2023中國功率半導(dǎo)體與第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及前景分析功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換及電路控制核心，市場規(guī)模大且中國為最大消費(fèi)國全球及中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(單位仔花美元)集成電路光電子信號鏈IC電源管理IC二極管晶體管痛筒奮>2022年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)481億美元，預(yù)計(jì)至2024年將增長至522億美元，年復(fù)合增長率約為5.46%,增長平穩(wěn)>中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國，貢獻(xiàn)了約40%的功率半導(dǎo)體市場>國內(nèi)2022年市場規(guī)模為191億美元，預(yù)計(jì)至2024年市場規(guī)模有望達(dá)到206億美元2通態(tài)電流MOSFET和IGBT是全球市場主流應(yīng)用，下游需求強(qiáng)勁通態(tài)電流·MOSFET和IGBT為功率半導(dǎo)體產(chǎn)品主力產(chǎn)品。MOSFET具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，通常被用于放大電路或開關(guān)電路。IGBT由BJT和MOSFET組合而成且兼具兩者優(yōu)點(diǎn)，即高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、驅(qū)動功率小而飽和壓降低等。各類功率半導(dǎo)體市場規(guī)模占比情況(截至2022年H1)數(shù)據(jù)來源：中金研究所、云岫資本整理云岫資本310μm線寬制程功率密度、FOM及開關(guān)效率提升MOSFET技術(shù)迭代方向：更高開關(guān)頻率、更高功率密度及更低功耗10μm線寬制程功率密度、FOM及開關(guān)效率提升藝進(jìn)步藝進(jìn)步結(jié)構(gòu)改進(jìn)率高芯片面積大，損耗高易于驅(qū)動，工作效率高，熱穩(wěn)定性好，損耗低低電阻，最新一代功率器件打破了硅限，大幅降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗新的溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體器件工藝開關(guān)特性、高溫特性改進(jìn)及功耗降低4數(shù)據(jù)來源：東微半導(dǎo)體公告、云岫資本整理MOSFET市場規(guī)模保持增長，海外廠商占據(jù)市場主導(dǎo)，國產(chǎn)化率快速提升極發(fā)射極柵極極發(fā)射極柵極第四代IGBT第五代IGBT發(fā)射極發(fā)射極柵極集電極第七代IGBT第七代IGBT集電極集電極進(jìn)一步減少6IGBT技術(shù)圍繞柵極及縱向結(jié)構(gòu)變化，向小型化、低損耗、高性能方向發(fā)展>溝道結(jié)構(gòu)由橫轉(zhuǎn)豎，消除JFET結(jié)構(gòu)，溝道密度提升，近表面載流子濃度提升，性能優(yōu)化>垂直結(jié)構(gòu)省去硅表制作導(dǎo)電通道面積，利于元胞的緊湊設(shè)計(jì)，增加導(dǎo)電溝道寬度，降低溝道電阻>降低溝槽間距至亞微米級，溝道密度更高，使其可以調(diào)節(jié)出最合適的電容比率，開關(guān)損耗降低，開關(guān)特性提升>采用虛擬陪柵結(jié)構(gòu)和非有源區(qū)，胞通態(tài)時發(fā)射極端載流子濃度提升縱向縱向N+極底作為起始層。硅片厚度減小，熱阻降低約40%電流均流，擴(kuò)大功率應(yīng)用范圍>該結(jié)構(gòu)生產(chǎn)時需要背面減薄，再進(jìn)行光刻、刻蝕、離子注入等工序，易發(fā)生碎片和彎曲，工藝過程復(fù)雜，成本高，成品率低發(fā)射極發(fā)射極N+PN.外延層集電極>進(jìn)一步調(diào)和襯底厚度、耐壓和通態(tài)壓價增大的矛盾薄，飽和壓降低，導(dǎo)通損耗小，關(guān)斷速度更快，且基本無電流拖尾>工藝更復(fù)雜，加工難度更大發(fā)射極發(fā)射極N+PN-外延層N場截止層極7全球IGBT市場規(guī)模持續(xù)增長，海外企業(yè)龍頭效應(yīng)顯著,國產(chǎn)替代正當(dāng)時8就國內(nèi)電動車、新能源行業(yè)等新應(yīng)用爆發(fā)，成為IGBT新的增長點(diǎn)就·我國IGBT需求結(jié)構(gòu)與全球市場不同，新能源汽車、消費(fèi)電子和工控是IGBT需求占比最大的下游領(lǐng)域，市占率分別為31%、27%和20%·我國IGBT在新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域應(yīng)用占比遠(yuǎn)超全球平均水平，受益于國家“雙碳”戰(zhàn)略，行業(yè)需求旺盛，下游IGBT用量大幅增加，成為國內(nèi)IGBT需求增長的主要驅(qū)動力全球及中國IGBT下游需求結(jié)構(gòu)占比情況(數(shù)據(jù)截至2021年) IGBT是電動車、充電樁核心器件，車規(guī)級產(chǎn)品技術(shù)、封裝要求高車用空調(diào)變頻與制熱IGBT車用轉(zhuǎn)向助OBC(充電/逆變)IGBT后電機(jī)驅(qū)動IGBT電機(jī)控制器：在主逆變器中將高壓電流的直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動電機(jī)的交流電車載空調(diào)控制系統(tǒng)：轉(zhuǎn)換為交流電后，驅(qū)動空調(diào)壓縮機(jī)電機(jī)進(jìn)行工作車載充電器OBC:參與220V交流電轉(zhuǎn)換為直流并為高壓電池充電車用轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)：通過電壓、電流調(diào)節(jié)輸出功率，進(jìn)而控制車速充電樁直交流轉(zhuǎn)換系統(tǒng)：在充放電過程中實(shí)現(xiàn)直交流電轉(zhuǎn)換前電機(jī)驅(qū)動IGBT產(chǎn)品技術(shù)要求產(chǎn)品技術(shù)要求·IGBT影響電動汽車的動力釋放速度、車輛加速能力和最高速度等多項(xiàng)核心指標(biāo)·汽車IGBT技術(shù)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)極高，IGBT要進(jìn)入到汽車供應(yīng)商行列，需要滿足新汽車級標(biāo)準(zhǔn)LV324/AQG324要求及中國功率半導(dǎo)體聯(lián)盟、中關(guān)村寬禁帶聯(lián)盟等團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)·認(rèn)證指標(biāo)主要包括溫度沖擊、功率循環(huán)、溫度循環(huán)、結(jié)溫及全生命周期可靠性等期在約3-5年數(shù)據(jù)來源：比亞迪公司官網(wǎng)、云岫資本整理封裝技術(shù)要求封裝技術(shù)要求·車規(guī)級IGBT產(chǎn)品工作溫度高且需要注重強(qiáng)振動條件，其封裝要求高于工業(yè)級和消費(fèi)級·汽車零部件在高溫、高濕、高壓條件下要避免腐蝕或氧化，車規(guī)級半導(dǎo)體要求可承受溫度區(qū)間達(dá)-40°℃至150°℃,且對于產(chǎn)品壽命要求較長，達(dá)10年以上·IGBT模塊封裝需要滿足振動等級要求，對綁定線、相關(guān)連接件、襯板焊料層及封裝外殼等要求極高光伏IGBT當(dāng)前設(shè)計(jì)、制造及封裝難點(diǎn)>設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)光伏IGBT當(dāng)前設(shè)計(jì)、制造及封裝難點(diǎn)>設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)>制造環(huán)節(jié)>封裝環(huán)節(jié)·IGBT等功率器件是新能源發(fā)電逆變器實(shí)現(xiàn)逆變功能的核心，主要應(yīng)用在DC/DC升壓、DC/AC逆變電路中，在中國能源發(fā)電市場加速轉(zhuǎn)型的背景下，光伏發(fā)展大有可為。這也是IGBT市場強(qiáng)勁的驅(qū)動力，增速將持續(xù)遠(yuǎn)超全球平均水平逆變器二光伏光伏IGBT未來將助力提升逆變器功率密度金--組串式--分布式新能源逆變器發(fā)電機(jī)驅(qū)動第三代半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體在材料性能上的優(yōu)勢使得器件具備耐高壓、高頻和高溫的特性，對應(yīng)滿足在低能耗、小體積小重量等下游應(yīng)用需求第三代半導(dǎo)體材料性能優(yōu)勢硅51熱導(dǎo)率高，SiC1.3耐高壓耐高壓耐高溫耐高溫22高能源效率要求高能源效率要求，如光伏逆變器緊湊尺寸及小重量領(lǐng)堿，如汽車緊湊尺寸及小重量領(lǐng)堿，如汽車OBC·可有效減散熱設(shè)備面積·大幅縮小功率器件芯片尺寸--英飛凌專家數(shù)據(jù)來源：Yole、英飛凌、云岫資本整理內(nèi)容“新型顯示與戰(zhàn)略性電子料”專項(xiàng)項(xiàng)目《河南省“十四五”江蘇省廳(重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃產(chǎn)寸GaN器件材料及生長設(shè)備研發(fā)、1200V車規(guī)級Si息化局安徽省《安徽省“十四五”純磷化銦(inP)襯底材料、氮化鎵材料等第二/三代半導(dǎo)體材局電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)三代半導(dǎo)體，積極發(fā)展碳化硅(SiC)單晶、氮化鎵(GaN)晶體等第三代功率器件，加速第三代半導(dǎo)體射頻和功率器件《關(guān)于促進(jìn)半導(dǎo)體意見中提及布局第三代半導(dǎo)體襯底及外延制備。在設(shè)備環(huán)節(jié)，支持物理氣相傳輸法(PVT)設(shè)備、金屬有機(jī)化合物氣相沉積(MOCVD)、分子束外延化；在材料環(huán)節(jié)，引進(jìn)SiC襯底、SiC外延、GaN襯底生產(chǎn)線，布局G■2016年7月，國務(wù)院《關(guān)于印發(fā)“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃的通知》明確發(fā)料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄》,2019年12月，在《長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展展；2020年7月為鼓勵企業(yè)積極發(fā)展集成電路，國家減免相關(guān)企業(yè)稅收年3月，十四五規(guī)劃中特別提出第三代半導(dǎo)體要取得發(fā)展；2將第三代半導(dǎo)體納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)施6項(xiàng)；市、區(qū)級層面17項(xiàng)，規(guī)劃性政策4項(xiàng)，落實(shí)性措施1策較多的地區(qū)集中在江蘇蘇州、安徽合肥、浙江第三代半導(dǎo)體行業(yè)重要政策頒布情況國家級國家級■規(guī)劃性市、區(qū)級特斯特斯拉國際龍頭全產(chǎn)業(yè)鏈整合發(fā)展國內(nèi)一體化與專業(yè)化共存脫應(yīng)用材料愛發(fā)科北方捷佳創(chuàng)晶盛芯源微芯三代納設(shè)納設(shè)B羅姆羅姆昭和電工eononsemiRENESAll-V(ascatron)英飛凌安森美瑞薩電子意法半導(dǎo)體松下三安光電中電化合物J天J天泰科天潤中車時代聞泰科技愛仕特士蘭微揚(yáng)杰科技瞻芯中科漢韻半導(dǎo)體超芯星超芯星林眾電子林眾電子半導(dǎo)體晶長飛先進(jìn)半導(dǎo)體中電科13所中電科55所長飛先進(jìn)半導(dǎo)體中電科13所中電科55所rMA宇通把控襯底的材料端優(yōu)勢向下游領(lǐng)先器件企業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈布局統(tǒng)領(lǐng)先器件企業(yè)則通過投資并購上游關(guān)鍵供應(yīng)鏈8領(lǐng)先IDM采取器件+外延模式上布局外延生產(chǎn)數(shù)據(jù)來源：Yole、云岫資本整理SiC襯底是產(chǎn)業(yè)鏈最關(guān)鍵也是最缺乏的一環(huán)，全球都面臨“缺SiC外延SiC襯底位于產(chǎn)業(yè)鏈上游SiC襯底占下游器件總成本的47%研發(fā)其他前段未來3年市場將面臨當(dāng)前產(chǎn)能3倍以上的缺口“缺襯底”難題影響全球SiC器件交付目前“缺襯底”已成為全球產(chǎn)業(yè)的普遍問題，國產(chǎn)廠商正在不斷發(fā)力數(shù)據(jù)來源：Yole、云岫資本整理新能源汽車受800V驅(qū)動，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻(xiàn)最大下游市場并帶動充電樁、光儲及UPS市場逐步增長功率等級10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對象，以下五類細(xì)分應(yīng)用成為當(dāng)前和未來的核心潛力領(lǐng)域驅(qū)動因素驅(qū)動因素推進(jìn)降本增效當(dāng)前未來爆發(fā)節(jié)奏爆發(fā)節(jié)奏2025年2030年45億元2025年2030年45億元214億元1191億元快充需求，未來平穩(wěn)上升11億元2億元11億元2億元16億元26億元多重促多重促進(jìn)因素800V800V架構(gòu)帶來的直接性能提升，疊加供給端、應(yīng)用端、成本端多重利好，推動新能源汽車成為SiC未來5年核心應(yīng)用陣地·考慮高頻特性，耐壓等級1200V的硅基IGBT效率較低，會帶來較大損耗易·快充需求下功率向11KW/22KW升級，主逆變器·更高的工作電壓，高電壓下較低的導(dǎo)通損耗及開關(guān)損耗，逆變器整體的效率提升·性能車型會采用熱泵空調(diào)以替代原有PTC路線，對高功率、緊湊空間布局高效能提出要求核心性能需求布局提出更高要求硅基IGBT持續(xù)缺貨催生SiC替代窗口·硅基IGBT全球產(chǎn)能三年內(nèi)維持緊張狀態(tài)，主機(jī)廠出于保供需求考慮替代方案，給新車型使用SiC帶來窗口期供給端提供切實(shí)支撐特斯拉應(yīng)用打造強(qiáng)力樣板示范效應(yīng)·2018年特斯拉Model3采用純SiC模塊的主逆變器方案，行業(yè)熱點(diǎn)車型的實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品性能可靠性驗(yàn)證樹立了強(qiáng)力樣板證明高昂電池價格凸顯SiC系統(tǒng)性降本優(yōu)勢2~3倍，但其通過系統(tǒng)效率提升增加整體續(xù)航里程對應(yīng)可換算為電池成本的降低，有效降低系統(tǒng)性成本凸顯價格優(yōu)勢光伏補(bǔ)貼全面退坡，平價上網(wǎng)進(jìn)一步增加系統(tǒng)性降本增效需求光伏補(bǔ)貼全面退坡，平價上網(wǎng)進(jìn)一步增加系統(tǒng)性降本增效需求·2022年開始光伏行業(yè)補(bǔ)貼全面退坡，進(jìn)入平價上網(wǎng)時代貼分布式光伏行業(yè)整體進(jìn)入1500光伏行業(yè)整體進(jìn)入1500V時代，直接提升對功率器件性能要求_10%_電容)的體積增加、效率降低、整機(jī)成本亦無法有效控制SiC方案既可以實(shí)現(xiàn)較高的開關(guān)頻率，同時又能有效的降低損耗、提高效率，減小整機(jī)的體積碳化硅高度契合光伏逆變器演進(jìn)方向，性能更優(yōu)的碳化硅逆變器規(guī)模化應(yīng)用將成為光伏行業(yè)必然趨勢趨勢趨勢數(shù)據(jù)來源：Yole、云岫資本整理中國從2016年就開始在光伏電站中采用碳化硅技術(shù)，已有超過10個柔直輸配電網(wǎng)應(yīng)用案例時間1國家電網(wǎng)國產(chǎn)1200V/20ASiC二極管和1200VSiCMOSFET在青海烏蘭銅普光伏電站示范應(yīng)用22018年8月國家電網(wǎng)智能柔性直流配電網(wǎng)示范工程在浙江杭州江東新城投入運(yùn)行32018年12月南方電網(wǎng)多端交直流混合柔性配網(wǎng)互聯(lián)工程在珠海唐家灣成功投運(yùn)42019年10月國家電網(wǎng)52019年10月國家電網(wǎng)62021年5月國家電網(wǎng)7南方電網(wǎng)8南方電網(wǎng)9國家電網(wǎng)2022年9月國家電網(wǎng)■按照國家科技部制定的總體目標(biāo)，“十四五”末期萬伏千安級SiC器件會出樣品，預(yù)計(jì)2030年萬伏千安級SiC器件能實(shí)現(xiàn)示范工程小批量應(yīng)用，2035年左右應(yīng)該能夠?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用■目前碳化硅在電網(wǎng)輸配電領(lǐng)域的滲透率大約為0.2%,預(yù)計(jì)2030年滲透率將超過5%,2050年將超過50%氮化鎵是新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的剛性需求，2026年功率器件市場滲透率有望達(dá)到40%消費(fèi)電子消費(fèi)電子智能流軍智能流軍雷達(dá)高效率低發(fā)熱√體積減小65%√損耗減小30%√線纜減少80%全球氮化鎵功率半導(dǎo)體目標(biāo)市場份額(億美元)2026年氮化鎵功率半導(dǎo)體市場份額(億美元)數(shù)據(jù)及計(jì)算數(shù)據(jù)及計(jì)算48V模組服務(wù)器高算力√體積壓縮30%低能耗√物料成本降低15%低損耗低成本√體積減小50%損耗降低50%C國際龍頭全國際龍頭全產(chǎn)業(yè)鏈整合發(fā)晨國內(nèi)一體化與專業(yè)化共存氨批像產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商氨批像產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商e國外IDMe國外IDM廠商打通解決方案端ST、英飛凌等國外廠商正從設(shè)計(jì)端到生產(chǎn)端再到模塊解決方案發(fā)展，直接和終端應(yīng)用客戶獲取需求，正逐漸走向全產(chǎn)線布局Amkor長電科技希麗微電子希麗微電子型的IDM為主，發(fā)展迅速大幅降本增效氮化鎵為光伏微逆變器大幅降本增效，技術(shù)革新帶來大幅降本增效導(dǎo)通損耗節(jié)省45%下降80%下降80%關(guān)數(shù)據(jù)來源：公開資料、云岫資本整理氮化鎵在48V數(shù)據(jù)中心架構(gòu)上具有顯著的效率及節(jié)能優(yōu)勢數(shù)據(jù)中心服務(wù)器供電架構(gòu)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器供電架構(gòu)變壓器數(shù)據(jù)來源：公開資料、云岫資本整理應(yīng)用市場不斷發(fā)應(yīng)用市場不斷發(fā)展√數(shù)據(jù)及計(jì)算√電機(jī)驅(qū)動與控制具有大功率高頻率特性具有大功率高頻率特性√高開關(guān)頻率√低導(dǎo)通電阻消費(fèi)電子快充應(yīng)用系統(tǒng)收益√更高的系統(tǒng)效率√更少的功率損耗√系統(tǒng)體積大幅縮小車載電充電器√助力碳達(dá)峰數(shù)據(jù)中心光伏及儲能√新能源汽車√D類音頻放大器遠(yuǎn)景展望√電信基礎(chǔ)設(shè)施√LED照明√電池管理系功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體一級市場投資-—-云岫觀點(diǎn)功率半導(dǎo)體市場逆周期增長，電動汽車及新能源市場給國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商帶來發(fā)展機(jī)遇·全球節(jié)能減排需求迫切，受電動汽車以及新能源應(yīng)用帶動，功率半導(dǎo)體市場規(guī)模持續(xù)增長，且中國市場增速高于全球·近幾年國際頭部廠商相繼面臨產(chǎn)能緊張、漲價和斷供等問題，多品類持續(xù)供不應(yīng)求，給國產(chǎn)廠商帶來發(fā)展機(jī)遇國產(chǎn)功率半導(dǎo)體從低端走向高端，與國際廠商仍存在差距，產(chǎn)業(yè)鏈玩家需攜手共進(jìn)·我國功率半導(dǎo)體已經(jīng)逐步從消費(fèi)電子、工業(yè)控制等中低壓品類，向應(yīng)用于電動汽車、新能源等高壓品類拓展，當(dāng)前國產(chǎn)化率達(dá)到30%對可靠性要求高的車規(guī)及風(fēng)光儲產(chǎn)品中，國產(chǎn)化率仍較低。國內(nèi)產(chǎn)品在設(shè)計(jì)及工藝等方面還有提升空間，需設(shè)計(jì)、制造、模塊封裝及應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈玩家緊密配合中國在第三代半導(dǎo)體有設(shè)備、材料、制造、應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，有望建立全球競爭力·刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備的中堅(jiān)力量，有望率先完成國產(chǎn)替代。尤其是介質(zhì)刻蝕機(jī)，是我國最具優(yōu)勢的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，也是國產(chǎn)替代占比最高的半導(dǎo)體設(shè)備之一·在半絕緣性SiC襯底行業(yè)，全球市場出現(xiàn)三足鼎立的局面，國內(nèi)山東天岳成為全球市場龍頭，全球市占比高達(dá)30%·國內(nèi)出現(xiàn)以長飛先進(jìn)半導(dǎo)體為代表的IDM廠商，不僅擁有獨(dú)立大規(guī)模SiCMOSFET流片生產(chǎn)能力，同時技術(shù)工藝覆蓋從外延生長、器件設(shè)計(jì)，到晶圓流片制造和模組封裝光伏、風(fēng)電及新能源汽車行業(yè)等國內(nèi)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)，是中國半導(dǎo)體未來發(fā)展的巨大市場機(jī)遇·截至2022年我國光伏新增裝機(jī)規(guī)模已連續(xù)10年位居全球首位，光伏累計(jì)裝機(jī)規(guī)模也連續(xù)8年位居全球首位·2022年新能源乘用車國內(nèi)零售銷量排名前15的廠商中,有12家是自主品牌·光伏行業(yè)蓬勃發(fā)展及自主品牌智能電動汽車銷量高速增長，給中國半導(dǎo)體行業(yè)帶來了巨大市場機(jī)遇云岫資本是中國領(lǐng)先的科技產(chǎn)業(yè)投資服務(wù)機(jī)構(gòu)。公司成立于2015年，業(yè)務(wù)包括私募融資服務(wù)、兼并收購及私募股權(quán)投資，深度覆蓋半導(dǎo)體、新能源、新材料、智能制造、企業(yè)服務(wù)與產(chǎn)業(yè)科技、生命科學(xué)和醫(yī)療科技等新興科技產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。自2015年創(chuàng)立以來，云岫已幫助客戶成功完成超350筆，近900億人民幣私募融資、并購交易；管理十?dāng)?shù)支硬科技專項(xiàng)基金，并發(fā)起設(shè)立一支硬科技產(chǎn)業(yè)人民幣基金。行業(yè)組織科大硅谷“首批全球合伙人”SEMI國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會會員中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會會員中國光伏行業(yè)協(xié)會金融專委會首屆委員單位北京市經(jīng)信局“專精特新”FA服務(wù)庫成員云岫已成為最具影響力的科技產(chǎn)業(yè)投資服務(wù)平臺之一財(cái)經(jīng)雜志·科創(chuàng)板最具貢獻(xiàn)機(jī)構(gòu)投中·中國最佳新型投行Top1036氪·最具影響力新型投行Top4投中·年度中國最佳新型投行Top3第一新聲.年度最佳財(cái)務(wù)顧問機(jī)構(gòu)榜Top2、活躍Top136氪·中國最具影響力新型投行Top336氪·中國科技產(chǎn)業(yè)賦能新型投行鈦媒體·年度青年合伙人Top20企名片·中國最佳財(cái)務(wù)顧問綜合榜Top3企名片·蟬聯(lián)最佳財(cái)務(wù)顧問半導(dǎo)體榜Top1企名片·年中活躍榜Top1、綜合榜Top2企名片·年中半導(dǎo)體榜Top1、新能源榜Top2鈦媒體·2023年H1-FA先鋒榜Top3第一新聲·活躍機(jī)構(gòu)Q1季度Top2、Q2季度Top3企名片·U35杰出青年財(cái)務(wù)顧問21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道·年度影響力FA科創(chuàng)板日報(bào)·科創(chuàng)先鋒合伙人《財(cái)經(jīng)》雜志·科創(chuàng)板卓越服務(wù)團(tuán)隊(duì)36氪·中國最具產(chǎn)業(yè)影響力精品投行Top236氪·中國半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)賦能精品投行2023年H1綜合榜Top2半導(dǎo)體榜Top1第一新聲2023年度北京市33科大硅谷科大硅谷“專精特新”首批全球合伙人創(chuàng)新單元合伙人基金合伙人企業(yè)股權(quán)融資財(cái)務(wù)顧問服務(wù)庫僅