2025年大學(xué)《分子科學(xué)與工程》專業(yè)題庫(kù)——有機(jī)分子器件的設(shè)計(jì)與優(yōu)化考試時(shí)間：______分鐘總分：______分姓名：______一、選擇題（請(qǐng)將正確選項(xiàng)的首字母填入括號(hào)內(nèi)，每題2分，共20分）1.在有機(jī)半導(dǎo)體器件中，下列哪一項(xiàng)不是影響電荷傳輸速率的關(guān)鍵因素？A.分子遷移率B.器件結(jié)構(gòu)能級(jí)匹配C.薄膜結(jié)晶度D.電極材料的工作函數(shù)2.為了提高有機(jī)太陽(yáng)能電池的短路電流密度（Jsc），應(yīng)優(yōu)先考慮優(yōu)化以下哪個(gè)環(huán)節(jié)？A.提高開(kāi)路電壓（Voc）B.增加光吸收系數(shù)C.提高填充因子（FF）D.降低電荷復(fù)合速率3.在設(shè)計(jì)有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的發(fā)光層材料時(shí)，若希望器件發(fā)出藍(lán)光，則該材料應(yīng)具有：A.較高的LUMO能級(jí)和較低的HOMO能級(jí)B.較低的LUMO能級(jí)和較高的HOMO能級(jí)C.中等的LUMO能級(jí)和較高的HOMO能級(jí)D.中等的LUMO能級(jí)和較低的HOMO能級(jí)4.下列哪種范德華力通常被認(rèn)為是有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中促進(jìn)電荷傳輸?shù)挠欣蛩兀緼.強(qiáng)烈的靜電相互作用B.垂直于分子主鏈的π-π堆積C.平行于分子主鏈的π-π堆積D.頻繁的分子內(nèi)氫鍵形成5.有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）的載流子類型主要取決于：A.電極材料的選擇B.溶劑極性C.有機(jī)半導(dǎo)體材料的最高占據(jù)分子軌道（HOMO）與最低未占據(jù)分子軌道（LUMO）能級(jí)相對(duì)位置D.器件制備過(guò)程中的溫度6.在有機(jī)太陽(yáng)能電池器件結(jié)構(gòu)中，電子傳輸層（ETL）的主要功能是：A.吸收太陽(yáng)光并產(chǎn)生電荷B.阻擋空穴傳輸，促進(jìn)電子傳輸C.為電子提供有效的注入通道D.增強(qiáng)器件的光學(xué)透明度7.為了提高有機(jī)器件的長(zhǎng)期工作穩(wěn)定性，通常需要采取的措施不包括：A.使用穩(wěn)定性好的有機(jī)材料B.優(yōu)化器件界面結(jié)構(gòu)C.對(duì)器件進(jìn)行封裝保護(hù)D.提高器件工作溫度8.分子間氫鍵作用對(duì)有機(jī)薄膜的下列哪個(gè)物理性質(zhì)影響最顯著？A.介電常數(shù)B.熱穩(wěn)定性C.電荷遷移率D.機(jī)械強(qiáng)度9.計(jì)算有機(jī)分子HOMO和LUMO能級(jí)的主要目的是：A.預(yù)測(cè)分子的顏色B.評(píng)估分子的反應(yīng)活性C.確定分子在器件中的電荷傳輸能力及能級(jí)匹配D.計(jì)算分子的摩爾質(zhì)量10.某種有機(jī)光電器件在光照下性能下降，可能的原因不包括：A.光致降解B.電化學(xué)降解C.熱穩(wěn)定性不足D.電荷傳輸層材料的選擇過(guò)于優(yōu)異二、填空題（請(qǐng)將答案填入橫線上，每空2分，共20分）1.有機(jī)半導(dǎo)體中的電荷傳輸主要有______和______兩種機(jī)制。2.有機(jī)太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換效率通常較低，主要損失來(lái)自于______、______和______。3.在有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）中，空穴和電子在發(fā)光層復(fù)合發(fā)光，為了提高發(fā)光效率，需要降低______。4.有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）的開(kāi)關(guān)比（On/Offratio）定義為_(kāi)_____與______的比值。5.為了實(shí)現(xiàn)高效的電荷注入，有機(jī)器件中的電極材料必須與有機(jī)層具有合適的______，通常要求電極的功函數(shù)與有機(jī)層的HOMO或LUMO能級(jí)相差不大。6.影響有機(jī)薄膜結(jié)晶度的因素包括______、______和分子本身的______。7.有機(jī)分子器件的性能優(yōu)化常常涉及到______設(shè)計(jì)、______設(shè)計(jì)和______工程。8.表征有機(jī)薄膜結(jié)晶度的技術(shù)通常有______和______。9.計(jì)算化學(xué)中的密度泛函理論（DFT）常用于預(yù)測(cè)分子的______和______等性質(zhì)。10.柔性有機(jī)電子器件對(duì)材料的要求通常包括良好的______、______和______。三、簡(jiǎn)答題（請(qǐng)簡(jiǎn)明扼要地回答下列問(wèn)題，每題5分，共20分）1.簡(jiǎn)述能級(jí)匹配在有機(jī)三極管（OTFT）器件中的重要性。2.簡(jiǎn)述影響有機(jī)太陽(yáng)能電池開(kāi)路電壓（Voc）的主要因素。3.簡(jiǎn)述有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）器件中，空穴傳輸層（HTL）的作用。4.簡(jiǎn)述溶劑工程在調(diào)控有機(jī)薄膜形貌和器件性能方面的基本原理。四、論述題（請(qǐng)結(jié)合所學(xué)知識(shí)，對(duì)下列問(wèn)題進(jìn)行較為詳細(xì)的論述，每題10分，共30分）1.闡述設(shè)計(jì)高效有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSC）材料時(shí)，需要考慮的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和性能因素，并說(shuō)明其理由。2.論述界面工程在提升有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）器件性能和穩(wěn)定性方面的重要性，并舉例說(shuō)明幾種常見(jiàn)的界面修飾方法。3.假設(shè)你需要設(shè)計(jì)一種用于柔性顯示器的有機(jī)薄膜晶體管（OTFT），請(qǐng)闡述在設(shè)計(jì)該器件材料、結(jié)構(gòu)和工藝時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注哪些方面，并說(shuō)明原因。試卷答案一、選擇題1.B解析：器件結(jié)構(gòu)能級(jí)匹配影響電荷注入/提取的難易程度，但不直接等同于電荷在材料內(nèi)部的傳輸速率，后者更主要與材料本身的遷移率、薄膜形貌等因素相關(guān)。2.B解析：短路電流密度Jsc直接與器件對(duì)光的吸收能力相關(guān)。提高光吸收系數(shù)意味著更多的光子能被轉(zhuǎn)化為載流子，從而提高Jsc。Voc和FF是其他重要效率因素，但Jsc是吸收能力的直接體現(xiàn)。降低電荷復(fù)合速率主要影響填充因子和開(kāi)路電壓。3.B解析：發(fā)光層材料應(yīng)具有與電極和傳輸層能級(jí)相匹配的HOMO和LUMO能級(jí)，以確保電荷能有效注入和提取。發(fā)出藍(lán)光意味著需要較高的能量，對(duì)應(yīng)較高的LUMO能級(jí)和較低的HOMO能級(jí)。4.C解析：平行于分子主鏈的π-π堆積有利于π電子離域，形成有效的電荷傳輸通道，是有機(jī)半導(dǎo)體中常見(jiàn)的有利于電荷傳輸?shù)姆兜氯A相互作用。垂直堆積則不利于π電子重疊。氫鍵和靜電作用相對(duì)較弱或影響不同。5.C解析：OFET的導(dǎo)電類型（n型或p型）由其主體材料的能級(jí)結(jié)構(gòu)決定。當(dāng)gate電壓使半導(dǎo)體帶隙中產(chǎn)生能級(jí)并靠近費(fèi)米能級(jí)時(shí)，若該能級(jí)高于費(fèi)米能級(jí)則為n型，低于費(fèi)米能級(jí)則為p型，這直接關(guān)聯(lián)到材料的HOMO和LUMO能級(jí)相對(duì)位置。6.B解析：ETL的主要作用是提供一個(gè)能讓電子從有機(jī)場(chǎng)域（如OSC的活性層或OLED的發(fā)光層）順利傳輸?shù)疥帢O的通道，同時(shí)阻止空穴向這個(gè)方向傳輸。7.D解析：提高工作溫度通常會(huì)加速器件的降解過(guò)程，降低穩(wěn)定性。使用穩(wěn)定性材料、優(yōu)化界面和封裝是提高穩(wěn)定性的常用方法。8.C解析：氫鍵是較強(qiáng)的分子間作用力，會(huì)限制分子的運(yùn)動(dòng)，影響晶格的規(guī)整性，從而顯著影響通過(guò)聲子散射等機(jī)制進(jìn)行的電荷傳輸速率。9.C解析：HOMO和LUMO能級(jí)決定了分子作為電子給體或受體的能力，以及電荷在器件結(jié)構(gòu)中的注入/提取能壘，直接關(guān)系到器件的導(dǎo)電性能和能級(jí)匹配效率，是設(shè)計(jì)和優(yōu)化光電器件的核心參數(shù)。10.D解析：光致降解、電化學(xué)降解和熱穩(wěn)定性不足都是導(dǎo)致光電器件性能下降的常見(jiàn)原因。電極材料的選擇應(yīng)兼顧導(dǎo)電性和穩(wěn)定性，過(guò)于“優(yōu)異”（如導(dǎo)電性極好但穩(wěn)定性差）也可能導(dǎo)致問(wèn)題，但“過(guò)于優(yōu)異”本身表述模糊，而前三個(gè)是確切的機(jī)制。題目可能意在考察學(xué)生是否知道常見(jiàn)的降解原因，而D選項(xiàng)與穩(wěn)定性概念關(guān)聯(lián)較弱。二、填空題1.擴(kuò)散，漂移解析：有機(jī)半導(dǎo)體中的載流子主要通過(guò)熱激活下的擴(kuò)散和對(duì)電場(chǎng)的漂移進(jìn)行傳輸。2.光損失，內(nèi)量子效率損失（或電荷產(chǎn)生效率損失），電荷復(fù)合損失（或外量子效率損失）解析：OSC效率=η=ηabs×ηconv×ηeq×ηint×ηext。其中ηabs是光吸收效率，ηconv是光生電荷對(duì)數(shù)效率，ηeq是電荷分離效率，ηint是內(nèi)部載流子傳輸效率，ηext是外部電荷載流子收集效率。光損失和復(fù)合損失是主要的非輻射損失途徑。3.電荷復(fù)合速率（或非輻射復(fù)合）解析：發(fā)光層中的空穴和電子復(fù)合會(huì)以熱或光子形式耗散能量，降低發(fā)光效率。降低復(fù)合速率意味著更多的注入載流子能參與輻射復(fù)合發(fā)光。4.導(dǎo)通狀態(tài)下的電流，關(guān)斷狀態(tài)下的電流解析：開(kāi)關(guān)比是衡量OFET開(kāi)關(guān)性能的關(guān)鍵參數(shù)，定義為器件導(dǎo)通時(shí)（施加足夠正電壓使p型器件導(dǎo)電或足夠負(fù)電壓使n型器件導(dǎo)電）的電流與關(guān)斷時(shí)（施加反向電壓或零電壓）的電流之比。5.功函數(shù)（或能級(jí)）解析：為了實(shí)現(xiàn)低勢(shì)壘的電荷注入，電極材料的功函數(shù)應(yīng)與有機(jī)層的HOMO或LUMO能級(jí)盡可能接近。6.溶劑，成膜條件（或溫度/壓力），分子間作用力（或堆積傾向）解析：溶劑選擇影響分子溶解度和擴(kuò)散，成膜條件（溫度、壓力）影響分子排列和結(jié)晶過(guò)程，分子本身的性質(zhì)（大小、形狀、極性、相互作用）決定了其自組裝和結(jié)晶能力。7.材料結(jié)構(gòu)，器件結(jié)構(gòu)，界面解析：器件性能優(yōu)化涉及從分子本身的設(shè)計(jì)、整個(gè)器件層疊結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，到各層之間界面的處理等多個(gè)層面。8.X射線衍射（XRD），掃描電子顯微鏡（SEM）（或透射電子顯微鏡TEM，原子力顯微鏡AFM）解析：XRD用于確定晶體結(jié)構(gòu)和結(jié)晶度，SEM/TEM可以觀察薄膜的形貌和微結(jié)構(gòu)，AFM可以探測(cè)表面形貌和粗糙度，這些都與結(jié)晶度有關(guān)。9.HOMO能級(jí)，LUMO能級(jí)解析：DFT是計(jì)算分子基態(tài)性質(zhì)和激發(fā)態(tài)性質(zhì)的有力工具，其中預(yù)測(cè)HOMO和LUMO能級(jí)對(duì)于理解電子結(jié)構(gòu)和相互作用至關(guān)重要。10.機(jī)械穩(wěn)定性（或柔韌性），化學(xué)穩(wěn)定性（或耐候性），生物相容性（或安全性）解析：柔性電子器件需要在彎曲、拉伸等機(jī)械變形下保持功能，因此材料必須具有優(yōu)良的機(jī)械穩(wěn)定性（如柔韌性）。同時(shí)，器件需要在各種環(huán)境條件下（光照、氧氣、水分）穩(wěn)定，具有化學(xué)穩(wěn)定性。對(duì)于接觸人體或進(jìn)入環(huán)境的器件，生物相容性也很重要。三、簡(jiǎn)答題1.答：能級(jí)匹配在OTFT器件中至關(guān)重要，它直接影響電荷（空穴或電子）能否有效地從電極注入到有機(jī)半導(dǎo)體層，以及能否從有機(jī)半導(dǎo)體層提取到電極。理想的能級(jí)匹配應(yīng)使電極的費(fèi)米能級(jí)（對(duì)于未偏壓的器件，等于功函數(shù)）與有機(jī)層的HOMO或LUMO能級(jí)盡可能接近，從而最小化電荷注入和提取的能壘。能級(jí)不匹配過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致電荷注入/提取困難，形成高電阻，甚至無(wú)法形成導(dǎo)電通道，嚴(yán)重影響器件的開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)電性。2.答：影響有機(jī)太陽(yáng)能電池開(kāi)路電壓（Voc）的主要因素包括：①飽和電流密度（Jsc）。根據(jù)理想二極管方程（Jsc=q*(Voc+ηS*FF*q*(Eg/2)),或近似Jsc≈q*(Voc+Eg/2)在FF≈1時(shí)），Voc與Jsc成反比。如果Jsc很大（光吸收強(qiáng)、電荷產(chǎn)生和傳輸效率高），則Voc會(huì)相對(duì)較低。②電荷產(chǎn)生效率（ηop）。ηop決定了單位光子能量產(chǎn)生的載流子數(shù)量。ηop高意味著在相同Jsc下Voc可能更高（如果復(fù)合也相應(yīng)降低）。③內(nèi)部量子效率（ηint）和外部量子效率（ηext）。它們影響電荷收集效率。低的復(fù)合速率和高的收集效率有利于提高Voc。④器件能級(jí)結(jié)構(gòu)。器件的能級(jí)錯(cuò)位（如有機(jī)/無(wú)機(jī)界面勢(shì)壘）直接影響平衡態(tài)的Voc。⑤薄膜形貌和厚度。影響光吸收和電荷傳輸，進(jìn)而影響Jsc和復(fù)合，最終影響Voc。3.答：有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）器件中的空穴傳輸層（HTL）主要作用是：①高效傳輸空穴：HTL材料具有優(yōu)異的空穴遷移率，能確保從陽(yáng)極注入的空穴快速、低阻地傳輸?shù)桨l(fā)光層。②阻擋電子：HTL材料通常對(duì)電子遷移率較低（甚至為絕緣體或半導(dǎo)體），能有效阻止或減緩電子從陰極通過(guò)HTL進(jìn)入發(fā)光層，避免空穴和電子在發(fā)光層過(guò)早復(fù)合，提高器件的效率和壽命。③能級(jí)調(diào)控：HTL的HOMO能級(jí)通常低于發(fā)光層的HOMO能級(jí)，有助于形成合適的勢(shì)壘，促進(jìn)空穴從陽(yáng)極注入到HTL，并進(jìn)一步注入到發(fā)光層。同時(shí)，其LUMO能級(jí)通常高于陰極，有助于阻擋電子從發(fā)光層注入HTL。④提供界面：作為陽(yáng)極和發(fā)光層之間的界面層，改善界面接觸，提高電荷注入效率。4.答：溶劑工程通過(guò)選擇合適的溶劑或溶劑混合物，并在成膜過(guò)程中控制溶劑的揮發(fā)速率，來(lái)調(diào)控有機(jī)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)（如結(jié)晶度、分子排列方向、相分離結(jié)構(gòu)）和宏觀形貌（如均勻性、針孔）。這些結(jié)構(gòu)特征直接影響有機(jī)材料的電子性質(zhì)（如遷移率）和器件性能（如電導(dǎo)率、光學(xué)特性、穩(wěn)定性）。例如，通過(guò)慢溶劑揮發(fā)或添加少量不良溶劑（添加劑），可以提高聚合物薄膜的結(jié)晶度，從而提高其電荷遷移率，進(jìn)而提升OFET或OSC的性能；通過(guò)溶劑選擇和混合，可以調(diào)控聚合物/小分子薄膜的相分離結(jié)構(gòu)，優(yōu)化器件的能級(jí)匹配和電荷傳輸通道，提高器件效率和穩(wěn)定性。四、論述題1.答：設(shè)計(jì)高效有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSC）材料時(shí)，需要考慮以下關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和性能因素：*寬且適中的光學(xué)吸收譜：材料需要能夠吸收盡可能寬波長(zhǎng)范圍的光（特別是太陽(yáng)光譜中能量較高的可見(jiàn)光和近紅外光），以最大化光生電荷對(duì)數(shù)效率（ηconv）。這通常通過(guò)構(gòu)建具有較大共軛體系或通過(guò)雜原子（如氮、氧、硫）引入能級(jí)調(diào)控來(lái)實(shí)現(xiàn)。*合適的能級(jí)結(jié)構(gòu)：材料的HOMO和LUMO能級(jí)需要與給體（Donor）和受體（Acceptor）材料以及電極能級(jí)相匹配，以實(shí)現(xiàn)高效的雙載流子注入和提取，并產(chǎn)生適中的開(kāi)路電壓（Voc）。通常，給體材料具有較低的LUMO和較高的HOMO，受體材料具有較低的HOMO和較高的LUMO，以形成有效的能級(jí)階梯。*高載流子遷移率：無(wú)論是給體還是受體材料，都需要具有足夠高的電子和空穴遷移率（μn,μp），以保證內(nèi)部載流子傳輸效率（ηint），減少傳輸阻力，從而獲得較高的短路電流密度（Jsc）和填充因子（FF）。*低的電荷復(fù)合速率：高效的OSC需要抑制激子解離后的電荷在傳輸過(guò)程中以及到達(dá)電極前發(fā)生復(fù)合。這要求材料本身具有較低的非輻射復(fù)合途徑，并需要通過(guò)分子設(shè)計(jì)、界面工程（如使用界面層）和優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)來(lái)鈍化界面缺陷態(tài)。*良好的形貌控制能力：給體和受體材料的相分離結(jié)構(gòu)（如納米顆粒尺寸、體積分?jǐn)?shù)、形貌）對(duì)OSC性能至關(guān)重要。理想的相分離結(jié)構(gòu)應(yīng)形成大量相互連接的、尺寸適中的相域，為電荷的有效傳輸提供通路，同時(shí)保持足夠的活性層厚度。分子工程（如引入支鏈、調(diào)控分子量）和加工工藝（如溶劑工程、退火）是調(diào)控形貌的關(guān)鍵手段。*穩(wěn)定性：材料需要具有良好的光穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，以保證器件在實(shí)際應(yīng)用條件下的長(zhǎng)期工作壽命。這通常要求材料結(jié)構(gòu)相對(duì)穩(wěn)定，不易發(fā)生光致降解或化學(xué)氧化。*易于加工：材料應(yīng)易于通過(guò)旋涂、噴墨打印等低成本、大面積制備技術(shù)形成高質(zhì)量的薄膜。這些因素相互關(guān)聯(lián)，需要在材料設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行綜合考慮和權(quán)衡。2.答：界面工程在提升有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）器件性能和穩(wěn)定性方面具有重要性，原因在于OLED是一個(gè)多層器件，電荷的注入、傳輸、復(fù)合以及器件的許多失效機(jī)制都發(fā)生在不同的界面處。通過(guò)優(yōu)化界面結(jié)構(gòu)或引入界面層，可以有效改善這些過(guò)程。其重要性體現(xiàn)在：*提高電荷注入效率：電荷能否順利注入OLED，很大程度上取決于電極材料與有機(jī)層之間的功函數(shù)差以及界面處的電荷轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)。通過(guò)在電極（如ITO或Al）與有機(jī)層之間插入功函數(shù)匹配或調(diào)節(jié)的界面層（如HTL、ETL），可以顯著降低電荷注入勢(shì)壘，提高空穴和電子的注入效率。這直接提升了器件的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光亮度、效率和響應(yīng)速度。*調(diào)控能級(jí)匹配：界面層的引入可以精確調(diào)控器件內(nèi)部的能級(jí)結(jié)構(gòu)。例如，HTL的LUMO可以用來(lái)阻擋電子向陰極擴(kuò)散，HTL的HOMO可以用來(lái)鈍化陽(yáng)極/HTL界面處的電子態(tài)。ETL的HOMO可以用來(lái)鈍化陰極/ETL界面處的空穴態(tài)。通過(guò)合理設(shè)計(jì)界面層的能級(jí)，可以減少界面態(tài)密度，抑制非輻射復(fù)合，從而提高器件的效率和壽命。*改善電荷傳輸：界面層的存在可以改變有機(jī)層的形貌或提供額外的傳輸通道，影響電荷在界面附近的傳輸行為。例如，某些界面層可以促進(jìn)空穴從HTL向發(fā)光層的傳輸，或引導(dǎo)電子從ETL向發(fā)光層的傳輸。*鈍化缺陷和活性中心：OLED器件在工作過(guò)程中，界面處或有機(jī)層內(nèi)部可能產(chǎn)生缺陷態(tài)（如懸掛鍵、雜質(zhì)態(tài)），這些缺陷態(tài)是電荷復(fù)合的活性中心，會(huì)顯著降低器件效率和壽命。通過(guò)引入具有高界面態(tài)密度的界面層（如含有富勒烯或其衍生物的層），可以捕獲這些缺陷態(tài)，將其鈍化，從而提高器件的穩(wěn)定性和壽命。*增強(qiáng)器件穩(wěn)定性：某些界面層材料本身具有優(yōu)異的穩(wěn)定性，或者可以通過(guò)化學(xué)反應(yīng)在界面處形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵，有助于保護(hù)有機(jī)活性層免受氧氣、水分等環(huán)境因素的侵蝕，從而提高整個(gè)器件的長(zhǎng)期工作穩(wěn)定性。常見(jiàn)的界面修飾方法包括沉積非常薄的（幾納米）界面層（如Alq3,BaSi2N2Ox,PCBM,LiF,MgF2等），或在電極表面進(jìn)行預(yù)處理（如氧化、還原），以及在真空腔室中通過(guò)原子層沉積（ALD）等方式制備界面層。3.答：設(shè)計(jì)一種用于柔性顯示器的有機(jī)薄膜晶體管（OTFT）時(shí)，需要重點(diǎn)關(guān)注以下方面：*柔性基板材料的選擇：這是柔性O(shè)TFT的基礎(chǔ)。基板材料需要具有良好的柔韌性（如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯PPTA、聚乙烯醇縮丁醛PVDBK、聚苯硫醚PPS等），能夠承受彎折、拉伸等機(jī)械變形而不損壞。同時(shí)，基板需要具有合適的表面能和潔凈度，以保證有機(jī)薄膜的良好成膜性和穩(wěn)定性。對(duì)于透明柔性顯示，基板還需具備良好的透光性。*具有高機(jī)械穩(wěn)定性和柔韌性的有機(jī)半導(dǎo)體材料：OTFT材料本身必須能夠適應(yīng)柔性基板的形變。這要求材料具有較好的韌性，不易在彎曲應(yīng)力下斷裂，分子鏈不易被拉出晶界。通常，非晶態(tài)聚合物半導(dǎo)體或具有特定分子結(jié)構(gòu)的結(jié)晶性小分子半導(dǎo)體是較好的選擇。材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg）需要