專業(yè)讓生活更簡(jiǎn)單AI系列報(bào)告之(十):IAI算力激增，先進(jìn)封裝迎戰(zhàn)略機(jī)遇期。隨著AI與大模型訓(xùn)練所需的算力呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，僅依靠晶體管微縮的“摩爾定律”已難以獨(dú)立支撐性能的持續(xù)飛帶寬與能效,從制造后段走向系統(tǒng)設(shè)計(jì)前端,成為超越摩爾定律、延續(xù)算力增長(zhǎng)曲線的關(guān)鍵路徑。臺(tái)積電、英特爾等產(chǎn)業(yè)巨頭紛紛將先進(jìn)封裝提升至與先進(jìn)制程并重的戰(zhàn)略高度。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將從2024年的460億美元躍升至2030年的794億美元，其中2.5D/3D封裝技術(shù)將以37%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（2023-2029）領(lǐng)跑市場(chǎng)。對(duì)于國(guó)內(nèi)而言，海外CoWoS產(chǎn)能緊張、算力產(chǎn)業(yè)鏈自主可控訴求與先進(jìn)制程受限三重因素疊加，先進(jìn)設(shè)備技術(shù)全面升級(jí)，傳統(tǒng)設(shè)備迭代與前道設(shè)備滲透并進(jìn)。先進(jìn)封裝工藝的演進(jìn)對(duì)設(shè)備提出更高要求，呈現(xiàn)雙重技術(shù)升級(jí)路徑：一是傳統(tǒng)封裝設(shè)備持續(xù)升級(jí)，為適應(yīng)先進(jìn)封裝更精密的結(jié)構(gòu)需求，貼片機(jī)精度顯著提升，劃片技術(shù)從刀片切割轉(zhuǎn)向激光加工，塑封工藝也向壓塑演進(jìn)；二是新增前道制程設(shè)備，由于倒裝、RDL重布線層及TSV硅通孔等技術(shù)的引入，薄膜沉積、光刻、刻蝕等傳統(tǒng)前道裝備開(kāi)始在封裝環(huán)節(jié)應(yīng)用。鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)從引線鍵合到混合鍵合的跨越，精度已從傳統(tǒng)的5-10/mm2大幅躍升至10K-1MM/mm2。中國(guó)半導(dǎo)體封裝設(shè)備市場(chǎng)展現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)動(dòng)能，2024年銷售額達(dá)282.7億元，同比增長(zhǎng)18.93%，2025年第一季度達(dá)74.78億元，充分印證市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)材料品類持續(xù)擴(kuò)張，前道高端材料向后道封裝深度滲透。先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展正在重構(gòu)半導(dǎo)體材料的應(yīng)用邊界，呈現(xiàn)出前道制造材料向后道封裝工藝滲透的顯著趨勢(shì)。從2D封裝的Bump和RDL制造，到2.5D和3D封裝引入的TSV工藝，催生了光刻、電鍍、刻蝕、沉積、拋光等工藝環(huán)節(jié)的材料需求。原本應(yīng)用于晶圓制造的高端材料如光刻膠、CMP拋光液拋光墊、靶材、濕電子化學(xué)品等開(kāi)始大量應(yīng)用于封裝工藝中。2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)674.68億美元，同比增長(zhǎng)3.8%，其中封裝材料營(yíng)收增長(zhǎng)4.7%達(dá)246億美元。在國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)確立的大背景下，本土材料供應(yīng)商面臨前所未有的市場(chǎng)機(jī)遇，封裝基板、PSPI、CMP材料、電鍍液、臨時(shí)鍵合膠、環(huán)氧塑封料等關(guān)鍵材料領(lǐng)投資建議：在先進(jìn)封裝設(shè)備領(lǐng)域，建議關(guān)注北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、拓荊科技、華測(cè)、精測(cè)電子等。在先進(jìn)封裝材料領(lǐng)域，建議關(guān)注深南電路、興森科技、安集科技、鼎龍股份、上風(fēng)險(xiǎn)提示：1）技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)；2）市場(chǎng)需求波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)；3）行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)；4）宏觀環(huán)境不確定性風(fēng)險(xiǎn)。?隨著AI應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓展，中國(guó)大模型企業(yè)級(jí)市場(chǎng)呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)FROST&SULLIVAN《2025中國(guó)GenAI市場(chǎng)洞察》數(shù)據(jù)顯示，2025年上半年，我國(guó)企業(yè)級(jí)大模型市場(chǎng)日均調(diào)用量已達(dá)10萬(wàn)億tokens，較2024年下半年的2.2億tokens實(shí)現(xiàn)約363%的增長(zhǎng)，呈現(xiàn)出爆發(fā)式放量態(tài)勢(shì)。這一躍升不僅意味著市場(chǎng)需求的全面釋放和持續(xù)攀升，也伴隨著算力與存儲(chǔ)等基礎(chǔ)資源消耗的顯著增加，更清晰地表明大模型正快速走出試點(diǎn)驗(yàn)證期，進(jìn)入規(guī)?；涞氐男码A段。在算力需求的持續(xù)推動(dòng)下，AI芯片市場(chǎng)規(guī)模與占比不斷增長(zhǎng)。根據(jù)TrendForce的預(yù)計(jì)，從AI芯片在整個(gè)先進(jìn)工藝中的產(chǎn)能占比來(lái)看,2022年的占比僅有2%，2024年預(yù)計(jì)將會(huì)達(dá)到4%，預(yù)計(jì)到2027年占比將會(huì)達(dá)到7%，其對(duì)整個(gè)晶圓代工產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值貢獻(xiàn)正在快速增長(zhǎng)。?為滿足AI大模型對(duì)算力的極致需求，并突破傳統(tǒng)芯片面臨的“存儲(chǔ)墻”、“面積墻”和“功耗墻”等瓶頸，先進(jìn)封裝通過(guò)高密度集成，成為提升芯片性能的關(guān)鍵路徑。先進(jìn)封裝主要通過(guò)Bump、RDL、TSV、混合鍵合等工藝及技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電氣延伸、提高單位體積性能，助力芯片集成度和效能的進(jìn)一步提升。先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模（億美元）?在AI大模型、數(shù)據(jù)中心、智能駕駛、高端消費(fèi)電子設(shè)備、創(chuàng)新性終端等的強(qiáng)勢(shì)需求下，全球先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。從凸塊、重布線層等基礎(chǔ)互連工藝出發(fā)，逐步擴(kuò)展至倒裝芯片、晶圓級(jí)封裝以及2.5D/3D立體堆疊等先進(jìn)方案，已構(gòu)建起涵蓋異構(gòu)集成與高密度互連的全方位技術(shù)架構(gòu)。根據(jù)Yole，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將從2024年的460億美元大幅躍升至2030年的794億美元，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)能。在眾多技術(shù)路徑中，2.5/3D封裝技術(shù)將以37%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（2023-2029）領(lǐng)跑市場(chǎng)，成為推動(dòng)整個(gè)行業(yè)技術(shù)迭代升級(jí)的核心引擎。?全球半導(dǎo)體封裝設(shè)備產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出國(guó)際龍頭企業(yè)主導(dǎo)的競(jìng)爭(zhēng)格局，ASMPacific、AppliedMaterial、Advantest、Kulicke&Soffa、DISCO等國(guó)際知名企業(yè)在各自專業(yè)細(xì)分領(lǐng)域建立了顯著的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)并占據(jù)重要市場(chǎng)份額。值得關(guān)注的是，中國(guó)半導(dǎo)體封裝設(shè)備產(chǎn)業(yè)在近年來(lái)呈現(xiàn)出加速發(fā)展的良好態(tài)勢(shì)，北方華創(chuàng)、盛美上海、新益昌、拓荊科技、芯源微、華海清科等一批具備強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的本土企業(yè)正在快速崛起?，F(xiàn)出了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)能。受益于先進(jìn)封裝技術(shù)迭代升級(jí)以及本土供應(yīng)鏈安全考量，國(guó)內(nèi)封裝設(shè)備企業(yè)迎來(lái)了發(fā)展機(jī)遇期。從市場(chǎng)表現(xiàn)來(lái)看，2024年中國(guó)半導(dǎo)體封裝設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售額282.7億元，較上年同期增長(zhǎng)18.93%，2025年第一季度銷售額達(dá)到74.78億元，體現(xiàn)了市場(chǎng)的強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)頭。Manufacturers≥80%(Japan),LamResearch(USA),etc.50%-60%Soulution,KINGSEMl,etc.Research(USA),etc.55%-65%AppliedMaterials(USA),LamProcessing30%-40%NAURA,ACMResearch，jOYSINGTECH,etc.ASMInternational(Netherlands),AppliedMaterials(USA),Lam10%-20%NAURA,jOYSINGTECH,etc.CVD/ALD5%-10%Research,AMEC,jOYSIN30%-40%ACMResearch,CETC,DINGLExposure5%-10%ACMResearch,Chemical(USA),JSR(Japan),TOKAmerica(USA),etc.10%-20%CETC,KINGSTONE,etc.AppliedMaterials(USA),AxcelisTechnologies(USA),etc.1%-10%0%-1%資料來(lái)源：TrendForce，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究，智研咨詢《2026-2資料來(lái)源：TrendForce，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究，智研咨詢《2026-2?半導(dǎo)體封裝設(shè)備在整個(gè)半導(dǎo)體制造體系中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，承擔(dān)著將裸露芯片轉(zhuǎn)化為最終產(chǎn)品形態(tài)的職責(zé)，確保芯片在復(fù)雜應(yīng)用環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行和長(zhǎng)期可靠。當(dāng)前主流的半導(dǎo)體封裝設(shè)備類型涵蓋了減薄機(jī)、劃片機(jī)、貼片機(jī)、固化設(shè)備、引線焊接/鍵合設(shè)備、塑封及切筋設(shè)備、清洗與搬運(yùn)設(shè)備等多個(gè)關(guān)鍵類別。?先進(jìn)封裝工藝的演進(jìn)對(duì)設(shè)備提出更高要求，相較于傳統(tǒng)封裝，其核心差異體現(xiàn)在兩大維度：一是傳統(tǒng)封裝設(shè)備持續(xù)升級(jí)，例如，為適應(yīng)先進(jìn)封裝更精密的結(jié)構(gòu)需求，貼片機(jī)精度顯著提升，劃片技術(shù)從刀片切割轉(zhuǎn)向激光加工，塑封工藝也向壓塑演進(jìn)等；二是新增前道制程設(shè)備，由于倒裝、RDL重布線層及TSV硅通孔等技術(shù)的引入，薄膜沉積、光刻、刻蝕等傳統(tǒng)前道裝備開(kāi)始在封裝環(huán)節(jié)應(yīng)用。切筋成型切筋成型機(jī)/電鍍機(jī)成品測(cè)試測(cè)試機(jī)/檢測(cè)設(shè)備激光打印激光打標(biāo)機(jī)封裝成型機(jī)底部填充芯片貼裝貼裝/熱壓鍵合機(jī)切筋成型切筋成型機(jī)/電鍍機(jī)成品測(cè)試測(cè)試機(jī)/檢測(cè)設(shè)備激光打印激光打標(biāo)機(jī)封裝成型機(jī)底部填充芯片貼裝貼裝/熱壓鍵合機(jī)電鍍/印刷/蒸鍍/釘頭凸點(diǎn)設(shè)備清洗、檢測(cè)與封裝清洗機(jī)/檢測(cè)設(shè)備/塑封設(shè)備凸點(diǎn)下金屬化背面減薄晶圓準(zhǔn)備研磨機(jī)/清洗設(shè)備/薄膜沉積重新分配層RDL制作切割與分離植球植球/晶圓級(jí)回流焊絕緣層沉積薄膜沉積/旋涂機(jī)封裝光刻膠去除與金屬刻蝕光刻膠涂覆與光刻旋涂機(jī)/光刻機(jī)/顯影凸點(diǎn)下金屬化電鍍金屬引線/凸點(diǎn)光刻/濺射/電鍍機(jī)解鍵合與切割解鍵合/切割機(jī)清洗與去應(yīng)力植球檢測(cè)與封裝檢測(cè)設(shè)備/封裝成型底部填充底部填充機(jī)芯片貼裝與鍵合倒裝貼裝機(jī)/鍵合機(jī)重布線重新分配層RDL制作切割與分離植球植球/晶圓級(jí)回流焊絕緣層沉積薄膜沉積/旋涂機(jī)封裝光刻膠去除與金屬刻蝕光刻膠涂覆與光刻旋涂機(jī)/光刻機(jī)/顯影凸點(diǎn)下金屬化電鍍金屬引線/凸點(diǎn)光刻/濺射/電鍍機(jī)解鍵合與切割解鍵合/切割機(jī)清洗與去應(yīng)力植球檢測(cè)與封裝檢測(cè)設(shè)備/封裝成型底部填充底部填充機(jī)芯片貼裝與鍵合倒裝貼裝機(jī)/鍵合機(jī)重布線RDL制作光刻機(jī)/薄膜沉積/刻蝕機(jī)等2.5/3D封裝晶圓準(zhǔn)備中階層/芯片基底制備光刻機(jī)/薄膜沉積/電鍍/CMP等資料來(lái)源：頭豹研究院《2025年中國(guó)先進(jìn)封裝設(shè)備行業(yè)——科技自立，打造國(guó)產(chǎn)高端封裝新時(shí)代》，平安證券資料來(lái)源：頭豹研究院《2025年中國(guó)先進(jìn)封裝設(shè)備行業(yè)——科技自立，打造國(guó)產(chǎn)高端封裝新時(shí)代》，平安證券?鍵合主要是通過(guò)物理或化學(xué)手段將表面光滑且潔凈的晶圓貼合，用于輔助半導(dǎo)體制造或形成具有特定功能的異質(zhì)復(fù)合晶圓。該技術(shù)類型多樣，按晶圓類型可分為晶圓-晶圓鍵合（W2W）和芯片-晶圓鍵合（D2W）；按鍵合后處理需求可分為臨時(shí)鍵合與永久鍵合；按輔助界面夾層引入情況可分為直接鍵合、間接鍵合和混合鍵合等。鍵合工藝發(fā)展歷程從引線鍵合、倒裝、熱壓貼合、扇出型封裝到混合鍵合，連接方式實(shí)現(xiàn)了從引線鍵合到錫球再到銅-銅鍵合的技術(shù)跨越，體現(xiàn)了行業(yè)向更高集成度和更優(yōu)性能方向的持續(xù)演進(jìn)。最新混合鍵合技術(shù)推動(dòng)下，鍵合精度已從傳統(tǒng)的5-10/mm2大幅躍升至10K-1MM/mm2，能量消耗同時(shí)降至每比特不到0.05pJ。后摩爾時(shí)代的到來(lái)使封裝技術(shù)重心轉(zhuǎn)向提升傳輸效率和縮小芯片尺寸，傳統(tǒng)引線鍵合因物理空間約束和信號(hào)延遲問(wèn)題已難以滿足現(xiàn)代先進(jìn)封裝需求，熱壓鍵合（TCP）與混合鍵合技術(shù)等先進(jìn)技術(shù)成為關(guān)鍵發(fā)展方向，其中混合鍵合采用銅觸點(diǎn)替代傳統(tǒng)引線，實(shí)現(xiàn)晶圓間直接電氣互連，使互連密度相比過(guò)去提升逾十倍。倒裝封裝熱壓鍵合混合鍵合錫球/銅柱銅柱RDL/銅柱銅-銅5-10/mm225-400/mm2156-625/mm2500+/mm210K-1MM/mm2有機(jī)物/引線有機(jī)物/引線有機(jī)物/硅無(wú)無(wú)?根據(jù)PrecedenceResearch數(shù)據(jù)，2024年全球半導(dǎo)體鍵合市場(chǎng)規(guī)模達(dá)9.6057億美元，預(yù)計(jì)從2025年的9.97億美元增長(zhǎng)至2034年約14億美元，2025-2034年期間復(fù)合年增長(zhǎng)率為3.84%，市場(chǎng)增長(zhǎng)主要受益于高密度、高性能電子設(shè)備需求上升以及3D封裝技術(shù)快速進(jìn)步。資料來(lái)源：precedence資料來(lái)源：precedenceresearch，頭豹研究院《2025年中國(guó)先進(jìn)封裝設(shè)備行業(yè)：科技自立，打造國(guó)產(chǎn)高?隨著晶圓制程尺寸微縮和全尺寸三維集成需求的高漲，晶圓正朝著大尺寸、多芯片堆疊和超薄化發(fā)展邁進(jìn)。在此趨勢(shì)推動(dòng)下，晶圓減薄工藝成為滿足TSV制造和多片晶圓堆疊鍵合厚度要求的關(guān)鍵技術(shù)。另外，大尺寸薄化晶圓的柔性和易脆特性使其在加工過(guò)程中極易出現(xiàn)翹曲和破損現(xiàn)象，嚴(yán)重影響芯片制造良率、加工精度和封裝精度。?這些難題對(duì)光刻、刻蝕、鈍化、濺射、電鍍等背面制程工藝提出更為嚴(yán)苛的要求，亟需可靠的支撐系統(tǒng)來(lái)解決超薄晶圓的機(jī)械穩(wěn)定性問(wèn)題，?當(dāng)前，臨時(shí)鍵合技術(shù)憑借其在解決超薄晶圓加工難題方面的優(yōu)勢(shì)，在先進(jìn)封裝制程快速發(fā)展背景下已實(shí)現(xiàn)大力發(fā)展，并在晶圓級(jí)封裝（WLP）?解鍵合作為器件晶圓與載片分離的核心工藝，目前主要涵蓋四種技術(shù)路徑，各具特色但存在不同技術(shù)局限性。機(jī)械剝離法采用拉力和剪切力實(shí)現(xiàn)直接分離，工藝簡(jiǎn)單但碎片率偏高；濕化學(xué)浸泡法具備成本優(yōu)勢(shì)且機(jī)械應(yīng)力較小，但效率偏低且不適合大規(guī)模量產(chǎn)；熱滑移法通過(guò)高溫軟化粘結(jié)劑實(shí)現(xiàn)分離，工藝流程較為簡(jiǎn)便，但容易產(chǎn)生膠層殘留且受限于高溫耐受性。?相比之下，激光解鍵合法利用激光透過(guò)透明載板，通過(guò)光子能量促使光敏材料層發(fā)生分解、汽化反應(yīng)而失去粘性，快速釋放的分解氣體增大界面分離壓力促進(jìn)晶圓自動(dòng)分離。該技術(shù)可在室溫條件下操作，具備高通量、低機(jī)械應(yīng)力和環(huán)境友好等顯著優(yōu)勢(shì)，在大尺寸超薄晶圓制造中應(yīng)用更為廣泛。?混合鍵合通過(guò)金屬與金屬的直接鍵合實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接，同時(shí)通過(guò)介電層與介電層的鍵合提供機(jī)械支撐，形成兼具電性能與機(jī)械穩(wěn)定性的復(fù)合互連結(jié)構(gòu)，這種創(chuàng)新架構(gòu)使芯片間的信號(hào)傳輸延遲顯著降低，并支持亞微米級(jí)堆疊精度，被認(rèn)為是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高算力、高帶寬、低功耗芯片的關(guān)鍵技術(shù)。該技術(shù)可應(yīng)用于FC倒裝、3D封裝和晶圓級(jí)封裝，具有接點(diǎn)尺寸和間距小、節(jié)約填充成本、減少芯片厚度等顯著優(yōu)點(diǎn)，是先進(jìn)封裝技術(shù)的重要發(fā)展方向。目前為止，混合鍵合技術(shù)已實(shí)學(xué)方法將兩片完整晶圓永久結(jié)合實(shí)現(xiàn)多層堆疊集成，主要應(yīng)用于三維存儲(chǔ)芯片和背照式圖像傳感器制造等領(lǐng)域。芯片到晶圓（D2W）鍵合是以直接鍵合與金屬互連協(xié)同作用為核心，通過(guò)百納米級(jí)對(duì)準(zhǔn)精度將單顆芯片與目標(biāo)晶圓實(shí)現(xiàn)異質(zhì)集成的工藝技術(shù)，主要應(yīng)用于高帶寬存儲(chǔ)芯片（HBM）與Chiplet異構(gòu)架構(gòu)的芯片級(jí)三維集成。芯片到芯片（D2D）工藝正在深入研究開(kāi)發(fā)ProcessLowestBestasbothdiescanbetestedHighthroughputC2WThesingulateddiescanbetestedHighHighesttobethesamesizeasthebottomdie)資料來(lái)源：《面向高密度互連的混合鍵合技術(shù)研究進(jìn)展》-白玉斐等，i資料來(lái)源：《面向高密度互連的混合鍵合技術(shù)研究進(jìn)展》-白玉斐等，i?隨著先進(jìn)封裝技術(shù)向三維堆疊、系統(tǒng)級(jí)封裝和扇出型封裝等方向演進(jìn)，晶圓減薄已成為實(shí)現(xiàn)高性能、小型化和多功能化芯片的關(guān)鍵工藝。通過(guò)硅通孔進(jìn)行芯片堆疊時(shí)，晶圓總厚度直接影響互連密度和信號(hào)傳輸距離，先進(jìn)的芯片多層封裝用的晶圓厚度通常小于100μm，甚至低至30μm以下。通過(guò)減薄工藝技術(shù)優(yōu)化晶圓加工，不僅實(shí)現(xiàn)了晶圓整體厚度的有效減小，促進(jìn)了熱量的迅速散發(fā)和電子設(shè)備的高度集成，還顯著降低了晶圓表面的損傷層和粗糙度。?為應(yīng)對(duì)超薄化挑戰(zhàn)，減薄技術(shù)已發(fā)展出多條并行且互補(bǔ)的技術(shù)路徑。機(jī)械減薄可依工件材質(zhì)與表面質(zhì)量要求選對(duì)應(yīng)工藝，硬脆材料晶圓的主要機(jī)械減薄工藝包括單面磨削、雙面磨削、干式拋光等?；瘜W(xué)機(jī)械減薄結(jié)合了化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨作用，主要包括化學(xué)機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械磨削兩類技術(shù)。能束減薄是新興前沿技術(shù)，激光減薄利用高能激光束實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層的精確減薄，動(dòng)態(tài)等離子加工通過(guò)高能量密度和高化學(xué)反應(yīng)活性的等離子體進(jìn)行減薄加工。其中，機(jī)械磨削和化學(xué)機(jī)械磨削是重要的晶圓減薄方式，通常采用與其他工藝相組合的方式，如“機(jī)械磨削+資料來(lái)源：《晶圓減薄工藝技術(shù)與設(shè)備研究資料來(lái)源：《晶圓減薄工藝技術(shù)與設(shè)備研究?劃片機(jī)的核心功能是將含有大量芯片的完整晶圓分割為獨(dú)立的晶粒，可按切割機(jī)理分為砂輪劃片機(jī)和激光劃片機(jī)兩大類別。砂輪劃片機(jī)作為應(yīng)用最為廣泛的切割設(shè)備，在處理厚度大于100微米的晶圓時(shí)表現(xiàn)出色，具備生產(chǎn)成本低廉、設(shè)備使用壽命長(zhǎng)的顯著優(yōu)勢(shì)。激光劃片機(jī)則屬于非接觸式精密加工設(shè)備，在薄晶圓切割領(lǐng)域具有高精度、高效率的突出特點(diǎn)，在Chiplet技術(shù)芯粒分離工藝中扮演著至關(guān)重要的角色。?劃片加工質(zhì)量?jī)?yōu)劣通過(guò)應(yīng)力損傷反應(yīng)在晶圓上，過(guò)大的應(yīng)力損傷易引發(fā)芯片崩裂現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致器件參數(shù)劣化甚至功能失效。傳統(tǒng)砂輪切割在深度控制靈活性方面存在不足，難以應(yīng)對(duì)帶有波導(dǎo)端面產(chǎn)品的加工需求。為克服機(jī)械切割的固有缺陷，激光劃片技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，但早期表面燒蝕方式存在殘?jiān)掣?、裂紋擴(kuò)展方向難控等問(wèn)題?；诖耍[形切割技術(shù)充分利用硅材料對(duì)紅外光的透過(guò)性，使激光束在晶圓內(nèi)部聚焦形成多晶硅改性層裂紋，再通過(guò)外力作用延伸裂紋實(shí)現(xiàn)分離，獲得的斷面光滑平整、崩邊小，已發(fā)展為復(fù)雜結(jié)構(gòu)晶圓加工的前沿技術(shù)方向。?在先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的推動(dòng)下，激光切割尤其是隱形切割技術(shù)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。相比傳統(tǒng)砂輪切割，激光技術(shù)具備能耗更低、產(chǎn)出更高的顯著特點(diǎn)，能夠完美?在先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的推動(dòng)下，激光切割尤其是隱形切割技術(shù)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。相比傳統(tǒng)砂輪切割，激光技術(shù)具備能耗更低、產(chǎn)出更高的顯著特點(diǎn)，能夠完美適配微納結(jié)構(gòu)保護(hù)、異構(gòu)集成、3D堆疊等先進(jìn)封裝的復(fù)雜應(yīng)用。BusinessResearchInsights數(shù)據(jù)，全球晶圓切割設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)從2025年的9.3億美元增至 2026年的9.8億美元，并有望在2034年達(dá)到14.3億美元，2025-2034年復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到4.8%。隨著器件小型化趨勢(shì)不斷深化以及激光技術(shù)日趨成熟，激光切割設(shè)備在半?貼片機(jī)作為芯片封裝工藝中的核心設(shè)備，承擔(dān)著從已分割晶圓中精確抓取芯片并準(zhǔn)確安裝到基板上的任務(wù)，通過(guò)銀膠粘接實(shí)現(xiàn)芯片與基板的可靠連接，同時(shí)完成精密定位、準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)、倒裝操作及連續(xù)貼裝等工序。面對(duì)日益嚴(yán)苛的芯片性能要求，貼片設(shè)備的加工精度持續(xù)提升，生產(chǎn)效率不斷優(yōu)化，以滿足多樣化技術(shù)路徑的應(yīng)用需求。這些技術(shù)升級(jí)不僅增強(qiáng)了設(shè)備的靈活性和適應(yīng)性，更為復(fù)雜的先進(jìn)封裝工藝提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐，推動(dòng)整個(gè)封裝產(chǎn)業(yè)向更高水平發(fā)展。?進(jìn)入后摩爾時(shí)代，全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)軍企業(yè)已從傳統(tǒng)的工藝制程提升路徑轉(zhuǎn)向先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新，以延續(xù)摩爾定律的發(fā)展軌跡。先進(jìn)貼片機(jī)憑借高性能、高效率、高集成度及柔性化等突出特點(diǎn)，已成為先進(jìn)封裝技術(shù)體系中不可或缺的部分。隨著SiP封裝、3D封裝等先進(jìn)技術(shù)的快速發(fā)展，其巨大應(yīng)用潛力逐步顯現(xiàn)，貼片工序作為后道封裝流程的核心環(huán)節(jié)，其重要性日益凸顯，有力推動(dòng)貼片機(jī)設(shè)備需求的快速增長(zhǎng)?，F(xiàn)代貼片設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高速度、高精度的元器件貼放操作，已成為先進(jìn)封裝過(guò)程中最關(guān)鍵、最核心的傳統(tǒng)封裝貼片機(jī)疊層封裝貼片機(jī)封裝貼片機(jī)2.5D/3D貼片機(jī)SiP封裝貼片機(jī)PLP板級(jí)封裝貼片機(jī)貼片機(jī)圖例精度?傳統(tǒng)封裝的芯片封裝尺寸較大，對(duì)坐標(biāo)精度要在10-要求較低在10-RDL層選行對(duì)精度要在2.5-5μm度要求極高的硅穿孔技術(shù)因此對(duì)貼片精度要求較高來(lái)料的處理，包括已封裝的半成品芯片和晶粒?度區(qū)間?度區(qū)間?精度模式可達(dá)15-20k?精度模式可達(dá)10-?精度模式在5-8k?精度模式在2-3k來(lái)料數(shù)量而異，區(qū)達(dá)10k?塑封設(shè)備主要功能是將半導(dǎo)體器件封裝在環(huán)氧樹(shù)脂等保護(hù)材料內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)物理防護(hù)和電氣絕緣的雙重作用，確保芯片、引線框架與封裝基板的牢固結(jié)合，保障信號(hào)傳輸穩(wěn)定性和散熱效能?，F(xiàn)代塑封工藝主要采用模塑法，可細(xì)分為傳遞模塑和壓縮模塑兩大類別。傳遞模塑通過(guò)壓力驅(qū)動(dòng)熔融環(huán)氧樹(shù)脂流經(jīng)模具狹窄通道進(jìn)入空腔固化成型，工藝技術(shù)相對(duì)成熟，主要適用于傳統(tǒng)封裝應(yīng)用。壓縮模塑工藝則直接將環(huán)氧樹(shù)脂顆粒置入模具，通過(guò)加熱熔化并施加高壓實(shí)現(xiàn)均勻填充并固化，該技術(shù)具備缺陷檢測(cè)能力強(qiáng)、生產(chǎn)成本低廉、環(huán)境友好等優(yōu)勢(shì)，適合WLCSP、多層封裝等對(duì)輕薄化和高可靠性有嚴(yán)苛要求的先進(jìn)封裝場(chǎng)景。?塑封工藝流程包括芯片貼裝、預(yù)熱合模、注塑傳壓、固化、去飛邊成型等關(guān)鍵步驟。現(xiàn)代塑輔助技術(shù)，配合加熱或紫外固化工藝，形成穩(wěn)定可靠的封裝保護(hù)外殼。?面對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)不斷演進(jìn)的挑戰(zhàn)，塑封設(shè)備技術(shù)也在持續(xù)創(chuàng)新突破。微注塑技術(shù)的發(fā)展有效適應(yīng)了更小器件間距的封裝要求，能夠匹配3D封裝、Fan-out扇出型封裝等先進(jìn)技術(shù)的精密加工需求。另外，低溫塑封工藝的推出解決了溫敏器件的封裝難題，通過(guò)開(kāi)發(fā)固化溫度低的環(huán)氧塑封料，有效減少了對(duì)芯片和封裝材料的熱損傷，適用于MEMS器件 Demold LoadandtransferTransferLoadingPreheatDegateCure?電鍍?cè)O(shè)備作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵裝置，通過(guò)電化學(xué)方法實(shí)現(xiàn)金屬材料在晶圓表面的精確沉積，為芯片提供導(dǎo)電層和金屬互連結(jié)構(gòu)。具體而言，該工藝過(guò)程是在電解質(zhì)溶液環(huán)境中，利用電流驅(qū)動(dòng)陽(yáng)離子向半導(dǎo)體表面遷移并發(fā)生沉積反應(yīng)，整個(gè)過(guò)程需要對(duì)電流強(qiáng)度和反應(yīng)時(shí)間進(jìn)行精密控制，以確保沉積層的均勻和性能。隨著芯片制造工藝的持續(xù)演進(jìn)，芯片內(nèi)部互連線材料正經(jīng)歷從傳統(tǒng)鋁向銅的重要轉(zhuǎn)換，這一材料升級(jí)推動(dòng)了半導(dǎo)體鍍銅設(shè)備的廣泛應(yīng)用。?在先進(jìn)封裝技術(shù)推動(dòng)下，電鍍?cè)O(shè)備的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)展，表面功能化與防護(hù)能力顯著提升。例如，在倒裝芯片封裝工藝中，電鍍技術(shù)用于制備銅柱凸塊，替代傳統(tǒng)焊球方案，滿足高密度互連需求。扇出型封裝中的重布線層制備同樣依賴電鍍銅技術(shù)，將芯片焊盤(pán)重新分布至更大面積，為多芯片集成提供靈活的布線方案。?集成電路領(lǐng)域設(shè)備體系中，傳統(tǒng)前道工藝裝備主要服務(wù)于晶圓制造環(huán)節(jié)。其中，光刻、刻蝕和薄膜沉積設(shè)備為核心設(shè)備，合計(jì)占據(jù)前道設(shè)備?光刻設(shè)備通過(guò)精密的掩膜版圖案轉(zhuǎn)移工藝，為RDL制作、Bump制作、TSV對(duì)準(zhǔn)與圖案化提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。TSV刻蝕工藝在3D封裝中創(chuàng)建深寬比極高的通孔結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)垂直互連；TDL圖形化工藝通過(guò)精密刻蝕形成細(xì)致的金屬線路。薄膜沉積設(shè)備同樣扮演著重要角色，不僅用于TSV金屬填充以實(shí)現(xiàn)垂直互連，還被應(yīng)用于RDL沉積和介質(zhì)層沉積等場(chǎng)景中。設(shè)備定義先進(jìn)封裝應(yīng)用實(shí)例作用說(shuō)明光刻設(shè)備通過(guò)在半導(dǎo)體硅片上表面勻膠，將掩模板上時(shí)“復(fù)制”到硅片的設(shè)備RDL制作在芯片表面或中介層上定義金屬布線的圖案，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的重新分布定義微凸點(diǎn)或銅柱圖案，用于芯片與基板的電氣連接涂膠顯影光刻對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)TSV對(duì)準(zhǔn)與圖案化3D封裝中通過(guò)光刻定義TSV孔的開(kāi)口位置刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程，是完成光刻工藝后復(fù)制掩膜圖案的設(shè)備TSV刻蝕3D封裝中在硅中介層或芯片中刻蝕深寬比高的TDL圖形化刻蝕金屬層以形成精細(xì)的金屬線路介質(zhì)刻蝕金屬刻蝕邊緣刻蝕薄膜沉積設(shè)備是采用物理或化學(xué)方法使物質(zhì)包括金屬、氧化物、氮化物等不同薄膜RDL沉積沉積銅、鋁等金屬層，形成電路連接TSV金屬填充填充TSV孔以實(shí)現(xiàn)垂直互連金屬沉積原子層沉積電鍍介質(zhì)層沉積沉積絕緣層(如Si02、SiN)，隔離金屬線路?先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展正在重構(gòu)半導(dǎo)體材料的應(yīng)用邊界，呈現(xiàn)出前道制造材料向后道封裝工藝滲透的顯著趨勢(shì)。傳統(tǒng)封裝主要依賴封裝基板、引線框架、鍵合絲、環(huán)氧塑封料等材料，而先進(jìn)封裝技術(shù)從2D封裝的Bump和RDL制造，發(fā)展到2.5D/3D封裝的TSV工藝，技術(shù)迭代催生了光刻、電鍍、刻蝕、沉積、拋光等工藝環(huán)節(jié)的材料需求。這一演進(jìn)使得原本應(yīng)用于晶圓制造的高端材料如光刻膠、CMP拋光液拋光墊、靶材、濕電子化學(xué)品等開(kāi)始大量應(yīng)用于封裝工藝中。全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模（分地區(qū)，百萬(wàn)美元）?2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到674.68億美元，同比增長(zhǎng)3.8%，其中封裝材料細(xì)分領(lǐng)域表現(xiàn)更為亮眼，營(yíng)收增長(zhǎng)4.7%，達(dá)246億美元。從區(qū)域分布來(lái)看，東亞地區(qū)占據(jù)主導(dǎo)地位，臺(tái)灣地區(qū)以200.9億美元規(guī)模位居全球第一，中國(guó)大陸市場(chǎng)達(dá)134.58億美元，同比增長(zhǎng)5.3%。先進(jìn)DRAM、3DNAND和邏輯芯片制造工藝的復(fù)雜化推動(dòng)CMP材料、光刻膠等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)。在國(guó)產(chǎn)化落地加速的大背景下，本土材料供應(yīng)商面臨前所未有的市場(chǎng)機(jī)遇。隨著國(guó)內(nèi)晶圓產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張和供應(yīng)鏈本土化進(jìn)程的深入推進(jìn)，具備技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)業(yè)化能力的本土企業(yè)有望在先進(jìn)封裝材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速滲透，享受行業(yè)增長(zhǎng)和份額提升的雙重紅利。?基板上承接芯片，實(shí)現(xiàn)芯片管腳的扇出布局并提供物理保護(hù)；下互連主板，在芯片與主板之間起橋梁、互連與擴(kuò)展作用。由于芯片布線密度高于PCB，二者無(wú)法直接互連，封裝基板作為“橋梁”的價(jià)值由此凸顯。當(dāng)前半導(dǎo)體封裝形式在不斷地拓寬和迭代中，不同封裝方式對(duì)基板的種類、規(guī)格要求各異，新興封裝技術(shù)對(duì)基板性能提出更高標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)基板制造工藝向更復(fù)雜、更多元的方向演進(jìn)，形成差異化的產(chǎn)品體系與技術(shù)路徑。?封裝基板的分類維度豐富，涵蓋導(dǎo)電層數(shù)(單面/雙面/多層)、材料類型(陶瓷/有機(jī))、耐折性(剛性/撓性)、芯板結(jié)構(gòu)(有芯/無(wú)芯)、表面處理方式(OSP/ENEPIG/電鍍軟金)等多個(gè)維度。業(yè)界常用的分類方法是依據(jù)封裝方式將基板劃分為單塊與單元兩大類。其中，單塊倒裝芯片封裝基板技術(shù)能力大幅躍升，涌現(xiàn)出FCBGA基板內(nèi)置硅橋(EMIB)、硅電容，以及多層布線芯板、玻璃芯基板等創(chuàng)新方案；單元倒裝芯片封裝基板經(jīng)歷顛覆性變革，ETS工藝或aSAP工藝逐步替代pSAP實(shí)現(xiàn)技術(shù)迭代，封裝形式從FCCSP的疊層封裝(PoP)演變?yōu)镕OPLP或FOWLP，技術(shù)創(chuàng)新活躍度較高；單元引線鍵合封裝基板則保持相對(duì)穩(wěn)健的發(fā)展態(tài)勢(shì)，創(chuàng)新技術(shù)較少，復(fù)雜功能需求逐步向單元倒裝芯片封裝技術(shù)轉(zhuǎn)移。?面向2.5D、3D等先進(jìn)封裝技術(shù)需求，基板正朝著大尺寸、多層數(shù)、高密度方向加速演進(jìn)，線路、孔徑、微凸塊間距持續(xù)縮小，材料性能要求顯著提升，包括更低的熱膨脹系數(shù)、更高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、更小的介電常數(shù)等。基于此，玻璃芯基板被視為下一代FCBGA基板的戰(zhàn)略方向，英特爾、Absolics、DNP、凸版、富士通等全球領(lǐng)先企業(yè)均已布局研發(fā)，目前整體處于試制打樣階段。資料來(lái)源：封裝基板關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展及展望-楊宏強(qiáng)等，玻璃基板技術(shù)研究進(jìn)資料來(lái)源：封裝基板關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展及展望-楊宏強(qiáng)等，玻璃基板技術(shù)研究進(jìn)?光敏聚酰亞胺(PSPI)是在傳統(tǒng)聚酰亞胺基礎(chǔ)上引入光敏基團(tuán)改性的高分子材料，兼具聚酰亞胺的優(yōu)良介電性能、機(jī)械強(qiáng)度、耐熱性與光刻膠的感光特性。因此，其無(wú)需涂覆光刻膠阻隔層，便可直接通過(guò)光刻工藝形成微米或亞微米級(jí)圖案，相比傳統(tǒng)PI+光刻膠組合減少2-3道工藝步驟，降低10%以上成本，提升生產(chǎn)效率。當(dāng)前，PSPI已成為RDL再布線層（RedistributionLayer）、再布線互連、絕緣介質(zhì)層等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的材料選擇，在Fan-out、2.5D/3D封裝、HBM（高帶寬存儲(chǔ)）等高端芯片領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，成為延續(xù)芯片性能提升的關(guān)鍵路徑。?PSPI在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用場(chǎng)景呈現(xiàn)多元化特征，深度契合不同芯片類型的封裝需求。在2.5D/3D封裝技術(shù)中，PSPI作為硅互連基板(Interposer)或硅通孔(TSV)的絕緣層與緩沖介質(zhì)，填充微小通孔并保護(hù)金屬互連，有效降低因熱膨脹不匹配導(dǎo)致的應(yīng)力，確?；ミB可靠性。在Fan-Out封裝及扇出晶圓級(jí)封裝(FOWLP)中，PSPI作為RDL絕緣介質(zhì)與通孔保護(hù)層，實(shí)現(xiàn)芯片I/O焊盤(pán)的高密度重分布，并支撐異構(gòu)集成架構(gòu)。PSPI適配多種高端芯片封裝需求，應(yīng)用于高性能計(jì)算、移動(dòng)終端、存儲(chǔ)芯片、汽車電子等領(lǐng)域，多場(chǎng)景滲透彰顯PSPI的技術(shù)適配性與市場(chǎng)價(jià)值。?PSPI技術(shù)壁壘較高，當(dāng)前日美廠商壟斷高端市場(chǎng)，頭部企業(yè)包括日本東麗、美國(guó)HDM、日本富士膠片、日本旭化，供應(yīng)28nm以下制程產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)進(jìn)口依賴度較高。值得注意的是，正性低溫固化光敏聚酰亞胺(p-PSPI)在集成電路封裝中應(yīng)用成熟，已成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域關(guān)鍵材料，國(guó)內(nèi)企業(yè)正通過(guò)提升單體合成技術(shù)、優(yōu)化光敏劑配方、改進(jìn)主鏈結(jié)構(gòu)等方法推進(jìn)低溫固化型PSPI國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。隨著先進(jìn)封裝對(duì)高密度集成及Chiplet模塊化異構(gòu)集成需求升級(jí)，進(jìn)一步提升PSPI的分辨率、靈敏度及熱穩(wěn)定性成為材料應(yīng)用核心。?晶圓經(jīng)過(guò)刻蝕、離子注入等工藝后，表面會(huì)變得凹凸不平并產(chǎn)生多余物質(zhì)，需要通過(guò)CMP工藝進(jìn)行平坦化處理。與傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)拋光方法不同，CMP工藝通過(guò)表面化學(xué)作用和機(jī)械研磨相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)晶圓表面微米/納米級(jí)不同材料的去除，達(dá)到納米級(jí)的高度平坦化效果。根據(jù)不同工藝制程和技術(shù)節(jié)點(diǎn)要求，每片晶圓在生產(chǎn)過(guò)程中需經(jīng)歷多道CMP拋光工藝步驟。隨著芯片制程縮小，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，對(duì)晶圓表面平坦度高，邏輯和存儲(chǔ)芯片制程升級(jí)使得光刻、刻蝕次數(shù)增加，不僅推動(dòng)CMP工藝步驟增加，也產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域硅拋光液用于單晶硅/多晶硅的拋光，主要用于硅晶圓初步加工銅及銅阻擋層拋光液芯片中銅及阻擋層的去除和平坦化，生產(chǎn)邏輯、存儲(chǔ)芯片需大量使用鎢拋光液芯片中鎢塞和鎢通孔的平坦化。生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片需大量使用，邏輯芯片只用于部分工藝鈷拋光液用于10nm節(jié)點(diǎn)以下芯片中鈷的去除和平坦層間介質(zhì)層(TDL)拋光液用于集成電路制造工藝中層間電介質(zhì)和金屬間電介質(zhì)的去除和平坦化用于集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光。TSV拋光液用于對(duì)硅通孔(TSV)的拋光?CMP材料體系包括拋光液、拋光墊、調(diào)節(jié)劑、清洗劑等，其中拋光液和拋光墊占據(jù)成本主要部分，是CMP工藝的核心材料。拋光液成分復(fù)雜，由氧化劑、磨粒、絡(luò)合劑、表面活性劑、緩蝕劑、pH調(diào)節(jié)劑等按特定比例配置而成，每種組分發(fā)揮獨(dú)特功效。其中，氧化劑用于形成氧化膜，磨粒去除氧化膜，絡(luò)合劑和表面活性劑促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，緩蝕劑形成保護(hù)膜防止過(guò)度腐蝕，pH調(diào)節(jié)劑控制理想酸堿度。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，拋光液可分為硅拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、鎢拋光液、鈷拋光液、介質(zhì)層拋光液等。?拋光墊根據(jù)材質(zhì)分為聚氨酯、無(wú)紡布、黑色阻尼布等類型，聚氨酯和無(wú)紡布拋光墊具備優(yōu)異去除率和耐磨性，黑色阻尼布可實(shí)現(xiàn)高平坦化超精密拋光。隨著先進(jìn)半導(dǎo)體工藝的普及，市場(chǎng)對(duì)高性能CMP拋光墊的需求不斷增加。例如，3DNAND要求更精細(xì)的拋光墊以確保每一層的平整度，F(xiàn)inFET要求拋光墊同時(shí)兼具更高的精度和穩(wěn)定性。?電鍍工藝在芯片前道制造與后道封裝環(huán)節(jié)均有廣泛應(yīng)用，電鍍液作為核心材料貫穿整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈條。在前端制造階段，電鍍工藝通過(guò)將電鍍液中的金屬離子沉積至晶圓表面，形成金屬互連層結(jié)構(gòu)；在后端封裝階段，電鍍則應(yīng)用于三維硅通孔(TSV)、重布線層(RDL)、凸塊(Bump)等關(guān)鍵工藝的金屬化薄膜沉積過(guò)程。?電鍍液由主鹽、導(dǎo)電劑、絡(luò)合劑及多種添加劑復(fù)配而成，其中添加劑為配方的重要組分。按照化學(xué)性質(zhì)，其可被分為酸性與堿性兩大類：酸性鍍液主要應(yīng)用于銅、鎳、錫等金屬；堿性鍍液則常用于鉻、鋅、鋁等金屬。在銅互連電鍍中，加速劑、抑制劑與整平劑三類添加劑協(xié)同作用，通過(guò)精確調(diào)控不同組分間的相互作用，實(shí)現(xiàn)自下而上的填充效果，并優(yōu)化鍍層晶粒結(jié)構(gòu)、外觀及平整度。先進(jìn)邏輯器件節(jié)點(diǎn)演進(jìn)帶來(lái)互連層數(shù)量，封裝對(duì)RDL和銅柱結(jié)構(gòu)應(yīng)用的擴(kuò)大，以及銅互連技術(shù)在半導(dǎo)體器件中的廣泛運(yùn)用，將共同推動(dòng)電鍍液及添加劑市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng)。?當(dāng)前，本土電鍍液企業(yè)正加速打破海外技術(shù)壁壘。盡管銅互連電鍍基礎(chǔ)鍍液及添加劑供應(yīng)長(zhǎng)期由美、德、法等國(guó)主導(dǎo)，美國(guó)麥德美樂(lè)思占據(jù)全球約80%市場(chǎng)份額，14nm以下的高純硫酸銅、7nm以下的硫酸鈷電鍍基液與添加劑仍依賴進(jìn)口，但國(guó)內(nèi).-----------------------------------?用于TSV的電鍍液企業(yè)已在關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。以上海新陽(yáng)、創(chuàng)智芯聯(lián)、艾森半導(dǎo)體等為代表的內(nèi).-----------------------------------?L和銅柱的資企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力顯著增強(qiáng)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體電鍍液研發(fā)與量產(chǎn)能力快速提升，國(guó)產(chǎn)化替用于焊料的電鍍液代進(jìn)程明顯加速。例如，上海新陽(yáng)成功開(kāi)發(fā)出芯片銅互連電子電鍍專用化學(xué)品，其超純鍍液產(chǎn)品已覆蓋14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，標(biāo)志著本土企業(yè)在中高端市場(chǎng)取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。隨著本土企業(yè)技術(shù)積累不斷深化、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同逐步完善，我國(guó)電鍍液產(chǎn)業(yè)有望在先進(jìn)封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大范圍的自主可控，行業(yè)發(fā)展前景積極向好。?臨時(shí)鍵合膠是連接功能晶圓與臨時(shí)載板的中間層材料，在晶圓減薄工藝中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這種材料能夠在加工過(guò)程中將晶圓、玻璃、柔性基板等暫時(shí)粘合固定，待完成切割、減薄、鍍膜等工序后，再通過(guò)加熱、激光照射或化學(xué)溶劑等方式實(shí)現(xiàn)無(wú)損分離。臨時(shí)鍵合膠通過(guò)在基礎(chǔ)黏料(如熱塑性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂、光刻膠等)中加入增黏劑、抗氧劑、流平劑等助劑混合配比形成，通過(guò)調(diào)節(jié)助劑含量和配方可優(yōu)化特定材料參數(shù)。該材料需具備高熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性、高黏接強(qiáng)度、機(jī)械穩(wěn)定性、優(yōu)異的均一性及操作性等關(guān)鍵性能。臨時(shí)鍵合膠已成為4-12英寸超薄晶圓加工拿持以及Fan-in、Fan-out、2.5D、3D?臨時(shí)鍵合膠可按照物理形態(tài)分為蠟狀物、復(fù)合膠帶和旋轉(zhuǎn)涂敷黏合劑三種類型。蠟狀物黏合劑是較早應(yīng)用的臨時(shí)鍵合材料，使用溫度較低，但其解鍵合和清洗過(guò)程溶劑用量大且更換頻繁，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低、成本高，未能被大規(guī)模使用。復(fù)合膠帶黏合劑通常為雙層或三層結(jié)構(gòu)，熱釋放層與晶圓結(jié)合，黏結(jié)層與剛性載板表面結(jié)合，加熱后可解鍵合，工藝簡(jiǎn)單且解鍵合后幾乎無(wú)殘留，在超薄晶圓加工中得到普遍應(yīng)用。旋轉(zhuǎn)涂敷黏合劑是目前最常用的類型，液態(tài)材料通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷方法在物體表面形成涂層，具有加工速度快、領(lǐng)域應(yīng)用詳情在晶圓級(jí)封裝(WLP)或3D集成技術(shù)中，晶圓需要被減薄到一定厚度，臨時(shí)鍵合膠用于在減薄過(guò)程中提供支撐。TSV制造在硅通孔(TSV)技術(shù)中，臨時(shí)鍵合膠用于在制造過(guò)程中保護(hù)在晶圓級(jí)封裝過(guò)程中，臨時(shí)鍵合膠用于固定晶圓，以便進(jìn)行在芯片堆疊技術(shù)中，臨時(shí)鍵合膠用于在堆疊過(guò)程中固定芯片，直到最終的封裝步驟完成。關(guān)鍵性能詳細(xì)說(shuō)明臨時(shí)鍵合膠能夠在完成其功能作用后通過(guò)加熱、化學(xué)處理輕易地被移除，而不會(huì)對(duì)晶圓或其他微電子元件造成損傷。粘接強(qiáng)度在鍵合期間，臨時(shí)鍵合膠需要提供足夠的粘接強(qiáng)度來(lái)支撐晶圓，防止其在加工過(guò)程中發(fā)生位移或損壞。在晶圓加工過(guò)程中，臨時(shí)鍵合膠需要承受高溫處理，如化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)或退火等，因此需要具有化學(xué)穩(wěn)定性臨時(shí)鍵合膠在加工過(guò)程中可能會(huì)接觸到各種化學(xué)試劑，因此需要具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，以防止化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致的性能下降。機(jī)械穩(wěn)定性在晶圓減薄、切割等機(jī)械加工過(guò)程中，臨時(shí)鍵合膠需要保持其機(jī)械性能，確保晶圓的完整性。均勻性和可在大面積晶圓上實(shí)現(xiàn)臨時(shí)鍵合膠的均勻涂布和粘接是一個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)，這直接影響到產(chǎn)品的良率。?環(huán)氧塑封料是集成電路封裝的重要材料，以環(huán)氧樹(shù)脂為基體、酚醛樹(shù)脂為固化劑、硅微粉等為填料復(fù)配而成，承擔(dān)著芯片保護(hù)殼的功能，提供應(yīng)力緩沖、防潮防腐、散熱絕緣等復(fù)合功能。隨著扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)等先進(jìn)工藝的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)EMC在大面積成型、薄型化封裝中面臨流動(dòng)性不足、翹曲控制難等挑戰(zhàn)。液態(tài)環(huán)氧塑封料(LEMC)應(yīng)運(yùn)而生，通過(guò)采用低粘度液態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂、酸酐類固化劑等組分，實(shí)現(xiàn)了可低溫固化、低翹曲、無(wú)粉塵等關(guān)鍵特性。另外，相比固態(tài)EMC，LEMC在成型溫度下具有更優(yōu)的流動(dòng)性，保障了晶圓尺寸模具中樹(shù)脂的均勻流動(dòng)，使大面積批量成型成為可能，尤其適用于FOWLP技術(shù)。?硅微粉作為L(zhǎng)EMC的核心填料，其粒徑大小、粒度分布、表面處理會(huì)影響材料的工藝性能。日本NagaseChemteX株式會(huì)社的研究表明，隨著填料含量增加和粒徑減小，LEMC粘度會(huì)相應(yīng)上升，當(dāng)粘度過(guò)高時(shí)將無(wú)法保持液態(tài)狀態(tài)。但是，通過(guò)使用偶聯(lián)劑對(duì)填料表面進(jìn)行處理，可有效降低LEMC粘度，保持其良好的流動(dòng)性。通過(guò)填料工程化設(shè)計(jì)與樹(shù)脂配方的協(xié)同優(yōu)化，可以實(shí)現(xiàn)從標(biāo)準(zhǔn)封裝到高端應(yīng)用的差異化產(chǎn)品布局，滿足先進(jìn)封裝技術(shù)的多樣化需求。LMC(液態(tài)環(huán)氧塑封料)?高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)作為AI算力提升的關(guān)鍵技術(shù)，其芯片堆疊封裝對(duì)材料提出了極致要求。SK海力士開(kāi)發(fā)的大規(guī)?；亓鞒尚偷撞刻畛?MR-MUF)技術(shù)采用液態(tài)LEMC一次性完成芯片堆疊間的填充與固化。相比熱壓鍵合非導(dǎo)電膜(TC-NCF)工藝，MR-MUF工藝效率更高、散熱性能更優(yōu)。該技術(shù)的核心在于LEMC能夠在保持良好流動(dòng)性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)窄間距狹縫的有效填充，并通過(guò)降低熱膨脹系數(shù)來(lái)控制封裝體翹曲。MR-MUF工藝已在HBM3產(chǎn)品中得到應(yīng)用，技術(shù)成熟度獲得了批量生產(chǎn)驗(yàn)證，為高性能存儲(chǔ)芯片的發(fā)展提供了重要材料支撐。LMC(液態(tài)環(huán)氧塑封料)AI算力激增，先進(jìn)封裝迎戰(zhàn)略機(jī)遇期。隨著AI與大模型訓(xùn)練所需的算力呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，僅依靠晶體管微縮的“摩爾定律”已難以獨(dú)立支撐性能的持續(xù)飛帶寬與能效,從制造后段走向系統(tǒng)設(shè)計(jì)前端,成為超越摩爾定律、延續(xù)算力增長(zhǎng)曲線的關(guān)鍵路徑。臺(tái)積電、英特爾等產(chǎn)業(yè)巨頭紛紛將先進(jìn)封裝提升至與先進(jìn)制程并重的戰(zhàn)略高度。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將從2024年的460億美元躍升至2030年的794億美元，其中2.5D/3D封裝技術(shù)將以37%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（2023-2029）領(lǐng)跑市場(chǎng)。對(duì)于國(guó)內(nèi)而言，海外CoWoS產(chǎn)能緊張、算力產(chǎn)業(yè)鏈自主可控訴求與先進(jìn)制程受限三重因素疊加，先進(jìn)設(shè)備技術(shù)全面升級(jí)，傳統(tǒng)設(shè)備迭代與前道設(shè)備滲透并進(jìn)。先進(jìn)封裝工藝的演進(jìn)對(duì)設(shè)備提出更高要求，呈現(xiàn)雙重技術(shù)升級(jí)路徑：一是傳統(tǒng)封裝設(shè)備持續(xù)升級(jí)，為適應(yīng)先進(jìn)封裝更精密的結(jié)構(gòu)需求，貼片機(jī)精度顯著提升，劃片技術(shù)從刀片切割轉(zhuǎn)向激光加工，塑封工藝也向壓塑演進(jìn)；二是新增前道制程設(shè)備，由于倒裝、RDL重布線層及TSV硅通孔等技術(shù)的引入，薄膜沉積、光刻、刻蝕等傳統(tǒng)前道裝備開(kāi)始在封裝環(huán)節(jié)應(yīng)用。鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)從引線鍵合到混合鍵合的跨越，精度已從傳統(tǒng)的5-10/mm2大幅躍升至10K-1MM/mm2。中國(guó)半導(dǎo)體封裝設(shè)備市場(chǎng)展現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)動(dòng)能，2024年銷售額達(dá)282.7億元，同比增長(zhǎng)18.93%，2025年第一季度達(dá)74.78億元，充分印證市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)材料品類持續(xù)擴(kuò)張，前道高端材料向后道封裝深度滲透。先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展正在重構(gòu)半導(dǎo)體材料的應(yīng)用邊界，呈現(xiàn)出前道制造材料向后道封裝工藝滲透的顯著趨勢(shì)。從2D封裝的Bump和RDL制造，到2.5D和3D封裝引入的TSV工藝，催生了光刻、電鍍、刻蝕、沉積、拋光等工藝環(huán)節(jié)的材料需求。原本應(yīng)用于晶圓制造的高端材料如光刻膠、CMP拋光液拋光墊、靶材、濕電子化學(xué)品等開(kāi)始大量應(yīng)用于封裝工藝中。2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)674.68億美元，同比增長(zhǎng)3.8%，其中封裝材料營(yíng)收增長(zhǎng)4.7%達(dá)246億美元。在國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)確立的大背景下，本土材料供應(yīng)商面臨前所未有的市場(chǎng)機(jī)遇，封裝基板、PSPI、CMP材料、電鍍液、臨時(shí)鍵合膠、環(huán)氧塑封料等關(guān)鍵材料領(lǐng)投資建議：在先進(jìn)封裝設(shè)備領(lǐng)域，建議關(guān)注北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、拓荊科技、華測(cè)、精測(cè)電子等。在先進(jìn)封裝材料領(lǐng)域，建議關(guān)注深南電路、興森科技、安集科技、鼎龍股份、上風(fēng)險(xiǎn)提示：1）技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)；2）市場(chǎng)需求波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)；3）行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)；4）宏觀環(huán)境不確定性風(fēng)險(xiǎn)。?北方華創(chuàng)專注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為電子工藝裝備和電子元器件，電子工藝裝備包括半導(dǎo)體裝備、真空及新能源裝備。公司在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊擁有完整的產(chǎn)品線布局，主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法、離子注入、涂膠顯影、鍵合等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示等制造領(lǐng)域。公司借助產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先、種類多樣、工藝覆蓋廣泛等優(yōu)勢(shì)，以產(chǎn)品迭代升級(jí)和成套解決方案為客戶創(chuàng)造更大價(jià)值。這種全工藝鏈的產(chǎn)品布局使公司能夠?yàn)榭蛻籼峁└油暾慕鉀Q方案，特別是在先進(jìn)封裝等技術(shù)復(fù)雜度較高的應(yīng)用領(lǐng)域，平臺(tái)型供應(yīng)商的優(yōu)?北方華創(chuàng)在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域技術(shù)實(shí)力雄厚，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)提升。2025年上半年，公司立式爐、物理氣相沉積（PVD）設(shè)備相繼迎來(lái)第1,000臺(tái)整機(jī)交付里程碑，加上主要用于12英寸深硅刻蝕，最多可同時(shí)掛載6個(gè)獨(dú)立反應(yīng)腔物理氣相沉積設(shè)備?Polaris系列適合封裝領(lǐng)域薄膜制備大規(guī)模生產(chǎn)化學(xué)氣相沉積設(shè)備一款針對(duì)以硅烷為反應(yīng)物制備氧化硅/氮化硅/氮氧化硅薄膜的化學(xué)氣相沉積設(shè)備專為硅通孔計(jì)，主要應(yīng)用進(jìn)封裝領(lǐng)域立式爐管設(shè)備主要應(yīng)用于8/12英寸先進(jìn)封裝（AP）領(lǐng)域PI膠固化工這一重要里程碑充分驗(yàn)證了北方華創(chuàng)產(chǎn)品的可靠性和市場(chǎng)認(rèn)可度，體現(xiàn)了公司在核心工藝裝備領(lǐng)域的技術(shù)積累和制造能力。同時(shí)，公司發(fā)布了離子注入設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備、先進(jìn)低壓化學(xué)氣相硅沉積立式爐、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備等新產(chǎn)品，產(chǎn)主要用于8/12英寸光刻膠干可以實(shí)現(xiàn)Ta、TaN以及Cu等多種材料沉積主要用于12英寸高介電常數(shù)材料薄膜的沉積工藝先進(jìn)封裝、新興應(yīng)用等領(lǐng)域12英寸后段背清洗等工藝英寸集成電路1200℃)氧化/退火工藝?中微公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售?；谠诎雽?dǎo)體設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術(shù)，公司業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、LED外延片生產(chǎn)、功率器件、MEMS制造等高端設(shè)備領(lǐng)域。值得注意的是，公司等離子體刻蝕設(shè)備已成功應(yīng)用于?公司在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的核心產(chǎn)品深硅刻蝕設(shè)備表現(xiàn)亮眼，技術(shù)突破持續(xù)推進(jìn)。2025年H1，公司8英寸和12英寸深硅刻蝕設(shè)備PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圓級(jí)先進(jìn)封裝、2.5D封裝和微機(jī)電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)線等成熟市場(chǎng)繼續(xù)獲得重復(fù)訂單，充分驗(yàn)證了產(chǎn)品的市場(chǎng)認(rèn)可度和客戶粘性。更為重要的是，公司設(shè)備在12英寸3D芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗(yàn)證，并獲得在歐洲客戶12英寸微機(jī)電系統(tǒng)芯片產(chǎn)線上進(jìn)行機(jī)蝕應(yīng)用提供創(chuàng)新的解決方案案資料來(lái)源：中微公司2024年報(bào)，平安證券研究所27應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝雙管齊下的高效率清洗應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝雙管齊下的高效率清洗資料來(lái)源：盛美上海官網(wǎng)，平安證券研究所資料來(lái)源：盛美上海官網(wǎng)，平安證券研究所?盛美上海始終致力于為全球集成電路行業(yè)提供領(lǐng)先的設(shè)備及工藝解決方案。通過(guò)持續(xù)的自主研發(fā)，公司進(jìn)一步完善了知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系，形成了平臺(tái)化的半導(dǎo)體工藝設(shè)備布局。除清洗設(shè)備這一核心優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品外，公司積極擴(kuò)大產(chǎn)品組合，在半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、半導(dǎo)體拋銅設(shè)備、先進(jìn)封裝?公司研發(fā)的ECP電化學(xué)電鍍技術(shù)主要應(yīng)用于先進(jìn)封裝PillarBump、RDL、HDFan-Out和TSV中的銅、技術(shù)特點(diǎn)上，公司的多陽(yáng)極電鍍技術(shù)基于多同心環(huán)陽(yáng)極，獨(dú)立控制每個(gè)陽(yáng)極的工作電壓及工作時(shí)區(qū)，控制晶圓表面的電場(chǎng)及電流分布，精確到毫秒級(jí)電鍍電源控制響應(yīng)，使電鍍銅膜均勻度大幅提高。同時(shí)，采用獨(dú)立電鍍液流場(chǎng)控制系統(tǒng)和第二陽(yáng)極技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓notch開(kāi)口區(qū)域的精確控制。此外，公司的脈沖電鍍技術(shù)通過(guò)周期性輸出脈沖電流，有效克服直流電鍍的技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)更高電流密度和更好的共面性，為資料來(lái)源：拓荊科技2025年中報(bào)，平安證券研究所資料來(lái)源：拓荊科技2025年中報(bào)，平安證券研究所29形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品線，以及應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設(shè)備和配套的量檢測(cè)設(shè)備產(chǎn)品。公司薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)集成電路邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等制造產(chǎn)線，先進(jìn)鍵合設(shè)備和配套的量檢測(cè)設(shè)備產(chǎn)品已在先進(jìn)存儲(chǔ)、圖像傳感器（CIS）等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。公司研制的各類薄膜沉積設(shè)備、先進(jìn)鍵合設(shè)備和配套量檢測(cè)設(shè)備已在客戶端實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，設(shè)備性能和?公司面向新的技術(shù)趨勢(shì)和市場(chǎng)需求，積極布局并成功進(jìn)軍高端半導(dǎo)體設(shè)備的前沿技術(shù)領(lǐng)域，在三維集成設(shè)備領(lǐng)域表現(xiàn)突出。三維集成是實(shí)現(xiàn)芯片高密度互連、三維堆疊及系統(tǒng)級(jí)集成的關(guān)鍵制造環(huán)節(jié)，正在成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要趨勢(shì)。?公司先進(jìn)鍵合設(shè)備主要應(yīng)用于芯片或晶圓堆疊，通過(guò)等離子活化、清洗、對(duì)準(zhǔn)、鍵合、量測(cè)等一系列工藝處理和精準(zhǔn)控制，實(shí)現(xiàn)芯片或晶圓的垂直堆疊架構(gòu)，鍵合精度可達(dá)百納米級(jí)。2025年上半年，公司晶圓對(duì)晶圓混合鍵合設(shè)備獲得重復(fù)訂單，體現(xiàn)了客戶對(duì)產(chǎn)品性能的認(rèn)可。此外，公司還研發(fā)了新一代高速高精度晶圓對(duì)晶圓混合鍵合產(chǎn)品Dione300eX，該產(chǎn)品采用更先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，擁有更高的對(duì)準(zhǔn)精度、鍵合精度和設(shè)備產(chǎn)能，已出貨至客戶端驗(yàn)證。PECVD系列產(chǎn)品PECVD產(chǎn)品UVCure產(chǎn)品ALD系列產(chǎn)品PE-ALD產(chǎn)品Thermal-ALD產(chǎn)品SACVD系列產(chǎn)品/HDPCVD系列產(chǎn)品/FlowableCVD系列產(chǎn)品/三維集成領(lǐng)域系列產(chǎn)品晶圓對(duì)晶圓混合鍵合產(chǎn)品晶圓對(duì)晶圓熔融鍵合產(chǎn)品芯片對(duì)晶圓鍵合前表面預(yù)處理產(chǎn)品芯片對(duì)晶圓混合鍵合產(chǎn)品鍵合套準(zhǔn)精度量測(cè)產(chǎn)品鍵合強(qiáng)度檢測(cè)產(chǎn)品永久鍵合后晶圓激光剝離產(chǎn)品資料來(lái)源：華海清科官網(wǎng)，華海清科2025年中報(bào)，平安證券研究所資料來(lái)源：華海清科官網(wǎng)，華海清科2025年中報(bào)，平安證券研究所30?華海清科作為擁有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端半導(dǎo)體裝備供應(yīng)商，已構(gòu)建起涵蓋CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、邊緣拋光裝備、離子注入裝備等完整產(chǎn)品線的平臺(tái)化布局。公司產(chǎn)品及服務(wù)廣泛應(yīng)用于集成電路、先進(jìn)封裝、大硅片、第三代半導(dǎo)體等多個(gè)制造工藝領(lǐng)域，形成了"裝備+?公司持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)以滿足客戶對(duì)新材質(zhì)、更先進(jìn)制程及先?在CMP裝備領(lǐng)域，全新拋光系統(tǒng)架構(gòu)的Universal-H300機(jī)臺(tái)已獲得批量重復(fù)訂單并實(shí)現(xiàn)規(guī)?；鲐洠潞炗唵沃邢冗M(jìn)制程已實(shí)現(xiàn)較大占比，部分先進(jìn)制程CMP裝備在國(guó)內(nèi)多家頭部客戶完成全部工藝驗(yàn)證。?在減薄裝備領(lǐng)域，基于CMP技術(shù)積累開(kāi)發(fā)的先進(jìn)封裝減薄設(shè)備表現(xiàn)亮眼，12英寸超精密晶圓減薄機(jī)Versatile-GP300憑借優(yōu)異性能獲得市場(chǎng)認(rèn)可，訂單量大幅增長(zhǎng)；12英寸晶圓減薄貼膜一體機(jī)Versatile-GM300完美兼容W2W和D2W兩種主流先進(jìn)封裝工藝路線，2025年上半年實(shí)現(xiàn)批量發(fā)貨并連續(xù)供貨至國(guó)內(nèi)多家半導(dǎo)體龍頭企業(yè)。華海清科先進(jìn)封裝相關(guān)裝備華海清科先進(jìn)封裝相關(guān)裝備300T資料來(lái)源：芯源微2025年中報(bào)，平安證券研究所資料來(lái)源：芯源微2025年中報(bào)，平安證券研究所大業(yè)務(wù)板塊，產(chǎn)品矩陣完整覆蓋前道晶圓加工、后道先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體等多個(gè)制造領(lǐng)域。在傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)的涂膠顯影領(lǐng)域基礎(chǔ)續(xù)拓展產(chǎn)品邊界，通過(guò)技術(shù)延伸和創(chuàng)新開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)了從前道到后道、從硅基到化合物半導(dǎo)體的全面布局，為客戶提供更加完整的工藝解決方?公司在先進(jìn)封裝領(lǐng)域具備技術(shù)優(yōu)勢(shì)，后道涂膠顯影設(shè)備可應(yīng)用于BGA、Flip-Chip、WLCSP、CSP、2.5D、3D等多種先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)高黏度PR、PI涂敷及多種顯影工藝；單片濕法設(shè)備涵蓋清洗機(jī)、去膠機(jī)、刻蝕機(jī)等，廣泛應(yīng)用于TSV深孔清洗、Flux清洗等關(guān)鍵工藝。公司產(chǎn)品已?公司前瞻布局的全自動(dòng)臨時(shí)鍵合及解鍵合機(jī)針對(duì)Chiplet技術(shù)解決方案，可應(yīng)用于InFO、CoWoS、HBM等2.5D、3D技術(shù)路線，技術(shù)水平已達(dá)國(guó)解鍵解鍵合設(shè)備適用于三維集成、2.5D/3D封裝領(lǐng)域,減薄工藝后,機(jī)械等多種解鍵合方案。可廣泛應(yīng)用于來(lái)料清洗、TSV深孔清洗、Flux清洗等清洗、去膠及l(fā)ift-off剝離工藝及多種介質(zhì)層濕法刻蝕工藝。臨時(shí)鍵合設(shè)備適用于三維集成、2.5D/3D封裝領(lǐng)域,晶圓減薄過(guò)程涂膠顯影設(shè)備CSP、2.5D、3D等涂膠顯影工藝，可實(shí)現(xiàn)高黏度PR、PI涂敷及多種顯影工藝。芯源微后道先進(jìn)封裝設(shè)備資料來(lái)源：芯碁微裝2025年中報(bào)，平安證券研究所資料來(lái)源：芯碁微裝2025年中報(bào)，平安證券研究所32?芯碁微裝作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的直寫(xiě)光刻設(shè)備廠商，專注服務(wù)于PCB領(lǐng)域及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域客戶，通過(guò)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品幫助客戶實(shí)發(fā)展。公司在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景豐富，涵蓋IC封裝、先進(jìn)封裝、FPD面板顯示等多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于IC、分立功率器件制造、先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)，并積累了長(zhǎng)電集團(tuán)、華天科技、甬矽電子等優(yōu)質(zhì)企業(yè)級(jí)客戶。公司積極推進(jìn)前沿技術(shù)研發(fā)，加快新品開(kāi)發(fā)，推出鍵合制程WLP2000WA8WLP芯碁微裝主要產(chǎn)品PLP路先進(jìn)封裝領(lǐng)域，包括WLP2000WA8WLP芯碁微裝主要產(chǎn)品PLP路先進(jìn)封裝領(lǐng)域，包括先進(jìn)封裝形式?？捎糜谙冗M(jìn)封裝、MEMS生產(chǎn)和需要亞微米級(jí)精確對(duì)準(zhǔn)的應(yīng)用對(duì)準(zhǔn)鍵合WB8支持最大晶圓尺寸為8英主要應(yīng)用于面板級(jí)先進(jìn)封裝領(lǐng)域，包括FCCSP、FCBGA、 2.5D/3D等先進(jìn)封裝形式。2.xD封裝光刻工序解決方案，采用多光學(xué)引擎并行掃描技術(shù)顯著提升產(chǎn)能效率與成對(duì)準(zhǔn)鍵合WB8支持最大晶圓尺寸為8英主要應(yīng)用于面板級(jí)先進(jìn)封裝領(lǐng)域，包括FCCSP、FCBGA、 2.5D/3D等先進(jìn)封裝形式。?PLP3000板級(jí)直寫(xiě)光刻設(shè)備憑借3μm線寬/線距能力，采用無(wú)掩模直寫(xiě)技術(shù)大幅降低客戶生產(chǎn)成本，與WLP系列形成技術(shù)互補(bǔ)。?此外，公司W(wǎng)A8晶圓對(duì)準(zhǔn)機(jī)和WB8晶圓鍵合機(jī)組合可實(shí)現(xiàn)高精度Au-Au鍵合工藝，適配先進(jìn)封裝、MEMS等應(yīng)用需求。資料來(lái)源：驕成超聲官網(wǎng)，平安證券研究所資料來(lái)源：驕成超聲官網(wǎng)，平安證券研究所?驕成超聲是專業(yè)提供超聲波技術(shù)及應(yīng)用解決方案的供應(yīng)商，主要從事超聲波焊接、裁切及檢測(cè)設(shè)備和配件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，并為客戶提供配套自動(dòng)化解決方案。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源、半導(dǎo)體等領(lǐng)域，產(chǎn)品線涵蓋新能源電池超聲波焊接設(shè)備、線束連接器超聲波焊接設(shè)備、半導(dǎo)體超聲波焊接設(shè)備等多個(gè)品類。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司積極把握半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展及相關(guān)政策支持帶來(lái)的機(jī)遇，持續(xù)加強(qiáng)對(duì)超聲波鍵合機(jī)、超聲波掃描顯微鏡等設(shè)備的市場(chǎng)推廣，持續(xù)擴(kuò)大市場(chǎng)份額。?公司持續(xù)加強(qiáng)研發(fā)投入，重點(diǎn)布局半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域的設(shè)備開(kāi)發(fā)，以核心技術(shù)突破構(gòu)建長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力。公司可應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓、2.5D/3D封裝、面板級(jí)封裝等產(chǎn)品檢測(cè)的超聲波掃描顯微鏡成功獲得了國(guó)內(nèi)知名客戶正式訂單并完成交付，標(biāo)志著公司在先進(jìn)封裝檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)能力得到市場(chǎng)驗(yàn)證。同時(shí)，超聲波固晶機(jī)（超聲熱壓焊機(jī)）已獲得客戶正式訂單，進(jìn)一步拓展了公司在先進(jìn)封裝制造設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品布局。公司先進(jìn)封裝相關(guān)業(yè)務(wù)正持續(xù)突破技術(shù)與市場(chǎng)邊界，加速向規(guī)模化應(yīng)用邁進(jìn)。驕成超聲半導(dǎo)體設(shè)備●●●銀燒結(jié)的預(yù)燒接座、魚(yú)眼針；可焊接在銀燒結(jié)的預(yù)燒接座、魚(yú)眼針；可焊接在DBC板、模塊激光器、車用充電模塊、電池等子、電池等子、電池等LogicLogic，存儲(chǔ)，光通訊等端子焊接資料來(lái)源：新益昌2025年中報(bào)，平安證券研究所資料來(lái)源：新益昌2025年中報(bào)，平安證券研究所?新益昌是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體和新型顯示封裝設(shè)備綜合解決方案提供商。在半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)域，公司已具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力及較高的品牌知名度，封測(cè)業(yè)務(wù)涵蓋汽車電子、通信領(lǐng)域、存儲(chǔ)、MEMS等領(lǐng)域，為包括華為、長(zhǎng)電、華天科技、通富微電、固锝電子等知名公司在內(nèi)的龐大優(yōu)質(zhì)客戶群體提供定制化服務(wù)。公司通過(guò)收購(gòu)開(kāi)玖自動(dòng)化，積極研發(fā)半導(dǎo)體焊線設(shè)備，實(shí)現(xiàn)固晶與焊線設(shè)備的協(xié)同銷售，有效擴(kuò)展在半導(dǎo)?新益昌近年主動(dòng)推進(jìn)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，聚焦MiniLE端設(shè)備領(lǐng)域，縮減傳統(tǒng)LED設(shè)備市場(chǎng)。該戰(zhàn)略成效顯著，新益昌的MiniLED設(shè)備業(yè)務(wù)營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng)，MiniLED固晶機(jī)占總營(yíng)收比例從2022年的20%攀升至2024年的40%以上。除MiniLED業(yè)務(wù)外，新益昌積極拓展半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)域。2025年公司新推出焊線機(jī)和測(cè)試包裝設(shè)備，多款封裝設(shè)備正在積極驗(yàn)證和優(yōu)化中，加速國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。半導(dǎo)體固晶機(jī)（HAD812i系列）適用于MEMS、MOS、PDFN、SOP、IGBT等產(chǎn)品封裝。半導(dǎo)體高精度固晶機(jī)（HAD8212advanced）適用于NAND、DRAM、GPU、CPU、COWOS、HBM等產(chǎn)品（HAD812FC）適用于FlipChip封裝。資料來(lái)源：中科飛測(cè)官網(wǎng),中科飛測(cè)2025中報(bào)，平安證券研究所資料來(lái)源：中科飛測(cè)官網(wǎng),中科飛測(cè)2025中報(bào)，平安證券研究所35?中科飛測(cè)專注于高端半導(dǎo)體質(zhì)量控制領(lǐng)域，為半導(dǎo)體行業(yè)客戶提供涵蓋設(shè)備產(chǎn)品、智能軟件產(chǎn)品和相關(guān)服務(wù)的全流程良率管理解決方案。公司客戶群體已廣泛覆蓋邏輯、存儲(chǔ)、功率半導(dǎo)體、MEMS等前道制程企業(yè)，碳化硅、氮化鎵、砷化鎵等化合物半導(dǎo)體企業(yè)，晶圓級(jí)封裝和2.5D/3D封裝等先進(jìn)封裝企業(yè)，大硅片等半導(dǎo)體材料企業(yè)以及刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、CMP設(shè)備等各類制程設(shè)備企業(yè)。?公司在先進(jìn)封裝檢測(cè)領(lǐng)域表現(xiàn)突出。應(yīng)用在HBM等新興先進(jìn)封裝領(lǐng)域的3DAOI設(shè)備和三維形貌量測(cè)設(shè)備自2024年通過(guò)國(guó)內(nèi)頭部客戶驗(yàn)證以來(lái)，該系列產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)企業(yè)的絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步鞏固，并推動(dòng)訂單規(guī)模的持續(xù)增長(zhǎng)。截至2025年中，公司累計(jì)生產(chǎn)交付圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備/三維形貌量測(cè)設(shè)備超過(guò)400/200臺(tái)，覆蓋近50家客戶產(chǎn)線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)集成電路前道及先進(jìn)封裝客戶。陷檢測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于晶圓表面多種節(jié)點(diǎn)的圖形晶圓的備主要應(yīng)用于晶圓表面亞微米量級(jí)的二維、三維圖形缺陷檢測(cè)無(wú)圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于硅片的出廠品質(zhì)管控、晶圓的入廠質(zhì)量控制、半導(dǎo)體制程工藝和設(shè)備的污染監(jiān)控暗場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于復(fù)雜圖形晶圓表面納米量級(jí)缺陷檢測(cè)光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備主要對(duì)集成電路前道制程中的擴(kuò)散、薄膜沉積、研磨、刻蝕、光刻等工藝中的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行高精度和高速度的測(cè)量套刻精度量測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于電路制作中不同層之間圖案對(duì)圖案對(duì)齊的誤差測(cè)量介質(zhì)薄膜膜厚量測(cè)設(shè)備膠等厚度測(cè)量。三維形貌量測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于晶圓上納米級(jí)三維形貌測(cè)量、線寬測(cè)量和TSV孔測(cè)量金屬薄膜膜厚量測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于晶圓上金屬膜厚度和硬掩膜層厚度測(cè)量智能根因分析、虛擬量測(cè)、交叉分析和良率預(yù)測(cè)等良率管理缺陷自動(dòng)分類系統(tǒng)在缺陷層面管理和控制良率光刻套刻分析反饋系統(tǒng)監(jiān)控和優(yōu)化光刻工藝的偏差，同時(shí)通過(guò)高階模型補(bǔ)償?shù)裙δ軄?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻機(jī)光刻套刻偏移量的準(zhǔn)確控制資料來(lái)源：精測(cè)電子2025年中報(bào)，平安證券研究所資料來(lái)源：精測(cè)電子2025年中報(bào)，平安證券研究所36?精測(cè)電子主要從事半導(dǎo)體、顯示及新能源檢測(cè)系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司產(chǎn)品已廣泛覆蓋前道和后道的測(cè)試設(shè)備。其中，公司膜厚系列產(chǎn)品、OCD設(shè)備、電子束設(shè)備、半導(dǎo)體硅片應(yīng)力測(cè)量設(shè)備、明場(chǎng)光學(xué)缺陷檢測(cè)設(shè)備等核心產(chǎn)品均處于國(guó)內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先地位，競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)明顯。除此之外，子公司上海精測(cè)主要聚焦半導(dǎo)體前道量檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，掌握光譜散射測(cè)量、光學(xué)干涉測(cè)量、光學(xué)顯微成像、電子束/離子束成像等關(guān)鍵核心陷檢測(cè)設(shè)備已正式交付客戶，28nm節(jié)點(diǎn)的明場(chǎng)缺陷檢測(cè)設(shè)備已在客戶端完成驗(yàn)收，同時(shí)半導(dǎo)體前道量測(cè)領(lǐng)域部分主力產(chǎn)品已完成7nm先進(jìn)制程的交付及驗(yàn)收，其他更加先進(jìn)制程的產(chǎn)品正在驗(yàn)證中。整體來(lái)看，先進(jìn)制程產(chǎn)品占公司整體營(yíng)收和訂單的比例不斷增加。?此外，為了抓住數(shù)據(jù)中心、超算、AI等行業(yè)快速發(fā)展對(duì)高性能通過(guò)增資湖北星辰，深化與湖北星辰等核心客戶的戰(zhàn)略合作與綁定。在晶圓外觀檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，公司于2019年開(kāi)始晶圓級(jí)產(chǎn)品的立項(xiàng)，現(xiàn)已成功推出W1200系列與WST1200系列產(chǎn)品并交付封測(cè)頭部客戶，為先進(jìn)封裝領(lǐng)域提供重要檢測(cè)解決方案。領(lǐng)域CDSEM領(lǐng)域CDSEMOCD工藝電子束線寬量測(cè)介質(zhì)薄膜量測(cè)金屬薄膜測(cè)量光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量形貌量測(cè)外層薄膜量測(cè)產(chǎn)品型號(hào)MetaPAM系列EPROFILE系列TG系列檢測(cè)系統(tǒng)領(lǐng)域工藝ReviewSEM失效分析TEM制樣產(chǎn)品型號(hào)eView系列AeroScan系列測(cè)試系統(tǒng)領(lǐng)域工藝懸臂探針卡垂直探針卡WAT探針卡產(chǎn)品型號(hào)懸臂探針卡Cobra/2DMEMS垂直探針卡WAT探針卡量測(cè)系統(tǒng)資料來(lái)源：深南電路官網(wǎng)，平安證券研究所資料來(lái)源：深南電路官網(wǎng)，平安證券研究所?深南電路始終專注于電子互聯(lián)領(lǐng)域，擁有印制電路板、電子裝聯(lián)、封裝基板三項(xiàng)主營(yíng)業(yè)務(wù)，形成了業(yè)界獨(dú)特的“3-In-One”業(yè)務(wù)布局。公司以互聯(lián)為核心，在不斷強(qiáng)化印制電路板業(yè)務(wù)地位的同時(shí)，大力發(fā)展與其"技術(shù)同根"的封裝基板業(yè)務(wù)及"客戶同源"的電子裝聯(lián)業(yè)務(wù)。目前公司已成為全球領(lǐng)先的無(wú)線基站射頻功放PCB供應(yīng)商、內(nèi)資最大的封裝基板供應(yīng)商、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的處理器芯片封裝基板供應(yīng)商。公司業(yè)務(wù)覆蓋1級(jí)到3FC-CSP基板多媒體設(shè)備等領(lǐng)域高端處理器芯片的封裝WB-CSP基板手機(jī)，平板電腦，機(jī)頂盒等用的應(yīng)用處理器Memory-eMCP基板FC-CSP基板多媒體設(shè)備等領(lǐng)域高端處理器芯片的封裝WB-CSP基板手機(jī)，平板電腦，機(jī)頂盒等用的應(yīng)用處理器Memory-eMCP基板應(yīng)用于手機(jī)、PC、服務(wù)器等設(shè)備中的嵌入式存儲(chǔ)芯片封裝Memory-MSD基板應(yīng)用于手機(jī)，導(dǎo)航，數(shù)碼相機(jī)，PAD，Laptop等設(shè)備中的Memory模塊RF基板應(yīng)用于手機(jī)、可穿戴設(shè)備中的RFFEM模塊等MEMS-SEN基板應(yīng)用于智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域的傳感器封裝MEMS-MIC基板應(yīng)用于智能手機(jī)、智能音箱、可穿戴和PC等設(shè)備中的微機(jī)電系統(tǒng)-麥克風(fēng)模組封裝?2025年上半年，公司封裝基板業(yè)務(wù)聚焦能力建設(shè)并加大市場(chǎng)拓展力度。RF基板應(yīng)用于手機(jī)、可穿戴設(shè)備中的RFFEM模塊等MEMS-SEN基板應(yīng)用于智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域的傳感器封裝MEMS-MIC基板應(yīng)用于智能手機(jī)、智能音箱、可穿戴和PC等設(shè)備中的微機(jī)電系統(tǒng)-麥克風(fēng)模組封裝產(chǎn)能力，22-26層產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)及打樣工作按期推進(jìn)。資料來(lái)源：興森科技官網(wǎng)，平安證券研究所資料來(lái)源：興森科技官網(wǎng)，平安證券研究所38?興森科技主營(yíng)業(yè)務(wù)聚焦于"先進(jìn)電子電路"和"數(shù)字制造"兩大戰(zhàn)略方向。受益于Tenting減成法、Msap改良半加成法和SAP半加成法工藝的持續(xù)精進(jìn)，公司具備了覆蓋先進(jìn)電子電路全類別產(chǎn)品的技術(shù)能力，產(chǎn)品包括傳統(tǒng)高多層PCB板、ATE半導(dǎo)體測(cè)試板、封裝基板（含CSP封裝基板和FCBGA封裝基板）、類載板（SLP）等，可為客戶提供研發(fā)-設(shè)計(jì)-制造-SMT貼裝的一站式服務(wù)。?公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)聚焦IC封裝基板業(yè)務(wù)的技術(shù)提升及市場(chǎng)拓展，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋存儲(chǔ)芯片、射頻芯片、應(yīng)用處理器芯片、傳感器芯片、CPU等。2025年上半年，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入8.31億元，同比增長(zhǎng)38.39%。其中，IC封裝基板業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入7.22億元，同比增長(zhǎng)36.04%，主要由CSP封裝基板業(yè)?CSP封裝基板業(yè)務(wù)聚焦存儲(chǔ)、射頻兩大主力方向并向汽車市場(chǎng)拓展，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)逐步向高附加值高單價(jià)的方向拓展。受益于存儲(chǔ)芯片行業(yè)復(fù)蘇和主要客戶份額提升，該業(yè)務(wù)產(chǎn)能利用率逐季提升。其中，廣州興科項(xiàng)目于2025年第二季度實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)，新擴(kuò)產(chǎn)能1.5萬(wàn)平方米/月將于2025年第三季度逐步投產(chǎn)。FCBGA封裝基板項(xiàng)目已在技術(shù)資料來(lái)源：安集科技官網(wǎng)，平安證券研究所資料來(lái)源：安集科技官網(wǎng)，平安證券研究所?安集科技專注于關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品矩陣涵蓋化學(xué)機(jī)械拋光液、功能性濕電子化學(xué)品和電鍍液及添加劑三大系列，廣泛應(yīng)用于集成電路制造和先進(jìn)封裝領(lǐng)域。公司圍繞液體與固體表面處理和高端化學(xué)品配方的核心技術(shù)持續(xù)投入，已在集成電路化學(xué)機(jī)械拋光液、高端功能性濕電子化學(xué)品和電化學(xué)沉積領(lǐng)域形成系統(tǒng)布局。目前，公司技術(shù)覆蓋集成電路制造中"拋光、清洗、沉積"三大關(guān)鍵工藝，產(chǎn)品可應(yīng)用于芯片前道制造及后道先進(jìn)封裝過(guò)程中的多個(gè)關(guān)鍵工序。?在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，安集科技展現(xiàn)出強(qiáng)勁的技術(shù)突破和市場(chǎng)拓展能力。2025年上半年，公司持續(xù)擴(kuò)大在先進(jìn)封裝用拋光液的技術(shù)布局，2.5D、3DTSV拋光液、混合鍵合拋光液和聚合物拋光液開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，在國(guó)內(nèi)客戶中作為首選供應(yīng)商協(xié)助打通技術(shù)路線。電鍍液及添加劑方面，公布線層（RDL）、異質(zhì)集成等關(guān)鍵技術(shù)。隨著本地化供應(yīng)進(jìn)展順利和銷售持續(xù)上量，公司助力國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展的同時(shí)，正逐步構(gòu)建自身在該細(xì)分市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。?銅及銅阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液?鎢化學(xué)機(jī)械拋光液?介電材料化學(xué)機(jī)械拋光液?基于二氧化鈰磨料的拋光液?襯底化學(xué)機(jī)械拋光液?用于新材料新工藝的化學(xué)機(jī)械拋光液鋁刻蝕后清洗液銅刻蝕后清洗液TiN硬掩模刻蝕后清洗液?CMP后清洗液?光刻膠剝離液光刻膠剝離液固化后聚酰亞胺(PI)去除助焊劑去除強(qiáng)化及提升電鍍高端產(chǎn)品系列戰(zhàn)略供應(yīng)?銅電鍍液及添加劑用于集成電路大馬士革工藝、硅通孔、先進(jìn)封裝凸點(diǎn)及再分布線等工藝?鎳電鍍液?用于先進(jìn)封裝凸點(diǎn)等工藝，產(chǎn)品批量量產(chǎn)?鎳鐵電鍍液用于先進(jìn)封裝等技術(shù)，產(chǎn)品已量產(chǎn)?錫銀電鍍液用于先進(jìn)封裝凸點(diǎn)工藝等資料來(lái)源：鼎龍股份2025年中報(bào)，平安證券研究所資料來(lái)源：鼎龍股份2025年中報(bào)，平安證券研究所40和晶圓光刻膠、半導(dǎo)體顯示材料、半導(dǎo)體先進(jìn)封裝材料三個(gè)核心細(xì)分板塊，并在傳統(tǒng)打印復(fù)印通用耗材業(yè)務(wù)領(lǐng)域進(jìn)行全產(chǎn)業(yè)鏈布局。在CMP材料方面，公司是國(guó)內(nèi)唯一一家全面掌握CMP拋光墊全流程核心研發(fā)技術(shù)和生產(chǎn)工藝的供應(yīng)商，確立了CMP拋光墊國(guó)產(chǎn)供應(yīng)龍頭地位，產(chǎn)品深度滲透國(guó)內(nèi)主流晶圓廠客戶并成為部分客戶的第一供應(yīng)商。在顯示材料領(lǐng)域，YPI、PSPI、TFE-INK產(chǎn)品已在客戶端規(guī)模銷售