DVB-S芯片中寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)的中期報(bào)告中期報(bào)告：1.研究現(xiàn)狀分析DVB-S數(shù)字電視廣播技術(shù)在我國(guó)的發(fā)展日趨迅速，寬帶低噪聲放大器（LNA）在DVB-S接收機(jī)中發(fā)揮著重要作用，是實(shí)現(xiàn)高靈敏度和低噪聲指標(biāo)的關(guān)鍵部件之一?，F(xiàn)有的寬帶LNA設(shè)計(jì)方法主要有兩種：?jiǎn)尉w管LNA設(shè)計(jì)方法和雙超材料介質(zhì)（doublenegativemetamaterials，DNM）LNA設(shè)計(jì)方法。2.工作計(jì)劃我們的工作主要包括以下幾個(gè)方面：（1）研究單晶體管LNA設(shè)計(jì)方法，深入了解其原理和優(yōu)缺點(diǎn)；（2）研究DNMLNA設(shè)計(jì)方法，探討其適用性和優(yōu)點(diǎn)；（3）在ADS軟件中建立LNA電路模型，進(jìn)行仿真分析和性能評(píng)估；（4）根據(jù)仿真結(jié)果，對(duì)LNA電路進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)和參數(shù)調(diào)整；（5）制作樣品進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。3.研究?jī)?nèi)容（1）單晶體管LNA設(shè)計(jì)方法單晶體管LNA設(shè)計(jì)方法是較為傳統(tǒng)的一種方法，其設(shè)計(jì)目的是在保證高增益的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)低噪聲指標(biāo)?；驹O(shè)計(jì)流程為：首先確定單晶體管的工作狀態(tài)，然后選擇合適的匹配網(wǎng)絡(luò)，最后進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化。該方法的主要優(yōu)點(diǎn)是設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)，但其在一定程度上受到器件參數(shù)的限制，且存在一定的抗干擾能力。（2）DNMLNA設(shè)計(jì)方法DNMLNA設(shè)計(jì)方法是一種全新的方法，是將超材料引入寬帶LNA設(shè)計(jì)中來(lái)消除器件參數(shù)的限制。該方法在實(shí)現(xiàn)高增益和低噪聲指標(biāo)的同時(shí)，還具有良好的抗干擾能力和寬帶特性?；驹O(shè)計(jì)流程為：首先利用數(shù)值模擬方法對(duì)超材料進(jìn)行設(shè)計(jì)，然后根據(jù)超材料的特性進(jìn)行LNA電路設(shè)計(jì)。相比單晶體管LNA設(shè)計(jì)方法，DNMLNA設(shè)計(jì)方法具有更好的性能和適用性。（3）LNA電路建模和參數(shù)優(yōu)化在ADS軟件中建立LNA電路模型，進(jìn)行仿真分析和性能評(píng)估。根據(jù)仿真結(jié)果，對(duì)LNA電路進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)和參數(shù)調(diào)整。例如，在單晶體管LNA電路中，可以通過(guò)合理的匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)和二極管溫度補(bǔ)償?shù)确椒?，提高LNA的性能。在DNMLNA電路中，可以通過(guò)改變超材料的結(jié)構(gòu)參數(shù)和LNA電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等方法，進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。最終目的是在滿足性能要求的前提下，盡量減小LNA電路的體積和功耗。4.工作進(jìn)展目前，我們已經(jīng)對(duì)單晶體管LNA和DNMLNA設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了深入的研究，并在ADS軟件中建立了LNA電路模型。目前正在進(jìn)行仿真分析和性能評(píng)估，以便對(duì)LNA電路進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)和參數(shù)調(diào)整。關(guān)鍵參數(shù)和性能指標(biāo)的測(cè)試也即將開(kāi)始。預(yù)計(jì)未來(lái)2個(gè)月內(nèi)，能夠完成樣品的制作和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。5.參考文獻(xiàn)[1]ChenX，ZhangY，ChenB，etal.AbroadbandlownoiseamplifierusingasingleFETforDVB-Sapplications.IEEEMicrowaveandWirelessComponentsLetters，2007，17（7）：484-486.[2]LiuY，TaoJ，HuaC，etal.Broadbandlownoiseamplifierusingdouble-negativemetamaterials.ElectronicsLetters，2010，46（23）：1548-1549.[3]WangX，ShiA，ChenQ，etal.AbroadbandlownoiseamplifierdesignforDVB-S2appl