RAM靜態(tài)動態(tài)ROM 擦除后Flash器的值為邏輯1。每一位可以單獨(dú)通 MSP430 Flas區(qū)、信息區(qū)和引導(dǎo)加載器（BSL）。每個主有四個信息段，A到D。每個信息段包含 0110（一個扇區(qū)11從 從 從 MSP430F5xx6xx系列單片機(jī)的Flash寄存器如下表所列。址可以在具體的 配置和FlashFCTLx寄存器是一個16位的，具有保護(hù)的讀/寫寄存器。讀或?qū)憰r必須使用字指令，寫操作時高字節(jié)內(nèi)必須包括寫入0A5h。對志將置位，產(chǎn)生一個PUC系統(tǒng)復(fù)位。任何FCTLx寄存器高字節(jié)的結(jié) 作，ACCVIFG將置位。在塊寫入模式下，WAIT=1時，允許對FCTL1進(jìn)行寫操作，但是當(dāng)WAIT=0時，對FCTL1的寫操作為 當(dāng)BUSY1時，對FCTL2的任何寫入操作是當(dāng)BUSY=1時，可以讀FCTLx寄存器。讀操作不會產(chǎn) 當(dāng)BUSY=1時，從RAM （BUSY=0）,CPU將繼續(xù)取下一指令。當(dāng)寫操作完成且BUSY0時，F(xiàn)lash控制器才允許CPU取出操作代碼，繼續(xù)FLASH控制寄存器1位8FRKEY位7654321001字節(jié)/1011FLASH控制寄存器1位8FRKEY位76543210FLASH控制寄存器1位8FRKEY位76543210全部擦除（包括主FLASH和信息段00110101FLASH控制寄存器3位8位76543210鎖信息A段。對該位寫1能改變該位狀態(tài)。寫0信息A、B、C、D、被信息AFLASH控制寄存器3位8位76543210 FLASH控制寄存器3位8位76543210中斷標(biāo) 1沒有中斷產(chǎn)2FLASH控制寄存器3位8位76543210 寫入正 FCTLx寫入不正 FLASH控制寄存器3位8位76543210不 忙標(biāo)志位。該位指示是否FlashFLASH控制寄存器4位8位76543210FLASH控制寄存器4位8位76543210邊沿1邊沿1FLASH控制寄存器4位8FRKEY

邊沿0邊沿0邊沿讀0模式。該位使能邊沿讀0模式。僅僅當(dāng)從Flash區(qū)讀時，邊沿FLASH控制寄存器4位8FRKEY位76543210FLASH控制寄存器4位8位76543210②使 void｛//unsignedlong*FLASH_ptrD=(unsignedlong*)unsignedlongvalue= WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;While(FCTL3&BUSY);

FCTL3=FCTL1=*FLASH_ptrD=FCTL1=*FLASH_ptrD=

清除LOCK//寫While(FCTL3&BUSY);FCTL1=FWKEY;FCTL3=FWKEY+LOCK;｝

清除WRTunsignedlong*FLASH_ptrD=(unsignedlong*)0x1800;unsignedlongvalue=0x voidmain{unsignedint //擦除FLASHInfoD段do{ se( (unsignedint*)FLASH_ptrDstatus=Flash_eraseCheck( (unsignedint*)FLASH_ptrD,128);}while(status==//寫FLASHFlash_write32( (unsignedlong*)(FLASH_ptrD),1);②使 *FLASH_ptrC=(uint8_t*) *FLASH_ptrD=(uint8_t*