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文檔簡介

三.

N溝道增強MOS管的伏安特性曲線

1.輸出特性

2.轉移特性

當uGS<UGSth時，iD=0；

當uGS

≥UGSth時，

iD

隨uGS呈平方律關系。MOSFET的特性，除與所用的材料和制作工藝有關外，還與管形的版圖設計參數(shù)有密切關系。下面對某些管參數(shù)作定量分析。恒流區(qū)的轉移特性如圖所示分析表明，對ENMOSFET有如下的定量關系式：

(1).恒流區(qū)

其中λ稱為溝道長度調制系數(shù)，其值為圖示厄爾利電壓（Early）UA的倒數(shù)，即

由于λ很小，約為（0.005~0.03）V－1，通?？珊雎?。iD0uDSUGSUAA

式中:μn——溝道電子運動的遷移率；

Cox——單位面積柵極電容；

W——溝道寬度；

L——溝道長度；

W/L——MOS管的寬長比。在MOS集成電路中，寬長比是一個極為重要的設計參數(shù)。增強型N溝道MOS管電流方程---平方律關系方程(2).可變電阻區(qū)：顯然，uGS越大，RDS越小。

當UDS<<(uGS－UGSth)時(即預夾斷前)，近似有此時，MOS管的D、S端可等效為阻值受uGS控制的線性電阻器，其阻值為

3–2–3N溝道耗盡型MOS管(NDMOS)

耗盡型MOSFET與增強型的不同之處，在于uGS=0時就存在原始導電溝道。

UGS=0

UGS<0

溝道變窄UGS=UGSoff溝道夾斷

UGS>0

溝道展寬

可見在控制溝時，柵源電壓既可小于0，也可大于0。漏源電壓UDS對導電溝道的控制作用(UGS=0)

UDS≥0，漏端電位升高，電場減弱。溝道不均勻變窄而傾斜。UDS增大到UDS=UGS－UGSoff溝道被預夾斷。隨后UDS增大溝道基本不變。

N溝道耗盡MOS管的伏安特性曲線

1.輸出特性

UDS>UGS-UGSoff

2.轉移特性

恒流區(qū)轉移特性可表示

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