(19)國家知識產(chǎn)權(quán)局(12)發(fā)明專利(22)申請日2022.11.14(43)申請公布日2023.01.31限公司發(fā)區(qū)高新大道666號光谷生物創(chuàng)新園C5棟305室(56)對比文件公司44570專利代理師倪聰聰件的陽極電位更早地達到啟亮電壓，進而增加有效發(fā)光時間或者提高發(fā)光器件的發(fā)光亮度。Aq[T1BCD1.Nscan[n-5]vSS2驅(qū)動晶體管，所述驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的一個與第一電源線電連接；發(fā)光器件，所述發(fā)光器件的陽極與所述驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的另一個電連接，所述發(fā)光器件的陰極與第二電源線電連接；反饋晶體管，所述反饋晶體管的柵極與第一控制線電連接；以及反饋電容，所述反饋電容、所述反饋晶體管串聯(lián)于所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述發(fā)光器件的陽極之間；第一初始化晶體管，所述第一初始化晶體管串聯(lián)于所述反饋電容的一端與第一初始化線之間，所述第一初始化晶體管的柵極與第二控制線電連接；其中，所述反饋晶體管在所述像素電路的發(fā)光階段中導通至少一次。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述反饋電容的一端通過所述第一初始化晶體管與所述第一初始化線電連接，所述第一初始化線接收第一初始化信號；所述反饋電容的另一端與第二初始化線電連接，所述第二初始化線接收第二初始化信號；所述反饋晶體管串聯(lián)于所述反饋電容與所述第一初始化線或者所述第二初始化線之間；所述第一初始化信號的電位不同于所述第二初始化信號的電位。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括第二初始化晶體管，所述第二初始化晶體管串聯(lián)于所述反饋電容的另一端與所述第二初始化線之間，所述第二初始化晶體管的柵極與所述第二控制線電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括：第一發(fā)光控制晶體管，所述第一發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的一個與所述驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的另一個電連接，所述第一發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的另一個與所述發(fā)光器件的陽極電連接，所述第一發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制線電連第二發(fā)光控制晶體管，所述第二發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的一個與所述第一電源線電連接，所述第二發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的另一個與所述驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的一個電連接，所述第二發(fā)光控制晶體管的柵極與所述發(fā)光控制線電連寫入晶體管，所述寫入晶體管的源極或者漏極中的一個與數(shù)據(jù)線電連接，所述寫入晶體管的源極或者漏極中的另一個與所述驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的一個電連接，所述寫入晶體管的柵極與第三控制線電連接；以及補償晶體管，所述補償晶體管的源極或者漏極中的一個與所述驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的另一個電連接，所述補償晶體管的源極或者漏極中的另一個與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接，所述補償晶體管的柵極與第四控制線電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，在所述像素電路的初始化階段中，所述第一初始化晶體管、所述第二初始化晶體管均處于導通狀態(tài)，且所述反饋晶體管在所述初始化階段中的至少部分時間處于導通狀態(tài)，以通過所述第一初始化信號對所述驅(qū)動晶體管的柵極電位、所述反饋電容的一端電位進行復位，并通過所述第二初始化信號對所述發(fā)光器件的陽極電位、所述反饋電容的另一端電位進行復位。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，在所述像素電路的數(shù)據(jù)寫入階段中，3數(shù)據(jù)信號通過串聯(lián)后的所述反饋晶體管、所述反饋電容抬高所述發(fā)光器件的陽極電位，且所述發(fā)光器件的陽極電位小于所述發(fā)光器件的啟亮電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，在所述像素電路的發(fā)光階段中，所述驅(qū)動晶體管的柵極電位通過串聯(lián)后的所述反饋晶體管、所述反饋電容與所述發(fā)光器件的陽極電位反向變化。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，在所述像素電路的插黑階段中，通過串聯(lián)后的所述反饋晶體管、所述反饋電容抬高所述驅(qū)動晶體管的柵極電位，并降低所述發(fā)光器件的陽極電位。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述第一控制線用于傳輸?shù)谝豢刂菩盘枺霭l(fā)光控制線用于傳輸發(fā)光控制信號；所述第一控制信號的頻率大于所述發(fā)光控制信號的頻率。10.一種顯示面板，其特征在于，包括多個如權(quán)利要求1至9任一項所述的像素電路，每個所述像素電路還包括存儲電容，所述存儲電容的一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接，所述存儲電容的另一端與所述第一電源線電連接。4像素電路及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域[0001]本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素電路及顯示面板。背景技術(shù)[0002]AMOLED(ActiveMatri極體)顯示技術(shù)應用越來廣泛，在手機、穿戴、筆記本電腦和平板電腦的使用占比越來越高，隨著產(chǎn)品的發(fā)展，更高的PPI(PixelsPerInch,像素密度)和高低頻顯示切換等技術(shù)應用需求下，申請人發(fā)現(xiàn)在頻率切換時容易產(chǎn)生顯示質(zhì)量的不穩(wěn)定，例如低灰階時切頻色偏等[0003]隨著像素電路或者顯示面板的工作時長或者在高溫高濕環(huán)境下工作時長的增加，通常會導致像素電路中發(fā)光器件的亮度不穩(wěn)定，影響顯示品質(zhì)。發(fā)明內(nèi)容[0004]本申請?zhí)峁┮环N像素電路及顯示面板，以緩解發(fā)光器件的亮度不穩(wěn)定的技術(shù)問[0005]第一方面，本申請?zhí)峁┮环N像素電路，該像素電路包括驅(qū)動晶體管、發(fā)光器件、反饋晶體管以及反饋電容，驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的一個與第一電源線電連接；發(fā)光器件的陽極與驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的另一個電連接，發(fā)光器件的陰極與第二電源線電連接；反饋晶體管的柵極與第一控制線電連接；反饋電容、反饋晶體管串聯(lián)于驅(qū)動晶體管的柵極與發(fā)光器件的陽極之間。[0006]在其中一些實施方式中，反饋電容的一端與第一初始化線電連接，第一初始化線接收第一初始化信號；反饋電容的另一端與第二初始化線電連接，第二初始化線接收第二初始化信號；反饋晶體管串聯(lián)于反饋電容與第一初始化線或者第二初始化線之間；第一初始化信號的電位不同于第二初始化信號的電位。[0007]在其中一些實施方式中，像素電路還包括第一初始化晶體管和第二初始化晶體管，第一初始化晶體管串聯(lián)于反饋電容的一端與第一初始化線之間，第一初始化晶體管的柵極與第二控制線電連接；第二初始化晶體管串聯(lián)于反饋電容的另一端與第二初始化線之間，第二初始化晶體管的柵極與第二控制線電連接。[0008]在其中一些實施方式中，像素電路還包括第一發(fā)光控制晶體管、第二發(fā)光控制晶體管、寫入晶體管以及補償晶體管，第一發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的一個與驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的另一個電連接，第一發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的另一個與發(fā)光器件的陽極電連接，第一發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制線電連接；第二發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的一個與第一電源線電連接，第二發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的另一個與驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的一個電連接，第二發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制線電連接；寫入晶體管的源極或者漏極中的一個與數(shù)據(jù)線電連接，寫入晶體管的源極或者漏極中的另一個與驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的一個電連接，寫入晶體5管的柵極與第三控制線電連接；補償晶體管的源極或者漏極中的一個與驅(qū)動晶體管的源極或者漏極中的另一個電連接，補償晶體管的源極或者漏極中的另一個與驅(qū)動晶體管的柵極電連接，補償晶體管的柵極與第四控制線電連接。[0009]在其中一些實施方式中，在像素電路的初始化階段中，第一初始化晶體管、第二初始化晶體管均處于導通狀態(tài)，且反饋晶體管在第一階段中的至少部分時間處于導通狀態(tài)，以通過第一初始化信號對驅(qū)動晶體管的柵極電位、反饋電容的一端電位進行復位，并通過第二初始化信號對發(fā)光器件的陽極電位、反饋電容的另一端電位進行復位。[0010]在其中一些實施方式中，在像素電路的數(shù)據(jù)寫入階段中，數(shù)據(jù)信號通過串聯(lián)后的反饋晶體管、反饋電容抬高發(fā)光器件的陽極電位，且發(fā)光器件的陽極電位小于發(fā)光器件的啟亮電壓。[0011]在其中一些實施方式中，在像素電路的發(fā)光階段中，驅(qū)動晶體管的柵極電位通過串聯(lián)后的反饋晶體管、反饋電容與發(fā)光器件的陽極電位反向變化。[0012]在其中一些實施方式中，在像素電路的插黑階段中，通過串聯(lián)后的反饋晶體管、反饋電容抬高驅(qū)動晶體管的柵極電位，并降低發(fā)光器件的陽極電位。[0013]在其中一些實施方式中，第一控制線用于傳輸?shù)谝豢刂菩盘枺l(fā)光控制線用于傳輸發(fā)光控制信號；第一控制信號的頻率大于發(fā)光控制信號的頻率。[0014]第二方面，本申請?zhí)峁┮环N顯示面板，該顯示面板包括多個上述至少一實施方式中的像素電路，每個像素電路還包括存儲電容，存儲電容的一端與驅(qū)動晶體管的柵極電連接，存儲電容的另一端與第一電源線電連接。[0015]本申請?zhí)峁┑南袼仉娐芳帮@示面板，通過在驅(qū)動晶體管的柵極與發(fā)光器件的陽極之間耦接串聯(lián)后的反饋晶體管、反饋電容，可以控制驅(qū)動晶體管的柵極電位與發(fā)光器件的陽極電位聯(lián)動變化，不僅能夠通過聯(lián)動變化后的驅(qū)動晶體管的柵極電位、發(fā)光器件的陽極電位更穩(wěn)定地控制流經(jīng)發(fā)光器件的發(fā)光電流，進而減小發(fā)光器件的亮度變化；還能夠控制發(fā)光器件的陽極電位更早地達到啟亮電壓，進而增加有效發(fā)光時間或者提高發(fā)光器件的發(fā)光亮度。[0016]又，由于不同像素電路中流經(jīng)發(fā)光器件的發(fā)光電流更加趨近于統(tǒng)一，使得不同發(fā)附圖說明[0017]下面結(jié)合附圖，通過對本申請的具體實施方式詳細描述，將使本申請的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。[0018]圖1為相關(guān)技術(shù)中可靠性測試前后低灰階畫面的對比示意圖。[0019]圖2為相關(guān)技術(shù)中不同像素電路之間漏電流的結(jié)構(gòu)示意圖。[0020]圖3為相關(guān)技術(shù)中不同顏色的發(fā)光器件的陽極電位變化的對比示意圖。[0021]圖4為本申請實施例提供的像素電路的一種結(jié)構(gòu)示意圖。[0022]圖5為圖4所示像素電路的時序示意圖。[0023]圖6為本申請實施例提供的像素電路在一幀中第一階段的狀態(tài)示意圖。[0024]圖7為本申請實施例提供的像素電路在一幀中第二階段的狀態(tài)示意圖。[0025]圖8為本申請實施例提供的像素電路在一幀中第三階段的狀態(tài)示意圖。6[0026]圖9為本申請實施例提供的像素電路在第三階段中第三子階段的狀態(tài)示意圖。[0027]圖10為圖9所示第三子階段中Q點電位與C點電位之間聯(lián)動變化的示意圖。[0028]圖11為本申請實施例提供的像素電路在一幀中第四階段的狀態(tài)示意圖。[0029]圖12為本申請實施例提供的像素電路的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式[0030]下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施[0031]顯示畫面存在低灰階發(fā)綠或者低灰階切頻色偏的情況，由于顯示色偏受多種因素影響，發(fā)明人經(jīng)過大量分析和實驗發(fā)現(xiàn)，這一缺陷的成因是由于器件老化所致。具體如圖1所示的相關(guān)技術(shù)中可靠性測試前后低灰階畫面的對比示意圖，圖1中從左至右的第一幅畫面是在RA(Reliability,可靠性)測試前的低灰階畫面，其基于國際照明委員會(InternationalCommissiononIllumination,CIE)的CIE1976確定的顏色數(shù)據(jù)為(0.303,0.326),對應的亮度(Luminance,Lum.)為0.025nits;圖1中從左至右的第二幅畫面是在RA測試后的低灰階畫面，其基于國際照明委員會確定的顏色數(shù)據(jù)為(0.334,0.431),對應的亮度為0.039nits。[0032]圖1中從左至右的第三幅畫面是在RA測試前的低灰階畫面，其基于國際照明委員會確定的顏色數(shù)據(jù)為(0.289,0.291),對應的亮度為0.021nits;圖1中從左至右的第四幅畫面是在RA測試后的低灰階畫面，其基于國際照明委員會確定的顏色數(shù)據(jù)為(0.321,0.562),對應的亮度為0.092nits。[0033]其中，第一幅畫面、第二幅畫面采用的為同一視頻數(shù)據(jù)，第三幅畫面、第四幅畫面采用的為同一視頻數(shù)據(jù)，然而在經(jīng)過RA測試后，相較于第一幅畫面，第二幅畫面的顯示顏色[0034]需要進行說明的是，上述的RA測試可以為長時間的正常工作、高溫高濕下較短時間的工作或者高溫操作(HTO,HighTemperatureOperation)中的至少一種。[0035]發(fā)明人進一步對老化測試的影響的多個因素分析和實驗，發(fā)現(xiàn)這個現(xiàn)象是由于不同像素電路之間存在漏電流導致的，在通常情況下這一影響十分微小，并不會產(chǎn)生較大影響，但隨著像素密度的增加像素之間的距離也在變小，在低灰階切換頻率時，影響凸顯。具體原因如圖2所示的相關(guān)技術(shù)中不同像素電路之間漏電流的結(jié)構(gòu)示意圖，之所以出現(xiàn)圖1所示的現(xiàn)象，原因在于RA測試后不同顏色的發(fā)光器件的自身電容的變化程度不同，導致不同顏色的發(fā)光器件的自身電容之間存在差異，進而導致其他顏色(例如，紅色R)的發(fā)光器件的陽極向綠色(G)的發(fā)光器件的陽極漏電流(Ioff),然后流經(jīng)綠色的發(fā)光器件的發(fā)光電流增[0036]另外，在像素電路的工作過程中，需要先為發(fā)光器件的陽極充電，在發(fā)光器件的陽極電位達到自身的啟亮電壓后才能發(fā)光。[0037]具體如圖3所示，圖3為相關(guān)技術(shù)中不同顏色的發(fā)光器件的陽極電位變化的對比示7光器件的啟亮電壓，G@Vth表示綠色的發(fā)光器件的啟亮電壓，RS1表示RA前紅色的發(fā)光器件的陽極電位隨時間變化的曲線，RS2表示RA后紅色的發(fā)光器件的陽極電位隨時間變化的曲線，GS1表示RA前綠色的發(fā)光器件的陽極電位隨時間變化的曲線，GS2表示RA后綠色的發(fā)光器件的陽極電位隨時間變化的曲線。[0038]經(jīng)過對比發(fā)現(xiàn)，在RA后，紅色的發(fā)光器件的陽極電位需要更長時間才可以達到其自身的啟亮電壓，綠色的發(fā)光器件的陽極電位也需要更長時間才可以達到其自身的啟亮電壓，這減少了各發(fā)光器件的有效發(fā)光時間，這也是導致各發(fā)光器件的亮度不穩(wěn)定的原因之[0039]可以理解的是，上述發(fā)光器件不論是有機發(fā)光二極管、迷你發(fā)光二極管、微發(fā)光二極管或者量子點發(fā)光二極管中的任一個均存在自身電容，區(qū)別在于經(jīng)過老化后改變大小不同而已，本申請?zhí)峁┑母倪M方案和原理可以適用上述提及的任一發(fā)光二極管，在有機發(fā)光材料上尤為明顯。[0040]有鑒于上述提及的發(fā)光器件的亮度不穩(wěn)定的技術(shù)問題，本實施例提供了一種像素饋晶體管T8以及反饋電容C1,驅(qū)動晶體管T1的源極或者漏極中的一個與第一電源線電連接；發(fā)光器件D1的陽極與驅(qū)動晶體管T1的源極或者漏極中的另一個電連接，發(fā)光器件D1的陰極與第二電源線電連接；反饋晶體管T8的柵極與第一控制線電連接；反饋電容C1、反饋晶體管T8串聯(lián)于驅(qū)動晶體T1管的柵極與發(fā)光器件D1的陽極之間。[0041]可以理解的是，本實施例提供的像素電路，通過在驅(qū)動晶體管T1的柵極與發(fā)光器件D1的陽極之間耦接串聯(lián)后的反饋晶體管T8、反饋電容C1,可以控制驅(qū)動晶體管T1的柵極電位與發(fā)光器件D1的陽極電位聯(lián)動變化，不僅能夠通過聯(lián)動變化后的驅(qū)動晶體管T1的柵極電位、發(fā)光器件D1的陽極電位更穩(wěn)定地控制流經(jīng)發(fā)光器件D1的發(fā)光電流，進而減小發(fā)光器件D1的亮度變化；還能夠控制發(fā)光器件D1的陽極電位更早地達到啟亮電壓，進而增加有效發(fā)光時間或者提高發(fā)光器件D1的發(fā)光亮度。[0042]在其中一個實施例中，如圖4、圖8所示，反饋電容C1的一端與第一初始化線電連接，第一初始化線接收第一初始化信號Vi_G;反饋電容C1的另一端與第二初始化線電連接，第二初始化線接收第二初始化信號Vi_Ano;反饋晶體管串聯(lián)于反饋電容C1與第一初始化線或者第二初始化線之間；第一初始化信號Vi_G的電位不同于第二初始化信號Vi_Ano的電[0043]需要進行說明的是，本實施例通過第一初始化線、第二初始化線可以分別初始化反饋電容C1的一端電位、反饋電容C1的另一端電位至對應不同的電位，以精確控制反饋電容C1在驅(qū)動晶體管T1的柵極與發(fā)光器件D1的陽極之間的電壓差。[0044]在其中一個實施例中，如圖4所示，反饋晶體管T8的源極或者漏極中的一個與驅(qū)動晶體管T1的柵極電連接；反饋電容C1的一端與反饋晶體管T8的源極或者漏極中的另一個電連接，反饋電容C1的另一端與發(fā)光器件D1的陽極電連接。[0045]需要進行說明的是，通過反饋晶體管T8的導通時段可以選擇驅(qū)動晶體管T1的柵極電位與發(fā)光器件D1的陽極電位進行聯(lián)動變化的時段，進而可以通過驅(qū)動晶體管T1的柵極電位對發(fā)光器件D1的陽極電位進行預充電，以更早地達到啟亮電壓；還可以通過驅(qū)動晶體管T1的柵極電位與發(fā)光器件D1的陽極電位的聯(lián)動變化，維穩(wěn)驅(qū)動晶體管T1的柵極電位和/或8T7,第一初始化晶體管T4的源極或者漏極中的一個與第一初始化線電連接，第一初始化晶控制晶體管T5的源極或者漏極中的另一個與驅(qū)動晶體管T1的源極或者漏極中的一個電連9線電連接。[0052]需要進行說明的是，通過第二發(fā)光控制晶體管T5的柵極與第一發(fā)光控制晶體管T6的柵極共用同一發(fā)光控制線，能夠節(jié)省像素電路所需的走線數(shù)量，有利于提高像素電路的密度或者顯示面板的開口率。[0053]又，在第三控制線、第四控制線的控制下，數(shù)據(jù)線中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號Data可以依次經(jīng)過寫入晶體管T2、驅(qū)動晶體管T1以及補償晶體管T3至驅(qū)動晶體管T1的柵極；同時，數(shù)據(jù)信號Data還可以通過反饋晶體管T8、反饋電容C1對發(fā)光器件D1的陽極進行預充電以提前抬高發(fā)光器件D1的陽極電位，可以減少在發(fā)光階段中對發(fā)光器件D1的陽極電位抬高至其啟亮電壓的時間，使得發(fā)光器件D1在發(fā)光階段中更早地開始發(fā)光，這增加了發(fā)光器件D1的有效發(fā)光時間。[0054]在其中一個實施例中，像素電路還包括存儲電容Cst,存儲電容Cst的一端與驅(qū)動晶體管T1的柵極電連接，存儲電容Cst的另一端與第一電源線電連接。[0055]在其中一個實施例中，像素電路還包括自舉電容Cboost,自舉電容Cboost的一端與寫入晶體管T2的柵極電連接，自舉電容Cboost的另一端與驅(qū)動晶體管T1的柵極電連接。[0056]在其中一個實施例中，驅(qū)動晶體管T1、第一發(fā)光控制晶體管T6、第二發(fā)光控制晶體管T5、第一初始化晶體管T4、第二初始化晶體管T7、寫入晶體管T2、反饋晶體晶體管T3中的至少一個可以但不限于為N溝道型薄膜晶體管，具體還可以為金屬氧化物薄第二發(fā)光控制晶體管T5、第一初始化晶體管T4、第二初始化晶體管T7、寫入晶體管T2以及補償晶體管T3中的至少一個也可以為P溝道型薄膜晶體管，具體還可以為多晶硅薄膜晶體管，[0057]優(yōu)選地，驅(qū)動晶體管T1、第一發(fā)光控制晶體管T6、第二發(fā)光控制晶體管T5、反饋晶體管T8以及寫入晶體管T2均為P溝道型低溫多晶硅薄膜晶體管，以最大化像素電路的動態(tài)性能；第一初始化晶體管T4、補償晶體管T3以及第二初始化晶體管T7均為N溝道型銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管，以降低驅(qū)動晶體管T1的柵極、發(fā)光器件D1的陽極的漏電流現(xiàn)象。[0058]優(yōu)選地，反饋晶體管T8也可以為N溝道型銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管，以進一步降低驅(qū)動晶體管T1的柵極的漏電流現(xiàn)象。[0059]需要進行說明的是，第一電源線用于傳輸?shù)谝浑娫葱盘朧DD,第二電源線用于傳輸?shù)诙娫葱盘朧SS,第一電源信號VDD的電位高于第二電源信號VSS的電位。發(fā)光控制線用于傳輸發(fā)光控制信號EM。第一控制線用于傳輸?shù)谝豢刂菩盘枺摰谝豢刂菩盘柨梢缘幌抻跒閽呙栊盘朠scan2,也可以是具有正脈沖的其他掃描信號。第二控制線用于傳輸?shù)诙刂?】...等等。第三控制線用于傳輸?shù)谌刂菩盘?，該第三控制信號可以但不限于為掃描信號Pscan1,也可以其他使用的控制信號。第四控制線用于傳輸?shù)谒目刂菩盘枺摰谒目刂菩盘柨梢缘幌抻跒閽呙栊盘朜scan【n】,也可以為其他適用的控制信號。第一初始化線用于傳輸?shù)谝怀跏蓟盘朧i_G.第二初始化線用于傳輸?shù)诙跏蓟€。數(shù)據(jù)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號[0060]上述像素電路在一幀中的工作過程可以包括如下階段：[0061]第一階段(初始化階段)S1:如圖5、圖6所示，發(fā)光控制信號EM、掃描信號Nscan【n-T4、第二初始化晶體管T7以及反饋晶體管T8處于導通狀態(tài)，其中，反饋晶體管T8在第一階段中的至少部分時間處于導通狀態(tài)。這樣可以分別初始化串聯(lián)后的反饋晶體管T8與反饋電容C1的一端電位、串聯(lián)后的反饋晶體管T8與反饋電容C1的另一端電位至第一初始化信號Vi_G的電位、第二初始化信號Vi_Ano的電位。[0062]第二階段(數(shù)據(jù)寫入階段)S2:如圖5、圖7所示，發(fā)光控制信號EM、掃描信號Nscan體管T4、第二初始化晶體管T7、第一發(fā)光控制晶體管T6以及第二發(fā)光控制晶體管T5均處于截止狀態(tài)，補償晶體管T3處于導通狀態(tài)，且寫入晶體管T2、反饋晶體管T8在第二階段S2中的至少部分時間同步處于導通狀態(tài)。[0063]需要進行說明的是，本階段中數(shù)據(jù)信號Data依次經(jīng)過寫入晶體管T2、驅(qū)動晶體管T1以及補償晶體管T3寫入至驅(qū)動晶體管T1的柵極，并通過串聯(lián)后的反饋晶體管T8、反饋電容C1抬高發(fā)光器件D1的陽極電位，且發(fā)光器件D1的陽極電位小于或者等于發(fā)光器件D1的啟亮電壓。[0064]可以理解的是，當發(fā)光器件D1的陽極電位等于發(fā)光器件D1的啟亮電壓時，由于第一發(fā)光控制晶體管T6或者第二發(fā)光控制晶體管T5處于截止狀態(tài)而沒有發(fā)光。本階段中驅(qū)動晶體管T1的柵極電位由ViG上升至K*(VData+Vth),對應地，發(fā)光器件D1的陽極電位由ViAno動晶體管T1的閾值電壓。K與像素電路有關(guān)，為一常數(shù)。ViAno為第二初始化[0066]第三階段(發(fā)光階段)S3:如圖5、圖8所示，掃描信號Pscan1、掃描信號Pscan2置高，第二初始化晶體管T7、補償晶體管T3、寫入晶體管T2以及反饋晶動晶體管T1、第一發(fā)光控制晶體管T6以及第二發(fā)光控制晶體管T5處于導通狀態(tài)，發(fā)光器件[0067]第三子階段S3+:如圖5、圖9以及圖10所示，掃描信號Pscan1置高，掃描信號體管T4、第二初始化晶體管T7、補償晶體管T3以及寫入晶體管T2均處于截止狀態(tài)，反饋晶體管T8、驅(qū)動晶體管T1、第一發(fā)光控制晶體管T6以及第二發(fā)光控制晶體管T5處于導通狀態(tài)。[0068]需要進行說明的是，由于補償晶體管T3存在漏電流，驅(qū)動晶體管T1的柵極即Q點的電位會輕微下降，導致發(fā)光器件D1的陽極即C點的電位上升，流經(jīng)發(fā)光器件D1的發(fā)光電流變大，發(fā)光器件D1的亮度上升；當?shù)谝豢刂菩盘柕念l率大于發(fā)光控制信號EM的頻率即掃描信號Pscan2的頻率比發(fā)光控制信號EM的頻率高時，C點電位的上升可以通過串聯(lián)后的反饋晶得發(fā)光器件D1的亮度得以保持。也就是說，驅(qū)動晶體管T1的柵極電位通過串聯(lián)后的反饋晶[0069]其中，VQ表示Q點的電位，VC表示C點的電位。VQ1表示在掃描信號Pscan2的頻率等11描信號Pscan2的頻率等于發(fā)光控制信號EM的頻率的情況下，C點在第三子階段S3+中的電位變化曲線。VQ2表示在掃描信號Pscan2的頻率大于發(fā)光控制信號EM的頻率的情況下，Q點在第三子階段S3+中的電位變化曲線。VC2表示在掃描信號Pscan2的頻率大于發(fā)光控制信號EM的頻率的情況下，C點在第三子階段S3+中的電位變化曲線。[0070]經(jīng)過分析可以發(fā)現(xiàn)，掃描信號Pscan2的頻率等于發(fā)光控制信號EM的頻率的情況方向上持續(xù)進行，導致發(fā)光器件D1的發(fā)光亮度不穩(wěn)。[0071]而在掃描信號Pscan2的頻率大于發(fā)光控制信號EM的頻率的情況下，或者，在發(fā)光階段中配置掃描信號Pscan2具有至少一個負脈沖的情況下，反饋晶體管T8的每次導通，VQ2、VC2的變化趨勢均發(fā)生轉(zhuǎn)變，使得VQ2或者VC2中的一個在增加，VQ2或者VC2中的另一個在減小，進而穩(wěn)定地控制流經(jīng)驅(qū)動晶體管T1的發(fā)光電流。[0072]第四階段S4(插黑階段):如圖5、圖11所示，發(fā)光控制信號EM、掃描信號Pscan1置T4、第二初始化晶體管T7、補償晶體管發(fā)光控制晶體管T5均處于截止狀態(tài)，反饋晶體管T8、驅(qū)動晶體管T1處于導通狀態(tài)。了Q點電位，反向作用到C點，又降低了C一部分經(jīng)補償晶體管T3漏電造成的影響。也就是說，在發(fā)光階段之后的本階段可以通過串聯(lián)后的反饋晶體管T8、反饋電容C1抬高驅(qū)動晶體管T1的柵極電位，并降低發(fā)光器件D1的陽極電位。[0074]其中，由于高頻驅(qū)動(高刷新頻率)下的幀時間短于低頻驅(qū)動(低刷新頻率)下的幀時間，高頻驅(qū)動的幀