市場(chǎng)亮點(diǎn)?陶瓷基板市場(chǎng)高速增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化剛起步，國(guó)內(nèi)廠商未來(lái)有望成為行業(yè)主流廠商。?隨著AI（大算力）、光電集成（激光雷達(dá)、硅光等）、功率器件（SiC、IGBT、GaN等）、先進(jìn)封裝需求高速增長(zhǎng)，以及芯片集成度越來(lái)越高，對(duì)陶瓷基板的需求高速增長(zhǎng)。?未來(lái)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主流的陶瓷基板廠商是國(guó)內(nèi)供應(yīng)商。?相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈主要在中國(guó)，下游國(guó)產(chǎn)化率高，對(duì)上游的國(guó)產(chǎn)化提出了要求。?陶瓷基板是定制化產(chǎn)品，客戶(hù)需要基板廠商快速研發(fā)產(chǎn)品、配合其新產(chǎn)品上市進(jìn)度，國(guó)內(nèi)廠商比國(guó)外廠商服務(wù)響應(yīng)更快、服務(wù)更好。?最近幾年，中國(guó)廠商在陶瓷基板技術(shù)上的突破，開(kāi)啟國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。真空薄膜設(shè)備和工藝技術(shù)材料技術(shù)釬焊和玻璃封技術(shù)在供應(yīng)陶瓷基板的同時(shí)，提供焊接工藝的服務(wù)。行業(yè)背景：大算力時(shí)代，功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為趨勢(shì)?化合物半導(dǎo)體通常指第二代、第三代半導(dǎo)體材料，又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體。?第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物（砷化鎵GaAs、銻化銦InSb）、三璃（又稱(chēng)非晶態(tài)半導(dǎo)體，如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物）、有機(jī)（酞菁、?第三代半導(dǎo)體材料主要指寬禁帶半導(dǎo)體材料（碳化硅SiC、氮化鎵GaN、氧化鋅ZnO、金剛石、氮化鋁AlN等）。主要應(yīng)用為半導(dǎo)體光電和光通訊器件、電子功率放大器件、激光器和探測(cè)器以及其他功能?熱是影響大功率半導(dǎo)體器件可靠性的關(guān)鍵因素。電子元器件55%故障率來(lái)自熱失效。通常溫度每升高10℃,器件有效壽命就降低30%~50%。?封裝基板作為大功率半導(dǎo)體器件重要的散熱通道，其選擇和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì)性能至關(guān)重要。行業(yè)背景：功率半導(dǎo)體采用高端封裝成為市場(chǎng)主流傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)解決環(huán)氧樹(shù)脂封裝方案第一代半導(dǎo)體芯片環(huán)氧樹(shù)脂封裝方案第一代半導(dǎo)體芯片砷化鎵、氮化鎵基砷化鎵、氮化鎵基解決化合物半導(dǎo)體芯片解決化合物半導(dǎo)體芯片金屬陶瓷管殼1.熱匹配問(wèn)題方案2.絕緣性問(wèn)題3.密封性問(wèn)題4.封裝技術(shù)1.熱匹配問(wèn)題方案2.絕緣性問(wèn)題3.密封性問(wèn)題4.封裝技術(shù)金屬陶瓷封裝厚膜基板的定義和應(yīng)用隨著大功率芯片和第二、三代半導(dǎo)體芯片的興起對(duì)陶瓷材料提出更高的要求：氮化鋁覆金基板氮化鋁厚膜覆銅基板氮化鋁覆銅基板金屬層厚度TFC陶瓷基板DPC陶瓷基板DBC陶瓷基板模塊模塊光通訊汽車(chē)電驅(qū)新能源大功率半導(dǎo)體器件智能傳感器微波射頻光光?激光雷達(dá)?半導(dǎo)體激光器?具身機(jī)器人?微波射頻器件應(yīng)用成熟?動(dòng)力電驅(qū)?新能源電控?碳化硅功率芯片?發(fā)展迅猛?國(guó)內(nèi)空白金屬化金錫熱沉過(guò)孔金屬化金錫熱沉過(guò)孔TFC金屬化離子束蒸鍍金屬化+金錫TiPtAu+TiPt+AuSn離子束蒸鍍電阻+金屬化+金錫TaN+TiPtAu+TiPt+AuSn濺射+離子束蒸鍍電阻+金屬化+金錫+過(guò)孔TaN+TiPtAu+TiPt+AuSn濺射+離子束蒸鍍TECTiCu+電鍍銅+電鍍鎳金濺射+電鍍半導(dǎo)體激光器熱沉TiCu+電鍍銅+電鍍鎳金+TiPt+AuSn濺射+電鍍+離子束蒸鍍激光雷達(dá)工業(yè)機(jī)器人過(guò)孔+TiCu+電鍍銅+電鍍鎳金+TiPt+AuSn濺射+電鍍+離子束蒸鍍產(chǎn)品二：無(wú)源器件薄膜電阻電容陶瓷基板金屬化技術(shù)難點(diǎn)&重要性能參數(shù)?金屬化：金屬和基板的附著力、應(yīng)力?金錫預(yù)置：推力測(cè)試和殘留量（芯片焊在熱沉上，測(cè)試其焊接的牢固度，和推理測(cè)試完的殘留面積）、共晶的溫度、時(shí)間（是指金錫焊料熔化的溫度、時(shí)間，以用于芯片焊接。廠家規(guī)定芯片測(cè)試臺(tái)的測(cè)試溫度、時(shí)間）。?過(guò)孔及填孔：深寬比》1：10以上的孔，激光打孔難度大，孔內(nèi)填料填得不緊實(shí)、高溫下易產(chǎn)生裂紋，影響射頻信號(hào)傳輸。?電阻：電阻值大小控制（初始電阻通過(guò)光刻來(lái)控制電阻（氮化鉭、鎳鉻）的熱膨脹系數(shù)與基板匹配（電阻是發(fā)熱元器件）。?陶瓷基板的重要性能參數(shù)：?附著力、導(dǎo)電性、熱導(dǎo)率、膨脹系數(shù)和可焊性(打線和焊接）陶瓷基板技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)?電子器件技術(shù)，引領(lǐng)陶瓷基板發(fā)展方向?大功率?高頻高速（材料的介電常數(shù)）?小型化?輕量化?高可靠性?采用高導(dǎo)熱材料制作電路封裝和基板是實(shí)現(xiàn)電路散熱、高可靠性的有效方法之一。?隨著芯片越來(lái)越小型化，陶瓷基板金錫預(yù)置成為標(biāo)配，也趨向小型化，導(dǎo)熱性能越來(lái)越高。?隨著先進(jìn)封裝占比越來(lái)越大，陶瓷基板金錫預(yù)置、過(guò)孔成為標(biāo)配，三維陶瓷基板替代部分平面陶瓷基板，用量越來(lái)越大。技術(shù)難點(diǎn)：陶瓷金屬化技術(shù)?陶瓷基板：氧化鋁，氮化鋁，碳化硅，金剛石及其復(fù)合高導(dǎo)熱材料，鐵氧體，碲化鉍，藍(lán)寶石，石英和光學(xué)玻璃等非金屬氧化物和各類(lèi)玻璃?技術(shù)難點(diǎn)一：不僅可以在各種陶瓷和晶體（玻璃）上進(jìn)行金屬化，還可以在各種塑料材質(zhì)上進(jìn)行金屬化。?陶瓷表面金屬化：通過(guò)力學(xué)性能的模擬，選擇某些和陶瓷的鍵合強(qiáng)度高的特殊金屬材料，采用高真空離子束輔助蒸鍍和磁控濺射技術(shù)，形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工藝，對(duì)陶瓷及其各種金屬氧化物（玻璃）進(jìn)行金屬化.?技術(shù)難點(diǎn)二：如何把金屬化的附著力達(dá)到或者超過(guò)日本同類(lèi)產(chǎn)品，同時(shí)把應(yīng)力降到最低，就需要有材料和鍍膜設(shè)備的制造背景。?金錫焊料熱沉：如何穩(wěn)定金錫的質(zhì)量比，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的金錫薄膜焊料。?技術(shù)難點(diǎn)三：需要把材料，真空鍍膜機(jī)工藝和焊接有機(jī)結(jié)合一體