模擬電子關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)放大電路的頻率響應(yīng)題解童詩白_第1頁
模擬電子關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)放大電路的頻率響應(yīng)題解童詩白_第2頁
模擬電子關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)放大電路的頻率響應(yīng)題解童詩白_第3頁
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第五章放大電路頻率響應(yīng)(童詩白)自測題一、選取對的答案填入空內(nèi)。(1)測試放大電路輸出電壓幅值與相位變化,可以得到它頻率響應(yīng),條件是。A.輸入電壓幅值不變,變化頻率B.輸入電壓頻率不變,變化幅值C.輸入電壓幅值與頻率同步變化(2)放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降因素是,而低頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降因素是。A.耦合電容和旁路電容存在B.半導(dǎo)體管極間電容和分布電容存在。C.半導(dǎo)體管非線性特性D.放大電路靜態(tài)工作點不適當(3)當信號頻率等于放大電路fL或fH時,放大倍數(shù)值約下降到中頻時。A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。A.3dBB.4dB C.5dB(4)對于單管共射放大電路,當f=fL時,與相位關(guān)系是。A.+45?B.-90?C.-135?當f=fH時,與相位關(guān)系是。A.-45?B.-135?C.-225?解:(1)A(2)B,A(3)BA(4)CC二、電路如圖T5.2所示。已知:VCC=12V;晶體管Cμ=4pF,fT=50MHz,=100Ω,0=80。試求解:(1)中頻電壓放大倍數(shù);(2);(3)fH和fL;(4)畫出波特圖。圖T5.2解:(1)靜態(tài)及動態(tài)分析估算:(2)估算:(3)求解上限、下限截止頻率:(4)在中頻段增益為頻率特性曲線如解圖T5.2所示。解圖T5.2已知某放大電路波特圖如圖T5.3所示,填空:(1)電路中頻電壓增益20lg||=dB,=。(2)電路下限頻率fL≈Hz,上限頻率fH≈kHz.(3)電路電壓放大倍數(shù)表達式=。圖T5.3解:(1)60104(2)1010(3)闡明:該放大電路中頻放大倍數(shù)也許為“+”,也也許為“-”。習(xí)題5.1在圖P5.1所示電路中,已知晶體管、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。填空:除規(guī)定填寫表達式之外,別的各空填入①增大、②基本不變、③減小。圖P5.1(1)在空載狀況下,下限頻率表達式fL=。當Rs減小時,fL將;當帶上負載電阻后,fL將。(2)在空載狀況下,若b-e間等效電容為,則上限頻率表達式fH=;當Rs為零時,fH將;當Rb減小時,gm將,將,fH將。解:(1)。①;①。(2);①;①,①,③。5.2已知某電路波特圖如圖P5.2所示,試寫出表達式。圖P5.2解:設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。5.3已知某共射放大電路波特圖如圖P5.3所示,試寫出表達式。圖P5.3解:觀測波特圖可知,中頻電壓增益為40dB,即中頻放大倍數(shù)為-100;下限截止頻率為1Hz和10Hz,上限截止頻率為250kHz。故電路表達式為5.4已知某電路幅頻特性如圖P5.4所示,試問:(1)該電路耦合方式;(2)該電路由幾級放大電路構(gòu)成;(3)當f=104Hz時,附加相移為多少?當f=105時,附加相移又約為多少?解:(1)由于下限截止頻率為0,因此電路為直接耦合電路;(2)由于在高頻段幅頻特性為圖P5.4-60dB/十倍頻,因此電路為三級放大電路;(3)當f=104Hz時,φ'=-135o;當f=105Hz時,φ'≈-270o。5.5若某電路幅頻特性如圖P5.4所示,試寫出表達式,并近似估算該電路上限頻率fH。解:表達式和上限頻率分別為5.6已知某電路電壓放大倍數(shù)試求解:(1)=?fL=?fH=?(2)畫出波特圖。解:(1)變換電壓放大倍數(shù)表達式,求出、fL、fH。(2)波特圖如解圖P5.6所示。解圖P5.65.7已知兩級共射放大電路電壓放大倍數(shù)(1)=?fL=?fH=?(2)畫出波特圖。解:(1)變換電壓放大倍數(shù)表達式,求出、fL、fH。(2)波特圖如解圖P5.7所示。解圖P5.75.8電路如圖P5.8所示。已知:晶體管、、Cμ均相等,所有電容容量均相等,靜態(tài)時所有電路中晶體管發(fā)射極電流IEQ均相等。定性分析各電路,將結(jié)論填入空內(nèi)。圖P5.8(1)低頻特性最差即下限頻率最高電路是;(2)低頻特性最佳即下限頻率最低電路是;(3)高頻特性最差即上限頻率最低電路是;解:(1)(a)(2)(c)(3)(c)5.9在圖P5.8(a)所示電路中,若=100,rbe=1kΩ,C1=C2=Ce=100μF,則下限頻率fL≈?解:由于所有電容容量相似,而Ce所在回路等效電阻最小,所如下限頻率決定于Ce所在回路時間常數(shù)。5.10在圖P5.8(b)所示電路中,若規(guī)定C1與C2所在回路時間常數(shù)相等,且已知rbe=1kΩ,則C1:C2=?若C1與C2所在回路時間常數(shù)均為25ms,則C1、C2各為多少?下限頻率fL≈?解:(1)求解C1:C2由于C1(Rs+Ri)=C2(Rc+RL)將電阻值代入上式,求出C1:C2=5:1。(2)求解C1、C2容量和下限頻率5.11在圖P5.8(a)所示電路中,若Ce突然開路,則中頻電壓放大倍數(shù)、fH和fL各產(chǎn)生什么變化(是增大、減小、還是基本不變)?為什么?解:將減小,由于在同樣幅值作用下,將減小,隨之減小,必然減小。fL減小,由于少了一種影響低頻特性電容。fH增大。由于會因電壓放大倍數(shù)數(shù)值減小而大大減小,因此雖然所在回落等效電阻有所增大,但時間常數(shù)仍會減小諸多,故fH增大。5.12在圖P5.8(a)所示電路中,若C1>Ce,C2>Ce,=100,rbe=1kΩ,欲使fL=60Hz,則Ce應(yīng)選多少微法?解:下限頻率決定于Ce所在回路時間常數(shù),。R為Ce所在回路等效電阻。R和Ce值分別為:μF5.13在圖P5.8(d)所示電路中,已知晶體管=100Ω,rbe=1kΩ,靜態(tài)電流IEQ=2mA,=800pF;Rs=2kΩ,Rb=500kΩ,RC=3.3kΩ,C=10μF。試分別求出電路fH、fL,并畫出波特圖。解:(1)求解fL(2)求解fH和中頻電壓放大倍數(shù)其波特圖參照解圖P5.6。5.14電路如圖P5.14所示,已知Cgs=Cgd=5pF,gm=5mS,C1=C2=CS=10μF。試求fH、fL各約為多少,并寫出表達式。圖P5.14解:fH、fL、表達式分析如下:5.15在圖5.4.7(a)所示電路中,已知Rg=2MΩ,Rd=RL=10kΩ,C=10μF;場效應(yīng)管Cgs=Cgd=4pF,gm=4mS。試畫出電路波特圖,并標出關(guān)于數(shù)據(jù)。解:其波特圖參照解圖P5.6。5.16已知一種兩級放大電路各級電壓放大倍數(shù)分別為(1)寫出該放大電路表達式;(2)求出該電路fL和fH各約為多少;(3)畫出該電路波特圖。解:(1)電壓放大電路表達式(2)fL和fH分別為:(3)依照電壓放大倍數(shù)表達式可知,中頻電壓放大倍數(shù)為104,增益為80dB。波特圖如解圖P5.16所示。解圖P5.165.17電路如圖P5.17所示。試定性分析下列問題,并簡述理由。(1)哪一種電容決定電路下限頻率;(2)若T1和T2靜態(tài)時發(fā)射極電流相等,且和相等,則哪一級上限頻率低。圖P5.17解:(1)決定電路下限頻率是Ce,由于它所在回路等效電

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