2.4雙極性晶體三極管大功率達(dá)林頓晶體管雙極型晶體管是由三層雜質(zhì)半導(dǎo)體構(gòu)成的器件。它有三個(gè)電極，所以又稱晶體三極管，以后我們統(tǒng)稱為晶體管。常見的晶體管其外形如圖示。晶體管的結(jié)構(gòu)及電路符號(hào)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：發(fā)射區(qū)重?fù)诫s;基區(qū)輕摻雜,而且很薄;集電區(qū)面積大.2.4.1晶體管的工作原理

當(dāng)晶體管處在發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏的放大狀態(tài)下，管內(nèi)載流子的運(yùn)動(dòng)情況可用下圖說(shuō)明。cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15Vb

①.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子,發(fā)射結(jié)正偏,擴(kuò)散力↑↑↑

②.電子在基區(qū)中邊擴(kuò)散邊復(fù)合,基區(qū)薄輕摻雜,復(fù)合少。③.電子被集電區(qū)收集,集電結(jié)反偏,電場(chǎng)力↑有利吸引電子。

IENIEP根據(jù)電荷守衡有ICN+IBN=IENICNIEP<<IEN，發(fā)射極電流IE≈IEN。形成基區(qū)復(fù)合電流IBN,為基極電流IB的主要部分

形成集電區(qū)收集電流ICN,為集電極電流IC的主要部分。

一.放大狀態(tài)下晶體管中載流子的傳輸過(guò)程

通過(guò)對(duì)管內(nèi)載流子傳輸?shù)挠懻摽梢钥闯?，在晶體管中，窄的基區(qū)將發(fā)射結(jié)和集電結(jié)緊密地聯(lián)系在一起。從而把正偏下發(fā)射結(jié)的正向電流幾乎全部地傳輸?shù)椒雌募娊Y(jié)回路中去。這是晶體管能實(shí)現(xiàn)放大功能的關(guān)鍵所在。cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIEPIENICN④.集電結(jié)少子漂移集電結(jié)反偏，兩邊少子飄移形成反向飽和電流ICBO(與溫度關(guān)系大)。ICBO第二章常用半導(dǎo)體器件原理二.電流分配關(guān)系

由以上分析可知，晶體管三個(gè)電極上的電流與內(nèi)部載流子傳輸形成的電流之間有如下關(guān)系：

可見，在放大狀態(tài)下，晶體管三個(gè)電極上的電流不是孤立的，它們能夠反映非平衡少子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合的比例關(guān)系。這一比例關(guān)系主要由基區(qū)寬度、摻雜濃度等因素決定，管子做好后就基本確定了。cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICBO第二章常用半導(dǎo)體器件原理1.為了反映擴(kuò)散到集電區(qū)的電流ICN與基區(qū)復(fù)合電流IBN之間的比例關(guān)系，定義共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)為其含義是：基區(qū)每復(fù)合一個(gè)電子，則有個(gè)電子擴(kuò)散到集電區(qū)去,其值一般在20~200之間。

cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICBO確定了值之后，可得式中稱為穿透電流,表示IB=0時(shí),IC仍有電流為ICE0。這是今后電路分析中常用的關(guān)系式，要牢記！

由于ICBO極小，在忽略其影響時(shí)，晶體管三個(gè)電極上的電流近似有：cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15Vb2.為了反映擴(kuò)散到集電區(qū)的電流ICN與射極注入電流IEN的比例關(guān)系，定義共基極直流電流放大系數(shù)為顯然，<1，一般約為0.97~0.99。cICeIENPNIBRCUCCUBBR