1YS/TXXXX—XXXX半絕緣砷化鎵單晶襯底片本文件規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶襯底片（以下簡稱“襯底片”）的分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。本文件適用于垂直梯度凝固法（VGF）、液封直拉法（LEC）或垂直布里奇曼法（VB）生長的，用于射頻、太陽能電池領(lǐng)域的襯底片的生產(chǎn)、檢驗和質(zhì)量評價。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6619硅片彎曲度測試方法GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T6621硅片表面平整度測試方法GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB/T8760砷化鎵單晶位錯密度的測試方法GB/T13387硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法GB/T13388硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測試方法GB/T14140硅片直徑測量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號表示方法GB/T17170半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法GB/T19199半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法GB/T19921硅拋光片表面顆粒測試方法GB/T26067硅片切口尺寸測試方法SJ/T11488半絕緣砷化鎵電阻率、霍爾系數(shù)和遷移率測試方法3術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4牌號和類別4.1襯底片的牌號表示方法按GB/T14844的規(guī)定進行。2YS/TXXXX-XXXX4.2襯底片按直徑分為50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm5種規(guī)格。5技術(shù)要求5.1電學(xué)性能襯底片的電學(xué)性能應(yīng)符合表1的規(guī)定。I%,1×10)%5.2表面晶向及晶向偏離襯底片的表面晶向為＜100晶向偏離不大于0.5°。5.3位錯密度襯底片的位錯密度等級及要求應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2位錯密度I5.4參考面的取向、形狀和尺寸3YS/TXXXX—XXXX5.4.1以主副參考面為基準時，Ф50.8mm、Ф76.2mm、Ф100.0mm、Ф150.0mm襯底片參考面的取向、形狀和尺寸應(yīng)符合表3的要求。表3參考面的取向、形狀和尺寸°［0ii］±0.5屬于1個鎵面，°5.4.2以V型切口(Notch)為基準時，Ф150.0mm、Ф200.0mm襯底片V型切口的取向和尺寸應(yīng)符合表4的規(guī)定。表4V型切口的取向和尺寸°°5.5外形幾何尺寸襯底片的外形幾何尺寸應(yīng)符合表5的要求。表5外形幾何尺寸5.6碳原子濃度和深能級缺陷EL2濃度4YS/TXXXX-XXXX襯底片碳原子濃度和深能級缺陷EL2濃度應(yīng)符合表6的規(guī)定。表6碳原子濃度和深能級缺陷EL2濃度5.7表面質(zhì)量襯底片的表面質(zhì)量應(yīng)符合表7的規(guī)定。表7表面質(zhì)量無無霧無無無無無無無無無無無無無無無無5.8其他需方如對襯底片的技術(shù)指標(biāo)有其他要求，由供需雙方協(xié)商確定，并在訂貨單中注明。5YS/TXXXX—XXXX6試驗方法6.1電學(xué)性能6.1.1電阻率襯底片電阻率的測試按SJ/T11488的規(guī)定進行。6.1.2截面電阻率不均勻性襯底片截面電阻率不均勻性應(yīng)測試樣本的電阻率，在單晶橫截面沿直徑方向均勻取5個測試點，即中心取1點，左右各取2點。半絕緣砷化鎵單晶截面電阻率不均勻性按公式（1）進行計算：式中：d——截面電阻率不均勻性；ρmax——截面電阻率最大值，單位為歐姆厘米(Ω·cm)；ρmin——截面電阻率最小值，單位為歐姆厘米(Ω·cm)；i——第i個測量點電阻率，單位為歐姆厘米(Ω·cm)；i——測試點數(shù)目，i=1～5；n——測試點總數(shù)，n=5。6.1.3霍爾遷移率襯底片霍爾遷移率的測試按SJ/T11488的規(guī)定進行。6.2表面晶向及晶向偏離襯底片表面晶向及晶向偏離的測試按GB/T1555的規(guī)定進行。6.3位錯密度襯底片位錯密度的測試按GB/T8760的規(guī)定進行。6.4參考面的取向、形狀和尺寸6.4.1襯底片的主、副參考面取向的測試按GB/T13388的規(guī)定進行。6.4.2襯底片的參考面長度測試按GB/T13387的規(guī)定進行。6.4.3襯底片的參考面V型切口（Notch）形狀及尺寸的測試按GB/T26067的規(guī)定進行。6.5外形幾何尺寸6.5.1襯底片的直徑及允許偏差的測試按GB/T14140的規(guī)定進行。6.5.2襯底片的厚度及允許偏差的測試按GB/T6618的規(guī)定進行。6.5.3襯底片總厚度變化（TTV）的測試按GB/T6618的規(guī)定進行。6.5.4襯底片總指示讀數(shù)(TIR)的測試按GB/T6621的規(guī)定進行。6.5.5襯底片彎曲度(Bow)的測試按GB/T6619的規(guī)定進行。6.5.6襯底片翹曲度(Warp)的測試按GB/T6620的規(guī)定進行。6YS/TXXXX-XXXX6.6碳原子濃度和深能級缺陷EL2濃度6.6.1襯底片碳原子濃度的測試按GB/T19199的規(guī)定進行。6.6.2襯底片深能級缺陷EL2濃度的測試按GB/T17170的規(guī)定進行。6.7表面質(zhì)量襯底片局部光散射體（LLS）數(shù)量的測試按GB/T19921的規(guī)定進行，其他表面質(zhì)量的測試按GB/T6624的規(guī)定進行。7檢驗規(guī)則7.1檢查和驗收7.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方或第三方進行檢驗，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件和訂貨單的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量證明書。7.1.2需方可對收到的產(chǎn)品按本文件的規(guī)定進行檢驗，若檢驗結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符時，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個月內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。7.2組批襯底片應(yīng)成批提交驗收，每批應(yīng)由同一根砷化鎵單晶晶錠加工而成的、相同規(guī)格的產(chǎn)品組成。7.3檢驗項目及取樣7.3.1襯底片的電學(xué)性能、表面晶向及晶向偏離、位錯密度、碳原子濃度和深能級缺陷EL2濃度的檢驗項目及取樣應(yīng)符合表8的規(guī)定。表8檢驗項目及取樣7.3.2每批襯底片的參考面取向、形狀和尺寸及外形幾何尺寸、表面質(zhì)量的檢驗項目及取樣應(yīng)符合表9的規(guī)定，也可由供需雙方協(xié)商確定。表9檢驗項目及取樣7YS/TXXXX—XXXX表9檢驗項目及取樣（續(xù)）7.4檢驗結(jié)果的判定7.4.1襯底片的電阻率、截面電阻率不均勻性、霍爾遷移率、表面晶向及晶向偏離、位錯密度、碳原子濃度和深能級缺陷EL2濃度的檢驗結(jié)果中有任意一項不合格時，判該批產(chǎn)品不合格。7.4.2襯底片的參考面取向、形狀和尺寸、直徑及允許偏差、厚度及允許偏差、總厚度變化、總指示讀數(shù)、彎曲度、翹曲度、表面質(zhì)量的檢驗結(jié)果中有任意一項不合格時，供方可對不合格項進行逐片檢驗，除去不合格品后，合格品可以重新組批。8標(biāo)志、包裝、運輸、貯存和隨行文件8.1標(biāo)志8.1.1檢驗合格的襯底片外包裝袋上應(yīng)粘貼標(biāo)簽，其上注明：a）產(chǎn)品名稱、規(guī)格；b）產(chǎn)品批號；c）產(chǎn)品數(shù)量；d）生產(chǎn)日期。8.1.2襯底片的外包裝箱上應(yīng)貼有標(biāo)簽，其上注明：a）供方名稱、地址、電話；b）產(chǎn)品名稱、規(guī)格；c）產(chǎn)品數(shù)量或凈重；d）“小心輕放”“防潮”“易碎”“堆疊層數(shù)”標(biāo)志或字樣。8.2包裝8.2.1單片包裝檢驗合格的襯底片可放置在專用的單片圓盒內(nèi)。單片圓盒由聚丙烯（PP）、聚碳酸酯（PC）材料制成。襯底片清洗干凈后，正表面朝下放入專用單片圓盒內(nèi)，每盒1片，放置壓環(huán)合蓋后，用塑料袋、鋁箔袋分別抽真空充高純氮氣(≥5N)密封。8.2.2多片包裝檢驗合格的襯底片亦可放置在專用的多片盒內(nèi)，每個卡塞放置多片清洗干凈的襯底片（根據(jù)客戶需求，一般放置25片）?？ㄈ杏删郾≒P）制成。襯底片清洗干凈后，正表面朝U端，背面朝H端，合蓋后用塑料袋、鋁箔袋分別抽真空充高純氮氣(≥5N)密封。8.2.3外包裝箱8YS/TXXXX-XXXX將完成真空包裝的單片圓盒或多片盒放入四周有珍珠棉或海綿防護的包裝箱中封箱。8.3運輸產(chǎn)品在運輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震、防潮措施。8.4貯存產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。8.5隨行文件每批產(chǎn)品應(yīng)附有