第1頁（共1頁）2025高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)之晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)一．選擇題（共20小題）1．（2024?邵陽二模）采用氮化鎵元件的充電器體積小、質(zhì)量輕，在發(fā)熱量、效率轉(zhuǎn)換上相比普通充電器也有更大的優(yōu)勢，被稱為“快充黑科技”，如圖是氮化鎵的一種晶體結(jié)構(gòu)（NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值）。下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是（）A．晶體結(jié)構(gòu)中Ga原子的配位數(shù)為8 B．一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N C．Ga元素位于元素周期表中第四周期第ⅢA族 D．晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm，則晶體的密度為2．（2024?江西模擬）FeSO4?7H2O的結(jié)構(gòu)如圖1所示，F(xiàn)eS2（M＝120）晶胞為立方體，棱長為anm，如圖2所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說法錯(cuò)誤的是（）A．圖1與圖2中的Fe2+的配位數(shù)都是6 B．相鄰兩個(gè)的最短距離為nm C．FeS2晶胞的密度為g/cm3 D．FeSO4?7H2O中存在配位鍵、極性鍵、氫鍵等化學(xué)鍵3．（2024?遵義模擬）新型碲化鎘（CdTe）太陽能電池能量轉(zhuǎn)化效率較高，立方晶系CdTe的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為apm（已知Te與O同族）。下列說法正確的是（）A．碲原子的價(jià)層電子數(shù)為4 B．Cd的配位數(shù)為4 C．晶胞中Cd與Te的最短距離為pm D．晶體的密度為g?cm﹣34．（2024?湖北三模）氰氨化鈣是無公害農(nóng)產(chǎn)品生產(chǎn)中極具使用價(jià)值的一種土壤改良劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是（）A．該化合物的焰色試驗(yàn)為磚紅色 B．氰氨化鈣的化學(xué)式為CaCN2 C．每個(gè)陰離子團(tuán)的配位數(shù)為12 D．該晶體的密度為5．（2024?湖北模擬）磷化硼（BP）是一種半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)1100℃，晶胞如圖1所示，晶胞邊長為apm。下列有關(guān)說法正確的是（）A．每個(gè)P周圍距離最近且相等的P有6個(gè) B．晶胞密度為cm3 C．平均每1molBP晶體含2mol共價(jià)鍵 D．磷化硼晶胞在x、y、z軸方向的投影圖均如圖2所示6．（2024?江西模擬）黑銅礦中含有Cu2S，可以用于冶煉銅、制硫酸。Cu2S的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為anm。下列說法正確的是（）A．工業(yè)制硫酸時(shí)，常用蒸餾水吸收SO3 B．圖中黑色的球●代表S2﹣ C．每個(gè)S2﹣周圍緊鄰且等距離的S2﹣個(gè)數(shù)為4 D．Cu+與S2﹣?zhàn)钚『诵木酁?．（2024?河北三模）由Li、Al、Si構(gòu)成的某三元化合物固態(tài)晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：下列說法錯(cuò)誤的是（）A．晶體中Li、Al、Si三種微粒的比例為1：1：1 B．圖中所指Si原子的坐標(biāo)為（，，） C．晶體中與每個(gè)Al緊鄰的Li為6個(gè)，與每個(gè)Si緊鄰的Si為12個(gè) D．晶體中Al和Li構(gòu)成CsCl型晶體結(jié)構(gòu)，晶體中Al和Si構(gòu)成金剛石型晶體結(jié)構(gòu)8．（2024?重慶模擬）F2和Xe可在一定條件下反應(yīng)生成X，若Xe過量則生成Y，X和Y的晶胞示意圖如圖所示，晶胞體積之比為V（X）：V（Y）＝17：13。下列關(guān)于X和Y的說法正確的是（）A．兩種分子都屬于極性分子 B．分子中Xe的孤電子對數(shù)：X＞Y C．兩種晶體都屬于分子晶體 D．晶體密度：X＞Y9．（2024?湖北二模）一種由Cu、In、Te組成的晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶體中Te原子填充在Cu、In圍成的四面體空隙中，A點(diǎn)、B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0，0，0）、，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法錯(cuò)誤的是（）A．該晶體的化學(xué)式為CuInTe2 B．D點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為 C．該晶體的摩爾體積為 D．晶胞中A、D間距離10．（2024?東西湖區(qū)校級模擬）泥土彩塑（圖1）是我國的一種傳統(tǒng)民間藝術(shù)。在制作過程中匠人向泥中加入鳥糞石有利于減少風(fēng)干的時(shí)間并避免泥塑出現(xiàn)裂縫。鳥糞石的某種晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。下列說法錯(cuò)誤的是（）A．該晶體屬于離子晶體 B．該晶體中Mg和P的個(gè)數(shù)比為3：2 C．以的P為頂點(diǎn)的晶胞中含兩個(gè)N，剩余P占據(jù)晶胞部分面心，則面心占有率為 D．鳥糞石也可用于吸附沉降水中的重金屬離子，可能與其晶體表面大量的氧原子和羥基有關(guān)11．（2024?全國四模）Li、Fe、Se可形成新型超導(dǎo)材料，晶胞如圖（Fe原子均位于面上）。晶胞棱邊夾角均為90°，X的坐標(biāo)為，Y的坐標(biāo)為，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（）A．基態(tài)Fe原子的核外電子排布式為[Ar]3d54s2 B．坐標(biāo)為的原子是Li原子 C．Se原子X與Se原子Y之間的距離為 D．該晶體的密度為12．（2024?招遠(yuǎn)市三模）純凈的硫化鋅是半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料。在充放電過程中，負(fù)極材料晶胞的組成變化如圖所示。負(fù)極充電過程中發(fā)生合金化反應(yīng)生成LiZn（合金相）。下列說法錯(cuò)誤的是（）A．ZnS晶胞中S2﹣的配位數(shù)為4 B．x＝6，y＝1 C．在充電過程中，每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成216gLiZn（合金相） D．若EF間的距離為anm，則Li2S的密度為13．（2024?江西模擬）由S、K、Ni三種元素形成的一種超導(dǎo)材料，其晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是（）A．基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)：S＞Ni＞K B．Ni位于元素周期表的s區(qū) C．一個(gè)晶胞的質(zhì)量為 D．與K原子距離最近且等距離的S原子數(shù)目為1014．（2024?湖北模擬）氮化鎵充電器兼具高功率和小體積的特點(diǎn)。氮化鎵晶體中部分結(jié)構(gòu)如圖所示，Ga原子位于N原子圍成的正四面體中心。已知：四面體空隙的填充率＝×100%下列說法錯(cuò)誤的是（）A．氮化鎵的晶胞中包含2個(gè)N原子 B．晶體中四面體空隙的填充率為100% C．晶體中存在N原子圍成的八面體空隙 D．若N—Ga鍵長為a，則其晶胞的高為[2a+2asin（19°28′）]15．（2024?秦皇島三模）碳化鈦在航空航天、機(jī)械加工等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。當(dāng)TiC中的C原子被N原子取代時(shí)，則產(chǎn)生TiC1﹣xNx，其性能與x的值有關(guān)。下列說法正確的是（）A．x值會影響碳氮化鈦的晶胞邊長，x越大，則晶胞邊長越長 B．C原子位于Ti形成的四面體空隙中 C．離Ti原子最近的且距離相等的C原子的數(shù)目為8 D．碳化鈦具有高熔點(diǎn)、高硬度的特點(diǎn)16．（2024?湖北模擬）如圖是氮化鎵的一種晶體結(jié)構(gòu)，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（）A．每個(gè)N原子周圍距離最近的N原子數(shù)目為4 B．氮化鎵分子式為GaN C．a(chǎn)、b原子坐標(biāo)參數(shù)依次為（0，0，0）、、則c原子坐標(biāo)參數(shù)為 D．已知該晶體密度為dg?cm﹣3，則鎵氮原子間最短距離為17．（2024?九龍坡區(qū)模擬）NiO的晶胞示意圖如圖甲所示。存在“缺陷”的氧化鎳晶體（NixO）如圖乙所示（一個(gè)Ni2+空缺，另有兩個(gè)Ni2+被兩個(gè)Ni3+所取代，其晶體仍呈電中性）。下列說法正確的是（）A．Ni元素位于元素周期表的ds區(qū) B．NiO晶體中每個(gè)O2﹣周圍與它距離相等且最近的O2﹣有6個(gè) C．某氧化鎳（NixO）晶體中Ni3+與Ni2+的個(gè)數(shù)比為1：11，則x＝0.96 D．NiO晶體中與一個(gè)Ni2+距離相等且最近的O2﹣構(gòu)成的空間幾何形狀為正四面體18．（2024?兩江新區(qū)校級模擬）某鈦金合金有兩種結(jié)構(gòu)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，1號原子的原子坐標(biāo)是（0，0，0）。下列說法正確的是（）A．晶體密度：α＜β B．α晶胞中Au原子的配位數(shù)為6 C．該鈦金合金的化學(xué)式為Ti4Au D．2號原子的原子坐標(biāo)為19．（2024?葫蘆島二模）鈷的一種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知A點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為（0，0，0），B點(diǎn)為，晶胞參數(shù)邊長為anm。下列說法中不正確的是（）A．配合物中Co2+價(jià)電子排布式為3d7 B．鈷的配位數(shù)為6 C．C點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為 D．該晶體的密度為20．（2024?廣西三模）LiZnAs是首個(gè)發(fā)現(xiàn)的電荷與自旋摻雜分離的新型稀磁半導(dǎo)體材料，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，a點(diǎn)（As原子）的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（，，），晶胞密度為ρg?cm﹣3。下列說法錯(cuò)誤的是（）A．30Zn位于元素周期表的ds區(qū) B．每個(gè)Zn周圍距離最近的As原子個(gè)數(shù)為4 C．b點(diǎn)（As原子）的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（，，） D．兩個(gè)Li原子之間的最短距離為

2025高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)之晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)參考答案與試題解析一．選擇題（共20小題）1．（2024?邵陽二模）采用氮化鎵元件的充電器體積小、質(zhì)量輕，在發(fā)熱量、效率轉(zhuǎn)換上相比普通充電器也有更大的優(yōu)勢，被稱為“快充黑科技”，如圖是氮化鎵的一種晶體結(jié)構(gòu)（NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值）。下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是（）A．晶體結(jié)構(gòu)中Ga原子的配位數(shù)為8 B．一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N C．Ga元素位于元素周期表中第四周期第ⅢA族 D．晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm，則晶體的密度為【答案】A【分析】A．以晶胞上邊平面中心的Ga原子為研究對象，可知：在該晶胞中Ga與2個(gè)N原子距離相等且最近，在通過該平面上邊還存在1個(gè)晶胞，其中Ga與2個(gè)N原子距離相等且最近；B．用均攤方法計(jì)算，在一個(gè)晶胞中含有Ga原子數(shù)目是8×+6×＝4；含有的N原子數(shù)目是4×1＝4，故一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N；C．Ga與Al處于同一主族，位于Al的下一周期；D．根據(jù)選項(xiàng)B分析可知：在一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N，結(jié)合晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm，二者的距離為晶胞體對角線的，假設(shè)晶胞邊長為L，則，L＝，據(jù)此計(jì)算?！窘獯稹拷猓篈．晶胞中的配位數(shù)為距離相等且?guī)喾措姾傻牧Ｗ觽€(gè)數(shù)，以晶胞上邊平面中心的Ga原子為研究對象，在該晶胞中Ga與2個(gè)N原子距離相等且最近，在通過該平面上邊還存在1個(gè)晶胞，其中Ga與2個(gè)N原子距離相等且最近，故Ga原子的配位數(shù)是4，故A錯(cuò)誤；B．用均攤方法計(jì)算，在一個(gè)晶胞中含有Ga原子數(shù)目是8×+6×＝4；含有的N原子數(shù)目是4×1＝4，故一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N，故B正確；C．Ga為31號元素，且Ga與Al處于同一主族，位于Al的下一周期，故Ga元素位于元素周期表中第四周期第ⅢA族，故C正確；D．根據(jù)選項(xiàng)B分析可知：在一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N，結(jié)合晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm，二者的距離為晶胞體對角線的，假設(shè)晶胞邊長為L，則，L＝，故該晶胞的密度ρ＝＝，故D正確；故選：A。【點(diǎn)評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。2．（2024?江西模擬）FeSO4?7H2O的結(jié)構(gòu)如圖1所示，F(xiàn)eS2（M＝120）晶胞為立方體，棱長為anm，如圖2所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說法錯(cuò)誤的是（）A．圖1與圖2中的Fe2+的配位數(shù)都是6 B．相鄰兩個(gè)的最短距離為nm C．FeS2晶胞的密度為g/cm3 D．FeSO4?7H2O中存在配位鍵、極性鍵、氫鍵等化學(xué)鍵【答案】D【分析】A．圖1中Fe2+與6個(gè)水分子形成配位鍵，圖2中距離Fe2+最近且相等的共6個(gè)；B．由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，相鄰兩個(gè)的最短距離為面對角線的一半；C．由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，一個(gè)晶胞中有個(gè)Fe2+，個(gè)，即一個(gè)晶胞中有4個(gè)FeS2；D．氫鍵不是化學(xué)鍵。【解答】解：A．圖1中Fe2+與6個(gè)水分子形成配位鍵，圖2中距離Fe2+最近且相等的共6個(gè)，故配位數(shù)是6，故A正確；B．相鄰兩個(gè)的最短距離為面對角線的一半，為nm，故B正確；C．一個(gè)晶胞中有個(gè)，個(gè)Fe2+，即一個(gè)晶胞中有4個(gè)FeS2，則FeS2晶胞的密度為，故C正確；D．氫鍵不是化學(xué)鍵，故D錯(cuò)誤；故選：D。【點(diǎn)評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。3．（2024?遵義模擬）新型碲化鎘（CdTe）太陽能電池能量轉(zhuǎn)化效率較高，立方晶系CdTe的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為apm（已知Te與O同族）。下列說法正確的是（）A．碲原子的價(jià)層電子數(shù)為4 B．Cd的配位數(shù)為4 C．晶胞中Cd與Te的最短距離為pm D．晶體的密度為g?cm﹣3【答案】B【分析】A．Te與O同族價(jià)層電子數(shù)為6；B．Cd位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，Te位于體內(nèi)，故Cd的配位數(shù)即離某個(gè)Cd原子距離相等且最近的Te原子個(gè)數(shù)；C．Cd與Te的最短距離為體對角線的一半為pm；D．Cd位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，Te位于體內(nèi)，則一個(gè)晶胞中含有Cd個(gè)數(shù)為：＝4，Te原子個(gè)數(shù)為4個(gè)，故一個(gè)晶胞的質(zhì)量為：g，晶胞參數(shù)為apm，則一個(gè)晶胞的體積為：（a×10﹣10）3cm3?！窘獯稹拷猓篈．Te與O同族價(jià)層電子數(shù)為6，故A錯(cuò)誤；B．Cd位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，Te位于體內(nèi)，故Cd的配位數(shù)即離某個(gè)Cd原子距離相等且最近的Te原子個(gè)數(shù)，故為4，故B正確；C．Cd與Te的最短距離為體對角線的一半為pm，故C錯(cuò)誤；D．Cd位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，Te位于體內(nèi)，則一個(gè)晶胞中含有Cd個(gè)數(shù)為：＝4，Te原子個(gè)數(shù)為4個(gè)，故一個(gè)晶胞的質(zhì)量為：g，晶胞參數(shù)為apm，則一個(gè)晶胞的體積為：（a×10﹣10）3cm3，故晶體的密度為，故D錯(cuò)誤；故選：B?！军c(diǎn)評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。4．（2024?湖北三模）氰氨化鈣是無公害農(nóng)產(chǎn)品生產(chǎn)中極具使用價(jià)值的一種土壤改良劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是（）A．該化合物的焰色試驗(yàn)為磚紅色 B．氰氨化鈣的化學(xué)式為CaCN2 C．每個(gè)陰離子團(tuán)的配位數(shù)為12 D．該晶體的密度為【答案】C【分析】A．鈣元素的焰色試驗(yàn)呈磚紅色；B．一個(gè)晶胞中含鈣離子為：4×+4×+2＝3，含為：2×+2×+2＝3，Ca2+：＝3：3＝1：1；C．根據(jù)晶胞圖可知，與每個(gè)陰離子團(tuán)最近且等距離的鈣離子有4個(gè)；D．根據(jù)ρ＝計(jì)算晶體的密度?！窘獯稹拷猓篈．該化合物含有鈣元素，則焰色試驗(yàn)為磚紅色，故A正確；B．一個(gè)晶胞中含鈣離子為：4×+4×+2＝3，含為：2×+2×+2＝3，Ca2+：＝3：3＝1：1，則氰氨化鈣的化學(xué)式為CaCN2，故B正確；C．根據(jù)晶胞圖可知，與每個(gè)陰離子團(tuán)最近且等距離的鈣離子有4個(gè)，則配位數(shù)為4，故C錯(cuò)誤；D．該晶體的密度ρ＝＝g?cm﹣3＝，故D正確；故選：C?！军c(diǎn)評】本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及焰色反應(yīng)、均攤法、配位數(shù)、晶胞計(jì)算等內(nèi)容，其中晶胞計(jì)算為解題難點(diǎn)，掌握基礎(chǔ)為解題關(guān)鍵，整體難度適中。5．（2024?湖北模擬）磷化硼（BP）是一種半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)1100℃，晶胞如圖1所示，晶胞邊長為apm。下列有關(guān)說法正確的是（）A．每個(gè)P周圍距離最近且相等的P有6個(gè) B．晶胞密度為cm3 C．平均每1molBP晶體含2mol共價(jià)鍵 D．磷化硼晶胞在x、y、z軸方向的投影圖均如圖2所示【答案】D【分析】A．由圖1可知，每個(gè)P周圍距離最近且相等的P有4個(gè)；B．根據(jù)均攤法可知，晶胞中含有4個(gè)B、×8+×6＝4個(gè)P，則晶胞密度為ρ＝；C．由圖可知，每個(gè)B、P原子均形成4個(gè)共價(jià)鍵，即1個(gè)BP含×4+×4＝4個(gè)共價(jià)鍵；D．P位于頂點(diǎn)和面心，將正方體分為8個(gè)小正方體，B原子位于小正方體的體心。【解答】解：A．由圖1可知，每個(gè)P周圍距離最近且相等的P有4個(gè)，故A錯(cuò)誤；B．根據(jù)均攤法可知，晶胞中含有4個(gè)B、×8+×6＝4個(gè)P，則晶胞密度為ρ＝＝g/cm3＝g/cm3，故B錯(cuò)誤；C．由圖可知，每個(gè)B、P原子均形成4個(gè)共價(jià)鍵，即1個(gè)BP含×4+×4＝4個(gè)共價(jià)鍵，則平均每1molBP晶體含4mol共價(jià)鍵，故C錯(cuò)誤；D．P位于頂點(diǎn)和面心，將正方體分為8個(gè)小正方體，B原子位于小正方體的體心，則x、y、z軸方向的投影圖均如圖2所示，故D正確；故選：D。【點(diǎn)評】本題是物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考題，涉及晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識，關(guān)鍵是理解并晶胞有關(guān)的計(jì)算，需要學(xué)生具有一定的空間想象力與數(shù)學(xué)計(jì)算能力。6．（2024?江西模擬）黑銅礦中含有Cu2S，可以用于冶煉銅、制硫酸。Cu2S的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為anm。下列說法正確的是（）A．工業(yè)制硫酸時(shí)，常用蒸餾水吸收SO3 B．圖中黑色的球●代表S2﹣ C．每個(gè)S2﹣周圍緊鄰且等距離的S2﹣個(gè)數(shù)為4 D．Cu+與S2﹣?zhàn)钚『诵木酁椤敬鸢浮緽【分析】A.SO3與H2O反應(yīng)劇烈形成酸霧，不易吸收；B.根據(jù)S2﹣與Cu+的個(gè)數(shù)比為1：2可以確定，黑球代表S2﹣；C.每個(gè)S2﹣周圍緊鄰且等距離的S2﹣個(gè)數(shù)為12；D.Cu+與S2﹣?zhàn)钚『诵木酁榫Оw對角線的?！窘獯稹拷猓篈.SO3與H2O反應(yīng)劇烈形成酸霧，不易吸收，常用濃硫酸吸收SO3，故A錯(cuò)誤；B.根據(jù)S2﹣與Cu+的個(gè)數(shù)比為1：2可以確定，黑球代表S2﹣，故B正確；C.每個(gè)S2﹣周圍緊鄰且等距離的S2﹣個(gè)數(shù)為12，故C錯(cuò)誤；D.Cu+與S2﹣?zhàn)钚『诵木酁?，故D錯(cuò)誤；故選：B?！军c(diǎn)評】本題考查物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及晶胞的計(jì)算、物質(zhì)的性質(zhì)和變化等知識點(diǎn)，為高頻考點(diǎn)，難度中等。7．（2024?河北三模）由Li、Al、Si構(gòu)成的某三元化合物固態(tài)晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：下列說法錯(cuò)誤的是（）A．晶體中Li、Al、Si三種微粒的比例為1：1：1 B．圖中所指Si原子的坐標(biāo)為（，，） C．晶體中與每個(gè)Al緊鄰的Li為6個(gè)，與每個(gè)Si緊鄰的Si為12個(gè) D．晶體中Al和Li構(gòu)成CsCl型晶體結(jié)構(gòu)，晶體中Al和Si構(gòu)成金剛石型晶體結(jié)構(gòu)【答案】D【分析】A．該晶胞中，Li原子個(gè)數(shù)×12+1═4，Al原子個(gè)數(shù)×8+×6═4，Si原子個(gè)數(shù)＝4；B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可得，圖中所指Si原子的坐標(biāo)為（，，）；C．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可得，晶體中與每個(gè)Al距離最近的Li為6個(gè)，與每個(gè)Si距離最近的Si為12個(gè)；D．晶體中Al和Li構(gòu)成NaCl型骨架，而CsCl型為體心結(jié)構(gòu)；晶體中Al、Si構(gòu)成正四面體型結(jié)構(gòu)?！窘獯稹拷猓篈．該晶胞中，Li原子個(gè)數(shù)×12+1═4，Al原子個(gè)數(shù)×8+×6═4，Si原子個(gè)數(shù)＝4，原子個(gè)數(shù)比為1：1：1，故A正確；B．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可得，圖中所指Si原子的坐標(biāo)為（，，），故B正確；C．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可得，晶體中與每個(gè)Al距離最近的Li為6個(gè)，與每個(gè)Si距離最近的Si為12個(gè)，故C正確；D．晶體中Al和Li構(gòu)成NaCl型骨架，而CsCl型為體心結(jié)構(gòu)；晶體中Al、Si構(gòu)成正四面體型結(jié)構(gòu)，與金剛石型的結(jié)構(gòu)相同，故D錯(cuò)誤；故選：D?！军c(diǎn)評】本題是物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考題，涉及晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識，關(guān)鍵是理解并晶胞有關(guān)的計(jì)算，需要學(xué)生具有一定的空間想象力與數(shù)學(xué)計(jì)算能力。8．（2024?重慶模擬）F2和Xe可在一定條件下反應(yīng)生成X，若Xe過量則生成Y，X和Y的晶胞示意圖如圖所示，晶胞體積之比為V（X）：V（Y）＝17：13。下列關(guān)于X和Y的說法正確的是（）A．兩種分子都屬于極性分子 B．分子中Xe的孤電子對數(shù)：X＞Y C．兩種晶體都屬于分子晶體 D．晶體密度：X＞Y【答案】C【分析】A．XeF4為正方形，XeF2為直線形；B．XeF4中中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為4+2＝6，孤電子對數(shù)為2，XeF2中中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為2+4＝6，孤對電子對數(shù)為4；C．XeF4和XeF2均為共價(jià)化合物；D．密度ρ＝，兩者的質(zhì)量比為（313+19×4）：（131+19×2）＝207：169，胞體積之比為V（X）：V（Y）＝17：13，則晶體密度之比為：?！窘獯稹拷猓篈．XeF4為正方形，XeF2為直線形，均為非極性分子，故A錯(cuò)誤；B．XeF4中中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為4+2＝6，孤電子對數(shù)為2，XeF2中中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為2+4＝6，孤對電子對數(shù)為4，則分子中Xe的孤電子對數(shù)：X＜Y，故B錯(cuò)誤；C．XeF4和XeF2均為共價(jià)化合物，則種晶體都屬于分子晶體，故C正確；D．密度ρ＝，兩者的質(zhì)量比為（313+19×4）：（131+19×2）＝207：169，胞體積之比為V（X）：V（Y）＝17：13，則晶體密度之比為：，則晶體密度：X＜Y，故D錯(cuò)誤；故選：C。【點(diǎn)評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。9．（2024?湖北二模）一種由Cu、In、Te組成的晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶體中Te原子填充在Cu、In圍成的四面體空隙中，A點(diǎn)、B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0，0，0）、，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法錯(cuò)誤的是（）A．該晶體的化學(xué)式為CuInTe2 B．D點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為 C．該晶體的摩爾體積為 D．晶胞中A、D間距離【答案】D【分析】A．根據(jù)圖知，該晶胞中Cu的個(gè)數(shù)為8×+4×+1＝4，In的個(gè)數(shù)為6×+4×＝4，Te的個(gè)數(shù)為8，則Cu、In、Te的個(gè)數(shù)之比為4：4：8＝1：1：2；B．D點(diǎn)在x、y、z軸坐標(biāo)分別是、、；C．該晶胞的體積為a2c×10﹣30cm3，該晶胞中相當(dāng)于含有4個(gè)“CuInTe2”，則每個(gè)“CuInTe2”的體積為×a2c×10﹣30cm3，其摩爾體積為1mol“CuInTe2”占有的體積；D．晶胞中A、D間距離等于下面小立方體中體對角線的?！窘獯稹拷猓篈．根據(jù)圖知，該晶胞中Cu的個(gè)數(shù)為8×+4×+1＝4，In的個(gè)數(shù)為6×+4×＝4，Te的個(gè)數(shù)為8，則Cu、In、Te的個(gè)數(shù)之比為4：4：8＝1：1：2，所以其化學(xué)式為CuInTe2，故A正確；B．D點(diǎn)在x、y、z軸坐標(biāo)分別是、、，所以D點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，故B正確；C．該晶胞的體積為a2c×10﹣30cm3，該晶胞中相當(dāng)于含有4個(gè)“CuInTe2”，則每個(gè)“CuInTe2”的體積為×a2c×10﹣30cm3，其摩爾體積為1mol“CuInTe2”占有的體積，即×a2c×10﹣30NAcm3/mol＝×a2c×10﹣36NAm3/mol，故C正確；D．晶胞中A、D間距離等于下面小立方體中體對角線的，為×pm＝pm，故D錯(cuò)誤；故選：D。【點(diǎn)評】本題考查晶胞的計(jì)算，側(cè)重考查分析、判斷、計(jì)算及空間想象能力，明確各原子在晶胞中的位置、化學(xué)式的判斷方法、坐標(biāo)參數(shù)的判斷方法、晶胞的計(jì)算方法是解本題關(guān)鍵，題目難度中等。10．（2024?東西湖區(qū)校級模擬）泥土彩塑（圖1）是我國的一種傳統(tǒng)民間藝術(shù)。在制作過程中匠人向泥中加入鳥糞石有利于減少風(fēng)干的時(shí)間并避免泥塑出現(xiàn)裂縫。鳥糞石的某種晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。下列說法錯(cuò)誤的是（）A．該晶體屬于離子晶體 B．該晶體中Mg和P的個(gè)數(shù)比為3：2 C．以的P為頂點(diǎn)的晶胞中含兩個(gè)N，剩余P占據(jù)晶胞部分面心，則面心占有率為 D．鳥糞石也可用于吸附沉降水中的重金屬離子，可能與其晶體表面大量的氧原子和羥基有關(guān)【答案】B【分析】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥糞石晶胞中含有六水合鎂離子、銨根離子和磷酸根離子；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥糞石晶胞中位于頂點(diǎn)和體心的磷酸根離子的個(gè)數(shù)為4×+1＝，位于面心的六水合鎂離子的個(gè)數(shù)為3×＝；C．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥糞石晶胞中磷酸根離子位于頂點(diǎn)和體心，銨根離子和六水合鎂離子位于面心，則以磷酸根離子的磷原子為頂點(diǎn)的晶胞中含兩個(gè)氮原子，剩余磷原子占據(jù)晶胞部分面心；D．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥糞石晶體表面大量的氧原子和羥基?！窘獯稹拷猓篈．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥糞石晶胞中含有六水合鎂離子、銨根離子和磷酸根離子，則該晶體是由陰陽離子形成的離子晶體，故A正確；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥糞石晶胞中位于頂點(diǎn)和體心的磷酸根離子的個(gè)數(shù)為4×+1＝，位于面心的六水合鎂離子的個(gè)數(shù)為3×＝，則晶體中鎂原子和磷原子的個(gè)數(shù)比為1：1，故B錯(cuò)誤；C．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥糞石晶胞中磷酸根離子位于頂點(diǎn)和體心，銨根離子和六水合鎂離子位于面心，則以磷酸根離子的磷原子為頂點(diǎn)的晶胞中含兩個(gè)氮原子，剩余磷原子占據(jù)晶胞部分面心，則面心占有率為，故C正確；D．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥糞石晶體表面大量的氧原子和羥基，所以鳥糞石也可用于吸附沉降水中的重金屬離子，故D正確；故選：B?！军c(diǎn)評】本題考查晶胞計(jì)算，為高頻考點(diǎn)，把握離子晶體的性質(zhì)、均攤法計(jì)算為解答的關(guān)鍵，側(cè)重分析與計(jì)算能力的考查，題目難度不大。11．（2024?全國四模）Li、Fe、Se可形成新型超導(dǎo)材料，晶胞如圖（Fe原子均位于面上）。晶胞棱邊夾角均為90°，X的坐標(biāo)為，Y的坐標(biāo)為，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（）A．基態(tài)Fe原子的核外電子排布式為[Ar]3d54s2 B．坐標(biāo)為的原子是Li原子 C．Se原子X與Se原子Y之間的距離為 D．該晶體的密度為【答案】C【分析】A．Fe為26號元素，位于元素周期表中第四周期第Ⅷ族；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知坐標(biāo)為的原子是Fe原子；C．Se原子X與Se原子Y，沿x軸方向的距離為，沿y軸方向的距離為，沿z軸方向的距離為；D．Li原子位于頂點(diǎn)和體心，個(gè)數(shù)為：8×+1＝2，F(xiàn)e位于面上，個(gè)數(shù)為8×＝4，Se原子位于棱上和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為：8×+2＝4，晶胞的質(zhì)量為：g＝，晶胞體積為：a2b×10﹣21cm3，根據(jù)ρ＝計(jì)算晶體密度?！窘獯稹拷猓篈．Fe為26號元素，位于元素周期表中第四周期第Ⅷ族，基態(tài)Fe原子的核外電子排布式為[Ar]3d64s2，故A錯(cuò)誤；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知坐標(biāo)為的原子是Fe原子，故B錯(cuò)誤；C．Se原子X與Se原子Y，沿x軸方向的距離為，沿y軸方向的距離為，沿z軸方向的距離為，兩點(diǎn)間的距離為nm＝nm，故C正確；D．Li原子位于頂點(diǎn)和體心，個(gè)數(shù)為：8×+1＝2，F(xiàn)e位于面上，個(gè)數(shù)為8×＝4，Se原子位于棱上和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為：8×+2＝4，晶胞的質(zhì)量為：g＝，晶胞體積為：a2b×10﹣21cm3，密度ρ＝＝×1021g?cm﹣3，故D錯(cuò)誤；故選：C?！军c(diǎn)評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。12．（2024?招遠(yuǎn)市三模）純凈的硫化鋅是半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料。在充放電過程中，負(fù)極材料晶胞的組成變化如圖所示。負(fù)極充電過程中發(fā)生合金化反應(yīng)生成LiZn（合金相）。下列說法錯(cuò)誤的是（）A．ZnS晶胞中S2﹣的配位數(shù)為4 B．x＝6，y＝1 C．在充電過程中，每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成216gLiZn（合金相） D．若EF間的距離為anm，則Li2S的密度為【答案】C【分析】A．由ZnS晶胞可知，S2﹣位于頂點(diǎn)和面心，離S2﹣?zhàn)罱腪n2+有4個(gè)；B．由ZnS晶胞可知，Li+和Zn2+共有7個(gè)，S2﹣位于頂點(diǎn)和面心，個(gè)數(shù)為8×+6×＝4，由化合價(jià)代數(shù)和為0可解得x、y；C．在充電過程，當(dāng)ZnS完全轉(zhuǎn)化為LixZnyS，Li+、Zn2+轉(zhuǎn)化為LiZn，生成1molLiZn轉(zhuǎn)移3mol電子，故每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成2molLiZn；D．EF間的距離為anm，且EF間的距離為體對角線的，則邊長為anm，晶胞質(zhì)量為g，晶胞體積為（a×10﹣7）3cm3，根據(jù)ρ＝計(jì)算Li2S的密度。【解答】解：A．由ZnS晶胞可知，S2﹣位于頂點(diǎn)和面心，離S2﹣?zhàn)罱腪n2+有4個(gè)，故S2﹣的配位數(shù)為4，故A正確；B．由ZnS晶胞可知，Li+和Zn2+共有7個(gè)，S2﹣位于頂點(diǎn)和面心，個(gè)數(shù)為8×+6×＝4，由化合價(jià)代數(shù)和為0可得，x+y＝7，1×x+2×y＝4×2，則x＝6，y＝1，故B正確；C．在充電過程，當(dāng)ZnS完全轉(zhuǎn)化為LixZnyS，Li+、Zn2+轉(zhuǎn)化為LiZn，生成1molLiZn轉(zhuǎn)移3mol電子，故每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成2molLiZn，質(zhì)量為144g，故C錯(cuò)誤；D．EF間的距離為anm，且EF間的距離為體對角線的，則邊長為anm，晶胞質(zhì)量為g，晶胞體積為（a×10﹣7）3cm3，則Li2S的密度ρ＝＝g?cm﹣3＝×10﹣21g?cm﹣3，故D正確；故選：C?！军c(diǎn)評】本題考查晶胞計(jì)算，側(cè)重考查空間想象能力及計(jì)算能力，明確晶胞計(jì)算方法是解本題關(guān)鍵，題目難度中等。13．（2024?江西模擬）由S、K、Ni三種元素形成的一種超導(dǎo)材料，其晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是（）A．基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)：S＞Ni＞K B．Ni位于元素周期表的s區(qū) C．一個(gè)晶胞的質(zhì)量為 D．與K原子距離最近且等距離的S原子數(shù)目為10【答案】C【分析】A．基態(tài)S原子價(jià)層電子排布式為3s23p4，基態(tài)K原子價(jià)層電子排布式為4s1，基態(tài)Ni原子價(jià)層電子排布式為3d84s2；B．基態(tài)Ni原子價(jià)層電子排布式為3d84s2；C．K位于頂點(diǎn)和體心，個(gè)數(shù)為8×+1＝2，S位于棱上和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為8×+2＝4，8個(gè)Ni位于面上，個(gè)數(shù)為8×＝4，K：S：Ni＝2：4：4＝1：2：2，晶體的化學(xué)式為KNi2S2；D．由圖可知，與K原子距離最近且等距離的S原子數(shù)為8?！窘獯稹拷猓篈．基態(tài)S原子價(jià)層電子排布式為3s23p4，基態(tài)K原子價(jià)層電子排布式為4s1，基態(tài)Ni原子價(jià)層電子排布式為3d84s2，核外未成對電子數(shù)分別為2、1、2，故S＝Ni＞K，故A錯(cuò)誤；B．基態(tài)Ni原子價(jià)層電子排布式為3d84s2，位于元素周期表的d區(qū)，故B錯(cuò)誤；C．K位于頂點(diǎn)和體心，個(gè)數(shù)為8×+1＝2，S位于棱上和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為8×+2＝4，8個(gè)Ni位于面上，個(gè)數(shù)為8×＝4，K：S：Ni＝2：4：4＝1：2：2，晶體的化學(xué)式為KNi2S2，晶胞質(zhì)量為g＝g，故C正確；D．由圖可知，與K原子距離最近且等距離的S原子數(shù)為8，故D錯(cuò)誤；故選：C?！军c(diǎn)評】本題考查晶胞的計(jì)算，側(cè)重考查空間想象能力及計(jì)算能力，明確原子結(jié)構(gòu)、均攤法是解本題關(guān)鍵，題目難度中等。14．（2024?湖北模擬）氮化鎵充電器兼具高功率和小體積的特點(diǎn)。氮化鎵晶體中部分結(jié)構(gòu)如圖所示，Ga原子位于N原子圍成的正四面體中心。已知：四面體空隙的填充率＝×100%下列說法錯(cuò)誤的是（）A．氮化鎵的晶胞中包含2個(gè)N原子 B．晶體中四面體空隙的填充率為100% C．晶體中存在N原子圍成的八面體空隙 D．若N—Ga鍵長為a，則其晶胞的高為[2a+2asin（19°28′）]【答案】D【分析】A．氮化鎵的晶胞中包含＝2個(gè)N原子；B．晶體中四面體空隙的填充率為×100%＝100%；C．晶體中存在N原子圍成的八面體空隙；D．若N—Ga鍵長為a，則其晶胞的高為2a。【解答】解：A．氮化鎵的晶胞中包含＝2個(gè)N原子，故A正確；B．晶體中四面體空隙的填充率為×100%＝100%，故B正確；C．晶體中存在N原子圍成的八面體空隙，故C正確；D．若N—Ga鍵長為a，則其晶胞的高為2a，故D錯(cuò)誤；故選：D?！军c(diǎn)評】本題主要考查了晶胞的計(jì)算有關(guān)知識點(diǎn)，屬于高頻考點(diǎn)，側(cè)重考查計(jì)算、分析解決問題能力，有利于培養(yǎng)學(xué)生良好的科學(xué)素養(yǎng)，題目難度不大。15．（2024?秦皇島三模）碳化鈦在航空航天、機(jī)械加工等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。當(dāng)TiC中的C原子被N原子取代時(shí)，則產(chǎn)生TiC1﹣xNx，其性能與x的值有關(guān)。下列說法正確的是（）A．x值會影響碳氮化鈦的晶胞邊長，x越大，則晶胞邊長越長 B．C原子位于Ti形成的四面體空隙中 C．離Ti原子最近的且距離相等的C原子的數(shù)目為8 D．碳化鈦具有高熔點(diǎn)、高硬度的特點(diǎn)【答案】D【分析】A．r（C）＞r（N），x越大，則晶胞邊長越短；B．C原子位于Ti形成的八面體空隙中；C．離Ti原子最近的且距離相等的C原子的數(shù)目為6；D．共價(jià)晶體熔點(diǎn)、硬度都高?！窘獯稹拷猓篈．r（C）＞r（N），根據(jù)圖知，x越大，N原子個(gè)數(shù)越多，則晶胞邊長越短，故A錯(cuò)誤；B．根據(jù)圖知，該晶胞結(jié)構(gòu)和NaCl晶胞結(jié)構(gòu)類似，C原子位于Ti形成的八面體空隙中，故B錯(cuò)誤；C．根據(jù)圖知，以體心上的Ti原子為例，離Ti原子最近的且距離相等的C原子的數(shù)目為6，故C錯(cuò)誤；D．共價(jià)晶體熔點(diǎn)、硬度都高，TiC是共價(jià)晶體，所以熔點(diǎn)高、硬度高，故D正確；故選：D?！军c(diǎn)評】本題考查晶胞的計(jì)算，側(cè)重考查分析、判斷及知識綜合運(yùn)用能力，明確各原子在晶胞中的位置、共價(jià)晶體熔點(diǎn)特點(diǎn)等知識點(diǎn)是解本題關(guān)鍵，熟記教材中典型的晶胞結(jié)構(gòu)。16．（2024?湖北模擬）如圖是氮化鎵的一種晶體結(jié)構(gòu)，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（）A．每個(gè)N原子周圍距離最近的N原子數(shù)目為4 B．氮化鎵分子式為GaN C．a(chǎn)、b原子坐標(biāo)參數(shù)依次為（0，0，0）、、則c原子坐標(biāo)參數(shù)為 D．已知該晶體密度為dg?cm﹣3，則鎵氮原子間最短距離為【答案】C【分析】A．每個(gè)N原子周圍距離最近的N原子數(shù)目為12；B．氮化鎵為共價(jià)晶體，沒有分子，每個(gè)晶胞中Ga的個(gè)數(shù)為×8+×6＝4，N的個(gè)數(shù)為4；C．根據(jù)a、b原子坐標(biāo)參數(shù)依次為（0，0，0）、（，，），判斷c原子坐標(biāo)參數(shù)為（，，）；D．由B項(xiàng)分析知，每個(gè)晶胞中含有4個(gè)GaN，則晶胞的邊長為×1010pm，則鎵氮原子間最短距離為體對角線的?！窘獯稹拷猓篈．每個(gè)N原子周圍距離最近的N原子數(shù)目為12，故A錯(cuò)誤；B．氮化鎵為共價(jià)晶體，沒有分子，每個(gè)晶胞中Ga的個(gè)數(shù)為×8+×6＝4，N的個(gè)數(shù)為4，則其化學(xué)式為GaN，故B錯(cuò)誤；C．根據(jù)a、b原子坐標(biāo)參數(shù)依次為（0，0，0）、（，，），判斷c原子坐標(biāo)參數(shù)為（，，），故C正確；D．由B項(xiàng)分析知，每個(gè)晶胞中含有4個(gè)GaN，則晶胞的邊長為×1010pm，則鎵氮原子間最短距離為體對角線的，為××1010pm，故D錯(cuò)誤；故選：C?！军c(diǎn)評】本題是物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考題，涉及晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識，關(guān)鍵是理解并晶胞有關(guān)的計(jì)算，需要學(xué)生具有一定的空間想象力與數(shù)學(xué)計(jì)算能力。17．（2024?九龍坡區(qū)模擬）NiO的晶胞示意圖如圖甲所示。存在“缺陷”的氧化鎳晶體（NixO）如圖乙所示（一個(gè)Ni2+空缺，另有兩個(gè)Ni2+被兩個(gè)Ni3+所取代，其晶體仍呈電中性）。下列說法正確的是（）A．Ni元素位于元素周期表的ds區(qū) B．NiO晶體中每個(gè)O2﹣周圍與它距離相等且最近的O2﹣有6個(gè) C．某氧化鎳（NixO）晶體中Ni3+與Ni2+的個(gè)數(shù)比為1：11，則x＝0.96 D．NiO晶體中與一個(gè)Ni2+距離相等且最近的O2﹣構(gòu)成的空間幾何形狀為正四面體【答案】C【分析】A．Ni是28號元素，價(jià)層電子排布式為3d84s2；B．由圖1可知，距體心的O2﹣?zhàn)罱业染嗟腛2﹣位于棱心；C．設(shè)某氧化鎳（NixO）晶體中Ni3+個(gè)數(shù)為1，Ni2+的個(gè)數(shù)為11，則O2﹣個(gè)數(shù)為＝12.5，則Ni：O＝12：12.5＝0.96：1；D．NiO晶體中與一個(gè)Ni2+距離相等且最近的O2﹣位于Ni2+的上下前后左右?！窘獯稹拷猓篈．Ni是28號元素，價(jià)層電子排布式為3d84s2，位于元素周期表中d區(qū)，故A錯(cuò)誤；B．由圖1可知，距體心的O2﹣?zhàn)罱业染嗟腛2﹣位于棱心，共12個(gè)，故B錯(cuò)誤；C．設(shè)某氧化鎳（NixO）晶體中Ni3+個(gè)數(shù)為1，Ni2+的個(gè)數(shù)為11，則O2﹣個(gè)數(shù)為＝12.5，則Ni：O＝12：12.5＝0.96：1，故x＝0.96，故C正確；D．NiO晶體中與一個(gè)Ni2+距離相等且最近的O2﹣位于Ni2+的上下前后左右，構(gòu)成的空間幾何形狀為正八面體，故D錯(cuò)誤；故選：C。【點(diǎn)評】本題考查晶胞計(jì)算，側(cè)重考查分析、判斷及計(jì)算能力，明確均攤法在晶胞計(jì)算中的靈活應(yīng)用、晶胞結(jié)構(gòu)等