2025秋招：工藝整合筆試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種工藝常用于芯片互連？A.光刻B.刻蝕C.化學(xué)氣相沉積D.電鍍2.光刻工藝中，用于控制曝光圖形尺寸的是？A.光刻機(jī)B.光刻膠C.掩膜版D.顯影液3.下列哪種氣體常用于等離子刻蝕？A.氧氣B.氮?dú)釩.氯氣D.氫氣4.化學(xué)機(jī)械拋光主要用于？A.去除表面雜質(zhì)B.平整芯片表面C.改變材料成分D.提高芯片導(dǎo)電性5.熱氧化工藝中，生成的氧化層主要成分是？A.二氧化硅B.氮化硅C.氧化鋁D.氧化鋅6.離子注入的主要目的是？A.改變材料表面形貌B.改變材料電學(xué)性能C.提高材料硬度D.增強(qiáng)材料耐腐蝕性7.以下哪種工藝不屬于薄膜沉積工藝？A.物理氣相沉積B.化學(xué)氣相沉積C.電鍍D.光刻8.光刻工藝中，曝光后需要進(jìn)行的步驟是？A.涂膠B.顯影C.刻蝕D.去膠9.刻蝕工藝中，各向異性刻蝕的特點(diǎn)是？A.橫向和縱向刻蝕速率相同B.橫向刻蝕速率大于縱向C.縱向刻蝕速率大于橫向D.只進(jìn)行橫向刻蝕10.化學(xué)氣相沉積中，CVD是指？A.物理氣相沉積B.化學(xué)氣相沉積C.原子層沉積D.分子束外延多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.工藝整合中涉及的主要工藝有？A.光刻B.刻蝕C.薄膜沉積D.離子注入2.光刻工藝的關(guān)鍵步驟包括？A.涂膠B.曝光C.顯影D.去膠3.刻蝕工藝可分為？A.干法刻蝕B.濕法刻蝕C.等離子刻蝕D.化學(xué)刻蝕4.薄膜沉積工藝的方法有？A.物理氣相沉積B.化學(xué)氣相沉積C.電鍍D.熱氧化5.離子注入工藝的影響因素有？A.離子能量B.離子劑量C.注入角度D.襯底溫度6.化學(xué)機(jī)械拋光的作用有？A.去除表面凸起B(yǎng).平整芯片表面C.提高表面光潔度D.去除表面雜質(zhì)7.熱氧化工藝的優(yōu)點(diǎn)有？A.氧化層質(zhì)量高B.工藝簡單C.成本低D.可精確控制氧化層厚度8.光刻工藝中，光刻膠的性能要求包括？A.高分辨率B.高靈敏度C.良好的粘附性D.耐刻蝕性9.工藝整合中需要考慮的因素有？A.工藝兼容性B.成本C.生產(chǎn)效率D.產(chǎn)品性能10.以下哪些屬于半導(dǎo)體制造中的前道工藝？A.光刻B.刻蝕C.封裝D.測試判斷題（每題2分，共10題）1.光刻工藝是芯片制造中最重要的工藝之一。（）2.刻蝕工藝只能進(jìn)行橫向刻蝕。（）3.化學(xué)氣相沉積可以精確控制薄膜的成分和厚度。（）4.離子注入不會改變材料的電學(xué)性能。（）5.化學(xué)機(jī)械拋光主要用于去除芯片表面的雜質(zhì)。（）6.熱氧化工藝生成的氧化層質(zhì)量不如物理氣相沉積的薄膜質(zhì)量高。（）7.光刻膠的靈敏度越高，曝光時(shí)間越短。（）8.工藝整合只需要考慮工藝的先進(jìn)性，不需要考慮成本。（）9.干法刻蝕比濕法刻蝕更具有各向異性。（）10.等離子刻蝕屬于濕法刻蝕。（）簡答題（每題5分，共4題）1.簡述光刻工藝的基本原理。光刻利用光刻膠感光特性，通過掩膜版將設(shè)計(jì)圖形投射到涂有光刻膠的硅片上，經(jīng)曝光、顯影等步驟，在光刻膠上形成圖形，為后續(xù)刻蝕等工藝做準(zhǔn)備。2.刻蝕工藝的目的是什么？刻蝕目的是將光刻膠上的圖形精確轉(zhuǎn)移到下層材料上，去除不需要的部分，形成所需的電路圖形和結(jié)構(gòu)，保證芯片功能實(shí)現(xiàn)。3.化學(xué)氣相沉積的優(yōu)點(diǎn)有哪些？化學(xué)氣相沉積可精確控制薄膜成分、厚度和結(jié)構(gòu)，能在復(fù)雜形狀表面沉積，沉積速率較高，薄膜質(zhì)量好，與其他工藝兼容性強(qiáng)。4.離子注入工藝的作用是什么？離子注入可精確控制雜質(zhì)的種類、濃度和深度分布，改變半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能，如形成PN結(jié)、調(diào)整閾值電壓等。討論題（每題5分，共4題）1.工藝整合中如何平衡工藝先進(jìn)性和成本？可根據(jù)產(chǎn)品定位和市場需求，選擇適度先進(jìn)工藝。對關(guān)鍵環(huán)節(jié)采用先進(jìn)技術(shù)保證性能，非關(guān)鍵部分用成熟低成本工藝，同時(shí)優(yōu)化流程提高效率降低成本。2.光刻工藝中光刻膠的性能對芯片制造有何影響？高分辨率光刻膠可實(shí)現(xiàn)更小圖形，提高芯片集成度；高靈敏度能縮短曝光時(shí)間，提高生產(chǎn)效率；良好粘附性和耐刻蝕性保證圖形轉(zhuǎn)移質(zhì)量，影響芯片性能和良率。3.刻蝕工藝的各向異性和各向同性對芯片制造有什么不同作用？各向異性刻蝕縱向速率快，能精確形成垂直側(cè)壁，用于精細(xì)圖形；各向同性刻蝕橫向和縱向速率相近，可用于去除大面積材料或形成圓形結(jié)構(gòu)，滿足不同設(shè)計(jì)需求。4.化學(xué)機(jī)械拋光在工藝整合中的重要性體現(xiàn)在哪些方面？化學(xué)機(jī)械拋光可平整芯片表面，為后續(xù)工藝提供良好基礎(chǔ)，保證光刻等工藝精度；去除表面凸起和雜質(zhì)，提高芯片表面質(zhì)量和電學(xué)性能，提升產(chǎn)品良率和可靠性。答案單項(xiàng)選擇題答案1.D2.C3.C4.B5.A6.B7.D8.B9.C10.B多項(xiàng)選擇題答案1.ABCD