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?Dr.B.??Dr.B. VG<0時,過夾斷,縱向電場EA(從SD)—溝道 特點:高耐壓、大電流、低功耗、高速pnpn晶閘管SCR區(qū)別SCR:電

?Dr.B.晶閘管tryristor

?Dr.B.半??Dr.B.斷態(tài)區(qū)AK接負,但所加偏壓較小現(xiàn)雪崩擊穿,產(chǎn)生大量電子、空穴對,反向漏電流變大。器件轉載流子積累,器件轉為導通。IG增大,VB0減小。通常、空穴對受反向電場抽取,電子進入n1區(qū),空穴進入增強。出現(xiàn)電壓減小,電流增加的負阻現(xiàn)象。 ?Dr.B.

?Dr.B.

?Dr.B.??Dr.B.條件:VA>0,VG>0.縱、橫向p+-n--n+二極管(正偏壓)高電平雙極注入(似p+in+或p+n+),在溝道充滿空穴-電子等是陽極p+n-的正向壓降),但陽極p+n-結正向發(fā) 低,而陽極p+n-結正向發(fā)射隨VA而,呈現(xiàn)低壓

?Dr.B.

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