(19)國家知識產(chǎn)權(quán)局(12)發(fā)明專利(10)授權(quán)公告號CN112573834B(65)同一申請的已公布的文獻(xiàn)號(73)專利權(quán)人安徽繁盛顯示科技有限公司地址233500安徽省亳州市蒙城縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)經(jīng)六路蒙城繁楓真空產(chǎn)業(yè)園3號廠房(72)發(fā)明人周皓煜蔣承忠吳天鳴黃俊杰(74)專利代理機(jī)構(gòu)上海隆天律師事務(wù)所31282專利代理師鐘宗審查員張璐超薄玻璃基板、超薄玻璃基板制程方法和面板制程方法本發(fā)明提供了超薄玻璃基板、超薄玻璃基板制程方法和面板制程方法，超薄玻璃基板包括：一玻璃基板，玻璃基板的第一側(cè)設(shè)有沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的至少一彎折應(yīng)力消散槽；以及一高分子補(bǔ)強(qiáng)層，高分子補(bǔ)強(qiáng)層填充彎折應(yīng)力消散槽，高分子補(bǔ)強(qiáng)層露出于玻璃基板的上表面與玻璃基板的上表面平齊。本發(fā)明能夠自玻璃母材獲得玻璃基板的同時(shí)，在玻璃母材上設(shè)置填充高分子補(bǔ)強(qiáng)層的彎折應(yīng)力消散槽，增強(qiáng)在后續(xù)的制程面板的過程中面板在預(yù)設(shè)彎折路徑上的彎折性能，節(jié)約功能層制程的時(shí)間，同時(shí)提升超薄玻璃基板2一玻璃基板(30),所述玻璃基板(30)的第一側(cè)設(shè)有沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的至少一彎折應(yīng)力消散槽，并且在基板區(qū)域的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣；以及一高分子補(bǔ)強(qiáng)層(24),所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層(24)填充所述彎折應(yīng)力消散槽，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層(24)露出于所述玻璃基板(30)的上表面與所述玻璃基板(30)的上表面平齊，所述玻璃基板(30)的第二側(cè)也設(shè)有被所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層(24)填充的所述彎折應(yīng)力消散槽；且所述第一側(cè)的彎折應(yīng)力消散槽基于所述玻璃基板(30)的第一投影與所述第二側(cè)的彎折應(yīng)力消散槽基于所述玻璃基板(30)的第二投影相互錯(cuò)位，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層的高分子材料透光性≥90%,折射率范圍在1.2到1.7,與所述玻璃基板(30)的附著力為5B。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄玻璃基板，其特征在于，所述彎折應(yīng)力消散槽為以下中的任意一種：多個(gè)均平行于所述預(yù)設(shè)彎折路徑的多個(gè)條形槽；一沿所述預(yù)設(shè)彎折路徑延展的矩形槽體；一沿所述預(yù)設(shè)彎折路徑延展的橢圓槽體。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄玻璃基板，其特征在于，還包括：一面板功能層(23),所述面板功能層(23)設(shè)置于所述玻璃基板(30)的第一側(cè)，且被所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層(24)貼合于所述玻璃基板(30)。4.一種超薄玻璃基板制程方法，其特征在于，用于制成如權(quán)利要求1所述的超薄玻璃基S110、提供一玻璃母材(1),所述玻璃母材(1)上預(yù)設(shè)n個(gè)基板區(qū)域(11)和圍繞所述基板區(qū)域(11)的骨架區(qū)域(12),n大于等于2;S120、至少在所述玻璃母材的所述基板區(qū)域(11)的上下表面分別形成刻蝕保護(hù)層，所述刻蝕保護(hù)層包括主體區(qū)域以及至少一沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的薄化區(qū)域；S130、至少刻蝕所述玻璃母材(1)的骨架區(qū)域(12),令所述基板區(qū)域(11)自所述玻璃母材(1)脫離，通過所述薄化區(qū)域在所述基板區(qū)域(11)沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽，并且在所述基板區(qū)域(11)的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣(13);S140、去除所述刻蝕保護(hù)層得到獨(dú)立的具有彎折應(yīng)力消散槽的所述玻璃基板(30);S150、在所述彎折應(yīng)力消散槽中設(shè)置高分子補(bǔ)強(qiáng)層，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層(24)露出于所述玻璃基板(30)的上表面與所述玻璃基板(30)的上表面平齊，所述玻璃基板(30)的第二側(cè)也設(shè)有被所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層(24)填充的所述彎折應(yīng)力消散槽；且所述第一側(cè)的彎折應(yīng)力消散槽基于所述玻璃基板(30)的第一投影與所述第二側(cè)的彎折應(yīng)力消散槽基于所述玻璃基板(30)的第二投影相互錯(cuò)位，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層的高分子材料透光性≥90%,折射率范圍在1.2到1.7,與所述玻璃基板(30)的附著力為5B。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超薄玻璃基板制程方法，其特征在于，所述步驟S150中，在所述彎折應(yīng)力消散槽中通過涂布或噴印的方式加入所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超薄玻璃基板制程方法，其特征在于，所述步驟S150之后還包括以下步驟：步驟S160、所述玻璃基板(30)設(shè)置所述彎折應(yīng)力消散槽的一側(cè)，通過所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層將面板功能層(23)貼合于所述玻璃基板(30),再經(jīng)過曝光或加熱方式固化所述高分子補(bǔ)3一種或組合。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超薄玻璃基板制程方法，其特征在于，所述基板區(qū)域(11)矩陣排列于所述玻璃母材(1),相鄰的所述基板區(qū)域(11)之間具有所述骨架區(qū)域(12)分隔，通過一次刻蝕，消除所述玻璃母材(1)中全部的骨架區(qū)域(12),在所述基板區(qū)域(11)沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽，并且在所述基板區(qū)域(11)的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣8.一種顯示面板制程方法，其特征在于，包括如權(quán)利要求4至7中任意一項(xiàng)所述的超薄玻璃基板制程方法。4超薄玻璃基板、超薄玻璃基板制程方法和面板制程方法技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及面板制程技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及超薄玻璃基板、超薄玻璃基板制程方法和面板制程方法。背景技術(shù)[0002]超薄玻璃基片(UTG基片)作為可折疊蓋板的重要組成部分，為實(shí)現(xiàn)更小或甚至R=邊部的特殊處理，即需要去除因切割產(chǎn)生的崩邊、微裂紋等缺陷，從而避免基片在彎折的時(shí)候由于微裂紋等造成玻璃的破碎?？傮w而言，需要解決兩個(gè)方面的問題：1)采取何種切割方式以獲得相對平直的邊部質(zhì)量；2)采取拋光等方式去除邊部缺陷。[0003]目前，輪刀式切割局限于直線切割，在進(jìn)行產(chǎn)品異形(導(dǎo)R角)切割方面仍然面臨困難，再者未經(jīng)化學(xué)強(qiáng)化處理的100um左右的UTG基片非常易碎，它難以承受輪刀切割時(shí)的機(jī)械壓力出現(xiàn)高比例碎片，或者產(chǎn)生非期望的基片邊部的明顯崩片、缺角等缺陷。這些缺陷對于后續(xù)的邊部拋光是非常致命的缺陷，可能直接導(dǎo)致基片的報(bào)廢。因此，尋找合適的切割方式獲得邊部平直的基片是重要的工作組成。[0004]相比而言，激光非機(jī)械力作用的切割能夠獲得更好的邊部切割效果而可能成為未來超薄基片切割的主流方式，激光切割是指將激光束照射在工件表面時(shí)釋放的能量使工件融化并蒸發(fā)，以達(dá)到切割分片的目的。激光切割沒有對玻璃表面施加壓力，所以不會造成玻璃基材破片，同時(shí)可以做各種各樣異形切割。[0005]另一方面，UTG基片在加工和轉(zhuǎn)運(yùn)過程極易發(fā)生玻璃表面劃傷或相互擠壓撐傷等質(zhì)量缺陷，目前，采取在玻璃雙表面噴涂防護(hù)油墨方式降低或避免上述問題的發(fā)生，并形成了大片UTG母板玻璃切割—邊部拋光一化學(xué)強(qiáng)化一噴涂防護(hù)油墨的加工過程。最終在經(jīng)過化學(xué)強(qiáng)化處理的UTG基片上涂布功能膜涂形成可折疊的蓋板。[0006]為此，通常的實(shí)施方式為：在UTG超薄基片噴涂防護(hù)油墨后進(jìn)行激光切割或者期望的尺寸進(jìn)行后續(xù)的加工。然而，UTG基片表面均勻噴涂油墨是一項(xiàng)非常艱巨的任務(wù)，尤其要于激光切割道上常常遇見噴涂不均勻的情況而導(dǎo)致激光在該區(qū)域出現(xiàn)散射的問題，最終導(dǎo)致激光切割玻璃不徹底，分片困難或嚴(yán)重崩邊等缺陷，上述缺陷嚴(yán)重影響后續(xù)的邊部拋光[0007]而且，當(dāng)彎折屏幕蓋板包含超薄玻璃(UTG),彎折半徑要求越來越小，對玻璃的強(qiáng)度需求逐漸提高，但是要提高彎折性能，UTG的厚度將越來越薄，但太薄的UTG受沖擊性能[0008]因此，本發(fā)明提供了超薄玻璃基板、超薄玻璃基發(fā)明內(nèi)容[0009]針對現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明的目的在于提供超薄玻璃基板、超薄玻璃基板制5程方法和面板制程方法，克服了現(xiàn)有技術(shù)的困難，能夠自玻璃母材獲得玻璃基板的同時(shí)，在玻璃母材上設(shè)置填充高分子補(bǔ)強(qiáng)層的彎折應(yīng)力消散槽，增強(qiáng)在后續(xù)的制程面板的過程中面板在預(yù)設(shè)彎折路徑上的彎折性能，節(jié)約功能層制程的時(shí)間，同時(shí)提升超薄玻璃基板的抗彎折性能和抗沖擊性能，大大提高了超薄玻璃基板的產(chǎn)品質(zhì)量。[0010]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種超薄玻璃基板制程方法，包括：[0011]一玻璃基板，所述玻璃基板的第一側(cè)設(shè)有沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的至少一彎折應(yīng)力消散槽，并且在所述基板區(qū)域的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣；以及[0012]一高分子補(bǔ)強(qiáng)層，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層填充所述彎折應(yīng)力消散槽，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層露出于所述玻璃基板的上表面與所述玻璃基板的上表面平齊。[0013]優(yōu)選地，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層的高分子材料透光性≥90%,折射率范圍在1.2到1.7,與所述玻璃基板的附著力為5B。[0014]優(yōu)選地，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層的組分包括增液態(tài)光學(xué)膠、亞克力、含硅的有機(jī)高分子二甲酸-1,4-環(huán)己二甲酯。[0015]優(yōu)選地，所述彎折應(yīng)力消散槽以下中的任意一種：[0016]多個(gè)均平行于所述預(yù)設(shè)彎折路徑的多個(gè)條形槽；[0017]一沿所述預(yù)設(shè)彎折路徑延展的矩形槽體；[0018]一沿所述預(yù)設(shè)彎折路徑延展的橢圓槽體。[0019]優(yōu)選地，還包括：一面板功能層，所述面板功能層設(shè)置于所述玻璃基板的第一側(cè)，且被所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層貼合于所述玻璃基板。[0020]優(yōu)選地，所述玻璃基板的第二側(cè)也設(shè)有被所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層填充的所述彎折應(yīng)力消散槽；且所述第一側(cè)的彎折應(yīng)力消散槽基于所述玻璃基板的第一投影與所述第二側(cè)的彎折應(yīng)力消散槽基于所述玻璃基板的第二投影相互錯(cuò)位。[0021]本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種超薄玻璃基板制程方法，其特征在于，用于制程如上[0022]S110、提供一玻璃母材，所述玻璃母材上預(yù)設(shè)n個(gè)基板區(qū)域和圍繞所述基板區(qū)域的[0023]S120、至少在所述玻璃母材的所述基板區(qū)域的上下表面分別形成刻蝕保護(hù)層，所述刻蝕保護(hù)層包括主體區(qū)域以及至少一沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的薄化區(qū)域；[0024]S130、至少刻蝕所述玻璃母材的骨架區(qū)域，令所述基板區(qū)域自所述玻璃母材脫離，通過所述薄化區(qū)域在所述基板區(qū)域沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽，并且在所述基板區(qū)域的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣；[0025]S140、去除所述刻蝕保護(hù)層得到獨(dú)立的具有彎折應(yīng)力消散槽的所述玻璃基板；[0026]S150、在所述彎折應(yīng)力消散槽中設(shè)置高分子補(bǔ)強(qiáng)層，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層露出于所述玻璃基板的上表面與所述玻璃基板的上表面平齊。[0027]優(yōu)選地，所述步驟S150中，在所述彎折應(yīng)力消散槽中通過涂布或噴印的方式加入所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層。[0028]優(yōu)選地，所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層的組分包括增液態(tài)光學(xué)膠、亞克力、含硅的有機(jī)高分子6二甲酸-1,4-環(huán)己二甲酯。[0030]步驟S160、所述玻璃基板設(shè)置所述彎折應(yīng)力消散槽的一側(cè)，通過所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層將所述面板功能層所述玻璃基板，再經(jīng)過曝光或加熱方式固化所述高分子補(bǔ)強(qiáng)層，所述[0031]優(yōu)選地，所述基板區(qū)域矩陣排列于所述玻璃母材，相鄰的所述基板區(qū)域之間具有所述骨架區(qū)域分隔，通過一次刻蝕，消除所述玻璃母材中全部的骨架區(qū)域，在所述基板區(qū)域沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽，并且在所述基板區(qū)域的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣。[0032]優(yōu)選地，所述薄化區(qū)域?yàn)橐谎仡A(yù)設(shè)彎折路徑延展的條形區(qū)域。[0033]優(yōu)選地，所述薄化區(qū)域中設(shè)有至少一條平行于預(yù)設(shè)彎折路徑的窄縫，局部所述基板區(qū)域露出于所述窄縫。[0034]優(yōu)選地，所述刻蝕保護(hù)層的所述薄化區(qū)域的厚度小于所述刻蝕保護(hù)層的主體區(qū)域的厚度。[0035]優(yōu)選地，所述刻蝕保護(hù)層包括同層設(shè)置的消減刻蝕的刻蝕緩沖層以及阻擋刻蝕的刻蝕阻擋層，所述刻蝕緩沖層形成所述薄化區(qū)域，所述刻蝕保護(hù)層形成所述刻蝕保護(hù)層的主體區(qū)域。[0036]本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示面板制程方法，包括如上述的超薄玻璃基板制程方法。[0037]本發(fā)明的目的在于提供超薄玻璃基板、超薄玻璃基板制程方法和面板制程方法，能夠自玻璃母材獲得玻璃基板的同時(shí)，在玻璃母材上設(shè)置填充高分子補(bǔ)強(qiáng)層的彎折應(yīng)力消散槽，增強(qiáng)在后續(xù)的制程面板的過程中面板在預(yù)設(shè)彎折路徑上的彎折性能，節(jié)約功能層制程的時(shí)間，同時(shí)提升超薄玻璃基板的抗彎折性能和抗沖擊性能，大大提高了超薄玻璃基板的產(chǎn)品質(zhì)量。附圖說明[0038]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯。[0039]圖1是本發(fā)明的第一種超薄玻璃基板的剖面圖。[0040]圖2是本發(fā)明的第二種超薄玻璃基板的剖面圖。[0041]圖3是本發(fā)明的第二種超薄玻璃基板卷曲狀態(tài)的剖面圖。[0042]圖4是本發(fā)明的第三種超薄玻璃基板的剖面圖。[0043]圖5是本發(fā)明的第四種超薄玻璃基板的剖面圖。[0044]圖6是本發(fā)明的第五種超薄玻璃基板的剖面圖。[0045]圖7是本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法的流程圖。[0046]圖8至16是本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法的第一種制程過程的示意圖。[0047]圖17是本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法的第二種制程的過程示意圖。[0048]圖18是本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法的第三種制程的過程示意圖。[0049]附圖標(biāo)記71[0062]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對它們的重復(fù)描述。展的至少一彎折應(yīng)力消散槽14,并且在基板區(qū)域的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣。高分子補(bǔ)強(qiáng)層24填充彎折應(yīng)力消散槽14,高分子補(bǔ)強(qiáng)層24露出于玻璃基板30的上表面與玻璃基板30的上[0064]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，高分子補(bǔ)強(qiáng)層24的高分子材料透光性≥90%,折射率范圍在1.2到1.7,與玻璃基板30的附著力為5B,使得高分子補(bǔ)強(qiáng)層24能夠牢固地嵌入在彎折應(yīng)[0065]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，高分子補(bǔ)強(qiáng)層的組分包括增液態(tài)光學(xué)膠、亞克力、含硅的有機(jī)高分子材料、環(huán)氧樹脂、氟樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及聚對苯二甲酸-1,4-環(huán)己二甲酯，但不以此為限。[0066]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，彎折應(yīng)力消散槽14以下中的任意一種：[0067]圖2是本發(fā)明的第二種超薄玻璃基板的剖面圖。參見圖2,多個(gè)均平行于預(yù)設(shè)彎折路徑的多個(gè)條形槽；[0068]一沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的矩形槽體；[0069]一沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的橢圓槽體，但不以此為限。[0070]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，應(yīng)力消散邊緣為圓弧形邊緣、刀鋒邊緣或者多邊形邊緣，刀鋒邊緣或者多邊形邊緣中包括至少一斜邊或弧形斜邊，斜邊與玻璃母材的角度范圍為8(15°,90°),玻璃母材的厚度為10um至150um;應(yīng)力消散邊緣環(huán)繞基板區(qū)域的邊沿，應(yīng)力消散邊緣的寬度為5um至300um,但不以此為限。[0071]本發(fā)明將超薄玻璃基板彎折區(qū)域蝕刻掉部分材料并填充另外一種高分子材料，非彎折區(qū)域保留較厚的玻璃本體，使其大部分區(qū)域的剛度與抗沖擊性能較強(qiáng)。此種高分子材料需滿足一定的力學(xué)性能和光學(xué)性能。力學(xué)性能：與超薄玻璃基板結(jié)合后在工作彎折半徑其與玻璃結(jié)合后無光學(xué)問題。[0072]圖3是本發(fā)明的第二種超薄玻璃基板卷曲狀態(tài)的剖面圖。參見圖3,超薄玻璃基板卷曲部的周長(預(yù)設(shè)彎折路徑)為S,S=π×R,π為圓周率，R為超薄玻璃基板卷曲部的圓弧半徑。則在超薄玻璃基板上的多個(gè)平行的彎折應(yīng)力消散槽14的整體寬度為(S+2W),預(yù)設(shè)彎折路徑(寬度為S)位于彎折應(yīng)力消散槽14整體的中部，在實(shí)際使用時(shí)，超薄玻璃基板卷曲部的兩側(cè)也同樣會受到彎曲的影響，本發(fā)明中將撓性更強(qiáng)的彎折應(yīng)力消散槽14自預(yù)設(shè)彎折路徑向兩側(cè)擴(kuò)展，分別自預(yù)設(shè)彎折路徑的兩側(cè)延展出一擴(kuò)展部(每個(gè)擴(kuò)展部的寬度為W),擴(kuò)展部中同樣設(shè)有彎折應(yīng)力消散槽14,使得彎折應(yīng)力消散槽14能夠充分覆蓋會受到彎折影響的超薄玻璃基板卷曲部的兩側(cè)，擴(kuò)展部的寬度W可以是超薄玻璃基板厚度h的2倍至5倍，但不以薄玻璃基板的彎折區(qū)域與直線區(qū)之間區(qū)域的應(yīng)力突變，從而有效增強(qiáng)超薄玻璃基板卷曲特[0073]在一個(gè)變化例中，彎折應(yīng)力消散槽14的分布在玻璃基板30的彎折區(qū)域域(預(yù)設(shè)彎折路徑)到直線區(qū)域的過程中密度由高到低減小，從而既能滿足彎折應(yīng)力的撓性，也能保持玻璃基板30的直線區(qū)域部分的剛性。[0074]圖4是本發(fā)明的第三種超薄玻璃基板的剖面圖。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，參見圖4,本發(fā)明的第三種超薄玻璃基板還包括：一面板功能層23,面板功能層23設(shè)置于玻璃基板30的第一側(cè)，且被高分子補(bǔ)強(qiáng)層24貼合于玻璃基板30。由于面板功能層23是被內(nèi)嵌于玻璃基板30的高分子補(bǔ)強(qiáng)層24貼合于玻璃基板30。所以，面板功能層23與璃基板30之間不需要增添粘合層，進(jìn)一步減小了超薄玻璃基板的整體厚度，但不以此為限。[0075]圖5是本發(fā)明的第四種超薄玻璃基板的剖面圖。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，如圖5所示，玻璃基板30的第一側(cè)也設(shè)有被高分子補(bǔ)強(qiáng)層24填充的彎折應(yīng)力消散槽141。玻璃基板30的第二側(cè)也設(shè)有被高分子補(bǔ)強(qiáng)層24填充的彎折應(yīng)力消散槽142。且第一側(cè)的彎折應(yīng)力消散槽141基于玻璃基板30的第一投影與第二側(cè)的彎折應(yīng)力消散槽142基于玻璃基板30的第二投影相互錯(cuò)位，使得玻璃基板30在朝向兩個(gè)不同面進(jìn)行卷曲的同時(shí)都體現(xiàn)更好的撓性，并且通過彎折應(yīng)力消散槽141與彎折應(yīng)力消散槽142之間的錯(cuò)位，避免了設(shè)置更過彎折應(yīng)力消散槽對超薄玻璃基板剛性的減弱，但不以此為限。[0076]圖6是本發(fā)明的第五種超薄玻璃基板的剖面圖。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，如圖5所示，玻璃基板30的第一側(cè)也設(shè)有被高分子補(bǔ)強(qiáng)層24填充的彎折應(yīng)力消散槽141,面板功能層23設(shè)置于玻璃基板30的第一側(cè)，且被高分子補(bǔ)強(qiáng)層24貼合于玻璃基板30的第一側(cè)。玻璃基板30的第二側(cè)也設(shè)有被高分子補(bǔ)強(qiáng)層24填充的彎折應(yīng)力消散槽142,面板功能層23設(shè)置于玻璃基板30的第二側(cè)，且被高分子補(bǔ)強(qiáng)層24貼合于玻璃基板30的第二側(cè)，但不以此為限。[0077]圖7是本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法的流程圖。如圖7所示，本發(fā)明的超薄玻璃9基板制程方法，用于制程如權(quán)利要求1的超薄玻璃基板，包括以下步驟：[0078]S110、提供一玻璃母材1,玻璃母材1上預(yù)設(shè)n個(gè)基板區(qū)域11和圍繞基板區(qū)域11的骨架區(qū)域12,n大于等于2。[0079]S120、至少在玻璃母材的基板區(qū)域11的上下表面分別形成刻蝕保護(hù)層，刻蝕保護(hù)層包括主體區(qū)域以及至少一沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的薄化區(qū)域。[0080]S130、至少刻蝕玻璃母材1的骨架區(qū)域12,令基板區(qū)域11自玻璃母材1脫離，通過薄化區(qū)域在基板區(qū)域11沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽14,并且在基板區(qū)域11的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣13。[0081]S140、去除刻蝕保護(hù)層得到獨(dú)立的具有彎折應(yīng)力消散槽14的玻璃基板3014。[0082]S150、在彎折應(yīng)力消散槽14中設(shè)置高分子補(bǔ)強(qiáng)層，高分子補(bǔ)強(qiáng)層24露出于玻璃基板30的上表面與玻璃基板30的上表面平齊。[0083]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，在彎折應(yīng)力消散槽14中通過涂布或噴印的方式加入高分子[0084]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，高分子補(bǔ)強(qiáng)層的組分包括增液態(tài)光學(xué)膠、亞克力、含硅的有及聚對苯二甲酸-1,4-環(huán)己二甲酯，但不以此為限。[0085]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，步驟S150之后還[0086]步驟S160、玻璃基板30設(shè)置彎折應(yīng)力消散槽14的一側(cè)，通過高分子補(bǔ)強(qiáng)層將面板功能層23玻璃基板30,再經(jīng)過曝光或加熱方式固化高分子補(bǔ)強(qiáng)層，面板功能層23包括TFT背[0087]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，基板區(qū)域11矩陣排列于玻璃母材1,相鄰的基板區(qū)域11之間具有骨架區(qū)域12分隔，通過一次刻蝕，消除玻璃母材1中全部的骨架區(qū)域12,在基板區(qū)域11沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽14,并且在基板區(qū)域11的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣13,但不以此為限。[0088]圖8至16是本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法的第一種制程過程的示意圖。如圖8至16所示，本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法的第一種制程過程如下：[0089]參考圖8,首先提供一玻璃母材1,玻璃母材1的厚度為10um至150um,基板區(qū)域11矩陣排列于玻璃母材1,相鄰的基板區(qū)域11之間具有骨架區(qū)域12分隔。[0090]參考圖9、10,在玻璃母材1上預(yù)設(shè)n個(gè)基板區(qū)域11和圍繞基板區(qū)域11的骨架區(qū)域12,n大于等于2在玻璃母材的基板區(qū)域11的上下表面分別形成刻蝕保護(hù)層20,刻蝕保護(hù)層20僅覆蓋基板區(qū)域11的上下表面，骨架區(qū)域12的上下表面均露出于刻蝕保護(hù)層20之外，使得骨架區(qū)域12的上下表面在后續(xù)的刻蝕中可以同時(shí)受到刻蝕，易形成具有多個(gè)應(yīng)力消散面的應(yīng)力消散邊緣13基板區(qū)域11矩陣排列于玻璃母材1,相鄰的基板區(qū)域11之間具有骨架區(qū)域12分隔。刻蝕保護(hù)層20包括主體區(qū)域22以及至少一沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的薄化區(qū)域21。本實(shí)施例中，薄化區(qū)域21為一沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的條形區(qū)域在薄化區(qū)域21中設(shè)有至少一條平行于預(yù)設(shè)彎折路徑的窄縫，局部基板區(qū)域11露出于窄縫，以便在刻蝕過程中，在基板區(qū)域11沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽14。[0091]參考圖11、12、13、14,刻蝕玻璃母材1的骨架區(qū)域12,令基板區(qū)域11自玻璃母材1脫離，通過薄化區(qū)域在基板區(qū)域11沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽14,并且在基板區(qū)域11的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣13.本發(fā)明中的刻蝕緩沖層在刻蝕過程中不能完全阻擋對其下方基板區(qū)域11的刻蝕，僅僅是減弱對其下方基板區(qū)域11的刻蝕，使得在薄化區(qū)域?qū)?yīng)的基板區(qū)域11中留下沿預(yù)設(shè)彎折路徑延展的淺槽(作為對比，被刻蝕阻擋層覆蓋的基板區(qū)域11完全不受刻蝕),這些淺槽在面板彎折的時(shí)候能夠分散彎折應(yīng)力，作為彎折應(yīng)力消散槽使用。本實(shí)施例中，通過第一刻蝕制程，消除玻璃母材1中全部的骨架區(qū)域12,留下被刻蝕保護(hù)層20保護(hù)的基板區(qū)域11。應(yīng)力消散邊緣13為刀鋒邊緣，應(yīng)力消散邊緣13環(huán)繞基板區(qū)域1中全部的骨架區(qū)域12,在基板區(qū)域11沿預(yù)設(shè)彎折路徑形成至少一彎折應(yīng)力消散槽，并且在基板區(qū)域11的邊沿形成應(yīng)力消散邊緣13,即在一次刻蝕的過程中，同時(shí)實(shí)現(xiàn)三個(gè)刻蝕效果。本實(shí)施例中，在基板區(qū)域11的兩面都形成了相互對稱的彎折應(yīng)力消散槽14,以便可以分別分散兩個(gè)彎折方向的應(yīng)力。在一個(gè)變化例中，也可以只在基板區(qū)域11的一面設(shè)置彎折應(yīng)力消散槽14,僅僅分散一個(gè)彎折方向的應(yīng)力。[0092]參見圖15,去除刻蝕保護(hù)層得到獨(dú)立的具有彎折應(yīng)力消散槽的獨(dú)立的玻璃基板[0093]參見圖16,去除刻蝕保護(hù)層得到獨(dú)立的具有彎折應(yīng)力消散槽的玻璃基板。在彎折應(yīng)力消散槽14中設(shè)置高分子補(bǔ)強(qiáng)層，高分子補(bǔ)強(qiáng)層24露出于玻璃基板30的上表面與玻璃基板30的上表面平齊。通過在彎折應(yīng)力消散槽14中通過涂布或噴印的方式加入高分子補(bǔ)強(qiáng)層，但不以此為限。高分子補(bǔ)強(qiáng)層24的組分包括增液態(tài)光學(xué)膠、亞克力、含硅的有機(jī)高分子二甲酸-1,4-環(huán)己二甲酯，但不以此為限。[0094]圖17是本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法的第二種制程的過程示意圖。如圖17所示，本發(fā)明的超薄玻璃基板制程方法還可以在圖8至16的制程過程的基礎(chǔ)上，通過在超薄玻璃基板的兩面設(shè)置多個(gè)預(yù)設(shè)彎折路徑，在玻璃基板30的兩面上分布多道彎折應(yīng)力消散槽14,在玻璃基板30兩面的彎折應(yīng)力消散槽14中填充高分子補(bǔ)強(qiáng)層24。使得第二種制程能夠?qū)崿F(xiàn)在玻璃基板30在任意位置進(jìn)行彎折時(shí)，都能提供更好的撓性。[0095]圖18是本發(fā)明的超薄玻璃基板制