(12)發(fā)明專(zhuān)利62/827,7132019.04.01USH01L21/306(2006.01)CN105719965一種具有提高的蝕刻選擇性的襯底加工方法包括：用于在階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜的第一操中第一氣氛被設(shè)定成縮短等離子體離子的平均自由路徑并且使得所述等離子體離子不具有方鍵合結(jié)構(gòu)(N秒)否是21.一種襯底加工方法，其包含：用于在階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜的第一操作，所述階梯式結(jié)構(gòu)具有頂部表面、底部表面和連接所述頂部表面和所述底部表面的側(cè)表面，其中第一氣氛被設(shè)定成縮短等離子體離子的平均自由路徑并且使得所述等離子體離子不具有方向性；和用于改變所述膜的一部分的鍵合結(jié)構(gòu)的第二操作，其中第二氣氛被設(shè)定成使得所述等離子體離子具有方向性；其中所述第一操作重復(fù)多次，所述第二操作執(zhí)行預(yù)定時(shí)間段，所述第一操作和所述第二操作形成成組循環(huán)，并且所述成組循環(huán)重復(fù)多次，其中，所述方法還包括對(duì)通過(guò)執(zhí)行所述成組循環(huán)多次形成的所述膜執(zhí)行各向同性蝕其中在成組循環(huán)中，所述第一操作執(zhí)行m次，所述第二操作執(zhí)行n秒，并且調(diào)節(jié)n與m的比率以通過(guò)所述各向同性蝕刻控制剩余膜的輪廓，在第一操作和第二操作期間，氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體供給，并且在第二操作中供應(yīng)的氮?dú)獾牧啃∮谠诘谝徊僮鞴?yīng)的氮?dú)獾牧?，第一氣氛的溫度高于第二氣氛的溫度?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底加工方法，其中，在所述各向同性蝕刻期間，在所述膜的鍵合結(jié)構(gòu)已改變的部分與所述膜的另外剩余部分之間實(shí)現(xiàn)蝕刻選擇性。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底加工方法，其中，在所述第二操作期間，所述膜的所述部分的所述鍵合結(jié)構(gòu)通過(guò)所述等離子體離子的離子轟擊效應(yīng)弱化。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底加工方法，其中所述等離子體離子具有垂直于所述階梯式結(jié)構(gòu)的所述頂部表面和所述底部表面的方向性，使得在所述各向同性蝕刻之后，在所述階梯式結(jié)構(gòu)的所述頂部和底部表面上形成的所述膜的一部分被去除，并且在所述階梯式結(jié)構(gòu)的所述側(cè)表面上形成的所述膜的一部分保5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底加工方法，其中所述第一氣氛的壓力高于所述第二氣氛的壓力。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底加工方法，其中所述第一氣氛中的等離子體功率低于所述第二氣氛中的等離子體功率。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底加工方法，其中所述第一操作包含：供應(yīng)第一氣體；供應(yīng)第二氣體并且執(zhí)行第一等離子體處理以形成所述膜。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底加工方法，其中所述第二操作包含對(duì)所述膜執(zhí)行第二等離子體處理。執(zhí)行成組循環(huán)多次以形成膜；以及3在所述膜上執(zhí)行各向同性蝕刻，其中所述成組循環(huán)包含：用于執(zhí)行第一等離子體處理以在階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜的第一操作，所述階梯式結(jié)構(gòu)具有頂部表面、底部表面和連接所述頂部表面和所述底部表面的側(cè)表面；和用于對(duì)所述膜執(zhí)行第二等離子體處理的第二操作，調(diào)節(jié)n與m的比率以通過(guò)所述各向同性蝕刻控制剩余膜的輪廓，所述第一操作執(zhí)行多次，在第一操作和第二操作期間，氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體供給，并且在第二操作中供應(yīng)的氮?dú)獾牧啃∮谠诘谝徊僮鞴?yīng)的氮?dú)獾牧?，第一氣氛的溫度高于第二氣氛的溫度?0.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底加工方法，其中，在所述第一等離子體處理期間，反應(yīng)空間的壓力維持在第一壓力下，并且在所述第二等離子體處理期間，所述反應(yīng)空間的壓力維持在低于所述第一壓力的第二壓力下。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底加工方法，其中在所述第一等離子體處理期間供應(yīng)的功率低于在所述第二等離子體處理期間供應(yīng)的功率。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底加工方法，其進(jìn)一步包含在所述成組循環(huán)執(zhí)行多次之后，執(zhí)行各向同性蝕刻以將所述階梯式結(jié)構(gòu)上的所述膜的一部分去除，從而暴露所述階梯式結(jié)構(gòu)的表面。4制造半導(dǎo)體裝置的方法[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002]本申請(qǐng)要求2019年4月1日在美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/827,713號(hào)的權(quán)益，所述臨時(shí)申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域[0003]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法，并且更具體地說(shuō)，涉及制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法能夠提高在階梯式結(jié)構(gòu)上形成的膜的蝕刻選擇性。背景技術(shù)[0004]在用于制造裝置的工藝(其中在襯底上形成微電路)中，使用用于在具有階梯的結(jié)構(gòu)上形成薄膜的技術(shù)。具體地說(shuō)，如三維半導(dǎo)體裝置的高密度集成電路包括溝槽結(jié)構(gòu)或階梯式結(jié)構(gòu)，并且薄膜需要在所述結(jié)構(gòu)的所選區(qū)域上形成。發(fā)明內(nèi)容[0005]本公開(kāi)提供在具有高縱橫比的階梯式結(jié)構(gòu)上形成具有高蝕刻選擇性的沉積膜，以在不執(zhí)行光刻工藝的情況下通過(guò)同向蝕刻工藝使所述膜圖案化的襯底加工方法。[0006]本公開(kāi)提供能夠控制在階梯式結(jié)構(gòu)上形成的沉積膜的輪廓的襯底加工方法。[0007]其它方面將在下面的描述中部分地闡述，并且部分地將從描述中顯而易見(jiàn)，或可以通過(guò)實(shí)踐所呈現(xiàn)的實(shí)施例而了解。[0008]根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的一方面，襯底加工方法包括：用于在階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜的第一操作，所述階梯式結(jié)構(gòu)具有頂部表面、底部表面和連接頂部表面和底部表面的側(cè)表面，其中第一氣氛被設(shè)定成縮短等離子體離子的平均自由路徑并且使得等離子體離子不具有方向性；和用于改變膜的一部分的鍵合結(jié)構(gòu)的第二操作，其中第二氣氛被設(shè)定成使得等離子體離子具有方向性，其中第一操作重復(fù)多次，第二操作執(zhí)行預(yù)定時(shí)間段，第一操作和第二操作形成成組循環(huán)，并且成組循環(huán)重復(fù)多次。[0009]根據(jù)襯底加工方法的一實(shí)例，襯底加工方法可以進(jìn)一步包括對(duì)通過(guò)執(zhí)行成組循環(huán)多次形成的膜執(zhí)行各向同性蝕刻。[0010]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，在各向同性蝕刻期間，可以實(shí)現(xiàn)在沉積膜的鍵合結(jié)構(gòu)已改變的部分與沉積膜的另一部分之間的蝕刻選擇性。[0011]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，在成組循環(huán)中，第一操作可以執(zhí)行m次，第二操作可以執(zhí)行n秒，并且可以調(diào)節(jié)n與m的比率以通過(guò)各向同性蝕刻控制剩余膜的輪廓。[0012]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，在第二操作期間，膜的所述部分的鍵合結(jié)構(gòu)可以通過(guò)等離子體離子的離子轟擊效應(yīng)弱化。[0013]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，等離子體離子可以具有垂直于階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面的方向性，使得在各向同性蝕刻之后，在頂部表面和底部表面上形成的膜的一部分被去除，并且側(cè)表面上的膜的一部分保留。5[0014]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，第一氣氛的壓力可以高于第二氣氛中的壓力。[0015]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，第一氣氛中的等離子體功率可以低于第二氣氛中的等離子體功率。[0016]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，第一氣氛的溫度可以高于第二氣氛中的溫度。[0017]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，第一操作可以包括：供應(yīng)第一氣體；吹掃第一氣體；和供應(yīng)第二氣體并且執(zhí)行第一等離子體處理以形成膜。[0018]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，第二操作可以包括對(duì)膜執(zhí)行第二等離子體處理。[0019]根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的另一方面，襯底加工方法包括：供應(yīng)第一源氣體；吹掃第一源氣體；供應(yīng)第一反應(yīng)氣體并且執(zhí)行第一等離子體處理，以形成第一膜；將第二源氣體供應(yīng)到第一膜上；吹掃第二源氣體；供應(yīng)第二反應(yīng)氣體并且執(zhí)行第二等離子體處理，以在第一膜上形成第二膜；以及對(duì)第一膜和第二膜的至少一部分執(zhí)行第三等離子體處理，其中第一膜和第二膜形成包括相同材料的膜。[0020]根據(jù)襯底加工方法的一實(shí)例，襯底加工方法可以進(jìn)一步包括：將第三源氣體供應(yīng)到第二沉積膜上；供應(yīng)第三反應(yīng)氣體并且執(zhí)行第四等離子體處理，以在第二膜上形成第三膜；以及對(duì)第三膜執(zhí)行第五等離子體處理，其中第一膜、第二膜和第三膜形成包含相同材料[0021]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，膜可以形成在具有頂部表面、底部表面和連接頂部表面和底部表面的側(cè)表面的階梯式結(jié)構(gòu)上，并且在頂部表面和底部表面上形成的膜的一部分的鍵合結(jié)構(gòu)可以通過(guò)第三等離子體處理和第五等離子體處理弱化。[0022]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，第一等離子體處理、第二等離子體處理和第四等離子體處理可以在第一壓力下執(zhí)行，并且第三等離子體處理和第五等離子體處理可以在低于第一壓力的第二壓力下執(zhí)行。[0023]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，在第一等離子體處理、第二等離子體處理和第四等離子體處理期間，可以供應(yīng)第一功率，并且在第三等離子體處理和第五等離子體處理期間，可以供應(yīng)高于第一功率的第二功率。[0024]根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的另一方面，襯底加工方法包括：執(zhí)行成組循環(huán)多次，其中成組循環(huán)包含：用于執(zhí)行第一等離子體處理，以在具有頂部表面、底部表面和連接頂部表面和底部表面的側(cè)表面的階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜的第一操作；和用于對(duì)膜執(zhí)行第二等離子體處理的第二操作，其中在成組循環(huán)期間，第一操作執(zhí)行多次。[0025]根據(jù)襯底加工方法的一實(shí)例，在第一等離子體處理期間，反應(yīng)空間的壓力可以維持在第一壓力下，并且在第二等離子體處理期間，反應(yīng)空間的壓力可以維持在低于第一壓力的第二壓力下。[0026]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，在第一等離子體處理期間供應(yīng)的功率可以低于在第二等離子體處理期間供應(yīng)的功率。[0027]根據(jù)襯底加工方法的另一實(shí)例，襯底加工方法可以進(jìn)一步包括，在成組循環(huán)執(zhí)行多次之后，執(zhí)行各向同性蝕刻以將階梯式結(jié)構(gòu)上的膜的一部分去除以暴露階梯式結(jié)構(gòu)的表6附圖說(shuō)明[0028]從以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中，這些和/或其它方面將變得顯而易見(jiàn)并且更容易理解，在附圖中：[0029]圖1是示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法的流程[0030]圖2和3示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法；[0031]圖4示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法；[0032]圖5示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法；[0033]圖6展示可以在圖5的襯底加工方法中出現(xiàn)的特征；[0034]圖7和8示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法；[0035]圖9展示在執(zhí)行根據(jù)圖7和圖8的實(shí)施例的襯底加工方法之后的狀態(tài)；[0036]圖10展示在沉積薄膜并且根據(jù)各種條件執(zhí)行濕法蝕刻之后的狀態(tài)；[0037]圖11展示一種狀態(tài)，其中薄膜結(jié)構(gòu)的輪廓通過(guò)改變條件控制；并且[0038]圖12示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法。具體實(shí)施方式[0039]現(xiàn)在將詳細(xì)參考實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出，其中通篇相同附圖標(biāo)記指代相同元件。在這方面，本發(fā)明的實(shí)施例可以具有不同的形式，并且不應(yīng)被理解為限于本文所闡述的描述。因此，下文僅通過(guò)參考圖式描述實(shí)施例來(lái)闡明本說(shuō)明書(shū)的各方面。如本文所用，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任何和所有組合。在元件之前時(shí)，如“中的至少一個(gè)”的表述修飾整個(gè)元素列表，并且不修飾列表的個(gè)別元件。[0040]在下文中，將參考附圖描述本公開(kāi)的實(shí)施例。[0041]提供本公開(kāi)的實(shí)施例以允許本領(lǐng)域普通技術(shù)人員完全理解本公開(kāi)。然而，實(shí)施例可以許多不同形式實(shí)施，并且本公開(kāi)的范圍不應(yīng)被理解為限于本文所闡述的實(shí)施例。實(shí)際上，提供這些實(shí)施例，從而使得本公開(kāi)將是透徹且完整的，并且將本公開(kāi)的概念完全傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。[0042]本文所用的術(shù)語(yǔ)僅出于描述特定實(shí)施例的目的，并且不旨在限制本公開(kāi)。如本文所用，除非上下文另外明確指示，否則單數(shù)形式“一(a/an)”和“所述”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)進(jìn)一步理解，在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“包含(comprises/comprising)”指定所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在或添加。如本文所用，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任何和所有組合。分和/或組件，但這些部件、區(qū)域、層、部分和/或組件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些組件不指示特定順序或優(yōu)越性，但僅用于區(qū)分一個(gè)部件、區(qū)域、層、部分或組件與另一者。因此，在不脫離本公開(kāi)的教示內(nèi)容的情況下，第一部件、區(qū)域、部分或組件可以指示第二部件、區(qū)域、部分或組件。[0044]在本說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“氣體”可以包括蒸發(fā)的固體和/或液體，并且可以是單一氣體或氣體混合物。在本說(shuō)明書(shū)中，經(jīng)噴淋頭引入到反應(yīng)室中的工藝氣體可以包括前體氣體和7添加氣體。前體氣體和添加氣體可以通常以混合氣體的形式引入到反應(yīng)空間中或可以獨(dú)立地引入到反應(yīng)空間中。前體氣體可以與運(yùn)載氣體，如惰性氣體一起引入。添加氣體可以包括反應(yīng)氣體和稀釋氣體，如惰性氣體。反應(yīng)氣體和稀釋氣體可以混合并且引入到反應(yīng)空間中，或可以獨(dú)立地引入到反應(yīng)空間中。前體可以包括兩種或更多種前體，并且反應(yīng)氣體可以包括兩種或更多種反應(yīng)氣體。前體是化學(xué)吸附到襯底上并且通常含有形成介電膜基質(zhì)主要結(jié)構(gòu)的類(lèi)金屬或金屬原子的氣體，并且用于沉積的反應(yīng)氣體是當(dāng)氣體被激發(fā)時(shí)與化學(xué)吸附到襯底上的前體反應(yīng)以將原子層或單層形成到襯底上的氣體。“化學(xué)吸附”是指化學(xué)飽和吸附。除工藝氣體外的氣體，即除經(jīng)噴淋頭外引入的氣體可以用來(lái)密封反應(yīng)空間。氣體包括密具有針孔以便覆蓋目標(biāo)的全部區(qū)域或與目標(biāo)相關(guān)的部分表面的層，或僅覆蓋目標(biāo)或與目標(biāo)型層或非膜結(jié)構(gòu)。膜或?qū)涌梢允蔷哂心承┨卣鞯膯我徊贿B續(xù)膜或?qū)?，或可以包括多個(gè)膜或?qū)?。相鄰膜或?qū)又g的邊界可以是清楚的或不清楚的，并且可以基于物理特征、化學(xué)特征和/或其它類(lèi)型的特征、成形工藝或成形序列和/或相鄰膜或?qū)拥墓δ芑蚰康脑O(shè)定。[0045]在本說(shuō)明書(shū)中，短語(yǔ)“含有Si—N鍵”具有大體上由一個(gè)或多個(gè)Si—N鍵形成的主框架，和/或大體上由一個(gè)或多個(gè)Si—N鍵形成的取代基。氮化硅層可以是含有Si—N鍵的介電層，并且可以包含氮化硅層(SiN)和氮氧化和第二層都是氮化硅層并且由相同材料形成時(shí)，第一層可以選自由Si?N、SiN、Si?N4以及Si?N?組成的組并且第二層也可選自相同組，但詳細(xì)地說(shuō)，第二層的膜材料可以不同于第一層的膜材料。[0047]另外，在本說(shuō)明書(shū)中，如根據(jù)可執(zhí)行范圍可以基于日常操作來(lái)確定，兩個(gè)參數(shù)可以構(gòu)成可執(zhí)行范圍，并且指定范圍可以包括或排除端點(diǎn)。另外，一些指定參數(shù)的值(不論值是否由“約”指定)可以指精確值或近似值，并且可以[0048]在本說(shuō)明書(shū)中，當(dāng)未指定條件和/或結(jié)構(gòu)時(shí)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以容易地將這些條件和/或結(jié)構(gòu)提供為慣用實(shí)驗(yàn)的問(wèn)題。在所有公開(kāi)的實(shí)施例中，在一個(gè)實(shí)施例中所使用的組件包括出于預(yù)期目的在本文中明確、必定或本質(zhì)上公開(kāi)的組件，并且因此可以由等效于所述組件的組件中的任一個(gè)替換。此外，本公開(kāi)同樣適用于裝置和方法。[0049]在下文中，將參考圖式描述根據(jù)本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例。在圖式中，預(yù)期作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果的圖示的形狀變化。因此，本公開(kāi)的實(shí)施例不應(yīng)被理解為限于本文所示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。[0050]圖1是示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法的流程[0051]參考圖1,可以在第一操作S110中在第一氣氛中形成膜。膜可以形成在階梯式結(jié)構(gòu)上。即，膜可以形成在具有頂部表面、底部表面和連接頂部表面和底部表面的側(cè)表面的階梯式結(jié)構(gòu)上。階梯式結(jié)構(gòu)可以是具有高縱橫比的結(jié)構(gòu)，并且縱橫比可以是例如寬度：高度=1:10或更大。為了在具有高縱橫比的階梯式結(jié)構(gòu)上形成共形沉積膜，可以使用原子層沉積8[0052]其中形成沉積膜的第一氣氛可以被設(shè)定，以使得等離子體離子的平均自由路徑縮短，并且等離子體離子不具有方向性(即，使得等離子體離子的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)增加)。第一氣氛可以促成在具有高縱橫比的階梯式結(jié)構(gòu)上形成共形沉積膜。為了實(shí)現(xiàn)第一氣氛，可以產(chǎn)生高壓(例如，10托到20托)氣氛。根據(jù)另一實(shí)施例，為了實(shí)現(xiàn)第一氣氛，可以產(chǎn)[0053]在階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜的第一操作S110可以包括執(zhí)行第一等離子體處理的操作。更具體地說(shuō)，第一操作S110可以包括供應(yīng)第一氣體的操作、吹掃第一氣體的操作、供應(yīng)第二氣體的操作和執(zhí)行第一等離子體處理的操作，以及吹掃第二氣體的操作。當(dāng)執(zhí)行第一等離子體處理時(shí)，可以激發(fā)第二氣體，并且具有反應(yīng)性的第二氣體可以與第一氣體反應(yīng)以形成膜。[0054]第一氣體(其為源氣體)可以包括化學(xué)吸附在襯底上的材料。第二氣體可以包括與第一氣體具有反應(yīng)性的材料，尤其是在等離子體氣氛下與第一氣體具有反應(yīng)性的材料。根據(jù)一選擇性實(shí)施例，供應(yīng)第二氣體的操作和執(zhí)行第一等離子體處理的操作可以同時(shí)執(zhí)行。[0055]在第一氣氛下在階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜的操作(即，第一操作S110)可以執(zhí)行多次(例如，M次)。更具體地說(shuō)，成組循環(huán)GC可以執(zhí)行多次以沉積膜，并且在每個(gè)成組循環(huán)GC期間，第一操作S110可以執(zhí)行多次。第一操作S110的重復(fù)數(shù)目與在后續(xù)第二操作S120中設(shè)定的第二氣氛相關(guān)。換句話(huà)說(shuō)，第一操作S110可以重復(fù)地執(zhí)行預(yù)定次數(shù)(即，M次),以形成具有適于等離子體處理的厚度的膜，所述等離子體處理將在第二氣氛中執(zhí)行。[0056]在第一操作S110執(zhí)行多次之后，可以執(zhí)行改變膜的一部分的鍵合結(jié)構(gòu)的第二操作S120。在第二操作S120期間，可以對(duì)膜執(zhí)行第二等離子體處理以改變膜的一部分的鍵合結(jié)構(gòu)。應(yīng)注意，在第二操作S120期間的第二等離子體處理不同于在第一操作S110期間已執(zhí)行的第一等離子體處理。第二操作S120可以在第二氣氛中執(zhí)行，并且第二氣氛可以被設(shè)定，以使得等離子體離子具有方向性。相比之下，第一操作S110可以在第一氣氛中執(zhí)行，并且第一氣氛可以被設(shè)定，以使得等離子體離子不具有方向性。[0057]在第二操作S120期間供應(yīng)的具有方向性的等離子體離子可以改變膜的一部分的鍵合結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)在具有縱橫比的階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜時(shí)，等離子體離子的方向性可以被設(shè)定成朝向階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面或底部表面。在這種情況下，等離子體離子可以改變?cè)陔A梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面或底部表面上形成的膜的鍵合結(jié)構(gòu)。相比之下，具有方向性的等離子體離子對(duì)在階梯式結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上形成的膜的鍵合結(jié)構(gòu)可以具有極小的影響。[0058]由等離子體離子引起的膜的部分的鍵合結(jié)構(gòu)的變化可以是鍵合結(jié)構(gòu)的弱化(參見(jiàn)圖2)或鍵合結(jié)構(gòu)的致密化(參見(jiàn)圖3)。在下文中，將假定鍵合結(jié)構(gòu)的弱化，更詳細(xì)地描述本公開(kāi)的實(shí)施例。[0059]在第二操作S120期間，膜的部分的鍵合結(jié)構(gòu)可以通過(guò)等離子體離子的離子轟擊效應(yīng)弱化。更具體地說(shuō)，等離子體離子可以具有垂直于階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面的方向性。因此，可以弱化膜的頂部表面和底部表面的鍵合結(jié)構(gòu)。因此，在后續(xù)同性蝕刻操作S140中，在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜可以被去除，并且在階梯式結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上形成的膜可以保留。[0060]在第二操作S120期間，可以供應(yīng)與第一操作S110中供應(yīng)的第二氣體(例如，反應(yīng)氣9體)具有相同材料的氣體。第二操作S120中的氣體供應(yīng)條件可以不同于第一操作S110中的氣體供應(yīng)條件。舉例來(lái)說(shuō)，氮?dú)饪梢栽诘谝徊僮鱏110和第二操作S120期間作為反應(yīng)氣體供應(yīng)。在這種情況下，在第二操作S120中供應(yīng)的氮?dú)獾牧靠梢孕∮谠诘谝徊僮鱏110中供應(yīng)的氮?dú)獾牧?。此外，在第二操作S120中供應(yīng)的氮?dú)獾臏囟瓤梢缘陀谠诘谝徊僮鱏110中供應(yīng)的氮?dú)獾臏囟?。此外，施加到在第二操作S120中供應(yīng)的氮?dú)獾牡入x子體功率可以低于在第一操作S110中供應(yīng)的氮?dú)獾牡入x子體功率。[0061]在這種供應(yīng)條件下，如上文所描述，在第一操作S110中，反應(yīng)氣體(例如，氮?dú)?的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)可以增加，以在水平和豎直方向兩者上形成均一質(zhì)量的膜，而在第二操作S120中，反應(yīng)氣體(例如，氮?dú)?的方向性可以增加，以在豎直方向上改變膜(即，在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜)的鍵合結(jié)構(gòu)。[0062]為了增加第一操作S110中的反應(yīng)氣體的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)，可以在第一等離子體處理期間將反應(yīng)空間的壓力維持在第一壓力(例如，高壓)下。相比之下，為了使反應(yīng)氣體的運(yùn)動(dòng)在第二操作S120中具有方向性，可以在第二等離子體處理期間將反應(yīng)空間的壓力維持在低于第[0063]此外，為了使反應(yīng)氣體在第一操作S110中受功率影響較小(即，使等離子體離子不具有方向性),在第一等離子體處理期間供應(yīng)的功率可以維持在第一功率值(例如，低功率值)下。相比之下，為了使反應(yīng)氣體在第二操作S120中受功率影響較大(即，使等離子體離子具有方向性),在第二等離子體處理期間供應(yīng)的功率可以維持在高于第一功率值的第二功[0064]在一些替代實(shí)施例中，為了在第二操作S120期間改變沉積膜的鍵合結(jié)構(gòu)，可以將包括氫的氣體(例如，含氫氮?dú)?供應(yīng)到反應(yīng)空間中。通過(guò)使用包括氫的氣體執(zhí)行等離子體處理，更多Si-H鍵可以形成在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜中，并且因此在后續(xù)蝕刻加工期間，濕法蝕刻速率(WER)可以在膜的對(duì)應(yīng)部分處提高。[0065]在第一氣氛中執(zhí)行多次的第一操作S110和在第二氣氛中執(zhí)行預(yù)定時(shí)間段(例如，N秒)的第二操作S120可以被定義為成組循環(huán)GC,并且成組循環(huán)GC可以重復(fù)執(zhí)行。換句話(huà)說(shuō)，在執(zhí)行成組循環(huán)GC之前，在操作S100中可以將X值設(shè)定成1,并且當(dāng)執(zhí)行包括第一操作S110[0066]其后，可以在通過(guò)執(zhí)行成組循環(huán)GC多次所形成的膜上執(zhí)行各向同性蝕刻操作有薄膜的襯底)浸漬到液體蝕刻溶液中以蝕刻襯底表面的濕法蝕刻。因?yàn)闈穹ㄎg刻是各向同性蝕刻，所以各向同性蝕刻可能不會(huì)極大地影響在階梯式結(jié)構(gòu)上形成的膜的選擇性蝕[0067]在各向同性蝕刻操作S140期間，可以實(shí)現(xiàn)膜的鍵合結(jié)構(gòu)已改變的部分和膜的其它部分之間的蝕刻選擇性。換句話(huà)說(shuō)，通過(guò)在階梯式結(jié)構(gòu)上形成膜的第一操作S110之后執(zhí)行將等離子體施加到膜的第二操作S120,階梯式結(jié)構(gòu)上的膜的一些部分的鍵合結(jié)構(gòu)可以改變，并且因此，在各向同性蝕刻期間，膜的一些部分可以被去除，并且膜的其它部分可以保留。因?yàn)殡A梯式結(jié)構(gòu)上的膜的一些部分被去除，所以階梯式結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)表面可以暴露。因此，可以通過(guò)后續(xù)蝕刻工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)沉積膜的選擇性蝕刻。因此，可以在不執(zhí)行額外光刻工藝的情況下在階梯式結(jié)構(gòu)的區(qū)域上形成圖案化膜。[0068]根據(jù)一替代實(shí)施例，在成組循環(huán)GC中，第一操作S110可以執(zhí)行M次，第二操作S120可以執(zhí)行N秒，并且可調(diào)節(jié)M與N的比率以通過(guò)各向同性蝕刻控制剩余沉積膜的輪廓。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)相對(duì)于M值增加N值，在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜與在階梯式結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上形成的膜之間的蝕刻選擇性可以增加。通過(guò)調(diào)節(jié)蝕刻選擇性，可以調(diào)節(jié)階階梯式結(jié)構(gòu)的底部表面上的沉積膜的輪廓。[0069]因此，根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例，第一操作和第二操作可以形成成組循環(huán)，并且所述成組循環(huán)可以執(zhí)行多次，而非執(zhí)行在階梯式結(jié)構(gòu)上形成具有a納米的厚度的膜的第一操作和對(duì)所述膜執(zhí)行等離子體處理b秒的第二操作一次。換句話(huà)說(shuō)，在階梯式結(jié)構(gòu)上形成具有c納米(c<a)的厚度的膜的第一操作，和對(duì)所述膜執(zhí)行等離子體處理d秒(d<b)的第二操作可以執(zhí)行x次(x>1)。因此，可以提高在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜與在階梯式結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上形成的膜之間的蝕刻選擇性。[0070]圖2和圖3示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法。根據(jù)實(shí)施例的襯底加工方法可以是根據(jù)上述實(shí)施例的襯底加工方法的經(jīng)修改實(shí)例。在下文[0071]參考圖2,在對(duì)沉積膜執(zhí)行等離子體處理的第二操作S120期間，可以通過(guò)在第二氣氛中具有方向性的等離子體離子來(lái)弱化膜的鍵合結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)使用低壓和高等離子體功率的條件，可以通過(guò)活性物種的離子轟擊效應(yīng)而來(lái)弱化在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜的鍵合結(jié)構(gòu)。根據(jù)另一實(shí)例，氫活性物種可以由因第二氣氛的反應(yīng)條件在反應(yīng)空間中存在的氣體產(chǎn)生，并且氫活性物種可以具有與在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜碰撞的方向性，使得可以弱化沉積膜的對(duì)應(yīng)部分的鍵合結(jié)構(gòu)。[0072]因此，在后續(xù)各向同性蝕刻操作S140期間，膜的弱化部分(例如，在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜)可以被去除，并且其它部分可以保留，從而實(shí)現(xiàn)選擇性蝕刻。根據(jù)一些實(shí)施例，為了更穩(wěn)定地執(zhí)行選擇性蝕刻，可以在第一操作S110期間形成具有第一鍵合結(jié)構(gòu)(例如，強(qiáng)鍵合結(jié)構(gòu))的膜。[0073]與圖2的實(shí)施例相比，在對(duì)膜執(zhí)行等離子體處理的第二操作S120期間，如圖3中所示，膜的鍵合結(jié)構(gòu)可以通過(guò)在第二氣氛中具有方向性的等離子體離子致密化。舉例來(lái)說(shuō)，可以將具有膜的組分的等離子體離子提供到在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜。作為具體實(shí)例，當(dāng)膜是具有Si—N鍵的薄膜時(shí)，可以將氮離子提供到階梯式結(jié)構(gòu)的頂部[0074]因此，在后續(xù)各向同性蝕刻操作S140期間，膜的致密化部分(例如，在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜)可以保留，并且其它部分可以被去除，從而實(shí)現(xiàn)選擇性蝕刻。根據(jù)一些實(shí)施例，為了更穩(wěn)定地執(zhí)行選擇性蝕刻，可以在第一操作S110期間形成具有第二鍵合結(jié)構(gòu)(例如，弱鍵合結(jié)構(gòu))的膜。[0075]圖4示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法。根據(jù)實(shí)施例的襯底加工方法可以是根據(jù)上述實(shí)施例的襯底加工方法的一經(jīng)修改實(shí)例。在下文中，將省略關(guān)于實(shí)施例的冗余描述。[0076]參考圖4,在操作S100中，表示成組循環(huán)GC執(zhí)行次數(shù)的X可以被設(shè)定成初始值1,并11且在操作S10中，表示形成膜的第一操作S110的執(zhí)行次數(shù)的M也可以被設(shè)定成初始值1。隨作期間，在操作S11中可以首先將第一源氣體供應(yīng)到反應(yīng)空間中。在操作S12中，可以將第一源氣體化學(xué)吸附在圖案結(jié)構(gòu)(例如，高縱橫比(10:1或更大)的階梯式結(jié)構(gòu))的表面上，并且可以將反應(yīng)空間中剩余的第一源氣體從反應(yīng)空間吹掃并且去除。其后，可以將第一反應(yīng)氣體供應(yīng)到反應(yīng)空間中。在供應(yīng)第一反應(yīng)氣體之后(或，在供應(yīng)第一反應(yīng)氣體時(shí)),在操作S13中，可以執(zhí)行第一等離子體處理以形成第一膜。隨后，在的反應(yīng)氣體從反應(yīng)空間吹掃并且去除。操作S11'中，可以將第二源氣體供應(yīng)到反應(yīng)空間中，并且在操作S12’中，可以將反應(yīng)空間中剩余的第二源氣體從反應(yīng)空間吹掃并且去除。其后，可以將第二反應(yīng)氣體供應(yīng)到反應(yīng)空間反應(yīng)空間中剩余的第二反應(yīng)氣體從反應(yīng)空間吹掃并且去除。[0078]因此，第一操作S110可以重復(fù)多次?？梢灾貜?fù)執(zhí)行第一操作S110直到M達(dá)到預(yù)定多個(gè)膜可以形成包括相同材料的膜。[0079]在通過(guò)執(zhí)行第一操作S110預(yù)定次數(shù)形成所需厚度的膜之后，可以執(zhí)行第二操作S120。在第二操作S120期間，可以對(duì)所形成的膜執(zhí)行第三等離子體處理。如上文所描述，其中執(zhí)行第一操作S110的反應(yīng)空間的第一氣氛可以不同于其中執(zhí)行第二操作S120的反應(yīng)空間的第二氣氛。[0080]通過(guò)第三等離子體處理，由第一操作S110形成的膜的鍵合結(jié)構(gòu)可以改變(例如，弱增加到2,第一操作S110’可以再次執(zhí)行M次，然后可以再次執(zhí)行第二操作S120’。[0081]舉例來(lái)說(shuō)，在X值從1增加到2之后執(zhí)行的第二個(gè)成組循環(huán)GC可以進(jìn)一步包括將第三源氣體供應(yīng)到第二膜上的操作S11”、吹掃第三源氣體的操作S12”、供應(yīng)第三反應(yīng)氣體并且執(zhí)行第四等離子體處理以在第二膜上形成第三膜的操作S13”、吹掃第三反應(yīng)氣體的操作S14”以及對(duì)第三膜執(zhí)行第五等離子體處理的操作S120’。[0082]在第一個(gè)成組循環(huán)GC的第一操作S110期間形成的第一膜和第二膜，以及在第二個(gè)成組循環(huán)GC的第一操作S110'期間形成的第三膜的可以形成包括相同材料的膜。第一操作可以繼續(xù)執(zhí)行以形成第四沉積膜。在另一選擇性實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)成組循環(huán)來(lái)說(shuō)，在成組循環(huán)期間第一操作的執(zhí)行次數(shù)可以是不同的。[0083]在形成第三膜和/或第四膜之后，可以執(zhí)行第五等離子體處理。通過(guò)第五等離子體處理，第三膜和/或第四膜的鍵合結(jié)構(gòu)可以改變。換句話(huà)說(shuō)，通過(guò)第一個(gè)成組循環(huán)的第三等離子體處理(操作S120)和第二個(gè)成組循環(huán)的第五等離子體處理(操作S120’),沉積膜的一部分的鍵合結(jié)構(gòu)可以改變。[0084]舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)在具有頂部表面、底部表面和連接頂部表面和底部表面的側(cè)表面上形成氮化硅膜時(shí)，可以將強(qiáng)功率的等離子體離子注入到膜中。然后，可以破壞氮化硅膜的Si—N鍵合結(jié)構(gòu)。因?yàn)榈入x子體離子具有方向性(從定位于上方的噴淋頭朝向下方的感受器的豎直方向性),所以在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜的鍵合結(jié)構(gòu)可以弱[0085]根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例，當(dāng)形成預(yù)定厚度的膜時(shí)，可以在多個(gè)成組循環(huán)中的一些成組循環(huán)中形成膜的一部分，并且可以在其余成組循環(huán)中形成膜的其余部分。此外，可以在每個(gè)成組循環(huán)期間對(duì)膜的一部分執(zhí)行等離子體處理。因此，通過(guò)重復(fù)執(zhí)行用于形成膜的一部分并且對(duì)膜的所述部分執(zhí)行等離子體處理的成組循環(huán)，而不是沉積預(yù)定厚度的膜并且對(duì)整個(gè)沉積膜執(zhí)行等離子體處理，可以提高在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部表面和底部表面上形成的膜與在階梯式結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上形成的膜之間的蝕刻選擇性。[0086]根據(jù)一些實(shí)施例，在用于形成共形沉積膜的第一個(gè)成組循環(huán)的第一等離子體處理(操作S13)和第二等離子體處理(操作S13')以及第二個(gè)成組循環(huán)的第四等離子體處理(操作S13")期間，反應(yīng)空間的第一氣氛可以被設(shè)定，以使得等離子體離子不具有方向性。舉例來(lái)說(shuō)，第一等離子體處理(操作S13)、第二等離子體處理(操作S13')和第四等離子體處理離子體處理(操作S13)、第二等離子體處理(操作S13’)和第四等離子體處理(操作S13”)期[0087]相比之下，在第一個(gè)成組循環(huán)的第三等離子體處理(操作S120)和第二個(gè)成組循環(huán)的第五等離子體處理(操作S120')期間，反應(yīng)空間的第二氣氛可以被設(shè)定，以使得等離子體離子具有方向性。舉例來(lái)說(shuō)，可以在低于第一壓力的第二壓力(即，例如1托到5托的低壓)下執(zhí)行第三等離子體處理(操作S120)和第五等離子體處理(操作S120’)。作為另一實(shí)例，在第三等離子體處理(操作S120)和第五等離子體處理(操作S120’)期間，可以供應(yīng)高于第一功[0088]圖5示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法。[0089]參考圖5,襯底加工方法可以包括執(zhí)行多次的第一操作。在第一操作中，可以供應(yīng)源氣體(例如，硅源)持續(xù)t0到t1,可以吹掃剩余源氣體持續(xù)t1到t3,可以通過(guò)等離子體施加激發(fā)被供應(yīng)以充當(dāng)吹掃氣體和反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體，以與源氣體反應(yīng)以形成膜持續(xù)t3到t7,并且可以吹掃剩余反應(yīng)氣體持續(xù)t7到t8?？梢灾貜?fù)執(zhí)行第一操作，使得可以在階梯式結(jié)構(gòu)上形成預(yù)定厚度的膜。[0090]舉例來(lái)說(shuō)，為了在襯底的階梯式結(jié)構(gòu)上沉積SiN膜，可以供應(yīng)含硅前體和N2氣體，并且當(dāng)供應(yīng)等離子體時(shí)，N2氣體可以離子化以與含硅前體反應(yīng)以形成薄膜。雖然N2氣體繼續(xù)供應(yīng)，但是N2氣體可以在等離子體下離子化以充當(dāng)與源氣體反應(yīng)的反應(yīng)性吹掃氣體。[0091]在第一操作中，工藝壓力可以維持在3托或更低，并且功率值可維持在900W或更高，使得形成共形沉積膜，并且同時(shí)弱化在階梯式結(jié)構(gòu)上形成的膜的一部分。然而，工藝條件可以在對(duì)在階梯式結(jié)構(gòu)上形成的膜執(zhí)行后續(xù)各向同性蝕刻時(shí)引起不完全蝕刻(參見(jiàn)圖[0092]圖6的(a)展示其中膜(例如，SiN膜)在階狀物的側(cè)部部分的一部分中損失的實(shí)例。圖6的(b)展示其中膜(例如，SiN膜)在具有大縱橫比(例如，>10:1的縱橫比)的階梯式結(jié)構(gòu)的側(cè)部部分的一部分中損失，并且膜(例如，SiN膜)在階狀物的底部部分中保留的實(shí)例。圖6的(c)展示其中在階狀物的側(cè)部部分的一部分上形成的膜(例如，SiN膜)損失，并且在膜沉積之后的蝕刻操作中階梯式結(jié)構(gòu)的內(nèi)部(SiO?膜)發(fā)生過(guò)度蝕刻的情況。在圖6的(c)的情況下，當(dāng)在后續(xù)工藝中填充導(dǎo)電材料(例如，多晶硅(polySi))時(shí)，可能與在相鄰階狀物中填充的導(dǎo)電材料發(fā)生電短路。[0093]根據(jù)用于防止不完全選擇性蝕刻的基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例，可以執(zhí)行在階梯式結(jié)構(gòu)上均勻地沉積堅(jiān)固且均一的膜的第一操作，和執(zhí)行等離子體處理以提高在階狀物的側(cè)部和頂部/底部部分上沉積的膜的蝕刻選擇性的第二操作。[0094]圖7和圖8示意性地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的襯底加工方法。根據(jù)實(shí)施例的襯底加工方法可以是根據(jù)上述實(shí)施例的襯底加工方法的一經(jīng)修改實(shí)例。在下文[0095]基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例提出防止在階狀物的側(cè)部部分上沉積的膜損失的方法。更具體地說(shuō)，可以提出增加膜的強(qiáng)度和耐化學(xué)性以提高在階狀物的頂部/底部部分上沉積的膜與在階狀物的側(cè)部部分上沉積的膜之間的蝕刻選擇性的方法，以防止在階狀物的側(cè)部部分上沉積的膜輕易地?fù)p失。[0096]參考圖7和圖8,在第一操作(t0到t8)中，可以通過(guò)PEALD工藝沉積膜，所述第一操作是在階梯式結(jié)構(gòu)上均勻沉積堅(jiān)硬且均一的膜(例如，SiN膜)的操作。第一操作可以重復(fù)執(zhí)行m次。第二操作(t8到t15)可以重復(fù)執(zhí)行n秒，所述第二操作是等離子體處理操作。由第一操作和第二操作組成的成組循環(huán)操作可以重復(fù)執(zhí)行多次(例如，x個(gè)循環(huán))。[0097]在第一操作中，可以在高壓(例如，15托)和相對(duì)低等離子體功率(例如，500瓦)的條件下將堅(jiān)硬且共形膜(例如，SiN膜)沉積在階梯式結(jié)構(gòu)上。因?yàn)榉磻?yīng)空間中存在大量氣體(即，高壓)并且等離子體相對(duì)弱(即，低功率),所以自由基離子的平均自由路徑可以縮短，并且自由基離子的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)可以增加。因此，離子可以均勻分布在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部/底部和側(cè)部部分上，使得襯底表面與離子自由基之間的反應(yīng)在整個(gè)表面上均一地發(fā)生，而不偏向階狀物的某一表面，并且因此可以沉積堅(jiān)硬且均一的膜(共形膜)。[0098]在第二操作中，可以在與第一操作中相比相對(duì)較低的壓力和與第一操作中相比相對(duì)較高的等離子體功率條件下供應(yīng)等離子體持續(xù)預(yù)定時(shí)間段，以增加等離子體離子的離子轟擊效應(yīng)。舉例來(lái)說(shuō)，在第二操作中，工藝壓力可以是3托并且等離子體可以是約900瓦。為了將腔室的內(nèi)部壓力保持在低壓下，必要時(shí)可以減少反應(yīng)氣體的量。因?yàn)榕c第一操作不同，自由基離子的方向性(直線(xiàn)性)增強(qiáng)，所以在垂直于自由基的行進(jìn)方向的階狀物的某一表面(例如，在階狀物的頂部/底部部分上)沉積的膜(例如，SiN膜)的鍵合結(jié)構(gòu)可以通過(guò)離子轟擊而弱化。第一操作和第二操作可以形成成組循環(huán)，并且成組循環(huán)可以重復(fù)執(zhí)行x次以沉積所需膜厚度。其后，可以執(zhí)行各向同性蝕刻(例如，濕法蝕刻)以去除在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部/底部表面上形成的膜，同時(shí)維持在側(cè)壁上形成的膜。[0099]下表詳細(xì)地展示根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例的工藝條件。第一操作(共形沉積)氣體流量Si源(載體N2)1000到20000N2(反應(yīng)性吹掃)10000到200001000到2000加工時(shí)間(秒)0.15到0.70源吹掃0.5到10等離子體1到55到60吹掃0.1到0.30循環(huán)次數(shù)10到50-等離子體功率(W)200到500700到1000頻率(Hz)壓力(托)10到201到5加熱器溫度(℃)300到550300到550[0101]在上表中，比較第一操作與第二操作，在第一操作中可以以5:1到最大20:1的比率供應(yīng)較大量的氣體。通過(guò)設(shè)定等離子體的供應(yīng)時(shí)間為1:1到最大1:60,等離子體功率為1:3.5到最大1:5,并且工藝壓力為2:1到最大20:1,第一操作可以縮短自由基離子的平均自由路徑以在階梯式結(jié)構(gòu)上沉積均一且堅(jiān)硬的膜，并且第二操作可以提高自由基離子的直線(xiàn)性和離子轟擊效應(yīng)，以弱化在階梯式結(jié)構(gòu)的頂部/底部表面上沉積的膜的鍵合結(jié)構(gòu)。因此，在第一操作中在階狀物的側(cè)部部分上沉積的膜可以被硬化，從而防止在后續(xù)蝕刻操作中損[0102]圖9展示通過(guò)根據(jù)上表中所示的工藝條件在階梯式結(jié)構(gòu)上沉積SiN膜并且執(zhí)行后續(xù)蝕刻工藝，執(zhí)行根據(jù)圖7和圖8的實(shí)施例的襯底加工方法之后的結(jié)果。[0103]如圖9中所示，階狀物的側(cè)壁上的SiN膜維持在恒定厚度下，即使在階狀物的側(cè)壁與底壁之間的邊界處亦不損失，而在階狀物的底部表面上的SiN膜被選擇性去除。[0104]此外，根據(jù)基于本公開(kāi)的技術(shù)概念的實(shí)施例，通過(guò)改變?cè)陔A狀物的頂部部分和底部部分上形成的膜的膜材料，同時(shí)維持階狀物的側(cè)部部分上的膜的膜材料，可以確保各種形式的RTS(反向局部選擇性；reversetopo-sele二操作的等離子體加工條件，可以任意在調(diào)節(jié)階狀物的頂部/底部部分與階狀物的側(cè)部部分之間的濕法蝕刻選擇性，并且可以調(diào)節(jié)蝕刻后的膜輪廓。[0105]作為與選擇性調(diào)節(jié)相關(guān)的一實(shí)例，下表展示根據(jù)第一操作的重復(fù)數(shù)目和第二操作的等離子體處理次數(shù)，階狀物的頂部表面和側(cè)表面的蝕刻選擇性。當(dāng)?shù)谝徊僮鞯闹貜?fù)數(shù)目是m(次)并且第二操作的處理時(shí)間是n(秒)時(shí)，根據(jù)m和n的變化的后續(xù)濕法蝕刻速率如下。共形沉積(無(wú)處理)處理1(m:40個(gè)循環(huán)，n:1分鐘)處理2(m:20個(gè)循環(huán)，n:1分鐘)(A/秒)(A/秒)2(頂部部分/側(cè)部部分WER)[0108]在上表中，共形沉積條件表示在沒(méi)有第二操作的情況下執(zhí)行第一操作的情況。處理1條件(TRT1)表示第一操作執(zhí)行40次(40個(gè)循環(huán))并且第二操作執(zhí)行1分鐘(60秒)的情況。處理2條件(TRT2)表示第一操作執(zhí)行20次(20個(gè)循環(huán))并且第二操作執(zhí)行1分鐘(60秒)的情[0109]如上表中所示，隨著第二操作與第一操作的比率增加，在階梯式結(jié)構(gòu)中的頂部部分與側(cè)部部分之間的選擇性增加。即，上表展示25.8的最高WR選擇性在處理2條件下獲得。換句話(huà)說(shuō)，與共形沉積條件相比，階狀物的頂部部分上的SiN膜被快速蝕刻，而在處理2條件(TRT2)下，階狀物的側(cè)部部分上的SiN膜幾乎不被蝕刻。因此，[0110]圖10展示在根據(jù)所述表的條件(即，共形沉積條件、處理1條件和處理2條件)執(zhí)行濕法蝕刻之后，階狀物上的SiN膜。[0111]參考圖10,共形沉積條件表示在沒(méi)有第二操作的情況下施加第一操作以在階梯式結(jié)構(gòu)中沉積共形SiN膜的情況。在共形沉積條件下，可以施加高工藝壓力和低等離子體功率。因此，自由基離子可以均勻分布在階梯式結(jié)構(gòu)的整體上，并且即使在濕法蝕刻之后，恒定厚度的堅(jiān)硬SiN膜也可以均勻地保留在階狀物的頂部、側(cè)部和底部部分(參見(jiàn)圖10的左側(cè)部分)。[0112]隨后，在處理1條件(TRT1)中，第一操作可以執(zhí)行40個(gè)循環(huán)，并且隨后第二操作的等離子體處理可以執(zhí)行1分鐘。如圖10的中間部分所示，在側(cè)部部分上形成的SiN膜原樣保留，并且在底部部分上形成的SiN膜被部分地去除。然而，在階梯式結(jié)構(gòu)的底部部分中，SiN膜可能仍然保留。[0113]最后，在處理2條件(TRT2)下，第一操作可以執(zhí)行20個(gè)循環(huán)，并且隨后第二操作的等離子體處理可以執(zhí)行1分鐘。即，通過(guò)提高第二操作與第一操作的比率，在階狀物的側(cè)部上形成的SiN膜以其初始厚度維持而不損失，并且在蝕刻之后，在階狀物的底部部分上形成的SiN膜被去除(參見(jiàn)圖10的右側(cè)部分)。因此，通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整第一操作與第二操作的比率，可以實(shí)施具有改良的厚度調(diào)節(jié)功能的襯底加工工藝。[0114]圖11示出所述工藝。[0115]如圖11中所示，通過(guò)提高第二操作與第一操作的比率，可以調(diào)節(jié)SiN膜的輪廓。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)未執(zhí)行第二操作時(shí)(圖11的左側(cè)部分),即使在各向同性蝕刻之后，在圖案PTN的底