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文檔簡介
GB/T40675.2—2021/IEC623數字器件和設備用噪聲抑制片第2部分:測量方法國家市場監(jiān)督管理總局國家標準化管理委員會I V 12規(guī)范性引用文件 13術語和定義 1 15測試方法 2 2 25.1.2測試裝置 35.1.3測試樣品 5 65.1.5測試結果的表述 7 7 75.2.2測試裝置 85.2.3測試樣品 9 95.2.5測試結果的表述 95.3傳輸衰減比:Rp 95.3.1原理 95.3.2測試裝置 5.3.3測試夾具 5.3.6測試結果的表述 5.4.2測試裝置 5.4.3測試樣品 5.4.4步驟 5.5線路去耦比:R Ⅱ5.5.1通則 5.5.3測試裝置 5.5.4測試樣品 20 205.5.6測試結果的表述 21圖1天線對及NSS的測試示意圖 2 3 3 4 5 6 7 8 8 圖11測試結果數據示例 圖13測試夾具原理圖 圖15測試樣品在夾具上的粘附 圖16設置在轉臺上的測試夾具 圖17噪聲路徑 圖18用于線路去耦測量的測試夾具 圖19線路去耦比測量裝置示意圖 表1所推薦天線的優(yōu)點和局限性 4表2環(huán)形天線的尺寸 5表3測試樣品的尺寸 6表4環(huán)形天線的尺寸 9 ⅢGB/T40675.2—2021/I表10MSL的尺寸 表11環(huán)形天線的尺寸 表12測試樣品的尺寸 VVGB/T40675.2—2021/IEC62333-本文件規(guī)定了噪聲抑制片電磁特性的測量方法。這些測量方法能夠對噪聲抑制片的性能進行有效且可重復地測量,以保證制造商及用戶能得到相同的測量結果。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,僅該日期對應的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。IEC62333-1數字器件和設備用噪聲抑制片第1部分:定義和一般性能(NoisesuppressionsheetfordigitaldevicesandCISPR16-1無線電騷擾和抗擾度測量設備和測量方法規(guī)范第1部分:無線電騷擾和抗擾度測量設備(SpecificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringaRadiodisturbanceandimCISPR22信息技術設備無線電搔擾限值和測量方法(Informationtechnologyequipment—Radiodisturbancecharacteristics—Limitsandmethodsofmeasurement)本文件沒有需要界定的術語和定義。4通則電子設備之間的電磁干擾來自于電子器件的輻射,也有一部分是由高頻驅動的有源器件產生的射工2GB/T40675.2—2021/IEC62333-2:2015頻電流引起的。印刷電路板(PCB)、安裝在PCB板上的電子器件,及所有其他連接電路或電纜都能作器。兩個去耦比都從天線附近安裝NSS之前和之后的對比得出。這些測試程序代表了NSS的實際結微帶線(MSL)測試夾具用來測試Rp,MSL作為傳輸線同時也是噪聲通路。這個比率來源于NSS安裝之前和之后的對比。這個測試過程代表了NSS的另一實際結構情況——用于減少沿傳輸線的射MSL測試夾具作為天線,也用來測試R。這個比率可從NSS安裝之前得出。這個測試過程代表了NSS降低天線輻射的另一種實際結構狀以下測試方法適用于100MHz~6GHz范圍內評估NSS一側的線或電路板之間的耦合減少的內部的電磁干擾情況(見圖1)。NSS放置在一對天線中心接近NSS中心的位置。測試伴有NSS的兩根天線之間的耦合。同樣測一根天線所產生的射頻(RF)磁場耦合到另一根天線(見圖2a)]。通過設置NSS及天線對[見圖2b)],一部分磁通量被引向NSS,借助材料的電磁損耗使耦合降低。NSSNSS3耦合5,耦合5,GB/T40675.2—2021/IEC62333-圖2天線對及測試狀態(tài)下的NSS圖1顯示了同側去耦比的測試原理。射頻(RF)磁場的產生和磁通探測應使用小型的環(huán)形天線。理想的環(huán)形天線對的S??值和頻率成正比。這意味著隨著頻率增加十倍,S21將增加20dB。環(huán)形天線的可用頻率范圍根據S?與其理論值的偏差來確定。如圖3所示,偏差宜小于±3dB。ff圖3環(huán)形天線對之間耦合的頻率響應圖4所示的幾種環(huán)形天線的設計都能夠獲得20dB/十倍頻程描述有效的Rda/Rde測試的頻率響應。圖4給出了推薦的小型天線示例。表1描述了所推薦的示例天線的優(yōu)點和局限性。4GB/T40675.2—2021/IEC62333-襯底焊接ψ連接器圖4推薦的測試用小型環(huán)形天線示例表1所推薦天線的優(yōu)點和局限性分圖頻率范圍(大約)有切口的多層屏蔽天線有鐵氧體磁珠的轉動天線有切口的同軸屏蔽天線帶電氣短路板的屏蔽環(huán)形天線5環(huán)形天線應按照圖5設置。環(huán)形天線的尺寸如表2所列。距離(D)直徑(pa)間隙(H)角度(0)網絡分析儀宜作為信號源又宜作為信號接收器。網絡分析儀的校準宜在環(huán)形天線的最近點完成。圖6和表3標明了測試樣品的尺寸。6GB/T40675.2—2021/IEC6233長度(L)寬度(W)注:在該測試中,能使用任何厚度的測試樣品,測試樣品的厚度取決于天線的安裝及測試樣品如表2、表3、表5和圖6所示。b)當使用有切口的環(huán)形天線時,應按圖6所示放置兩根天線的切口。a)應按照5.1.2準備環(huán)形天線對;c)按照圖5和圖6安裝測試樣品和天線;d)測試傳輸性能(S??),先測試不使用測試樣品時的值(S21r),然后測試使用測試樣品時的值7Rd=S21R—S21M(dB)S21R——不使用測試樣品時的傳輸特性(S21);5.1.5測試結果的表述應表述出Rd值。本方法用于評價在100MHz~6GHz的頻率范圍內,連接線或者電路板之間使用NSS后耦合減少的程度。采用一對天線,一根作為噪聲源,另一根作為接收器。電子設備中實際觀察到的電磁干擾可按圖7所示的測量進行模擬。NSS放置在天線對的中間位置。先測試有NSS的兩根天線間的S??,再測試沒有NSS的耦合并作為參照,經過對比便能得到異側去耦比Rd(dB)。一根天線產生的射頻磁場耦合到另一根天線(見圖8)。通過在天線之間設置NSS,一部分磁通量被引向NSS,借助材料的電磁損耗使耦合降低。圖7環(huán)形天線對和測試樣品的測試原理圖8環(huán)形天線環(huán)形天線磁通測試樣品圖8天線對和測試樣品測試示意圖圖7示出了異側去耦比的測試原理。應使用5.1.2中規(guī)定的小型環(huán)形天線。兩根環(huán)形天線應按圖9所示擺放。環(huán)形天線的尺寸如表4所列。天線的頻率響應應滿足5.1.2的要求。圖9測試裝置原理圖9距離(D)直徑(pa)角度(0)天線的安裝及測試樣品如表1、表3和圖9所示。b)當使用有切口的環(huán)形天線時,應按圖8所示放置兩根天線的切口。c)按照圖8和圖9所示安裝測試樣品和天線;d)測試傳輸性能(S??),先測試不使用測試樣品時的值(S21r),然后測試使用測試樣品時的值異側去耦比R按照公式(2)計算:Rde=S21R—S21M(dB)本方法用于測試安裝噪聲抑制片后沿著PCB板或其他路徑的傳導電流噪聲的衰減。用于微波頻GB/T40675.2—2021/IEC62333-2:2傳輸衰減比R的測試方法原理如圖10所示。接地板接地板圖10傳輸衰減率Rp的測試方法原理圖印有條形導線的測試夾具的尺寸如表5所示。測試夾具的兩端宜通過SMA連接器連接到網絡分析儀。測試夾具兩端之間的電壓駐波比(VSWR)在測寬度厚度銅銅“典型值。GB/T40675.2—2021/IEC62333-2:2用來測試Rp的測試樣品尺寸如表6所列。長度(L)寬度(W)當測試樣品有粘性或有粘合層時可接將其固定在MSL測試夾具上。b)用粘合劑固定:合劑不能影響測試夾具的傳輸特性。粘合劑厚度宜于0.1m應提前在條形導線和抑制片之間插入墊片。對苯二甲酸乙二醇酯(PET)片不影響傳輸特性,宜提前按照5.3.2和5.3.4來準備測試儀器和測試樣品。網絡分析儀的校準工作宜在同軸電纜連測試樣品宜按照5.3.4固定在測試夾具上。測量并記錄S和S21數據作為樣品特性值。測試好的應使用公式(3)計算R值:Rp=—101g{10S21M/10/(1-10S11M/10)}(dB) (3)計算結果顯示了測試樣品導致的衰減。數據示例如圖11a5.3.6測試結果的表述5.4輻射抑制比R在該測試中,MSL作為輻射源。MSL條狀導體中的電流產生電磁波輻射。在條狀導體上安裝用一個特性阻抗為50Ω的MSL作為測試夾具。測試夾具原理如圖13所示,測試夾具規(guī)格分別如圖14和表7所示。測試夾具的VSWR宜小于1.5。圖13測試夾具原理圖GB/T40675.2—2021/IEC中心導體襯底連接器50Q阻抗端子條形導線接地板圖14測試夾具尺寸及結構表7測試夾具的尺寸寬度厚度銅銅5.4.2.2信號源具有跟蹤發(fā)生器的頻譜分析儀最適合用于本測試。網絡分析儀可替代測試設備。信號源的輸出功率應為0dBm~10dBm。GB/T40675.2—2021/IEC6233接收天線應是符合CISPR16-1要求的寬頻天測試樣品的長度和寬度如表8所列。對測試樣品的厚度不作要求。長度(L)寬度(W)按照圖15所示,通過以下任一方法將測試樣品固定在條形導線上。測試樣品應完全覆蓋條形GB/T40675.2—2021/IEC62333-2:2測試系統(tǒng)應根據CISPR22及5.4.2設置。測試夾具應按照圖16的要求固定在轉臺上。測試夾具的條形導線應圖16設置在轉臺上的測試夾具b)測試a)測試樣品固定在測試夾具上b)測試夾具設置測試夾具應按照圖16所示放置在轉臺上。測試夾具的帶線導體應是水平的。測試夾具的底c)測試應按照公式(4)計算Rrs:GB/T40675.2—2021/IEC6233b)測試樣品的粘附條件。表9和圖17示出了每種噪聲的抑制效果。零件(元件)同側異側零件(元件)①同側去耦②⑤③④輻射抑制⑥⑤⑦⑤③③②⑦干擾⑤;線路去耦底盤⑥④①圖17噪聲路徑以下測試方法適用于100MHz~6GHz范圍內評估NSS兩側的線或零件之間的耦合減少的如圖18所示,用于評估的測試夾具由微帶線(MSL)和磁環(huán)天線構成。該測試夾具的目的是模擬GB/T40675.2—2021/IEC62333-電子設備中經常觀察到的電磁干擾。MSL和天線分別對應于噪聲源(干擾)和接收器(受擾)。如圖19所示,天線和NSS設置在MSL的中心。測量帶有NSS和不帶有NSS的環(huán)形天線與MSL的兩個耦合因子(單位為dB)。兩個因子的差為線路去耦比Ra,單位為dB。NSS的磁導率會改變其附近的磁場,能用于減少MSL與天線之間的噪聲耦合。在磁導率虛部為主導的高頻范圍,由于NSS的磁損耗,噪聲能被有效吸收。圖18用于線路去耦測量的
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