單晶IPQC作業(yè)指導(dǎo)與培訓(xùn)制作人：孟康主要內(nèi)容1.概述2.單晶工藝流程3.單晶IPQC日常規(guī)范及要求4.異常的處理及反饋概述1、目的：為了能更好、更快地了解與適應(yīng)單晶IPQC的工作職責(zé)與工作規(guī)范，特制定了此培訓(xùn)與指導(dǎo)資料2、整個單晶作業(yè)流程包括引晶，放肩，等徑，收尾等重要環(huán)節(jié)。為整個生產(chǎn)重要的環(huán)節(jié)。了解并熟知有祝與我們更好的服務(wù)于生產(chǎn)車間3、品質(zhì)管理的定義：希望以最經(jīng)濟的方法生產(chǎn)出讓客戶滿意的產(chǎn)品4、制程檢驗的目的：于大量生產(chǎn)型的工廠中、及時發(fā)現(xiàn)不良，采取措施，可以防止大量不良品的發(fā)生；針對品質(zhì)非機遇性之變因，于作業(yè)過程中加以查核，防止不良品的產(chǎn)生。如查核作業(yè)流程是否更動、新手對于作業(yè)標準（合法）是否了解、機器、模具是否正常，作業(yè)條件有無變動；通過檢驗事實，不讓制程的不良品流入次工程5、制程檢驗的做法：制程檢驗最有效，成本最低的應(yīng)是由品管人員實施巡回檢驗；使用查核表作記錄；查核項目除了在制半成品，應(yīng)該包括可能造成品質(zhì)變因之作業(yè)因素；查核項目、查核方法、時間頻度應(yīng)事先涉及于查核表上6、檢驗的重點：該制程的檢驗員為了有效控制制程，使不良率不會因異常的制程原因而升高，對于不穩(wěn)定的因素應(yīng)事先了解掌握，并做重點控制，不穩(wěn)定因素包括：a、該品以前，生產(chǎn)曾有異常，有不良較高的記錄；b、使用機器不穩(wěn)定；c、IQC有材料不甚理想的物品；d、新導(dǎo)入量產(chǎn)品額；e、新的操作人員(簡要概括為：人、機、料、法、環(huán)）7、品質(zhì)異常的反饋與處理單晶工藝流程作業(yè)準備→熱態(tài)檢漏→取單晶和籽晶→石墨件取出冷卻→真空過濾器清洗→真空泵油檢查更換→石墨件清洗→單晶爐室清洗→石墨件安裝→石英坩堝安裝→硅料安裝→籽晶安裝→抽空、檢漏→充氬氣、升功率、熔料→引晶、縮頸、放肩、轉(zhuǎn)肩→等徑生長→收尾→降功率、停爐冷卻單晶工藝重要環(huán)節(jié)A.作業(yè)準備B.石墨件清洗C.石墨件安裝D.硅料安裝E.抽空檢漏F.引晶，縮頸，放肩，轉(zhuǎn)肩G.等徑生長H.收尾A.作業(yè)準備a.進入單晶車間須穿戴好潔凈工作服、鞋。b.開爐前，按工藝要求檢查水、電、氣，確認無誤后方能開爐。c.準備好一次性潔凈手套、耐高溫手套、毛巾、紙巾、研磨布、酒精、吸塵刷、吸塵管、防塵口罩。d.準備好鉗子、扳手和各類裝拆爐專用工具。e.取單晶的架子、裝石墨件的不銹鋼小車、裝堝底料的不銹鋼筒和裝硅料的不銹鋼小車，并處理干凈。f.用毛巾將爐體從上到下一遍，擦洗時注意不要將所有控制接線及開關(guān)碰斷或碰壞，并把爐子周圍清掃干凈。B.石墨件清洗a.石墨件必須在指定的清洗室進行清洗，準備好清洗用品(吸塵刷、紙巾、吸塵管、研磨布、除硅粒的專有工具、放石墨件的潔凈小車等)戴好手套、防塵口罩。清洗好清洗臺及周圍環(huán)境。b.依次用吸塵刷清洗各類石墨件直至確認無污物，溝槽及接口等吸附揮發(fā)物較多的部位要用研磨布認真打磨后再吸塵清洗。C.清洗時注意檢查各石墨件是否有損壞及粘硅，有損壞及粘硅要及時更換和處理。d.操作時要輕拿輕放以免造成石墨件的損壞。e.清理完畢的石墨件放到事先準備好的潔凈不銹鋼小車上。禁止疊加，移動不銹鋼小車要穩(wěn)當(dāng)。

f.清洗后垃圾放入垃圾指定處，清洗好清洗臺及周圍環(huán)境。

C.石墨件安裝a.清洗后的石墨大件安裝（一般3爐做一次）。1.清理完畢的石墨大件不銹鋼小車移到單晶爐旁邊，移動過程要穩(wěn)當(dāng)。2.依次裝好石墨電極、爐底碳氈、爐底壓片、下保溫罩，兩側(cè)排氣管、爐底上壓片下小石墨碳氈，爐底上壓片、堝桿護套、電極護套、石英電極環(huán)。安裝電極時檢查接觸面是否平整，上下接觸面要放一層石墨紙，防止熱場打火3.將清洗后的加熱器裝好，擰上石墨螺絲，要擰緊，不然要引起熱場打火，并蓋上石墨螺絲蓋。4.將清洗后的中保溫罩裝好，卡口接到位。并校正與加熱器的間距，要均勻一致，否則需調(diào)整好。5.爐筒復(fù)位，打開液壓泵，升起爐筒至上限，用沾有酒精的紙巾擦洗下爐筒上部的結(jié)合部和爐筒下部的結(jié)合部，同時轉(zhuǎn)動爐筒到適當(dāng)位置。6.按爐筒降，爐筒降到位后，校對測溫孔，防止測光信號過小無法溫度自控。7.安裝熱電錐，將其及對應(yīng)的密封及玻璃按原次序裝好8.將清洗后的上保溫罩裝好，并卡口接到位。9.做好加熱器廠家，使用爐次的相應(yīng)記錄。b.清洗后石墨小件安裝

1.用專用工具裝好堝桿。一定要擰緊堝桿螺絲，防止因松動造成液面晃動。2.依次裝好堝底、三瓣堝。安裝時要確認堝桿、堝底、三瓣堝是否吻合，要認真、細心，防止碰壞保溫材料或加熱器。3.裝好后要打開堝轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)一下，以檢驗三瓣堝與加熱器間距上否一致。若不一致，需及時調(diào)整。D.硅料安裝a.取來裝料不銹鋼車，硅料及母合金，仔細核對配料單的各項內(nèi)容是否與單晶爐號、配料實物和母合金實物一致，若有異常及時處理并報告班長或主任b.更換裝料用的手套，如有母合金先放入石英坩堝。再將碎料、小料平鋪在堝底c.將大塊料放置中央，用中型料放于大料四周上方左右予以固定，間隙中放入小硅料。裝料時要慎重作業(yè)，輕拿輕放，防止碰撞石英坩堝，不要使料掉在保溫罩的縫隙，以免造成打火。d.裝料時注意不要使料探出石英坩堝，否則會在熔料過程中引起硅液流下，損壞石墨件，甚至燜爐。e.裝料完成后打開堝轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)一下，確認四周間隙一致，再快速將堝降至下限。停止旋轉(zhuǎn)。f.堝上部、加熱器上部、保溫罩上部再用干凈吸塵刷吸凈浮塵及硅渣。g.依次裝好保溫蓋、導(dǎo)流筒。安裝保溫罩、導(dǎo)流時要相互吻合，安裝導(dǎo)流筒時要慎重作業(yè)，如果與硅料發(fā)生接觸時要調(diào)整硅料的擺放，防止在化料過程中發(fā)生沾硅。E.抽空檢漏a.打開真空泵電源。b.緩慢打開主室球閥。c.抽空后爐內(nèi)壓力達到<20Pa時，進行反復(fù)充氬氣使?fàn)t內(nèi)壓力<3Pa。d.待爐內(nèi)壓力<3Pa后，關(guān)閉主室球閥而后關(guān)閉真空泵電源之后進行測漏，要求爐子漏氣速率<0.2Pa/min，檢漏時間5分鐘。檢漏合格進入加熱熔料工序e.若爐子漏氣速率>0.2Pa/min，則需重復(fù)a、b、c、d步進行抽空檢漏，若仍不合格報告維修人員處理。并進行相應(yīng)記錄。F.引晶，縮頸，放肩，轉(zhuǎn)肩a.穩(wěn)溫烤晶1.溫度切入自動后，籽晶快降降至主觀察窗能看到的位置，打開晶轉(zhuǎn)8r/min。堝轉(zhuǎn)6min2.20min后，將籽晶快降降至距硅液面10mm處預(yù)熱20分鐘3.預(yù)熱20min后，降籽晶使之與硅液面接觸，浸潤20分鐘，熔去籽晶較細的部分，根據(jù)接觸光圈的形狀，確定引晶溫度是否合適。4.若合適開始引晶；若不合適，通過歐陸表調(diào)整溫度30min后開始引晶，（若投料75kg，調(diào)整溫度后穩(wěn)定1h后開始引晶）溫度不宜偏低，每次調(diào)整的幅度不宜過大。5.若溫度不穩(wěn)，可適當(dāng)調(diào)整堝位±5mm，或適當(dāng)調(diào)整歐陸值，延長穩(wěn)定溫度的時間。F.引晶，縮頸，放肩，轉(zhuǎn)肩b.引晶1.打開晶升，計長歸0，緩慢提升拉速至1.5mm/min左右先縮頸約10mm后，

2.再提升拉速讓拉速保持在2mm/min~5mm/min之間，引晶直徑控制在3mm左右，長度不低于150mm3.引晶過程中若溫度不適合則重新進行歐陸表溫度的調(diào)整，但不宜過大，重新進行引晶。F.引晶，縮頸，放肩，轉(zhuǎn)肩c.放肩1.引晶長度達到150mm后，將拉速緩慢降至1.4mm/min2.待放肩直徑達到25mm左右時，通過歐陸表進行第一次降溫。3.10min后將拉速緩慢降至0.4mm/min，4.30min后，通過歐陸表進行第二次降溫，5.降溫過程分兩次完成，若晶體長勢出現(xiàn)異常，可以隨時通過歐陸表調(diào)整，保證放肩晶體長勢平滑，斜角與水平面成30°左右F.引晶，縮頸，放肩，轉(zhuǎn)肩d.轉(zhuǎn)肩1.6吋單晶，放肩直徑達到150±2mm時，將拉速緩慢提到2.0—2.5mm（6.5吋單晶，放肩直徑達到165±2mm時，將拉速緩慢提到1.7—2.2mm）進行轉(zhuǎn)肩。2.觀察單晶的生長速度調(diào)整拉速，待單晶生長到目標直徑時緩慢降低拉速同時適當(dāng)給定堝跟隨動3.計長清零，調(diào)整拉速到1.2mm/min，且拉速波動控制±0.2mm/min4.調(diào)整伊爾根使其壓單晶光圈1/3~1/2之間位置，直徑信號為500左右5.觀察單晶穩(wěn)定生長20mm，將計算機切入自動控制拉晶狀態(tài)G.等徑生長1.等徑過程中應(yīng)時常觀察爐內(nèi)單晶生長情況，每隔10分鐘對爐內(nèi)巡視1次，確認有無異常，每隔1小時對爐內(nèi)晶體測量一次直徑，并作拉晶記錄2.正常等經(jīng)中，△E值應(yīng)控制在±30，若變化超出范圍，觀察5min內(nèi)未恢復(fù)，可以手動干預(yù)Tr值進行調(diào)整，若10min內(nèi)未恢復(fù)，要將直徑退出自動，手動拉晶，直到長晶穩(wěn)定方可再投入自動。3.等經(jīng)過程中，若OP值變化過大，可檢查晶體生長曲線參數(shù)（參數(shù)為1.0）是否過大4.根據(jù)情況的不同，等徑至硅料液面下降到石英坩堝內(nèi)徑變小處時（應(yīng)該適當(dāng)增大堝升隨動。H.收尾1.當(dāng)晶體長度達到預(yù)定長度（根據(jù)堝內(nèi)實際剩料多少計算，可參照附錄C晶體收尾長度參考表）時，或斷棱需要收尾時，退自控，緩慢停止堝升進行收尾。并做好相應(yīng)記錄。2.要經(jīng)常查看收尾情況，對拉速和溫度做適當(dāng)調(diào)整。3.正常收尾長度應(yīng)為晶體等徑直徑的大小，收成尖尾后使單晶脫離液面，轉(zhuǎn)入R降功率、停爐冷卻工序。1.對車間衛(wèi)生、勞動紀律進行監(jiān)督；2.檢查各工序工藝要求執(zhí)行情況，并督促車間改進；3.對需要跟蹤的爐臺（試投爐臺、實驗爐臺）數(shù)據(jù)及時反饋到給直屬領(lǐng)導(dǎo)4.對車間發(fā)生的重大異常及人為異常及時開出異常單并跟蹤5.對近期的未閉環(huán)異常進行重點稽查；6.對近期經(jīng)常出現(xiàn)的人為異常重點跟蹤7.對班長交代的內(nèi)容及時跟蹤并匯報8.定期向直接上級匯報工作情況9.每周提交工作總結(jié)和學(xué)習(xí)計劃。單晶IPQC日常規(guī)范及要求異常的處理及反饋

a.操作人員違反工藝的處理與反饋1.巡檢在巡查時，若發(fā)現(xiàn)有操作人員違反操作工藝，應(yīng)立即進行制止并要求其改正2.若操作人員不配合工作，巡檢應(yīng)立即向生產(chǎn)當(dāng)班班長進行反饋并要求其現(xiàn)場糾正3.以文字的形式公平公正的將違規(guī)員工違規(guī)操作反饋與其主任b.本班異常的處理及反饋1.交接班時將本班發(fā)生的異常將書面形式書寫2.將本班未處理/跟蹤完的異常與下個班交接清楚3.本班發(fā)生的重