半導(dǎo)體物理學(xué)真題說明一、名詞解說（背資料）二、填空題：考察觀點(diǎn)、推論、特色、原理、條件、小計(jì)算（細(xì)看書）三、簡答題：考察名稱解說、形成體制、原由剖析、構(gòu)造特色（背資料）四、公式考察（最近幾年考得少了）：推導(dǎo)n型半導(dǎo)體低溫弱電離區(qū)的費(fèi)米能級(jí)、電子濃度表達(dá)式，過渡區(qū)的電子濃度；試寫出半導(dǎo)體中描繪非均衡空穴變化規(guī)律的一維連續(xù)性方程，并指出每一項(xiàng)意義推導(dǎo)n、p型半導(dǎo)體的愛因斯坦關(guān)系式；推導(dǎo)均衡pn結(jié)接觸電勢差與混雜濃度的關(guān)系；突變、緩變Pn結(jié)的電場電勢散布及結(jié)區(qū)寬度；推導(dǎo)MIS構(gòu)造中表面強(qiáng)反型的形成條件；推導(dǎo)pn結(jié)中光生伏殊效應(yīng)輸出電壓和電流的關(guān)系。五、繪圖：1、畫出絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體的能帶表示圖，并從能帶角度說明三者的差異；2、能量、速度和有效質(zhì)量與波矢的關(guān)系，說明電子有效質(zhì)量的物理意義和性質(zhì)；3、大概畫出硅、鍺和砷化鎵的能帶構(gòu)造，并語言描繪之；4、畫出并描繪雜質(zhì)的賠償作用表示圖；5、畫出n、p型半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)和載流子濃度隨溫度的變化曲線（見906半導(dǎo)體物理答案（計(jì)算題、填空題、判斷題））；6、硅電阻率與溫度關(guān)系表示圖，并作相應(yīng)的描繪；7、直流光電導(dǎo)測少子壽命裝置表示圖并說明其原理（906半導(dǎo)體物理答案（計(jì)算題、填空題、判斷題））；8、描繪均衡pn結(jié)形成過程，畫出其能帶圖、電勢圖、電勢能圖。正、反偏壓時(shí)pn結(jié)勢壘變化和費(fèi)米能級(jí)圖；突、緩變結(jié)的雜質(zhì)、電荷、電場、電勢、電勢能圖；9、畫出理想pn結(jié)的J-V曲線、反向偏壓下的J-V曲線、地道結(jié)的電流電壓特征曲線；10、金屬和n、p型半導(dǎo)體接觸時(shí)的能帶表示圖（共四個(gè)）；11、n、p型理想MIS構(gòu)造：聚積、平帶、耗盡、弱反型、強(qiáng)反型表示圖，并注明表面勢與外加電壓狀況；12、n、p型理想MIS構(gòu)造：表面電荷面密度與表面勢函數(shù)關(guān)系、C-V特征曲線；13、丈量頻次、金半功函數(shù)差、絕緣層中電荷（可動(dòng)鈉離子、固定電荷）對(duì)C-V特征曲線的影響。說明：名詞解說主要背超級(jí)要點(diǎn)名詞解說，可是非超級(jí)要點(diǎn)也得會(huì)；填空題出得有點(diǎn)點(diǎn)細(xì)，這個(gè)主要靠看書，要看的很細(xì)，這部分在考場能夠適合放棄，把真題中的填補(bǔ)題背背即可；簡答題也是背資料，要點(diǎn)背那些真題中出現(xiàn)過的題目，這部分重復(fù)率很高；至于公式考察只需會(huì)推以上那幾個(gè)要點(diǎn)就行，不會(huì)也沒關(guān)系，這三年幾乎不考了。以上繪圖題都是要點(diǎn)，一定全會(huì)。此中5、6、8、10、11、12是超級(jí)要點(diǎn)，死都要會(huì)畫得那種。還有計(jì)算題，真題中的計(jì)算題主要自田敬民的半導(dǎo)體習(xí)題，真題中的計(jì)算題一定會(huì)，有些難得能夠不會(huì)，計(jì)算題分?jǐn)?shù)也就10分之內(nèi)。看完每一章再看視頻后，