MOOC半導(dǎo)體物理與器件-常熟理工學(xué)院中國大學(xué)慕課答案緒論小測驗1、問題：半導(dǎo)體電阻率和電阻是相同的概念。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】2、填空題：半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和（）之間？正確答案:【絕緣體】量子力學(xué)基礎(chǔ)11、問題：量子力學(xué)是物理學(xué)朝（）領(lǐng)域發(fā)展的結(jié)果。選項：A、宏觀B、微觀C、介觀D、宇觀正確答案:【微觀】2、填空題：德布羅意物質(zhì)波的本質(zhì)是什么波？正確答案:【概率波##%_YZPRLFH_%##幾率波】晶體能帶隨堂測驗1、問題：下列哪些屬于晶體能帶的特點？選項：A、禁帶B、允帶C、能帶是由若干能級組成的不連續(xù)能帶D、能帶是連續(xù)的正確答案:【禁帶#允帶#能帶是由若干能級組成的不連續(xù)能帶】2、問題：通常絕緣體的禁帶寬度比半導(dǎo)體禁帶寬度大。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】3、填空題：（）定理用于描述晶體中電子的運動行為。正確答案:【布洛赫】有效質(zhì)量隨堂測驗1、問題：半導(dǎo)體能帶頂部極值附近的電子有效質(zhì)量具有什么特點？選項：A、有效質(zhì)量為正B、有效質(zhì)量為零C、有效質(zhì)量為無窮大D、有效質(zhì)量為負正確答案:【有效質(zhì)量為負】2、問題：半導(dǎo)體內(nèi)層電子所處的能帶較窄，二次微商小，具有較大的有效質(zhì)量。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】3、填空題：（）質(zhì)量可以概括半導(dǎo)體內(nèi)部周期性勢場的作用。正確答案:【有效】半導(dǎo)體空穴隨堂測驗1、問題：下列說話正確的是？選項：A、空穴是價帶中少量的空狀態(tài)B、空穴帶正電，具有正的有效質(zhì)量C、空穴是用來描述導(dǎo)帶中電子的運動行為而人為引入的物理量。D、空穴的移動實質(zhì)上是共價鍵中電子的移動。正確答案:【空穴是價帶中少量的空狀態(tài)#空穴帶正電，具有正的有效質(zhì)量#空穴的移動實質(zhì)上是共價鍵中電子的移動?！侩S堂測驗1、問題：室溫時，下列半導(dǎo)體禁帶寬度的大小順序排列正確的是？選項：A、砷化鎵硅鍺B、砷化鎵鍺硅C、鍺砷化鎵硅D、硅鍺砷化鎵正確答案:【砷化鎵硅鍺】2、填空題：根據(jù)半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的特點，可以將半導(dǎo)體分為直接帶隙半導(dǎo)體和（）帶隙半導(dǎo)體。正確答案:【間接】隨堂測驗1、問題：下列半導(dǎo)體分類，對應(yīng)關(guān)系正確的有？選項：A、元素半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體B、直接帶隙半導(dǎo)體與間接帶隙半導(dǎo)體C、寬禁帶半導(dǎo)體與窄禁帶半導(dǎo)體D、本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體正確答案:【元素半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體#直接帶隙半導(dǎo)體與間接帶隙半導(dǎo)體#寬禁帶半導(dǎo)體與窄禁帶半導(dǎo)體#本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體】階段測試11、問題：試計算質(zhì)量為1×10^(-30)kg,速度為1×10^6m/s的微觀粒子的德布羅意物質(zhì)波波長？選項：A、6.62mB、6.62×10^（-9）mC、6.62×10^9mD、1×10^（-9）m正確答案:【6.62×10^（-9）m】2、問題：多晶可以看成是由若干個（）組成的。選項：A、非晶B、小單晶粒C、布拉菲點陣D、晶胞正確答案:【小單晶?！?、問題：下圖中（三條紅線圍成的）晶面的的晶面指數(shù)是？選項：A、（233）B、（322）C、[322]D、[233]正確答案:【（322）】4、問題：原胞是晶體結(jié)構(gòu)中體積最小的重復(fù)單元，它只包含（）個格點。選項：A、1B、2C、3D、4正確答案:【1】5、問題：當(dāng)晶體中原子的間距越來越近時，開始出現(xiàn)（），能級越（），分裂的程度越顯著。選項：A、原子共有化運動，高B、電子共有化運動，高C、原子共有化運動，低D、電子共有化運動，低正確答案:【電子共有化運動，高】6、問題：布洛赫波函數(shù)可以看著是振幅（）的平面波，波函數(shù)在某一點的強度代表電子出現(xiàn)的（）。選項：A、恒定不變，概率B、周期性變化，概率C、恒定不變，能量D、周期性變化，能量正確答案:【周期性變化，概率】7、問題：絕緣體和半導(dǎo)體的能帶類似，但絕緣體的禁帶寬度一般要（）半導(dǎo)體的禁帶寬度。選項：A、大于B、等于C、小于D、短于正確答案:【大于】8、問題：一般把禁帶寬度大于或等于（）的半導(dǎo)體材料歸類為寬禁帶半導(dǎo)體材料。選項：A、1eVB、0.5eVC、2.3eVD、5eV正確答案:【2.3eV】9、問題：當(dāng)半導(dǎo)體硅中摻入磷原子時，如果磷原子替代硅原子，電離后其效果是形成一個（）中心和一個多余的（）。選項：A、負電中心，空穴B、負電中心，電子C、正電中心，空穴D、正電中心，電子正確答案:【正電中心，電子】10、問題：下列哪個能級是屬于淺能級？選項：A、EDB、EA3C、EA2D、EA1正確答案:【EA1】11、問題：根據(jù)導(dǎo)電能力的大小，可以將物質(zhì)分為哪幾類？選項：A、絕緣體B、半導(dǎo)體C、導(dǎo)體D、晶體正確答案:【絕緣體#半導(dǎo)體#導(dǎo)體】12、問題：集成電路的行業(yè)模式可以分為哪幾種？選項：A、IBMB、IDMC、FabD、Fabless正確答案:【IDM#Fab#Fabless】13、問題：半導(dǎo)體晶體具有哪些特征？選項：A、周期性B、各向異性C、各向同性D、無規(guī)則性正確答案:【周期性#各向異性】14、問題：晶體結(jié)構(gòu)可以抽象為（）加（）？選項：A、晶格點陣B、原胞C、基元D、晶胞正確答案:【晶格點陣#基元】15、問題：晶體中能帶的特點有？選項：A、能帶與能帶之間存在禁帶B、低能級形成的能帶寬度一般小于高能級形成的能帶寬度C、能帶是準(zhǔn)連續(xù)的D、能帶是連續(xù)的正確答案:【能帶與能帶之間存在禁帶#低能級形成的能帶寬度一般小于高能級形成的能帶寬度#能帶是準(zhǔn)連續(xù)的】16、填空題：利用（）模型，可以對淺能級雜質(zhì)的電離能進行估算？正確答案:【類氫】17、填空題：若半導(dǎo)體中同時存在施主和受主摻雜，且施主摻雜濃度近似等于受主摻雜濃度，則該半導(dǎo)體稱為（）半導(dǎo)體？正確答案:【高度補償】18、填空題：金剛石結(jié)構(gòu)是由（）組成復(fù)式格子。正確答案:【面心立方】19、填空題：（）是將雜質(zhì)離子通過電場加速、磁場選擇注入到半導(dǎo)體晶片以調(diào)控半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)的摻雜手段。正確答案:【離子注入】20、填空題：根據(jù)能帶結(jié)構(gòu)的特點，可以將半導(dǎo)體分為直接帶隙和（）半導(dǎo)體。正確答案:【間接帶隙】隨堂測驗1、問題：下列說法正確的有？選項：A、費米能級以下的量子態(tài)全部被電子占據(jù)B、絕對0K時，費米能級以下的量子態(tài)全部被電子占據(jù)C、溫度不太高的情況下，費米能級以上的量子態(tài)幾乎是空的D、溫度不太高的情況下，費米能級以上的量子態(tài)是空的正確答案:【絕對0K時，費米能級以下的量子態(tài)全部被電子占據(jù)#溫度不太高的情況下，費米能級以上的量子態(tài)幾乎是空的】隨堂測驗1、問題：本征半導(dǎo)體的費米能級位于（）。選項：A、導(dǎo)帶底附近B、價帶頂附近C、禁帶中線D、導(dǎo)帶內(nèi)正確答案:【禁帶中線】2、問題：關(guān)于本征半導(dǎo)體，下列說法哪些是正確的？選項：A、本征半導(dǎo)體的載流子濃度來源于本征激發(fā)B、本征半導(dǎo)體，電子濃度等于空穴濃度C、本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度無關(guān)D、一定溫度下，半導(dǎo)體的禁帶寬度越大，本征載流子濃度越小正確答案:【本征半導(dǎo)體的載流子濃度來源于本征激發(fā)#本征半導(dǎo)體，電子濃度等于空穴濃度#一定溫度下，半導(dǎo)體的禁帶寬度越大，本征載流子濃度越小】3、問題：本征半導(dǎo)體是雜質(zhì)半導(dǎo)體中的一種。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】隨堂測驗1、問題：對于單一摻雜的n型半導(dǎo)體，低溫下，其載流子主要來源于？選項：A、受主雜質(zhì)電離B、施主雜質(zhì)電離C、本征激發(fā)D、雜質(zhì)散射正確答案:【施主雜質(zhì)電離】2、問題：下列說法正確的有？選項：A、半導(dǎo)體器件一般工作在本征激發(fā)區(qū)B、半導(dǎo)體器件一般工作在強電離區(qū)C、雜質(zhì)半導(dǎo)體處于強電離狀態(tài)時，其載流子濃度基本不變D、當(dāng)溫度較低時，n型半導(dǎo)體費米能級位于禁帶中線正確答案:【半導(dǎo)體器件一般工作在強電離區(qū)#雜質(zhì)半導(dǎo)體處于強電離狀態(tài)時，其載流子濃度基本不變】3、問題：雜質(zhì)能級上電子的分布規(guī)律與能帶中的電子分布規(guī)律一致。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】隨堂測驗1、問題：服從玻爾茲曼統(tǒng)計律的半導(dǎo)體具有哪個特征？選項：A、是重摻雜半導(dǎo)體B、其費米能級位于禁帶內(nèi)，且同導(dǎo)帶底、價帶頂?shù)木嚯x較遠C、稱為簡并半導(dǎo)體D、其雜質(zhì)原子之間容易產(chǎn)生電子共有化運動正確答案:【其費米能級位于禁帶內(nèi)，且同導(dǎo)帶底、價帶頂?shù)木嚯x較遠】隨堂測驗1、問題：下列哪個式子代表微分歐姆定律？選項：A、B、C、D、正確答案:【】2、問題：下列哪些是電阻率的單位？選項：A、B、C、D、正確答案:【#】3、問題：空穴的漂移運動方向與電場方向一致。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】隨堂測驗1、問題：下列說法正確的是？選項：A、半導(dǎo)體的電阻率決定于載流子濃度和遷移率B、半導(dǎo)體的載流子濃度越高，電阻率越大C、本征半導(dǎo)體的電阻率隨溫度增加而單調(diào)下降D、雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率隨溫度增加而單調(diào)下降正確答案:【半導(dǎo)體的電阻率決定于載流子濃度和遷移率#本征半導(dǎo)體的電阻率隨溫度增加而單調(diào)下降】2、填空題：在低于室溫的條件下，雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度主要由提供？正確答案:【雜質(zhì)電離】階段測驗21、問題：簡并半導(dǎo)體，必須要用（）分布函數(shù)來描述電子和空穴的統(tǒng)計分布規(guī)律。選項：A、玻爾茲曼B、費米C、薛定諤D、德布羅意正確答案:【費米】2、問題：費米能級越高，代表系統(tǒng)中有更多（）能量的電子，費米能級以上的量子態(tài)幾乎是（）。選項：A、低，空的B、高，全部被占滿的C、高，空的D、低，全部被占滿的正確答案:【高，空的】3、問題：電子直接從價帶躍遷到導(dǎo)帶的過程稱為（）。選項：A、本征激發(fā)B、施主電離C、受主電離D、載流子復(fù)合正確答案:【本征激發(fā)】4、問題：本征半導(dǎo)體的載流子來源于（）。選項：A、雜質(zhì)電離B、施主電離C、受主電離D、本征激發(fā)正確答案:【本征激發(fā)】5、問題：電子占據(jù)雜質(zhì)能級不可能發(fā)生的的情況是（）。選項：A、2個電子同時占據(jù)1個雜質(zhì)能級B、1個自旋向上的電子占據(jù)1個雜質(zhì)能級C、1個自旋向下的電子占據(jù)1個雜質(zhì)能級D、雜質(zhì)能級空著正確答案:【2個電子同時占據(jù)1個雜質(zhì)能級】6、問題：對于單一摻雜的n型半導(dǎo)體，其一般的電中性條件是（）。選項：A、B、C、D、正確答案:【】7、問題：高溫本征激發(fā)區(qū)，單一摻雜的n型半導(dǎo)體，其電中性條件可以簡化為（）。選項：A、B、C、D、正確答案:【】8、問題：電離雜質(zhì)的散射幾率與溫度的關(guān)系為（）。選項：A、B、C、D、正確答案:【】9、問題：晶格聲學(xué)波振動，代表（）的振動。選項：A、原胞中原子的相對振動B、原胞中某一原子的上下運動C、原胞質(zhì)心的振動D、原胞中原子的相反方向運動正確答案:【原胞質(zhì)心的振動】10、問題：強電場情況下，載流子溫度()與晶格溫度()的關(guān)系為（）。選項：A、B、C、D、正確答案:【】11、問題：處于強電離區(qū)的單一摻雜n型半導(dǎo)體，具有哪些特征？選項：A、B、C、D、正確答案:【##】12、問題：質(zhì)量作用定律體現(xiàn)在哪些方面（）？選項：A、與費米能級無關(guān)B、對于給定的半導(dǎo)體材料，C、對于給定的半導(dǎo)體材料，只取決于所含的雜質(zhì)濃度只取決于溫度D、正確答案:【與費米能級無關(guān)#對于給定的半導(dǎo)體材料，只取決于溫度#】13、問題：下列關(guān)于本征半導(dǎo)體，說法正確的有？選項：A、本征半導(dǎo)體是一塊沒有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體B、本征半導(dǎo)體的費米能級位于禁帶的中線附近C、本征半導(dǎo)體中導(dǎo)帶電子濃度等于價帶空穴濃度D、本征半導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而單調(diào)下降正確答案:【本征半導(dǎo)體是一塊沒有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體#本征半導(dǎo)體的費米能級位于禁帶的中線附近#本征半導(dǎo)體中導(dǎo)帶電子濃度等于價帶空穴濃度#本征半導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而單調(diào)下降】14、問題：半導(dǎo)體的散射機構(gòu)包括（）。選項：A、電離雜質(zhì)散射B、聲學(xué)波散射C、光學(xué)波散射D、晶格振動散射正確答案:【電離雜質(zhì)散射#聲學(xué)波散射#光學(xué)波散射#晶格振動散射】15、問題：關(guān)于雜質(zhì)半導(dǎo)體電阻率隨溫度的變化關(guān)系描述正確的有（）。選項：A、雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高單調(diào)下降B、低溫下，半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高而下降，主要因為載流子濃度隨溫度升高而升高，且雜質(zhì)電離散射幾率隨溫度升高而下降C、高溫下，當(dāng)本征激發(fā)稱為主要矛盾時，其電阻率隨溫度升高而下降D、當(dāng)溫度升高到雜質(zhì)基本電離，且本征激發(fā)不顯著時，晶格振動散射成為影響電阻率的主要因素正確答案:【低溫下，半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高而下降，主要因為載流子濃度隨溫度升高而升高，且雜質(zhì)電離散射幾率隨溫度升高而下降#高溫下，當(dāng)本征激發(fā)稱為主要矛盾時，其電阻率隨溫度升高而下降#當(dāng)溫度升高到雜質(zhì)基本電離，且本征激發(fā)不顯著時，晶格振動散射成為影響電阻率的主要因素】16、問題：對于給定的半導(dǎo)體，其費米能級不隨溫度變化而變化。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】17、問題：本征半導(dǎo)體制作的器件，其電學(xué)性質(zhì)具有較好的溫度穩(wěn)定性。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】18、問題：一般情況下，禁帶寬度越大的半導(dǎo)體，其器件的極限工作溫度越高。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】19、問題：本征激發(fā)占主導(dǎo)地位時，非簡并半導(dǎo)體的費米能級趨于禁帶的中線位置。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】20、問題：特定溫度下，對于給定的半導(dǎo)體材料，電導(dǎo)率是常數(shù)，與電場無關(guān)。選