T/HIST/HIS001—ICSCT/HIS001—InfraredThermopile2022-04-24發(fā) 2022-05-25實 T/HIST/HIS001—GB/T GB/T GB/T GB/T 2AGB/T 2BGB/T 2CadGB/T2423.7 環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Ec：粗率操作造成的沖擊GB/T2423.10 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Fc：正弦GB/T25457 工業(yè)自動化儀表術(shù)語溫度儀表GB/T GB/T GB/T GB/T JB∕T JB∕T JJF JJF T/CMIF116-2020InfraredthermopileMEMSMEMS熱電偶輸出電勢互相疊加（參考T/CMIF116—2020 Thermopile從采用MEMS工藝制備的含有熱電堆測量電路陣列和相關(guān)微型結(jié)構(gòu)的晶片上分割的至少能夠包含有一個熱電堆測量電路和一個相關(guān)微型結(jié)構(gòu)的部分（參考T/CMIF116—2020 ThermopilesensorSensorNoiseequivalentirration Time 負溫度系數(shù)(NTC)Negativetemperaturecoefficient在工作溫度范圍內(nèi)，零功率電阻值隨溫度增加而減小的熱敏電阻。（GB/T4475ThermistorBThermistorBB注：除非特別指出，B值是由25℃（298.15K）和50℃（323.15K）的零功率電阻值計算而得到的（參考JB∕T9476-2015 TempuraturecoefficientofFieldofInfraredPeak Fullwidthathalfλ（λ1＜λ2 Center0.5Tmax時對應(yīng)的兩個波長值λ1和λ2的平均值，計算公式為 1 中心波 濾光片半峰 nW/Hz1/2 熱電堆傳感器內(nèi) 熱敏電阻阻 時間常 2nW/NTCB395kΩ，100kΩ，120kΩ，140kΩ，15044-+/-0.10mm；+/-0.050mm；+/-0.010S/D(scratch/dig)：60-40；40-5C-H+/-0.10mm；+/-0.050mm；+/-0.010S/D(scratch/dig)：60-40；40-6NTCBB恒定濕熱實驗后，傳感器恢復(fù)到5.1規(guī)定的條件下保持2h，測試熱電堆傳感器的參數(shù)應(yīng)符5.6.5.6.NC.6.4的要求，.2恒定濕熱實驗后，傳感器恢復(fù)到5.1規(guī)定的條件下保持2h，測試熱電堆傳感器的參數(shù)應(yīng)符5.6.5.6.NC.6.4的要求，.25.125.6.1的要求，實驗前后傳感器內(nèi)阻的偏差應(yīng)滿足5.6.2的要求，NC參數(shù)應(yīng)滿足5.6.4的要求，檢測.2相對濕度：50~86kPa~1；測試儀表應(yīng)符合（測試設(shè)備和電路參照JB∕T9476-2015中6.8的要求執(zhí)行），首先在為檢測熱電堆傳感器電阻的穩(wěn)定性，再次在25B=TaTbln(Ra/Rb)/(Tb- 333.15K（60℃按GB/T13584-2011，6.4中方法1040的規(guī)定進行試驗，按照6.4.5.1計算在黑體輻射下的探按GB/T2423.1—2008試驗A：Ab低溫試驗方法進行。在溫度為(–20±3)℃條件下，持續(xù)按GB/T2423.2—2008中試驗B：Bb高溫試驗方法進行。在溫度為(85±3)℃條件下，持續(xù)GT2423.-2019中試驗a規(guī)定的方法進行。嚴酷300s218s33次，共1按GB/T2423.7-2018中試驗Ec：粗率操作造成的沖擊試驗方法進行，嚴酷等級：跌落高度7電阻B型式檢驗的抽樣按GB/T2829—2002相應(yīng)條款執(zhí)行，以不合格品數(shù)為判斷依據(jù)。樣本量項目判定每只樣品有1個B類不合格或3個C類不合格，結(jié)果判定該樣品合格。10只樣品中有1（）熱電堆傳感器的包裝應(yīng)符合設(shè)計文件要求，包裝的圖示標(biāo)志應(yīng)符合GB/T191—2008的規(guī)T/HIST/HIS001—GB/T GB/T GB/T