)構(gòu)相似，性能也相似。（2）因?yàn)锳v≈1，共漏電路電路也稱源極跟隨器。（3）共漏電路的RO比共源電路的RO小。輸出電阻Ro：DGSRG1RG2RSvo+-+-vgsgmvgsidiO因?yàn)椋河郑篗OS場效應(yīng)管放大電路分析（3）VDD=20VvoRSviCSC2C1R1RDRGR2RL150k50k1M10k10kgds10kMOS場效應(yīng)管放大電路分析（4）例題微變等效電路sgR2R1RGRL'dRLRDRo=RD=10ksgR2R1RGRL'dRLRDMOS場效應(yīng)管放大電路分析（5）例題四、場效應(yīng)管放大電路小結(jié)(1)場效應(yīng)管放大器輸入電阻很大。(2)場效應(yīng)管共源極放大器(漏極輸出)輸入輸出反相，電壓放大倍數(shù)大于1；輸出電阻=RD。(3)場效應(yīng)管源極跟隨器輸入輸出同相，電壓放大倍數(shù)小于1且約等于1；輸出電阻小。解:(1)求靜態(tài)值例：設(shè)場效應(yīng)管的參數(shù)為試確定電路小信號電壓增益？(2)求FET的互導(dǎo)和輸出電阻：當(dāng)MOS管工作于飽和區(qū)時(shí)MOS管工作在飽和區(qū)，滿足線性放大器的電路要求(3)求電壓增益所以有例：設(shè)MOS管參數(shù)為：電路參數(shù)求：電壓增益、源電壓增益、輸入輸出電阻？解：由例的直流分析已知小信號互導(dǎo)、輸出電阻為輸出電壓：由此可得：電壓增益：輸出電阻：輸入電阻：源電壓增益：例：設(shè)耦合電容對信號頻率可視為交流短路,場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)，rds很大，可忽略。試畫出其小信號等效電路，求出其輸入電阻、小信號電壓增益、源電壓小信號電壓增益和輸出電阻。解：其小信號等效模型如下圖電壓增益：源電壓增益：由圖有：源極跟隨器電壓增益小于1但接近于1令vs=0,保留其內(nèi)阻Rs,然后在輸入端加一測試電壓vt,求輸出電阻的電路如右圖所示所以源極跟隨器電阻等于源極電阻、MOS輸出電阻、和互導(dǎo)倒數(shù)相并聯(lián)，所以較小3.三種基本放大電路的性