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2021-2025北京高三二?;瘜W匯編

原子結構與元素性質章節(jié)綜合(魯科版)

一、單選題

1.(2025北京豐臺高三二模)我國首次制備出豐度超過99%的“Ni。^Ni經質子束流轟擊可費得具有放

射性的醫(yī)用核素"Cu。下列說法下更砸的是

A.Ni屬于d區(qū)元素

B.64Ni原子核內中子數(shù)是36

C.斜砧與'Cu互為同位素

D.'Ni經質子束流轟擊獲得&Cu的過程不屬于化學變化

2.(2025北京昌平高三二模)幾種短周期元素的原子半徑及主要化合價如下表:

元素代號XYZMR

原子半徑(xl()T°m)1.860.991.430.750.71

最高正價+1+7+3+5—

主要化合價

最低負價—-1—-3-1

下列說法不正確的是

A.M、R在同一周期

B.元素X和丫形成的化合物中含離子鍵

C.Y、Z形成的化合物具有兩性

D.以上5種元素中,電負性最強的是R

3.(2025北京海淀高三二模)下列化學用語或圖示表達正確的是

的電子式:H+[:C1:]'

B.HC1??

c.丙烯的結構簡式:c,H6

3d4s

D.基態(tài)Fe原子的價層電子軌道表示式:N|伯川IIE]

4.(2025北京西城高三二模)實驗室用生產發(fā)光二極管(LED)的廢料(主要成分為難溶于水的GaN,含少量

In、Mg)制備Ga?。-一種流程如下。

2mol-L'1泮

LED生產廢料蟠坦幽我「〃逆

8Cf濾液2

TK濾液1硫酸過濾

----------?

IIIIVc/CI八加熱

」()

GaOH3—Ga2O3

已知:Ga和In均為第IHA族元素,In難溶于NaOH溶液。

卜列說法不止確的是

A.Ga元素位于元素周期表的p區(qū)

80℃r『人

B.I中,GaN生成[Ga(OH)j-的反應:GaN+OH-+3H2O=[Ga(OH)4]+NH3T

C.從沉淀1中可以提取In和Mg

D.WI中,為使Ga(OH%充分沉淀,需加入過量的硫酸

5.(2024北京朝陽高三二模)最近,我國研究人員成功制備出高強度、高導電性、高耐熱的鋁一鋅一銃

(Al-Zr-Sc)合金材料,為提升我國綠色鋁產業(yè)深加工能力提供了支撐。下列說法不手聊的是

A.A1是地殼中含量最多的金屬元素

B.基態(tài)2iSc的簡化電子排布式是[Ar]3d24sl

C.Al-Zr-Sc合金具有高強度與合金的結構相關

D.Al-Zr-Sc合金的導電性與自由電子的運動相關

6.(2023北京西城高三二模)前四周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X原子為最外層電

子數(shù)是次外層的2倍,基態(tài)Y原子的價層電子排布式為2s22ptZ是第四周期主族元素中原子半徑最大的

元素,W與X同主族,下列說法不比硼的是

????

A.XY?的電子式:O:C:O:

????

B.x的基態(tài)原子的軌道表示式:回El111MI

Is2s2p

C.4丫2中陰、陽離子的個數(shù)比為1:2

D.W的單質可作半導體材料

7.(2023北京東城高三二模)Ga(錢)的穩(wěn)定同位素:Ga和;:Ga是顯示地表風化過程的一種指示劑。下列

說法不?正?確?的是

A.tGa和;;Ga的化學性質不相同

B.可用質譜法區(qū)分其a和;;Ga

C.Ga位于元素周期表中第四周期、第IIIA族

D.Ga的第一電離能大于K的第一電離能

8.(2024北京豐臺高三二模)用N,、表示阿伏加德羅常數(shù)。下列說法正確的是

A.ImolJH?含有冗鍵的數(shù)目為N.、

B.Imol基態(tài)Cr原子的未成對電子數(shù)為4N、

C.46gNO?和N2O)的混合氣體含有的原子數(shù)為3NA

D.2.24L(標準狀況)乙醇與足量Na充分反應,生成H?的分子數(shù)為0.05NA

9.(2024北京昌平高三二模)己知5、Cl、Se、Br在元素周期表中的位置如下圖所示。下列對事實解釋

止確的是

LEJ□

選項事實解釋

A常溫下,C%為氣體,Br?為液體鍵能:Cl2>Br2

BBrQ中Br顯正價電負性:Cl>Br

C原子半徑:S>CI最外層電子數(shù):S<C1

中有氫鍵

D穩(wěn)定性:H2S>H2SeH2s

A.AB.BC.CD.D

10.(2023北京西城高三二模)我國在可控核聚變研究上處于世界領先水平。核聚變原料的制備與核聚變

的產物如圖:

提取2口〕pH

海水-----??HI核聚變.

1r—>Son

;Li同巨大能量

下列說法不正確的是

A.;H、:H互為同位素B.;Li的中子數(shù)為3

C.元素的第一電離能:H>He>LiD.:H、:H的化學,生質基本相同

11.(2023北京房山高三二模)下列關于第IVA族元素及其化合物的性質比較中,不比硼的是

A.原子半徑:C<Si<Ge

B.電負性:C<Si<Ge

C.熱穩(wěn)定性:CH4>SiH4>GeH4

D.酸性:CH3COOH>H2CO3>H2SiO3

12.(2023北京海淀高三二模)匹種常見元素基態(tài)原子的結構信息如下表。下列大小關系不二學正確的是

元素XYZQ

結構信有5個原子軌道填充有電子,有3有8個不同運動狀2P能級上有2價電子排布式為

息個未成對電子態(tài)的電子個電子3dHMs

A.電負性:Y>XB.第一電離能:Y<X

C.單質的硬度:Z>QD.最高價含氧酸的酸性:X>Z

13.(2022北京房山高三二模)下列化學用語書寫正確的是

參考答案

1.C

【詳解】A.Ni元素價層電子排布式為:3d84s2,所以Ni屬于d區(qū)元素,A不符合題意;

B.原子中滿足:質子數(shù)+中子數(shù)=質量數(shù),"Ni的原子序數(shù)為28,64M原子的質量數(shù)為64,原子中滿

足:原子序數(shù)=核電荷數(shù)=質子數(shù)=核外電子數(shù),中中子數(shù)為64-28=36,所以&Ni的中子數(shù)為36,

B不符合題意;

C.同位素的定義是質子數(shù)相同,中子數(shù)不同的原子間互稱同位素,同位素一定是同種元素,而&Ni與

64Cu不是同一元素,所以不是同位素,C符合題意;

D.化學變化的最小粒子是原子,而64Ni經質子束流轟擊獲得&Cu是在原子核層面上發(fā)生的變化,其不屬

于化學變化,正確,D不符合題意;

故選C。

2.C

【分析】根據(jù)主族元素最高正價=最外層電子數(shù),最低負價的絕對值=8—最外層電子數(shù),還有原子半徑

的周期性變化規(guī)律,可以判斷出X:Na,Y元素有+7、-1價,則Y為Cl,Z的最高正化合價為+3,且原

子半徑大于C1元素,故Z為Al,M的最高正化合價為+5,最低負價位-3,旦原子半徑小于CI元素可知M

為N,R只有最低負價-1價,故R為F。

【詳解】A.由分析可知M、R分別為N、F,故M、R在同一周期,A正確;

B.元素X和Y分別為Na、Cl,可形成的化合物為NaCl含有離子鍵,B正確;

C.Y、Z形成的化合物為Ale)具有酸性而不具有兩性,C不正確;

D.以上5種元素中,電負性最強的是F元素,D正確;

故選C。

3.A

【詳解】A.Is電子云為球形,A正確;

??

B.HC1為共價化合物,電子式:H:C1:.B錯誤;

??

C.丙烯的結構簡式:CH2=CHCH,,C錯誤;

D.Fe是26號元素,F(xiàn)e原子的價層電子排布式為3dMs2,價層電子軌道表示式為

3d4s

Enunn]回,口錯曲

故選Ao

4.D

【分析】LED的廢料主要含有難溶于水的GaN,以及少量In、Mg金屬,已知Ga與In同族,且In難溶于

NaOH溶液,因此加入NaOH溶液發(fā)生的反應為:GaN+OH4-3H2O=[Ga(OH)4]+NHJ,則沉淀1

主要為In、Mg,濾液1主要為[Ga(OH)4「;向濾液1中加入硫酸,得到Ga(OH”沉淀,濾液2主要成分

為Na2so4,加熱Ga(0H)3分解生成GaKh。

【詳解】A.元索周期表的p區(qū)是指最外層電子填充在p軌道上的元素組成的區(qū)域,包括第H1A族,Ga元

素位于元素周期表第IHA族,屬于p區(qū),A正確;

801C

-

B.由分析可知,步驟I中GaN生成[Ga(0H)1的反應:GaN+OH+3H2O[Ga(OH)4]+NH,TB

正確;

C.由分析可知,沉淀I主要為In、Mg,故從沉淀1中可以提取In和Mg,C正確;

D.Ga(0H)3是兩性氫氧化物,因此若硫酸過量,Ga(0H)3會與過量硫酸反應而溶解,不能得到Ga(0H)3沉

淀,所以不能加入過量硫酸,D錯誤;

故答案選Do

5.B

【詳解】A.Al元素是地殼中含量最多的金屬元素,A正確;

B.Sc為21號元素,基態(tài)Nc的葡化電子排布式是[Ar]3dzs2,B錯誤;

C.物質的性質決定物質的用途,Al-Zr-Sc合金具有高強度與合金的結構相關,C正確;

D.電了?的定向移動形成電流,Al-Zr-Sc合金的導電性與自由電子的運動相關,D正確;

故選Bo

6.A

【分析】前四周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X原子的最外層電子數(shù)是次外層的2

倍,則X為C與水:基態(tài)Y原子的價層電子排布式為2s?2p4,則Y為0元素:Z是第四周期主族元素中

原子半徑最大的元素,則Z為K元素:W與X同主族,則W為Ge元素。

【詳解】

A.二氧化碳是含有碳氧雙鍵的共價化合物,電子式為0::C::0,故A錯誤;

B.碳元素的原子序數(shù)為6,基態(tài)原子的電子排布式為Is22s22P%軌道表示式為回回EEO,

Is2s2p

故B正確:

C.過氧化鉀是離子化合物,化合物中過氧根離子和鉀離子的個數(shù)比為1:2,故C正確;

D.錯位于元素周期表中金屬和非金屬分界線附近,單質可作半導體材料,故D正確;

故選Ao

7.A

【詳解】A.[Ga和;:Ga為同位素,化學性質幾乎完全相同,但物理性質有所差異,故A錯誤;

B.質譜法可以測相對分子量,由于同位素的相對質量不同,可用質譜法區(qū)分;;Ga和;;Ga,故B正確;

C.Ga位于元素周期表第四周期第HIA族,故C正確;

D.同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,Ga的第一電離能大于K的第一電離

能,故D正確:

故選:Ao

8.C

【詳解】A.1個C2H2分子中含有1個碳碳三鍵,I個碳碳三鍵有2個冗鍵,因此ImolC2H2含有兀鍵的

數(shù)目為2N,、,故A錯誤;

B.基態(tài)Cr原子的價電子排布為3d54s1,因此Imol基態(tài)Cr原子的未成對電子數(shù)為6N,\,故B錯誤;

C.46gNC>2和N2。,的混合氣體的最簡式為NO?,含有Imol氮原子、2moi氧原子,總共含有3moi原子,

含有原子的數(shù)目為3NA,故C正確;

D.標準狀況下乙醇不是氣體,因此無法利用氣體摩爾體積算得乙醇的物質的量.故D錯誤:

故答案為:C。

9.B

【分析】本題考查的是位構性的相關知識點;

硫和氯同周期,硒和溟同周期;

硫和硒同主族,氯和浜同主族;

【詳解】A.常溫下,02是氣體,Bn是液體,可以得到B門的沸點高,與鍵能無關,A錯誤;

B.BrO中Br顯正價,說明Br和C1間共用電子對向C1偏移,C1對鍵合電子的吸引力大,電負性大,B

正確;

C.S和C1電子層數(shù)相同,核電荷數(shù)C1大,對核外電子吸引力。大,半徑小,故半徑:S大于CLC錯

誤;

D.硫的非金屬性強于硒,故穩(wěn)定性硫化氫強于氯化氫,與氫鍵無關,D錯誤;

故選B。

10.C

【洋解】A.;H、:H的質子數(shù)相同,中子數(shù)不同,是H元素的不同原子,互為同位素,故A正確:

B.;Li的中子數(shù)為(6-3)=3,故B正確;

C.元素的第一電離能:Hc>H>Li,故C錯誤;

D.;H、:H的質子數(shù)相同,核外電子數(shù)相同,原子結構相同,化學性質相似,故D正確;

故選:Co

11.B

【詳解】A.原子半徑同主族從上往下依次增大,則原子半徑C<Si<Gc,A項正確;

B.第IVA族元素中C的電負性最大,B項錯誤;

C.非金屬性越強,簡單氫化物穩(wěn)定性越強,非金屬性C>Si>Ge,則熱穩(wěn)定性CH4>SiH>GeH4,C項正

確;

D.酸性CH3COOH>H2CO3>H2SiO3,D項正確。

答案選B。

12.C

【分析】X由有5個原子軌道填充有電子,有3個未成對電子,可知X的核外電子排布式為Is22s22P3,X

為N;Y有8個不同運動狀態(tài)的電子,則Y有8個核外電子,Y為O;Z的核外電子排布式為Is22s22P-

則Z為C;Q的價電子排布式為3&04SI則Q為Cu。

【詳解】A.同周期從左到右電負性依次增大,則電負性0>N,A項正確;

B.N為半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,第一電離能大于O,B項正確:

C.C有多種同素異形體,比如金剛石、石墨等,石墨的硬度小于Cu,而金剛石的硬度大于Cu,C項不一

定正確:

D.N的最高價含氧酸為HNCh,C的最高價含氧酸為H2co3,酸性HNCh>H2co3,D項正確。

答案選C。

13.B

【詳解】

A.過氧化鈉是離子化合物,電子式是Na+[:O:O:]2-Na+,故A錯誤;

HH

B.乙烷中碳碳以單鍵連接,碳的其它鍵都與H原子連接,結構式是H—C—C-H故B正確;

HH

Is2s2p

C.根據(jù)洪特規(guī)則,基態(tài)磷原子的軌道表示式TtlfTtlfTWt

錯誤;

D.中子數(shù)為7的碳原子,質量數(shù)是13,該原子表示為故D錯誤;

選B。

14.D

【分析】X、Y都是短周期元素;元素X的h?l2,X原子最外層有1

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