Integratedcircuits-MeasurementofelectromagneticemissioIGB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018前言 II 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語(yǔ)和定義 14試驗(yàn)條件 44.1概述 44.2環(huán)境條件 45試驗(yàn)設(shè)備 55.1概述 55.2屏蔽 55.3RF測(cè)量?jī)x器 55.4頻率范圍 65.5前置放大器或衰減器 65.6系統(tǒng)增益 65.7其他部件 66試驗(yàn)布置 66.1概述 66.2試驗(yàn)電路板 6 66.4電源要求—試驗(yàn)板電源 76.5IC的特殊考慮 77試驗(yàn)程序 77.1環(huán)境RF噪聲檢查 77.2運(yùn)行檢查 87.3具體程序 88試驗(yàn)報(bào)告 88.1概述 88.2環(huán)境RF噪聲 88.3器件的描述 88.4布置的描述 88.5軟件的描述 88.6數(shù)據(jù)表示 88.7RF發(fā)射限值 88.8結(jié)果說(shuō)明 8附錄A（資料性）試驗(yàn)方法比較 錯(cuò)誤！未定義書(shū)簽。附錄B（資料性）計(jì)數(shù)器試驗(yàn)編碼的流程圖 11附錄C（資料性）一種最差情況應(yīng)用軟件的描述 12附錄D（資料性）通用基礎(chǔ)試驗(yàn)板的描述 13參考文獻(xiàn) 16GB/TXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起本文件是GB/TXXXXX《集成電路電磁發(fā)射測(cè)量》的第1部分。GB/TXXXXX已經(jīng)發(fā)布了以下部分：——第2部分：輻射發(fā)射測(cè)量TEM小室和寬帶TEM小室法；——第3部分：輻射發(fā)射測(cè)量表面掃描法；——第4部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量1Ω/150Ω直接耦合法；——第5部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量工作臺(tái)法拉第籠法；——第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量磁場(chǎng)探頭法；——第8部分：輻射抗擾度測(cè)量IC帶狀線法。本文件等同采用IEC61967-1:2018《集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第1部分：通用條件和定義》。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任。本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC78）歸口。本文件起草單位：本文件主要起草人：GB/TXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018為規(guī)范集成電路電磁發(fā)射測(cè)量，以及為集成電路制造商和檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供不同的電磁發(fā)射測(cè)量方法，GB/TXXXXX規(guī)定了集成電路電磁發(fā)射測(cè)量的通用條件、定義和不同測(cè)量方法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求，擬由9個(gè)部分構(gòu)成。——第1部分：通用條件和定義，目的在于規(guī)定集成電路電磁發(fā)射測(cè)量的通用條件和定義?！?-1部分：通用條件和定義近場(chǎng)掃描數(shù)據(jù)交換格式，目的在于規(guī)定近場(chǎng)掃描數(shù)據(jù)交換格式。——第2部分：輻射發(fā)射測(cè)量TEM小室和寬帶TEM小室法，目的在于規(guī)定TEM小室和寬帶TEM小室法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求?！?部分：輻射發(fā)射測(cè)量表面掃描法，目的在于規(guī)定表面掃描法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求?！?部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量1Ω/150Ω直接耦合法，目的在于規(guī)定1Ω/150Ω直接耦合法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求?！?-1部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量1Ω/150Ω直接耦合法應(yīng)用指南，目的在于給出1Ω/150Ω直接耦合法應(yīng)用指導(dǎo)?！?部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量工作臺(tái)法拉第籠法，目的在于規(guī)定工作臺(tái)法拉第籠法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求?！?部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量磁場(chǎng)探頭法，目的在于規(guī)定磁場(chǎng)探頭法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求。——第8部分：輻射發(fā)射測(cè)量IC帶狀線法，目的在于規(guī)定IC帶狀線法的試驗(yàn)程序和試驗(yàn)要求。1GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018集成電路電磁發(fā)射測(cè)量第1部分:通用條件和定義GB/TXXXXX的本文件提供了集成電路的傳導(dǎo)和輻射電磁發(fā)射測(cè)量的通用信息和定義，同時(shí)也給出了試驗(yàn)條件、試驗(yàn)設(shè)備和配置、試驗(yàn)程序和試驗(yàn)報(bào)告內(nèi)容的描述。附錄A中給出了試驗(yàn)方法的對(duì)照表，以幫助選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)量方法。本文件的目的是描述通用條件，以建立一個(gè)統(tǒng)一的測(cè)試環(huán)境，來(lái)定量地測(cè)量來(lái)自集成電路（IC）的射頻（RF）騷擾。本文件描述了影響試驗(yàn)結(jié)果的關(guān)鍵參數(shù)。與標(biāo)準(zhǔn)的偏離應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中明確地注明。測(cè)量的結(jié)果可以用于產(chǎn)品比較或其他用途。通過(guò)對(duì)受控條件下集成電路產(chǎn)生的輻射射頻騷擾或傳導(dǎo)射頻發(fā)射的電壓和電流的測(cè)量，可以獲得集成電路應(yīng)用過(guò)程中可能產(chǎn)生的射頻騷擾信息。GB/TXXXXX的每個(gè)部分規(guī)定了所適用的頻率范圍。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T4365-2003電工術(shù)語(yǔ)電磁兼容（IEC60050-161:1990,IDT）CISPR16-1-1無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范第1-1部分：無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備測(cè)量設(shè)備(SpecificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandMethods–Part1-1:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus–Measuringapparatus)CISPR25:2008用于保護(hù)車(chē)載接收機(jī)的無(wú)線電騷擾特性的限值和測(cè)量方法(Vehicles,boatsandinternalcombustionengines-Radiodisturbancecharacteristics-Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers)3術(shù)語(yǔ)和定義GB/T4365-2003確立的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1人工網(wǎng)絡(luò)artificialnetwork；AN模擬實(shí)際網(wǎng)絡(luò)(例如：延伸的電源線路或通信線路)對(duì)受試器件（DUT）呈現(xiàn)的阻抗而規(guī)定的參考負(fù)載，跨接其上來(lái)測(cè)量射頻騷擾電壓，可在規(guī)定頻率范圍內(nèi)把設(shè)備與電源或負(fù)載相隔離。3.2輔助設(shè)備associatedequipment與測(cè)量接收機(jī)或試驗(yàn)發(fā)生器相連，用以建立DUT和測(cè)量設(shè)備或（試驗(yàn)）信號(hào)發(fā)生器之間的騷擾或信號(hào)傳輸路徑的傳感器（例如：探頭、網(wǎng)絡(luò)和天線）。3.3寬帶騷擾broadbanddisturbance寬帶發(fā)射broadbandemission帶寬大于某一特定測(cè)量設(shè)備、接收機(jī)或敏感裝置帶寬的電磁騷擾。注1：在某些用途方面，特定頻譜分量的寬帶GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-06-11，有修改]3.4共模電壓commonmodevoltage不對(duì)稱(chēng)騷擾電壓asymmetricaldisturbancevoltage每個(gè)導(dǎo)體與規(guī)定參考點(diǎn)（通常是地或機(jī)殼）之間的相電壓的平均值。［來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-04-09，有修改］3.5共模電流commonmodecurrent被兩根或多根導(dǎo)線所貫穿的一個(gè)規(guī)定的“幾何”橫截面上的導(dǎo)線中流過(guò)電流的矢量和。3.6傳導(dǎo)發(fā)射conductedemissions在正常工作器件的外部端子觀察到的瞬態(tài)和/或其他騷擾。3.7連續(xù)騷擾continuousdisturbance對(duì)某一設(shè)備的作用不能分解為一系列清晰可辨的效應(yīng)的電磁騷擾。注：在測(cè)量接收機(jī)中頻輸出端呈現(xiàn)的持續(xù)時(shí)間大于200ms的射頻騷擾,它使工作在準(zhǔn)［來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-04-09，有修改］3.8受試器件deviceundertest；DUT被評(píng)估的器件、設(shè)備或系統(tǒng)。3.9晶片微縮dieshrink通過(guò)使用先進(jìn)的制造工藝（包括更精細(xì)的光刻節(jié)點(diǎn)和掩膜）減小芯片的尺寸。3.10差模電流differentialmodecurrent雙芯電纜或多芯電纜中的某兩根纜芯中的電流相量差的幅值的一半。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-04-38]3.11差模電壓differentialmodevoltage一組規(guī)定的帶電導(dǎo)體中任意兩根之間的電壓。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-04-08，有修改]3.12斷續(xù)騷擾discontinuousdisturbance對(duì)某一裝置或設(shè)備的作用可以被分解為一系列不同效應(yīng)的電磁騷擾。注1：這個(gè)定義并不認(rèn)為騷擾與它產(chǎn)生的效應(yīng)無(wú)[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-02-28，有修改]3.13電小尺寸PCBelectricallysmallPCB長(zhǎng)度和寬度小于半個(gè)波長(zhǎng)的印制電路板，例如在1GHz時(shí)尺寸為100mm～150mm。3GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:20183.14電磁兼容性electromagneticcompatibility；EMC設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。3.15電磁發(fā)射electromagneticemission從源向外發(fā)出電磁能的現(xiàn)象。3.16電磁輻射electromagneticradiation輻射發(fā)射radiatedemission1）能量以電磁波形式由源發(fā)射到空間的現(xiàn)象。2）能量以電磁波形式在空間傳播。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-01-10，有修改]3.17（騷擾源的）發(fā)射限值emissionlimit(fromadisturbingsource)規(guī)定的電磁騷擾源的最大發(fā)射電平。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-03-12]3.18接地參考平面groundreferenceplane其電位用作公共參考電位的平的導(dǎo)電表面。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-04-36，有修改]3.19引線框架leadframe連接外部引腳與裸片的支撐結(jié)構(gòu)。3.20測(cè)量接收機(jī)measuringreceiver帶有不同檢波器的測(cè)量騷擾的接收機(jī)。3.21窄帶發(fā)射narrowbandemission帶寬小于或等于特定測(cè)量設(shè)備、接收機(jī)或敏感裝置帶寬的電磁騷擾或頻譜分量。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-06-13，有修改]3.22峰值檢波器peakdetector輸出電壓為所施加信號(hào)峰值的檢波器。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-04-24]3.23預(yù)放本底噪聲preampnoisefloor第一級(jí)放大器產(chǎn)生的固有熱噪聲，它限制了測(cè)量系統(tǒng)的信號(hào)分辨率。3.24接收機(jī)終端電壓receiverterminalvoltage天線電壓antennavoltage無(wú)線電騷擾源產(chǎn)生的電壓，由符合CISPR16-1-1規(guī)定的無(wú)線電騷擾測(cè)量?jī)x器測(cè)量，以dB(μV)表示。注：在符合CISPR16-1-1規(guī)定的無(wú)線電干擾測(cè)量?jī)xGB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018[來(lái)源：CISPR25:2008，定義3.8，有修改]3.25參考點(diǎn)referencepoint在試驗(yàn)配置中測(cè)量采樣參數(shù)的特定端口或特定點(diǎn)。3.26重復(fù)率repetitionrate每單位時(shí)間的浪涌、尖峰或脈沖數(shù)。3.27無(wú)線電頻率環(huán)境（RF環(huán)境）radiofrequencyambient(RFambient)電磁環(huán)境electromagneticenvironment存在于給定場(chǎng)所的所有電磁現(xiàn)象的總和。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-01-01，有修改]3.28屏蔽殼體shieldedenclosure專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)隔離內(nèi)外電磁環(huán)境的網(wǎng)狀或薄板金屬殼體。[來(lái)源：GB/T4365-2003，定義161-04-37，有修改]3.29IC重要變化significantICchanges可能影響IC電磁發(fā)射的所有變化。注：例如新器件、新制造商或工藝線、晶片微縮、新的封裝類(lèi)型、關(guān)鍵的制造工藝、內(nèi)部或外部時(shí)鐘、I/O驅(qū)動(dòng)能3.30系統(tǒng)增益systemgain參考點(diǎn)和RF測(cè)量?jī)x器的輸入端之間的測(cè)量路徑的增益（或衰減）。3.31試驗(yàn)大綱testplan由試驗(yàn)需求方提供的文件，用于規(guī)定試驗(yàn)項(xiàng)目、試驗(yàn)對(duì)象、DUT工作狀態(tài)、試驗(yàn)條件和性能目標(biāo)。注：試驗(yàn)大綱參考標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)程序，或者對(duì)特定的DUT給出詳細(xì)的修改或附加內(nèi)容4試驗(yàn)條件4.1概述下述默認(rèn)的試驗(yàn)條件用于確保試驗(yàn)環(huán)境的一致性。如果用戶(hù)同意使用其他值，那么應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中予以說(shuō)明。4.2環(huán)境條件4.2.1概述下述環(huán)境條件應(yīng)得到滿(mǎn)足。4.2.2環(huán)境溫度為了試驗(yàn)的可重復(fù)性，試驗(yàn)過(guò)程中環(huán)境溫度應(yīng)保持在23。C±5。C范圍內(nèi)。IC電磁發(fā)射可能隨溫度而不同。4.2.3環(huán)境RF場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境RF噪聲電平應(yīng)低于被測(cè)的最低發(fā)射電平至少6dB，并應(yīng)在對(duì)IC測(cè)量前進(jìn)行驗(yàn)證。DUT應(yīng)在不上電的條件下（例如斷開(kāi)電源電壓）安裝在試驗(yàn)布置中用于測(cè)試。應(yīng)進(jìn)行掃描測(cè)量殘留噪聲。環(huán)境RF噪聲的描述應(yīng)作為試驗(yàn)報(bào)告的一部分。4.2.4其他環(huán)境條件GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018所有影響試驗(yàn)結(jié)果的其他環(huán)境條件都應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明。4.2.5IC時(shí)間穩(wěn)定性IC的功能表現(xiàn)應(yīng)是長(zhǎng)期穩(wěn)定的，使得間隔一段時(shí)間的兩次測(cè)量，在測(cè)量技術(shù)的預(yù)期變化范圍內(nèi)，能得到相同的結(jié)果。5試驗(yàn)設(shè)備5.1概述本章所描述的設(shè)備適用于本標(biāo)準(zhǔn)其他部分所有的試驗(yàn)程序。特殊的設(shè)備應(yīng)在單獨(dú)的試驗(yàn)程序中詳細(xì)說(shuō)明。5.2屏蔽是否需要屏蔽取決于具體的試驗(yàn)方法和環(huán)境噪聲電平?？赡苄枰帘问覟榘l(fā)射測(cè)量提供可控的環(huán)境噪聲電平。如果環(huán)境噪聲電平低于被測(cè)的最低電平至少6dB，那么可以使用非屏蔽的布置。5.3RF測(cè)量?jī)x器5.3.1概述可以使用測(cè)量接收機(jī)或頻譜分析儀（見(jiàn)表1和表2的默認(rèn)設(shè)置）。測(cè)量接收機(jī)應(yīng)滿(mǎn)足CISPR16-1-1規(guī)定的帶寬要求。5.3.2測(cè)量接收機(jī)測(cè)量接收機(jī)頻段和分辨率帶寬（RBW）的默認(rèn)設(shè)置見(jiàn)表1。表1測(cè)量接收機(jī)頻段和RBW默認(rèn)設(shè)置5.3.3頻譜分析儀頻譜分析儀頻段和分辨率帶寬（RBW）的默認(rèn)設(shè)置見(jiàn)表2。表2頻譜分析儀頻段和RBW默認(rèn)設(shè)置5.3.4用于窄帶發(fā)射的RBW當(dāng)RF發(fā)射為窄帶信號(hào)，測(cè)量技術(shù)需要更低的本底噪聲以從環(huán)境RF噪聲中分辨出被測(cè)信號(hào)時(shí)，可以減小RBW。5.3.5發(fā)射類(lèi)型、檢波器類(lèi)型和掃描速度確定發(fā)射是窄帶為主還是寬帶為主，可以通過(guò)默認(rèn)帶寬和下一個(gè)更窄的帶寬（即帶寬減小1/3）來(lái)測(cè)量。當(dāng)帶寬減小1/3時(shí)，如果頻譜的峰值測(cè)量電平減小5dB或更多，則發(fā)射可以看作寬帶為主。同步時(shí)鐘工作的數(shù)字IC就是一種窄帶發(fā)射源。該類(lèi)IC通常產(chǎn)生以時(shí)鐘諧波和分頻為主的連續(xù)發(fā)射頻譜。因此，所選的檢波器不會(huì)影響指示器的讀數(shù)。峰值檢波器應(yīng)被用于窄帶源測(cè)量。變換器和非同步邏輯集成電路會(huì)產(chǎn)生不連續(xù)的頻譜，這些是寬帶源的例子。測(cè)量這些器件，最好使用帶掃描速度設(shè)置的峰值檢波器以反映調(diào)制率，并按公式（1）設(shè)置：Vs≤×RBW×fm……………(1)式中：Vs——掃描速度，單位為兆赫茲每秒(MHz/s)；RBW——分辨率帶寬，單位為兆赫茲(MHz)；fm——調(diào)制頻率，定義為軟件流程的最低重復(fù)率或其他可能影響被測(cè)RF發(fā)射的IC工作參數(shù)的最低重復(fù)率，單位為赫茲(Hz)。應(yīng)選擇較慢的掃描速度，且該掃描速度不會(huì)導(dǎo)致被測(cè)發(fā)射的重大變化。6GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:20185.3.6視頻帶寬當(dāng)使用頻譜分析儀用于測(cè)量時(shí)，視頻帶寬（VBW）應(yīng)至少是RBW的三倍。5.3.7RF測(cè)量?jī)x器校準(zhǔn)的驗(yàn)證如果要得到確定的電平值，應(yīng)通過(guò)與一個(gè)獨(dú)立已校準(zhǔn)的儀器進(jìn)行對(duì)比來(lái)驗(yàn)證RF測(cè)量?jī)x器的校準(zhǔn)，該校準(zhǔn)儀器應(yīng)追溯到一個(gè)公認(rèn)的校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)。5.4頻率范圍推薦的頻率范圍是150kHz～1GHz，但如果特定的試驗(yàn)程序支持?jǐn)U展的頻率范圍，則推薦的頻率范圍可以進(jìn)行擴(kuò)展。根據(jù)功能，如果IC產(chǎn)生的發(fā)射僅在一段較小的頻率范圍內(nèi)時(shí)，測(cè)量的頻率范圍也可以減GB/TXXXXX的每個(gè)部分規(guī)定了所適用的頻率范圍。5.5前置放大器或衰減器如有必要，可以使用內(nèi)部或外部的前置放大器或衰減器。前置放大器或衰減器的噪聲系數(shù)應(yīng)小于10dB。前置放大器校準(zhǔn)的最小分辨率是每10倍頻程10個(gè)點(diǎn)。5.6系統(tǒng)增益應(yīng)驗(yàn)證參考點(diǎn)和RF測(cè)量?jī)x器輸入端之間的增益（或衰減），準(zhǔn)確度在±0.5dB范圍內(nèi)。5.7其他部件那些不在參考點(diǎn)和RF測(cè)量?jī)x器輸入端之間的測(cè)量路徑上的電纜、連接器和終端負(fù)載，也可能影響測(cè)量結(jié)果。因此，應(yīng)在被測(cè)頻率范圍內(nèi)，對(duì)它們的特征參數(shù)進(jìn)行驗(yàn)證。6試驗(yàn)布置6.1概述應(yīng)根據(jù)試驗(yàn)大綱進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)大綱的要求應(yīng)包括在試驗(yàn)報(bào)告中。試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括：a)應(yīng)用電路圖（電源去耦、總線負(fù)載、外圍IC等）；b)應(yīng)用IC的PCB的描述（版圖設(shè)計(jì)）；c)IC的實(shí)際工作條件（電源電壓、輸出信號(hào)等）；d)使IC運(yùn)行的軟件類(lèi)型的描述（適用時(shí)）。試驗(yàn)報(bào)告中應(yīng)包含所有的變化。與輔助設(shè)備的連接不應(yīng)影響試驗(yàn)結(jié)果。其他的特殊要求在特定的試驗(yàn)程序中描述。6.2試驗(yàn)電路板所用的試驗(yàn)PCB取決于具體的測(cè)量方法。附錄D描述了本標(biāo)準(zhǔn)中通用基礎(chǔ)試驗(yàn)板的具體要求。試驗(yàn)PCB需要根據(jù)這些通用要求和特定測(cè)量方法的附加要求進(jìn)行設(shè)計(jì)。任何與此描述的偏離都應(yīng)在個(gè)別試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明。為了比較不同器件的測(cè)量結(jié)果，有必要盡可能在相同的測(cè)量方法下使用類(lèi)似的PCB設(shè)計(jì)。如果具體的試驗(yàn)方法中沒(méi)有提出其他的負(fù)載要求，則DUT的引腳應(yīng)根據(jù)表3配置負(fù)載。沒(méi)有列在表3中的引腳，應(yīng)按照其功能要求配置負(fù)載，并在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明。表3為推薦的默認(rèn)值；如果對(duì)一塊特殊的IC有更適合的其他值，則可以代替表3中的值，并在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明。7GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018表3推薦的IC引腳負(fù)載），），），），），），6.4電源要求—試驗(yàn)板電源DUT應(yīng)使用滿(mǎn)足RF環(huán)境要求的傳導(dǎo)RF發(fā)射低的電源供電。若使用電池，則該電池應(yīng)滿(mǎn)足IC要求，而且應(yīng)定期檢查電壓，以保持一致的工作環(huán)境。如果交流電源滿(mǎn)足低RF發(fā)射要求，則可以使用交流電源。所有連接到DUT的電源線應(yīng)根據(jù)制造商的建議采取充分的濾波。6.5IC的特殊考慮6.5.1IC電源電壓電源電壓應(yīng)根據(jù)制造商的規(guī)定，允差為±5%。為了獲得可復(fù)現(xiàn)的測(cè)量數(shù)據(jù)，需在試驗(yàn)板上進(jìn)行適當(dāng)?shù)娜ヱ?。?jiàn)D.9。需盡可能充分運(yùn)行對(duì)IC的發(fā)射有顯著影響的所有可用功能。6.5.4IC工作指南本條的目的是描述制造商和用戶(hù)一致同意的受控參數(shù)，以確保特定IC功能或IC類(lèi)型試驗(yàn)的可重復(fù)性。如果受試的是可編程IC，應(yīng)寫(xiě)進(jìn)連續(xù)的循環(huán)軟件以保證測(cè)量是可復(fù)現(xiàn)的。應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中寫(xiě)明運(yùn)行IC的軟件類(lèi)型（最小化的、典型的或最壞的情況）。應(yīng)使用以下軟件級(jí)別中的一種運(yùn)行IC：a)最小化的情況——執(zhí)行計(jì)數(shù)功能用于基本的試驗(yàn)和比較，參見(jiàn)附錄B；b)典型的情況——常規(guī)的運(yùn)行代碼或成品代碼用于有代表性的測(cè)試，在使用成品代碼的“常規(guī)”基礎(chǔ)上運(yùn)行微處理器和I/O端口；c)最壞的情況——運(yùn)行所有I/O用于診斷的目的，參見(jiàn)附錄C。7試驗(yàn)程序7.1環(huán)境RF噪聲檢查測(cè)量環(huán)境RF噪聲電平，確保存在的任何環(huán)境信號(hào)低于目標(biāo)參考電平至少6dB。環(huán)境電平數(shù)據(jù)應(yīng)作為試驗(yàn)報(bào)告的一部分。如果環(huán)境RF噪聲電平過(guò)高，則需要檢查整個(gè)系統(tǒng)的完整性，尤其是互連電纜和連接8GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018器。如有必要，可使用屏蔽殼體、低噪聲前置放大器、或較小的頻譜分析儀RBW。如果區(qū)域環(huán)境RF噪聲電平并不清楚，即可能存在偶發(fā)的本地RF源，建議使用未通電的試驗(yàn)板檢查環(huán)境RF噪聲電平，并使頻譜分析儀以最大保持模式運(yùn)行1小時(shí)或達(dá)到可信度要求的時(shí)間。7.2運(yùn)行檢查給DUT供電并完成運(yùn)行檢查以保證器件的正常功能和常規(guī)行為（例如運(yùn)行IC試驗(yàn)代碼，見(jiàn)6.5.4）。7.3具體程序按照各特定發(fā)射測(cè)量程序中描述的試驗(yàn)技術(shù)進(jìn)行。8試驗(yàn)報(bào)告8.1概述試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包含足夠的信息，使得其他機(jī)構(gòu)能夠復(fù)現(xiàn)該測(cè)量。8.2環(huán)境RF噪聲試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包含DUT未加電時(shí)測(cè)量系統(tǒng)環(huán)境RF噪聲電平的描述或圖表。8.3器件的描述DUT的描述和任何可能影響器件發(fā)射性能的相關(guān)信息都應(yīng)包含在試驗(yàn)報(bào)告中（例如：IC型號(hào)、產(chǎn)品批號(hào)和日期、來(lái)自器件數(shù)據(jù)手冊(cè)的簡(jiǎn)短功能描述）。適用時(shí)，應(yīng)指明工作頻率。8.4布置的描述應(yīng)包括試驗(yàn)布置的描述，并明確地指出任何與標(biāo)準(zhǔn)布置的不同。8.5軟件的描述適用時(shí)，應(yīng)指明用于運(yùn)行IC的軟件的類(lèi)型。若使用了產(chǎn)品代碼，應(yīng)指明版本號(hào)。8.6數(shù)據(jù)表示8.6.1概述應(yīng)根據(jù)輸入增益或衰減來(lái)修正數(shù)據(jù)，給出在參考點(diǎn)的實(shí)際值。對(duì)于電壓測(cè)量，單位為分貝微伏（dBμV）。8.6.2繪圖表示應(yīng)提供測(cè)量數(shù)據(jù)的曲線圖。8.6.3測(cè)量數(shù)據(jù)應(yīng)提供測(cè)量數(shù)據(jù)的ASCII文件。8.6.4數(shù)據(jù)處理對(duì)原始數(shù)據(jù)的平滑或平均可以提供更易讀的格式。應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中描述數(shù)據(jù)處理過(guò)程。8.7RF發(fā)射限值本標(biāo)準(zhǔn)描述測(cè)量方法，沒(méi)有給出RF發(fā)射限值。限值通常依賴(lài)于具體應(yīng)用、地區(qū)和國(guó)家。可以根據(jù)功能的要求和有關(guān)的發(fā)射要求來(lái)定義限值。8.8結(jié)果說(shuō)明8.8.1使用相同試驗(yàn)方法的IC的比較只要在相同條件下進(jìn)行測(cè)量，結(jié)果就可以直接比較。若是有意進(jìn)行比較，則器件需運(yùn)行相同的代碼（如附錄B的計(jì)數(shù)器試驗(yàn)代碼），試驗(yàn)環(huán)境需盡可能的一致。需使用相同的試驗(yàn)板。8.8.2不同試驗(yàn)方法的比較本文件沒(méi)有給出具體試驗(yàn)方法之間的一般相關(guān)性，附錄A給出了一些特殊情況的相關(guān)性。8.8.3模塊試驗(yàn)方法的相關(guān)性當(dāng)已有充分的數(shù)據(jù)來(lái)確定特定應(yīng)用的IC的預(yù)期發(fā)射與測(cè)量值之間的相關(guān)性，則應(yīng)在具體的試驗(yàn)方法中說(shuō)明（例如產(chǎn)品的部件級(jí)或系統(tǒng)級(jí)的試驗(yàn)）。從IC級(jí)發(fā)射到模塊級(jí)或產(chǎn)品級(jí)發(fā)射的轉(zhuǎn)換涉及到許多因素。通常來(lái)講，從IC到模塊的相關(guān)性?xún)H限于相關(guān)變量都受控的特殊情況。9GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018（資料性）試驗(yàn)方法比較傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射試驗(yàn)方法的比較分別見(jiàn)表A.1和A.2。表A.1傳導(dǎo)發(fā)射無(wú)無(wú)無(wú)否如果合適的微帶線被設(shè)置在試驗(yàn)板上。GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018表A.2輻射發(fā)射TEM小室和寬帶TEM小室法無(wú)無(wú)否否否否否否否否否GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018否否（資料性）計(jì)數(shù)器試驗(yàn)代碼的流程圖本流程使用一個(gè)8位端口實(shí)現(xiàn)計(jì)數(shù)器功能（見(jiàn)圖B.1）。每100μs，端口輸出增加或減少一次。10個(gè)計(jì)數(shù)周期（256ms）后，給一個(gè)LED輸出。以下提供了一個(gè)大約2Hz頻率的閃爍燈指示器。出于一致性需要，需維持相等的循環(huán)次數(shù)。開(kāi)始開(kāi)始初始化端口輸出時(shí)間延遲延遲延遲100μs？是端口值＋1否256次循環(huán)？是端口值＝0循環(huán)計(jì)數(shù)＋11010次循環(huán)？是反轉(zhuǎn)LED循環(huán)計(jì)數(shù)＝0圖B.1試驗(yàn)代碼流程圖GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018（資料性）最壞情況應(yīng)用軟件的描述試驗(yàn)時(shí)，IC應(yīng)執(zhí)行典型的軟件以實(shí)現(xiàn)最壞情況。軟件循環(huán)執(zhí)行時(shí)間應(yīng)至少小于頻譜分析儀掃描周期的3個(gè)量級(jí)（例如，掃描周期為6s，軟件循環(huán)時(shí)間不大于6ms）。以下建議適用于單個(gè)IC微控制器（MCU可指導(dǎo)軟件編寫(xiě)；但是，這些建議并不都適用于所有的MCU器件。a)CPU需最大程度地運(yùn)行內(nèi)部地址和數(shù)據(jù)總線，并注意總線的使用（預(yù)充電或靜態(tài)的b)試驗(yàn)軟件需給用戶(hù)提供一些手段以確認(rèn)運(yùn)行是否正確（例如，觸發(fā)端口引腳）；c)可行時(shí)，試驗(yàn)軟件需激活和運(yùn)行所有板載IC外圍設(shè)備。特別是那些能產(chǎn)生快速周期信號(hào)的外圍設(shè)備（串行的外圍設(shè)備、一些計(jì)時(shí)器），需進(jìn)行配置和運(yùn)行，使其產(chǎn)生快速周期信號(hào)。但是，如果這些外圍設(shè)備對(duì)總的輻射發(fā)射有顯著的貢獻(xiàn)，那么可以在外圍設(shè)備激活和關(guān)閉時(shí)分別進(jìn)行試驗(yàn)并記錄結(jié)果；d)試驗(yàn)軟件需激活所有出現(xiàn)在任何I/O引腳上的內(nèi)部時(shí)鐘源。但是，如果這些時(shí)鐘對(duì)總的輻射發(fā)射有顯著的貢獻(xiàn)，那么可以在時(shí)鐘激活和關(guān)閉時(shí)分別進(jìn)行試驗(yàn)并記錄結(jié)果。當(dāng)不能運(yùn)行試驗(yàn)軟件時(shí)（例如，器件沒(méi)有可編程存儲(chǔ)器并且不能引導(dǎo)代碼進(jìn)入內(nèi)部隨機(jī)存儲(chǔ)器需在器件保持復(fù)位的情況下進(jìn)行試驗(yàn)。但是，這種試驗(yàn)條件應(yīng)和試驗(yàn)結(jié)果一起寫(xiě)入試驗(yàn)報(bào)告中。GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018（資料性）通用試驗(yàn)板的描述D.1概述本附錄的目的是描述通用試驗(yàn)板。該試驗(yàn)板可用于不同制造商生產(chǎn)的各種IC的EMC性能的比較。本附錄給出了對(duì)EMC有影響的參數(shù)的約束條件。D.2板的描述—機(jī)械方面板的大小為100-+13mm×100-+13mm。在板角處可以加孔，如圖D.1所示。板的所有邊緣應(yīng)鍍錫至少5mm，或者使之導(dǎo)電以便與TEM（橫電磁波）小室良好接觸（使用TEM小室時(shí)）。也可以選擇在板的邊緣鍍金。板邊緣的過(guò)孔應(yīng)距離邊緣至少5mm。D.3板的描述—電氣方面圖D.1的制圖應(yīng)作為一個(gè)指南。建議至少要使用雙層板。但如果功能需要的話，也可以在其中增加第2層、第3層或更多層形成多層板。第1層應(yīng)始終用作地平面。第4層也作為地平面，允許通過(guò)其他信號(hào)，但應(yīng)盡可能保持完整。至少第1層中位于DUT下方的區(qū)域應(yīng)保留作為地平面。PCB的制作應(yīng)使得只有IC安裝在PCB一側(cè)（第1層而所有其他的元器件和走線圖形都在背面層（第4層）。D.4地平面地平面（第1層和第4層）應(yīng)通過(guò)過(guò)孔相互連接。這些過(guò)孔布置在板上位置如表D.1所述：表D.1板上過(guò)孔的位置123第1層的地平面應(yīng)與位置2的過(guò)孔保持電連續(xù)性，由此第1層的地平面在整個(gè)板上都保持電連續(xù)性。如果可能的話，第4層也應(yīng)以相同的方式連接，但這種可能性取決于IC的封裝和可利用的空間。D.5封裝引腳D.5.1概述除了IC外，所有功能上必需的元器件，都應(yīng)安裝在第4層。因此有必要把I/O引腳和其他所需的引腳從第1層引到第4層?；芈访娣e、布線長(zhǎng)度、過(guò)孔位置和元器件方向都應(yīng)優(yōu)化，以獲得最小的回路面積。D.5.2DIL封裝這些封裝不要求過(guò)孔，因?yàn)榇嬖阱兘鹜滓_，或由引腳本身建立。D.5.3SOP、PLCC、QFP封裝這些封裝需要使用過(guò)孔。這些過(guò)孔宜優(yōu)先布置在用于焊接IC焊盤(pán)的中央。為了使IC電流流過(guò)的回路面積最小，這些過(guò)孔宜優(yōu)先布置在表D.1中的位置3處。GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC61967-1:2018D.5.4PGA封裝這些封裝不要求過(guò)孔，因?yàn)殄儗油滓_被認(rèn)為已存在或由引腳本身建立。D.5.5BGA封裝這些封裝需要使用過(guò)孔。電源和接地互連的過(guò)孔的位置最好按照制造商的建議。D.6過(guò)孔直徑在位置1的所有過(guò)孔直徑應(yīng)為0.8mm，所有其他過(guò)孔直徑應(yīng)不小于0.2mm。D.7過(guò)孔距離根據(jù)適用的頻率范圍，例如λ/10過(guò)孔間距應(yīng)按如下要求控制。連接第1層和第4層的過(guò)孔的最大間距10mm。連接信號(hào)走線的過(guò)孔應(yīng)盡可能靠近連接第1層和第4層的過(guò)孔，以減小信號(hào)回路。D.8附加的元器件所有附加的元器件都應(yīng)安裝在第4層。這些元器件的安裝不應(yīng)影響第1層、第4層和層間過(guò)孔的限定條件。D.9電源去耦D.9.1概述為了測(cè)量數(shù)據(jù)的可重復(fù)性，需要根據(jù)試驗(yàn)板的規(guī)格進(jìn)行適當(dāng)?shù)碾娫慈ヱ?。試?yàn)板上的去耦電容器應(yīng)分成以下描述的兩組，見(jiàn)D.9.2和D.9.3的描述。去耦電容器的版圖以及其他去耦元器件的值和位置應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中說(shuō)明。D.9.2IC去耦電容器應(yīng)按照制造商推薦的方法對(duì)IC進(jìn)行電源去耦。如有IC去耦電容器，則應(yīng)連接到第4層中IC下方的地平面上，如D.3和圖D.1中所述，以便維持DUT的正確運(yùn)行。DUT每個(gè)電源引腳的去耦電容器的參數(shù)和版圖位置可以按制造商的建議，否則要在試驗(yàn)報(bào)告中寫(xiě)明。D.9.3試驗(yàn)板的電源去耦如果試驗(yàn)板電源去耦設(shè)計(jì)不充分，電源的阻抗可能會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。測(cè)量中可能用到各種外部電源，為了控制試驗(yàn)板的電源阻抗，應(yīng)在試驗(yàn)板上安裝一組去耦電容器。這些電容器的參數(shù)和版圖位置應(yīng)按特定測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)中所述，否則要在試驗(yàn)報(bào)告中寫(xiě)明。D.10I/O負(fù)載加載或激活I(lǐng)C所必需的其他元器件應(yīng)安裝在第4層，最好直接裝在IC封裝區(qū)的下面。連接DUT引腳走線的過(guò)孔，直徑0.2連接層1和層4的過(guò)孔，直徑0.8擴(kuò)展到DUT連接DUT引腳走線的過(guò)孔，直徑0.2連接層1和層4的過(guò)孔，直徑0.8擴(kuò)展到DUT下方的接地平面鍍錫標(biāo)稱(chēng)1.6≤0.75單位為毫米DUTDUT可以在電路板可以在電路板四角額外加孔連接層連接層1和層4的過(guò)孔，直徑0.8電源去耦應(yīng)被安放在電源去耦應(yīng)被安放在接地平面的這部分附加的元器件應(yīng)被安裝附加的元器件應(yīng)被安裝在第4層，最好在過(guò)孔的界線內(nèi)層3—信號(hào)層4—地