(19)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(12)發(fā)明專利(65)同一申請(qǐng)的已公布的文獻(xiàn)號(hào)(30)優(yōu)先權(quán)數(shù)據(jù)(85)PCT國際申請(qǐng)進(jìn)入國家階段日(86)PCT國際申請(qǐng)的申請(qǐng)數(shù)據(jù)PCT/EP2020/0668032020(87)PCT國際申請(qǐng)的公布數(shù)據(jù)WO2021/018466EN2(73)專利權(quán)人國際商業(yè)機(jī)器公司地址美國紐約阿芒克(72)發(fā)明人E.P.萊萬多夫斯基J-W.納赫姚正邦P.J.索斯(74)專利代理機(jī)構(gòu)北京市柳沈律師事務(wù)所專利代理師王蕊瑞H01L21/48(2006.01)H10N60/82(2023.01)(54)發(fā)明名稱用于形成焊料凸塊的系統(tǒng)和方法一種形成焊料凸塊的方法，所述方法包括：制備轉(zhuǎn)移模具，所述轉(zhuǎn)移模具具有從模具襯底延伸并且穿過第一光致抗蝕劑層的焊料柱，所述焊料柱具有由第二光致抗蝕劑層部分地限定的形狀，其中所述轉(zhuǎn)移模具的所述制備包括去除所述第二光致抗蝕劑層的至少一部分；將器件襯底構(gòu)造成包括可潤濕焊盤；將所述轉(zhuǎn)移模具與所述器件襯底對(duì)準(zhǔn)，使得所述焊料柱與所述可潤濕焊盤對(duì)準(zhǔn)；在所述焊料柱與所述可潤濕焊盤之間形成金屬結(jié)合；以及去除模具襯底和第一光致抗蝕劑21.一種形成焊料凸塊的方法，所述方法包括：制備轉(zhuǎn)移模具，所述轉(zhuǎn)移模具具有從模具襯底延伸并且穿過第一光致抗蝕劑層的焊料柱，所述焊料柱具有由第二光致抗蝕劑層部分地限定的形狀，其中所述轉(zhuǎn)移模具的所述制備包括去除所述第二光致抗蝕劑層的至少一部分；將器件襯底構(gòu)造成包括可潤濕焊盤；將所述轉(zhuǎn)移模具與所述器件襯底對(duì)準(zhǔn)，使得所述焊料柱與所述可潤濕焊盤對(duì)準(zhǔn)；在所述焊料柱與所述可潤濕焊盤之間形成金屬結(jié)合；以及去除模具襯底和第一光致抗蝕劑層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一光致抗蝕劑層包含永久光致抗蝕劑材料，并且所述第二光致抗蝕劑層包含可剝離光致抗蝕劑材料。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)移模具的制備包括形成以下中的至少一在模具襯底上方的潤濕層；在所述第二光致抗蝕劑層上的非潤濕層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模具襯底是柔性的，并且所述轉(zhuǎn)移模具的制備包括將所述轉(zhuǎn)移模具形成為柔性轉(zhuǎn)移模具。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括形成穿過所述器件襯底的孔。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括將內(nèi)插器附接到量子位半導(dǎo)體器件上，其中所述量子位半導(dǎo)體器件包括約瑟夫遜結(jié)，并且其中所述內(nèi)插器附接到所述量子位半導(dǎo)體器件上包括將穿過所述內(nèi)插器的所述孔與所述約瑟夫遜結(jié)對(duì)齊，以便提供用于訪問所述約瑟夫遜結(jié)的路徑。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述焊料柱是圍繞所述量子位半導(dǎo)體器件與所述內(nèi)插器之間的所述孔形成的用于提供所述約瑟夫遜結(jié)的熱隔離量的多個(gè)焊料柱中的一個(gè)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述器件襯底包括有機(jī)襯底，并且進(jìn)一步包括形成穿過所述器件襯底的孔。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述焊料柱是所述轉(zhuǎn)移模具的多個(gè)焊料柱中的一個(gè)，并且其中，所述多個(gè)焊料柱包括具有第一直徑的第一焊料柱和具有第二直徑的第二焊料柱，所述第一直徑大于所述第二直徑。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述器件襯底包括半導(dǎo)體襯底，并且所述方法進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體襯底中形成深凹部。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體襯底包括在所述深凹部中的電路組件。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述金屬結(jié)合的形成包括冷焊接工藝，所述冷焊接工藝在所述焊料柱與所述可潤濕焊盤之間形成所述金屬結(jié)合。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述金屬結(jié)合包括在焊料柱和可潤濕焊盤之間形成所述金屬結(jié)合的回流處理。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)移模具的制備包括：圖案化所述第一和第二光致抗蝕劑層以限定延伸通過所述第一和第二光致抗蝕劑層3使用注塑焊接(IMS)用焊料填充所述凹部以形成所述焊料柱。圖案化所述第一和第二光致抗蝕劑層以限定延伸穿過所述第一和第二光致抗蝕劑層使用電鍍用焊料填充所述凹部并且形成所述焊料柱。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)移模具的制備包括：制備具有上表面的模具襯底；在所述模具襯底的上表面上方形成第一光致抗蝕劑層，所述第一光致抗蝕劑層由永久性光致抗蝕劑材料形成；在所述第一光致抗蝕劑層上形成由可剝離的光致抗蝕劑材料形成的第二光致抗蝕劑圖案化所述第一和第二光致抗蝕劑層以形成延伸穿過所述第二光致抗蝕劑層和所述第一光致抗蝕劑層的至少一部分的凹部；在形成所述焊料柱之后去除所述第二光致抗蝕劑層，留下所述焊料柱的在所述第一光致抗蝕劑層上方延伸的部分。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述模具襯底是柔性襯底。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括在所述模具襯底之上形成籽晶層，其中，形成所述焊料柱包括使用電鍍來形成所述焊料柱。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述焊料柱包括使用注塑焊接(IMS)以形成所述焊料柱。連接到該超導(dǎo)芯片的內(nèi)插器，該內(nèi)插器限定了穿過該內(nèi)插器的孔，該孔與該超導(dǎo)芯片多個(gè)焊料互連，這些焊料互連形成圍繞這些量子位并且在該內(nèi)插器與超導(dǎo)芯片之間的圓形壁。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的處理器，其中，所述圓形壁包括穿過其中的至少一個(gè)間隙。23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的處理器，其中，所述焊料互連通過各自的金屬結(jié)合連接至所述超導(dǎo)芯片和所述內(nèi)插器上。4用于形成焊料凸塊的系統(tǒng)和方法技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明總體上涉及用于形成焊料凸塊的半導(dǎo)體器件、制造方法和制造系統(tǒng)。背景技術(shù)算背景下該詞或短語的參考。[0003]分子和亞原子粒子遵循量子力學(xué)定律，量子力學(xué)定律是探索物理世界在最基本的層面上如何工作的物理學(xué)分支。在這個(gè)水平，顆粒以奇怪的方式表現(xiàn)，同時(shí)呈現(xiàn)多于一個(gè)狀態(tài)，并且與非常遠(yuǎn)的其他顆粒相互作用。量子計(jì)算利用這些量子現(xiàn)象來處理信息。[0004]我們今天使用的計(jì)算機(jī)被稱為經(jīng)典計(jì)算機(jī)(在此也稱為“常規(guī)”計(jì)算機(jī)或常規(guī)節(jié)算機(jī)的處理器是二進(jìn)制處理器，即，對(duì)以1和0表示的二進(jìn)制數(shù)據(jù)進(jìn)行操作。[0005]量子處理器(q處理器)使用糾纏的量子位器件的奇特性質(zhì)(在此緊湊地稱為“量子進(jìn)制計(jì)算限于僅使用接通和斷開狀態(tài)(相當(dāng)于二進(jìn)制編碼中的1和0)的情況下，量子處理器利用這些量子物質(zhì)狀態(tài)來輸出可用于數(shù)據(jù)計(jì)算的信號(hào)。[0006]常規(guī)計(jì)算機(jī)以位(bits)編碼信息。每個(gè)位可以取1或0的值。這些1和0充當(dāng)最終驅(qū)動(dòng)計(jì)算機(jī)功能的開/關(guān)開關(guān)。另一方面，量子計(jì)算機(jī)是基于量子位的，該量子位根據(jù)量子物理學(xué)的兩個(gè)關(guān)鍵原理：疊加(superposition)和糾纏(entanglement)來操作。疊加意味著每個(gè)量子位可以同時(shí)表示1和0兩者。糾纏意味著在一個(gè)疊加中的量子位能夠以一種非經(jīng)典的方式彼此相關(guān)聯(lián)；也就是說，一個(gè)量子位的狀態(tài)(無論它是一個(gè)1還是一個(gè)0或者兩者)可以取決于另一個(gè)量子位的狀態(tài)，并且當(dāng)這兩個(gè)量子位被糾纏時(shí)比當(dāng)它們被單獨(dú)處理時(shí)有更多的信息可以被查明。[0007]使用這兩個(gè)原理，量子位作為更復(fù)雜的信息處理器運(yùn)行，從而使量子計(jì)算機(jī)能夠以允許它們解決使用傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)難以處理的困難問題的方式運(yùn)行。IBM已經(jīng)成功地構(gòu)建并證明了量子處理器的可操作性(IBM是國際商業(yè)機(jī)器公司在美國和其他國家的注冊(cè)商標(biāo)。)[0008]超導(dǎo)量子位可以包括約瑟夫遜結(jié)。約瑟夫遜結(jié)是通過由非超導(dǎo)材料將兩個(gè)薄膜超導(dǎo)金屬層分離而形成的。當(dāng)超導(dǎo)層中的金屬被致使變?yōu)槌瑢?dǎo)(例如通過將該金屬的溫度降低到一個(gè)指定的低溫溫度)時(shí)，電子對(duì)可以從一個(gè)超導(dǎo)層通過該非超導(dǎo)層隧穿到另一個(gè)超導(dǎo)層。在一個(gè)超導(dǎo)量子位中，該約瑟夫遜結(jié)(它具有一個(gè)小的電感)與形成一個(gè)非線性諧振器的一個(gè)或多個(gè)電容性器件并聯(lián)地電耦連。[0009]由量子位所處理的信息以在微波頻率范圍內(nèi)的微波能量的形式被發(fā)射。這些微波發(fā)射被捕獲、處理、和分析以解譯其中編碼的量子信息。為了使量子位的量子計(jì)算是可靠5導(dǎo)量子邏輯電路)必須不能以任何顯著的方式改變這些顆?；蛭⒉òl(fā)射的能量狀態(tài)。對(duì)利用量子信息操作的任何電路的這種操作約束使得在制造在這種電路中使用的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時(shí)需要特別考慮。發(fā)明內(nèi)容[0010]說明性實(shí)施例提供了一種形成焊料凸塊的方法。在實(shí)施例中，該方法包括制備轉(zhuǎn)移模具，該轉(zhuǎn)移模具具有從模具襯底延伸并且穿過第一光致抗蝕劑層的焊料柱，該焊料柱具有部分地由第二光致抗蝕劑層限定的形狀，其中轉(zhuǎn)移模具的制備包括去除第二光致抗蝕劑層的至少一部分。在實(shí)施例中，模具襯底是柔性的并且增加了轉(zhuǎn)移模具的柔性。在實(shí)施例中，在將焊料轉(zhuǎn)移到非平面接收表面時(shí)，轉(zhuǎn)移模具是柔性的并且符合非平面接收表面。在實(shí)施例中，該方法包括提供具有可潤濕墊的器件襯底。在實(shí)施例中，該方法包括將轉(zhuǎn)移模具和器件襯底置于對(duì)準(zhǔn)接觸中，使得焊料柱與可潤濕焊盤接觸。在實(shí)施例中，該方法包括在焊料柱與可潤濕焊盤之間形成金屬結(jié)合。在實(shí)施例中，該方法包括去除模具襯底和第一光致抗蝕劑層。[0011]在一個(gè)實(shí)施方式中，所述方法包括包含永久光致抗蝕劑材料的第一光致抗蝕劑層，以及包含可剝離光致抗蝕劑材料的第二光致抗蝕劑層。[0012]在實(shí)施例中，該方法包括在模具襯底上形成潤濕層。在實(shí)施例中，該方法包括在模具襯底上方形成籽晶層。在實(shí)施例中，該方法包括在第二光致抗蝕劑層上形成非潤濕層。[0013]在實(shí)施方式中，模具襯底是柔性的，并且轉(zhuǎn)移模具的制備包括將轉(zhuǎn)移模具形成為柔性轉(zhuǎn)移模具。[0014]在實(shí)施例中，該方法包括器件襯底是內(nèi)插器，并且提供器件襯底包括形成穿過其中的孔。在實(shí)施例中，該方法包括將該內(nèi)插器附接到量子位半導(dǎo)體器件上，其中該量子位半導(dǎo)體器件包括約瑟夫遜結(jié)，并且其中將該內(nèi)插器附接到該量子位半導(dǎo)體器件上包括將穿過該內(nèi)插器的該孔與該約瑟夫遜結(jié)對(duì)齊，以便提供用于訪問該約瑟夫遜結(jié)的路徑。在一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括該焊料柱是圍繞該量子位半導(dǎo)體器件與該內(nèi)插器之間的孔形成的多個(gè)焊料柱中的一個(gè)，用于提供該約瑟夫遜結(jié)的一個(gè)熱隔離量。[0015]在實(shí)施例中，該方法包括器件襯底，該器件襯底包括有機(jī)襯底，并且形成穿過器件襯底的孔。[0016]在實(shí)施例中，所述方法包括：所述焊料柱是所述轉(zhuǎn)移模具的多個(gè)焊料柱中的一個(gè)，并且所述多個(gè)焊料柱包括具有第一直徑的第一焊料柱和具有第二直徑的第二焊料柱，所述第一直徑大于所述第二直徑。[0017]在實(shí)施例中，該方法包括器件襯底包括半導(dǎo)體襯底，并且還包括在半導(dǎo)體襯底中形成深凹部。在實(shí)施例中，該方法包括半導(dǎo)體襯底包括在深凹部中的電路部件。[0018]在實(shí)施例中，金屬結(jié)合的形成包括在焊料柱和可潤濕焊盤之間形成金屬結(jié)合的冷焊接工藝。[0019]在實(shí)施例中，金屬結(jié)合的形成包括執(zhí)行在焊料柱和可潤濕焊盤之間形成金屬結(jié)合的回流工藝。[0020]在實(shí)施例中，該方法包括：對(duì)第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案化以限定延伸穿過第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層的凹部；以及使用注塑焊接(IMS)6用焊料填充凹部以形成焊料柱。[0021]在實(shí)施例中，所述方法包括：對(duì)所述第一光致抗蝕劑層和所述第二光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案化以限定延伸穿過所述第一光致抗蝕劑層和所述第二光致抗蝕劑層的凹部；以及形成籽晶層，其中，所述籽晶層的至少一部分設(shè)置在所述凹部中；以及使用電鍍來用焊料填充所述凹部并且形成所述焊料柱。[0022]實(shí)施例包括制造用于將焊料轉(zhuǎn)移到襯底的轉(zhuǎn)移模具的方法。在實(shí)施方式中，該方法包括制備具有上表面的模具襯底。在實(shí)施例中，該方法包括在模具襯底的上表面上方形成由永久光致抗蝕劑材料形成的第一光致抗蝕劑層。在一個(gè)實(shí)施方式中，該方法包括在第一光致抗蝕劑層上形成由可剝離的光致抗蝕劑材料形成的第二光致抗蝕劑層。在實(shí)施例中，該方法包括圖案化第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層以形成延伸穿過第二光致抗蝕劑層和第一光致抗蝕劑層的至少一部分的凹部。在實(shí)施例中，該方法包括在凹部中形成焊料柱。在實(shí)施例中，該方法包括在形成焊料柱之后去除第二光致抗蝕劑層，留下焊料柱的在第一光致抗蝕劑層上方延伸的部分。[0023]在實(shí)施例中，模具襯底是柔性襯底。在實(shí)施例中，該方法包括在模具襯底上方形成籽晶層，其中，焊料柱的形成包括使用電鍍來[0024]在實(shí)施例中，該方法包括使用注塑焊接(IMS)來形成焊料柱。[0025]實(shí)施例包括一種用于將焊料轉(zhuǎn)移到襯底的轉(zhuǎn)移模具裝置。在實(shí)施例中，裝置包括模具襯底、在模具襯底的至少一部分之上由永久光致抗蝕劑材料形成的第一光致抗蝕劑層、以及在模具襯底上方延伸穿過第一光致抗蝕劑層中的間隙的焊料柱。在實(shí)施例中，焊料柱包括在第一光致抗蝕劑層上方延伸的擠出件。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述擠出具有部分地由第二光致抗蝕劑層限定的形狀，所述第二光致抗蝕劑層由在所述第一光致抗蝕劑層上的可剝離光致抗蝕劑材料形成。在實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層基本上不存在于第一光致抗蝕劑層的表面的至少一部分處以限定圍繞擠出件的開口區(qū)域。[0026]實(shí)施例包括一種超導(dǎo)量子處理器，該超導(dǎo)量子處理器包括：超導(dǎo)芯片，該超導(dǎo)芯片包括量子位；連接到該超導(dǎo)芯片上的內(nèi)插器，該內(nèi)插器限定了與該超導(dǎo)芯片上的量子位對(duì)齊的孔；以及多個(gè)焊料互連，這些焊料互連形成圍繞這些量子位并且在該內(nèi)插器與超導(dǎo)芯片之間的圓形壁。[0027]在一個(gè)實(shí)施例中，圓形壁包括穿過其中的至少一個(gè)間隙。[0029]在實(shí)施例中，這些焊料互連通過對(duì)應(yīng)的金屬結(jié)合而連接到該超導(dǎo)芯片和該內(nèi)插器附圖說明[0030]在所附權(quán)利要求中闡述了被認(rèn)為是本發(fā)明特征的新穎特征。然而，當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，通過參考說明性實(shí)施例的以下詳細(xì)描述，將最好地理解本發(fā)明本身以及使用的優(yōu)選[0031]圖1描繪了根據(jù)示范性實(shí)施例的示出了用于形成焊料凸塊的示范性方法的示意性[0032]圖2A描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例的內(nèi)插器的平面圖；圖2B描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例7的插入器的平面圖；[0033]圖3描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面視圖；[0034]圖4描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例的轉(zhuǎn)移模具的截面視圖；[0035]圖5描繪了根據(jù)示范性實(shí)施例的示出了用于形成焊料凸塊的示例方法的示意性截[0036]圖6示出根據(jù)說明性實(shí)施例的內(nèi)插器的示意性截面圖；以及[0037]圖7描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例的用于形成焊料凸塊的示例過程的流程圖。具體實(shí)施方式[0038]并用于描述本發(fā)明的說明性實(shí)施例總體處理了并解決了在多種多樣的半導(dǎo)體或超導(dǎo)體封裝(以下緊湊地稱為封裝或多個(gè)封裝，除非在使用時(shí)明確區(qū)分)中結(jié)合量子位的問題。量子位已經(jīng)被成功地結(jié)合到絲焊封裝中，其中量子位芯片被絲焊到襯底上，其中該約瑟夫遜結(jié)背向該襯底。希望將量子位結(jié)合到其他類型的封裝中，例如倒裝芯片封裝，這些倒裝芯片封裝允許在給定的芯片面積中較大數(shù)量的量子位并且可以避免串?dāng)_問題。然而，在制造該封裝體之后不能訪問該約瑟夫遜結(jié)已經(jīng)防止了將量子位用于其他類型的封裝體中。[0039]例如，令人希望的是訪問約瑟夫遜結(jié)以便對(duì)其設(shè)計(jì)頻率做出調(diào)整。然而，某些類型的封裝不允許調(diào)整設(shè)計(jì)頻率，因?yàn)闆]有視線接入(no-line-of-sight)可用于將熱量或反應(yīng)性種類施加到約瑟夫遜結(jié)上。例如，倒裝芯片封裝件包括面朝下布置在硅內(nèi)插器上的半導(dǎo)體或超導(dǎo)體器件，因此約瑟夫遜結(jié)將面向內(nèi)插器。該內(nèi)插器因此阻止對(duì)該約瑟夫遜結(jié)的訪問，由此防止在該約瑟夫遜結(jié)上的熱或化學(xué)過程。這是有問題的，因?yàn)榱钊讼Ｍ氖悄軌蛟谥圃熘笳{(diào)整該量子位的設(shè)計(jì)頻率，因?yàn)樵摾硐腩l率直到在該器件被組裝和冷卻之后才是未知的。[0040]用于描述本發(fā)明的說明性實(shí)施例總體上解決并解決上述通過使用焊料轉(zhuǎn)移方法來調(diào)節(jié)倒裝芯片半導(dǎo)體封裝中的量子位的設(shè)計(jì)頻率的問題，該焊料轉(zhuǎn)移方法允許在襯底中的通孔，否則這些通孔將阻止使用傳統(tǒng)的圖案化技術(shù)。[0041]實(shí)施例提供了一種用于在襯底上形成焊料凸塊的方法。在實(shí)施例中，該方法包括制備轉(zhuǎn)移模具，該轉(zhuǎn)移模具在制造過程中使用。在實(shí)施方式中，轉(zhuǎn)移模具用于將結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到正在制造的封裝件的部件上。在實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移模具具有從模具襯底延伸并且穿過第一光致抗蝕劑層的焊料柱，焊料柱具有由第二光致抗蝕劑層部分地限定的形狀，其中轉(zhuǎn)移模具的制備包括去除第二光致抗蝕劑層的至少一部分。在實(shí)施例中，該方法包括制備具有可潤濕墊的器件襯底。在實(shí)施例中，可潤濕焊盤是促進(jìn)液體焊料在其上擴(kuò)散或與其形成金屬結(jié)合的焊盤。在實(shí)施例中，該方法包括將轉(zhuǎn)移模具和器件襯底置于對(duì)準(zhǔn)接觸中，使得焊料柱與可潤濕焊盤接觸。在實(shí)施例中，該方法包括執(zhí)行焊接工藝，該焊接工藝在焊料柱與可潤濕焊盤之間形成金屬結(jié)合。在實(shí)施例中，該方法包括去除模具襯底和第一光致抗蝕劑層。一元件存在于諸如第二結(jié)構(gòu)的第二元件上，其中，諸如界面結(jié)構(gòu)的中間元件可存在于第一元件與第二元件之間。術(shù)語“直接接觸”是指諸如第一結(jié)構(gòu)的第一元件和諸如第二結(jié)構(gòu)的第8二元件在兩個(gè)元件的界面處沒有任何中間導(dǎo)電、絕緣或半導(dǎo)體層的情況下連接。術(shù)語“基本上”或“基本上相似”是指長(zhǎng)度、高度或取向上的差異在明確敘述似的術(shù)語)和基本上相似的變化之間沒有表達(dá)實(shí)際差異的情況。在一個(gè)實(shí)施方式中，大量(及其衍生物)表示對(duì)于相似裝置普遍接受的工程或制造公差的差異，高達(dá)例如10%的值偏[0043]為了描述的清楚，并且不暗示對(duì)其的任何限制，使用一些示例配置來描述說明性實(shí)施例。根據(jù)本公開，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠設(shè)想用于實(shí)現(xiàn)所描述的目的的所描述的配置的許多改變、適配和修改，并且在說明性實(shí)施例的范圍內(nèi)設(shè)想相同的改變、適配和修[0044]此外，僅作為實(shí)例，針對(duì)特定的實(shí)際或假設(shè)的部件描述說明性實(shí)施例。這些和其他類似產(chǎn)物的任何特定表現(xiàn)不旨在限制本發(fā)明。在說明性實(shí)施例的范圍內(nèi)，可以選擇這些和其他類似產(chǎn)物的任何合適的表現(xiàn)。[0045]本公開中的示例僅用于描述的清晰，并且不限于說明性實(shí)施例。在此列出的任何優(yōu)點(diǎn)僅是實(shí)例并且不旨在限制這些說明性實(shí)施例。通過具體的說明性實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)另外的或不同的優(yōu)點(diǎn)。此外，特定說明性實(shí)施例可具有上文所列的優(yōu)點(diǎn)中的一些、全部或無優(yōu)根據(jù)示范性實(shí)施例的用于形成焊料凸塊的示例方法。例如，在具體實(shí)施例中，根據(jù)圖1A-1F所示的工藝形成轉(zhuǎn)移模具100,并且然后根據(jù)圖1H和1J所示的制造工藝，該轉(zhuǎn)移模具100用于在圖1G中所示的內(nèi)插器114上形成焊料凸塊。[0047]參見圖1A,在特定實(shí)施例中，制備襯底102以用于組裝。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底102的制備包括用于改善即將出現(xiàn)的光致抗蝕劑材料對(duì)襯底102的粘附性的一個(gè)或多個(gè)工藝。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，以這樣的方式制備襯底102,該方式包括以下中的至少一個(gè)：(1)清潔以去除污染物，(2)脫水烘烤以去除水分，以及(3)將粘合促進(jìn)劑添加到襯底。在實(shí)施例中，襯底102是由任何合適的材料形成的襯底。例如，在實(shí)施例中，襯底102包括在熔融焊料溫度下穩(wěn)定且相對(duì)于用于去除光致抗蝕劑材料的剝離溶劑穩(wěn)定的柔性或剛性材料。例如，在實(shí)施例中，襯底102是剛性的并且由以下非限制性示例材料中的一種或多種材料形成：[0048]作為另一個(gè)實(shí)例，襯底102是由以下非限制性實(shí)例材料中的一種或多種形成的非剛性或柔性襯底：(1)聚酰亞胺膜(如Kapton),(2)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET),(3)聚荼二甲酸乙二醇酯(PEN),(4)聚醚醚酮(PEEK),(5)聚乙烯(PE),(6)聚氯乙烯(PVC),和(7)薄柔性金屬或玻璃。在一個(gè)實(shí)施方式中，襯底102是具有相對(duì)低的楊實(shí)施例中，襯底102是楊氏模量為60kPa-3MPa的撓性襯底。在實(shí)施例中，襯底102包括圓形或其他形狀的晶圓尺寸襯底。在實(shí)施例中，襯底102是由具有阻焊劑(SR)表面的基礎(chǔ)襯底形成[0049]參見圖1B,在特定實(shí)施例中，使用適合的任何已知的光刻工藝在襯底102上方形成并圖案化第一光致抗蝕劑層104。例如，在實(shí)施例中，第一光致抗蝕劑層104包括根據(jù)已知技術(shù)施加的干膜光致抗蝕劑疊層的一個(gè)或多個(gè)子層。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施例中，第一光致抗蝕劑層104通過涂層材料的一個(gè)或多個(gè)施加形成，包括旋涂涂層材料的每個(gè)施加以9形成一個(gè)或多個(gè)薄的、均勻的子層，所述子層共同形成具有特定的預(yù)定厚度的第一光致抗蝕劑層104。在實(shí)施例中，第一光致抗蝕劑層104被圖案化以選擇性地去除光致抗蝕劑材料的部分，從而形成凹部106。在實(shí)施例中，凹部106延伸至襯底102。在實(shí)施例中，第一光致抗蝕劑層104由相對(duì)難以去除的光致抗蝕劑材料構(gòu)成。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，第一光致抗蝕劑層104由在熔融焊料溫度下穩(wěn)定并且相對(duì)于可剝離溶劑(如高度交聯(lián)的環(huán)氧樹脂)穩(wěn)定的可光圖案化的抗蝕劑組成。[0050]在一個(gè)實(shí)施例中，第一光致抗蝕劑層104由以下非限制性實(shí)例材料的一個(gè)或多個(gè)子層形成：(1)干膜負(fù)性光致抗蝕劑，該干膜負(fù)性光致抗蝕劑是防水的并且可以形成具有在阻焊掩膜薄膜，以及(3)環(huán)氧基負(fù)性光致抗蝕劑，該基于環(huán)氧樹脂的負(fù)性光致抗蝕劑可以作為粘性聚合物被旋涂或鋪展，該粘性聚合物形成具有在1μm至300μm范圍內(nèi)的厚度的層，例如SU-8環(huán)氧基抗蝕劑。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，通過層壓和圖案化EMSDF-1050的5至10個(gè)子層(或具有替代厚度和/或分辨率的其他相關(guān)EMS光致抗蝕劑中的一者)來形成第一光致抗厚度的層104。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施例中，DuPontVacrel阻焊掩膜膜連同圖4中所示的介于第一光致抗蝕劑層與第二光致抗蝕劑層之間的可選的溶劑阻擋或粘附層414被用于第一光致抗蝕劑層104,以保護(hù)阻焊掩膜膜不受主要抗蝕劑剝離化學(xué)品的影響。在實(shí)施例中，第一光致抗蝕劑層104的上表面是平坦的，并且距離襯底102的上表面具有均勻的高度。[0051]參見圖1C-1D,在一特定實(shí)施例中，根據(jù)用于圖案化第一光致抗蝕劑層104的相同圖案化，使用任何已知的適合的光刻工藝，第二光致抗蝕劑層108形成于第一光致抗蝕劑層104上且圖案化第一光致抗蝕劑層104。例如，在一實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層108包括根據(jù)已知技術(shù)施加的一層或多層干膜阻劑迭層。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層108通過涂層材料的一個(gè)或多個(gè)施加形成，包括旋涂涂層材料的每個(gè)施加以形成一個(gè)或多個(gè)薄的、均勻的子層，所述子層共同形成具有特定的預(yù)定厚度的第二光致抗蝕劑層108。在實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層108被圖案化以選擇性地去除光致抗蝕劑材料的部分，由此形成凹部110。在實(shí)施例中，凹部110延伸至襯底102。在實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層108由相對(duì)容易去除的光致抗蝕劑材料構(gòu)成。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，第二光致抗蝕劑層108由可剝離的可光圖案化的抗蝕劑組成，該抗蝕劑在熔融焊料溫度下是穩(wěn)定的，但是也易于用溶劑剝離。[0052]在一個(gè)實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層108由以下非限制性示例材料的一個(gè)或多個(gè)蝕劑的子層來形成第二光致抗蝕劑層108,每個(gè)子層膜具有50μm至100μm范圍內(nèi)的厚度，以形成具有250μm至1000μm范圍內(nèi)的厚度的層104。在實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層104的上表面是平坦的，并且距離襯底102的上表面具有均勻的高度。[0053]在實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層108的上表面是平坦的，并且距離襯底102的上表面具有均勻的高度。在實(shí)施例中，凹部110在形狀上是圓柱形的。在另一實(shí)施例中，凹部110的形狀為截頭圓錐形，凹部110的內(nèi)徑在第二光致抗蝕劑層108的上表面處相對(duì)較大，且在襯底102的上表面處的凹部110的底部處相對(duì)較小。凹部110的頂部處的相對(duì)寬的開口便于[0054]參見圖1E,在特定實(shí)施例中，使用注塑焊接(IMS)來填充凹部110,其中填充頭116橫越襯底102并且將熔融焊料注入到凹部110中以形成柱112。在實(shí)施例中，凹部110被完全填充到頂部，由此確保所得焊料凸塊的高度的均勻性而不在掩模上留下焊料殘余物，并且允許柱112固化，符合凹部110的形狀。在實(shí)施例中，式中，柱112是導(dǎo)電的并且具有相對(duì)高的熔點(diǎn)，盡管優(yōu)選地低于285℃或者與襯底102不兼容的銦合金的無鉛焊料。具有在括號(hào)中表示的相[0055]在一個(gè)實(shí)施例中，用于柱112的材料被沉積到大于第一光致抗蝕劑層104和第二光致抗蝕劑層108的組合厚度的高度，并且執(zhí)行背磨、蝕刻或其他平坦化工藝，使得柱112的頂部表面和第二光致抗蝕劑層108的上表面是共面的，如圖1E所示。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)電柱112是通過鍍銅或銅柱凸塊形成的3D金屬柱。[0056]參考圖1F,兩個(gè)不同的光致抗蝕劑層104和108的原因是通過第一光致抗蝕劑層104的存在和第二光致抗蝕劑層108的不存在示出的。在實(shí)施例中，根據(jù)已知的方法進(jìn)行用于去除光致抗蝕劑層的剝離工藝，例如上面針對(duì)第二光致抗蝕劑層108所述的那些。例如，在實(shí)施例中，使用用于適合于晶片級(jí)封裝(WLP)的抗蝕劑去除器來去除第二光致抗蝕劑層108,該去除器是被配制為有效地去除晶片凸塊和WLP中使用的厚光致抗蝕劑的水性有機(jī)混合物，例如DuPontTEKC162T抗蝕劑去除器。由于第一光致抗蝕劑層104由相對(duì)于這樣的抗蝕劑去除是穩(wěn)定的光致抗蝕劑材料形成，所以第一光致抗蝕劑層104保留，而第二光致抗蝕劑層108的剩余部分被剝離而留下導(dǎo)電柱112。在實(shí)施例中，在去除第二光致抗蝕劑層108之后，柱112的擠壓保持在第一光致抗蝕劑層104上方。剩余的結(jié)構(gòu)在圖1F中示出并且是用于在內(nèi)插器114上形成焊料凸塊122的轉(zhuǎn)移模具100的實(shí)施例的示例。[0057]參考圖1G和圖2A和2B,圖1G示出了根據(jù)說明性實(shí)施例的內(nèi)插器114的截面圖，并且圖2A和2B示出了根據(jù)說明性實(shí)施例的內(nèi)插器114的平面圖。在特定實(shí)施例中，內(nèi)插器114由晶圓或由合適的半導(dǎo)體襯底材料形成的襯底形成。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，內(nèi)插器114由以下非限制性示例材料中的一種或多種形成：(1)硅，(2)玻璃例中，內(nèi)插器114包括在內(nèi)插器114的上表面和下表面之間提供高密度互連的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。例如，在實(shí)施例中，內(nèi)插器114包括連接上表面和下表面上的金屬化層的多個(gè)穿硅過孔(TSV)。[0058]在實(shí)施例中，內(nèi)插器114限定了多個(gè)通孔118,這些通孔被選擇性地定位成與將以倒裝芯片的方式連接至內(nèi)插器114上的半導(dǎo)體器件上的多個(gè)量子位對(duì)齊，如以下討論的并中，內(nèi)插器114還包括多個(gè)可潤濕焊盤120。例如，在實(shí)施例中，內(nèi)插器114包括凸塊下冶金移模具100的柱112對(duì)準(zhǔn)并且連接至90該柱。在實(shí)施例中，通過蝕刻光刻工藝或激光鉆孔形成各種通孔。11[0059]參考圖1H,該圖示出了根據(jù)示意性實(shí)施方式的將內(nèi)插器114安裝到轉(zhuǎn)移模具100上的結(jié)果。在特定實(shí)施例中，內(nèi)插器114在轉(zhuǎn)移模具100上方對(duì)準(zhǔn)，并且執(zhí)行焊接工藝，其在內(nèi)插器UBM焊盤120相應(yīng)的模柱112之間形成金屬結(jié)合。[0060]如在此所使用的術(shù)語“金屬結(jié)合”通常是指結(jié)合的金屬物品之間的冶金結(jié)合，其中這些結(jié)合的金屬物品通過存在于金屬的相鄰電子之間的相同吸引而保持在一起，并且其中這些結(jié)合的金屬物品的價(jià)電子在這些結(jié)合的金屬物品之間是自由移動(dòng)的。[0061]金屬結(jié)合的實(shí)例包括，但不限于，通過在填料-金屬/襯底-金屬界面處的焊接產(chǎn)生的結(jié)合，其中，焊料與少量的襯底金屬反應(yīng)并且通過形成金屬間化合物潤濕金屬，并且在固化時(shí)，焊料接合是焊料和襯底金屬之間的大于粘附或機(jī)械附接的金屬結(jié)合。[0062]除非另外指明，如在此所使用的術(shù)語“焊接工藝”總體上是指用于聯(lián)接金屬的任何工藝，該工藝導(dǎo)致金屬結(jié)合。焊接工藝的實(shí)例包括但不限于在填料-金屬/襯底-金屬界面處通過焊接產(chǎn)生的結(jié)合，其中，焊料與少量的襯底金屬反應(yīng)并且通過形成金屬間化合物潤濕金屬，并且在固化時(shí)，焊料接合是焊料和襯底金屬之間的大于粘附或機(jī)械附接的金屬結(jié)合。[0063]在一個(gè)實(shí)施例中，使用回流工藝將柱112附接到相應(yīng)的UBM焊盤120,回流工藝加熱柱112直到它們?cè)谂cUBM焊盤120接觸時(shí)開始熔化，并且然后允許它們冷卻和重新固化。該過程導(dǎo)致柱112與相應(yīng)的UBM焊盤120之間的焊接。在另一實(shí)施例的金屬結(jié)合通過冷焊接工藝來形成，冷焊接工藝在低于回流溫度的溫度下接合某些金屬，盤120之間的金屬結(jié)合通過冷焊接工藝形成，冷焊接工藝包括在室溫下施加壓力或者施加一定量的熱量。[0064]參見圖1J,該圖示出了在去除襯底102和第一光致抗蝕劑層104之后具有通孔118和焊料凸塊122的內(nèi)插器114。在特定實(shí)施例中，襯底102和第一光致抗蝕劑層104可以被提離內(nèi)插器114并且留下附接至內(nèi)插器114的柱112,因?yàn)橹?12中的焊料與UBM焊盤120之間的金屬結(jié)合比將柱112保持至襯底102的第二類型的力(諸如力的分散或范德華類型)強(qiáng)得多。[0065]參見圖2A和2B,這些圖描繪了圖1J所示的內(nèi)插器114的實(shí)施例的平面圖，其中焊料凸塊122形成于其上。在圖2A所示的說明性實(shí)施例中，配置200a包括由間隙202分隔開的多個(gè)焊料凸塊122,這些焊料凸塊形成在通孔118周圍。在圖2B所示的示范性實(shí)施例中，配置200b包括多個(gè)焊料凸塊122,每個(gè)焊料凸塊與相鄰的凸塊122接觸并且形成在通孔118周圍。配置200a和200b中的焊料凸點(diǎn)122共同改進(jìn)了約瑟夫遜結(jié)304(在圖3中示出)在以下描述的熱或化學(xué)操作過程中的熱隔離，由此幫助防止來自退火操作的熱量影響或損壞其他部件。[0066]在實(shí)施例中，焊料凸塊122的配置200a被布置為圍繞通孔118而不彼此物理接觸，從而在相鄰的焊料凸塊122之間存在間隙202。例如，在配置200a的實(shí)施例中，在通孔118周圍形成的焊料凸塊122阻擋與通孔118對(duì)準(zhǔn)并且在內(nèi)插器114和安裝在其上的襯底302之間延伸的圓柱形區(qū)域的至少一半。在實(shí)施例中，焊料凸塊122的配置200b被布置為圍繞通孔118而沒有間隙202.然而，雖然這樣的實(shí)施例提供了良好的熱隔離，但是如果這些焊料凸點(diǎn)122形成連續(xù)的環(huán)，則難以例如通過總線接入這些量子位。因此，優(yōu)選的是形成一個(gè)幾乎連足夠小以使熱傳遞和質(zhì)量傳遞最小化。在實(shí)施例中，間隙202的數(shù)量取決于量子位的連接性(例如，讀出共振器的數(shù)量加上量子位到量子位總線的數(shù)量)。在實(shí)施例中，通過光刻和IMS或電鍍?nèi)魏涡螤畹囊粋€(gè)或多個(gè)環(huán)段來形成連續(xù)或幾乎連續(xù)的焊料凸塊122的環(huán)。在另一實(shí)施例中，通過將球形凸塊122轉(zhuǎn)移到具有圖案化的可潤濕分段環(huán)的襯底來形成連續(xù)或幾乎連續(xù)的焊料凸塊122的環(huán)，然后在移除轉(zhuǎn)移模具之后執(zhí)行第二回流將引起焊料潤濕分段環(huán)。在又另實(shí)施例中，通過在該分段的環(huán)周邊內(nèi)以緊密的間距對(duì)凸塊進(jìn)行圖案化來形成連續(xù)或幾乎連續(xù)的焊料凸塊122的環(huán)，這樣使得當(dāng)該內(nèi)插器被附接到該超導(dǎo)芯片300(或其他襯底)上時(shí)，這些凸塊122根據(jù)施加的壓力和熱量(例如，在接合過程中更高的壓力產(chǎn)生較短的更寬的凸塊，這些凸塊彼此物理接觸)而合并。[0067]參見圖3,該圖描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例的示例半導(dǎo)體封裝的橫截面視圖。在具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝是倒裝芯片封裝，其包括面朝下設(shè)置在硅內(nèi)插器114上的超導(dǎo)芯片300。超導(dǎo)芯片300包括襯底302,該襯底具有多個(gè)量子位約瑟夫遜結(jié)304。在實(shí)施例中，約瑟夫遜結(jié)304與由內(nèi)插器114限定的通孔118對(duì)齊。在實(shí)施例中，這些通孔118提供一條視線路徑308,以允許直接的熱量、電磁(EM)輻射、或反應(yīng)性的化學(xué)種類穿過該內(nèi)插器114,這樣使得該結(jié)修改系統(tǒng)306可以將這樣的熱量、輻射、或化學(xué)種類引導(dǎo)到約瑟夫遜結(jié)304上以便調(diào)[0068]在實(shí)施例中，在其上形成量子位電路的襯底302是高電阻率(本征)硅晶圓。在另實(shí)施例中，這些約瑟夫遜結(jié)304是使用鋁作為起始化合物來制造在硅(Si)襯底302上以形成Al/A10x/A1結(jié)構(gòu)。例如，在實(shí)施例中，選擇襯底302以降低低溫下的介電損耗角正切在實(shí)施例中，襯底302被選擇為一種材料，該材料被選擇性地蝕刻成用于約瑟夫遜結(jié)304的[0069]在實(shí)施例中，這些約瑟夫遜結(jié)304被調(diào)整以便調(diào)整這些量子位的頻率。在實(shí)施例中，約瑟夫遜結(jié)304的調(diào)節(jié)包括對(duì)約瑟夫遜結(jié)304加熱、輻射或施加一種化學(xué)物種以便允許在約瑟夫遜結(jié)304內(nèi)發(fā)生物理變化，該物理變化導(dǎo)致電阻的變化。[0070]參見圖4,該圖描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例的示例轉(zhuǎn)移模具的截面圖，示出了可以包括的可選層。[0071]例如，實(shí)施例包括使用阻止焊料適當(dāng)填充凹部410的有問題類型的焊料或有問題的柱縱橫比來形成柱112。因此，在凹部的底部，潤濕層是允許焊料填充凹部并保持在底部的金屬的薄層，并且因?yàn)楹噶险诮?。在這樣的實(shí)施例中，采用潤濕層來通過在層位置412處形成潤濕層并且還可選地在層位置418處形成潤濕層來糾正問題。潤濕層允許以與具有潤濕層的表面的最小化交互(即，在層位置412和/或418處)回流后續(xù)導(dǎo)電材料。例如，實(shí)施例包括潤濕層，該潤濕層包括在層位置412和418處形成的鈦和金、銀或銅中的一者或多者，并且包括鋁(Al)的柱112隨后被沉積和回流以填充凹部410并被允許形成柱112,其中柱112的鋁(Al)與層位置412和418處的潤濕層之間的相互作用被最小化。例如，實(shí)施例包括潤濕層，該潤濕層包括鈦以及金、銀和銅中的一種或多種，其中，鈦充當(dāng)襯底與金、銀和/或銅之間的粘附層，從而金/銀/銅在隨后的回流(一段時(shí)間)期間將被柱112的材料消耗，并且隨后將鈦去濕，使得柱112更容易地從襯底402分離。[0072]在實(shí)施例中，種子層形成在層位置412處以允許通過已知的電鍍工藝形成柱112,作為使用如上文結(jié)合圖1E描述的注射模制的替代方案。在另一實(shí)施例中，在層位置412處形成金層，并且將焊料注入到凹部410中以形成柱；金是高能金屬，其與焊料反應(yīng)以確保焊料以允許更容易的分離，同時(shí)在各個(gè)處理階段期間幫助將焊料保持在凹部中，這在轉(zhuǎn)移具有相對(duì)較高縱橫比的柱112時(shí)是有幫助的。[0073]在一個(gè)實(shí)施例中，層位置412和414中的一個(gè)或兩個(gè)被提供作為幫助將第一光致抗蝕劑層404固定到襯底402(在層位置412處)或幫助將第二光致抗蝕劑層408固定到第一光致抗蝕劑層404(在層位置414處)的金屬或粘附層。[0074]在實(shí)施例中，提供層位置416作為非潤濕層，以防止焊料沉積在第二光致抗蝕劑層并與暴露的鈦、鉬或石墨接觸時(shí)，這些材料的非潤濕特性導(dǎo)致焊料趨于形成松散的焊球而不是金屬結(jié)合。例的用于形成焊料凸塊的示范性方法。例如，在特定實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移模具506用于在具有通孔504的有機(jī)襯底502上形成焊料凸塊514。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件516是倒裝芯片安裝的，這樣使得該約瑟夫遜結(jié)518可以通過沿著路徑528發(fā)射直接熱量、電磁(EM)輻射、或反應(yīng)性化學(xué)種類來調(diào)諧，該路徑528穿過該有機(jī)襯底502中的通孔504。[0076]參見圖5A和5B,在特定實(shí)施例中，提供有機(jī)襯底502,并且貫穿其切割、鉆出或以其他方式形成通孔504。在實(shí)施例中，通孔504通過蝕刻光刻工藝或激光鉆孔形成。在一替代實(shí)施例中，有機(jī)襯底502預(yù)先形成有通孔504.在實(shí)施方式中，作為非限制性實(shí)例，有機(jī)襯底502包括由環(huán)氧樹脂和雙馬來酰亞胺三嗪(BT)樹脂中的玻璃纖維制成的層壓材料。在實(shí)施例中，通孔504為襯底502中的多個(gè)通孔中的一個(gè)。[0077]作為另一個(gè)實(shí)例，襯底502是由以下非限制性實(shí)例材料中的一種或多種形成的非剛性或柔性襯底：(1)聚酰亞胺膜(如Kapton),(2)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET),(3)聚荼二甲酸乙二醇酯(PEN),(4)聚醚醚酮(PEEK),(5)聚乙烯(PE),(6)聚氯乙烯(PVC),和(7)薄柔性金屬或玻璃。在一個(gè)實(shí)施方式中，襯底502是具有相對(duì)低的楊實(shí)施例中，襯底502是具有在60kPa至3MPa的范圍中的楊氏模量的柔性襯底。[0078]參見圖5C,如圖1A-1F中所示并且如上所述制造轉(zhuǎn)移模具506,導(dǎo)致所展示的結(jié)構(gòu)具有襯底508、第一光致抗蝕劑層510以及多個(gè)柱512,包括一對(duì)小柱512和一對(duì)大柱512。[0079]在一個(gè)實(shí)施例中，襯底508是由以下非限制性示例材料中的一種或多種材料形成的非剛性或柔性襯底：(1)聚酰亞胺膜(諸如Kapton),(2)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET),(3)聚荼二甲酸乙二醇酯(PEN),(4)聚醚醚酮(PEEK),(5)聚乙烯(PE),(6)聚氯乙烯(PVC),和(7)薄柔性金屬或玻璃。在一個(gè)實(shí)施方式中，襯底508是具有相對(duì)低的楊氏模量的柔性襯底。例如，在實(shí)施例中，襯底508是具有在60kPa至3MPa的范圍中的楊氏模量的柔性襯底。[0080]在實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移模具506是柔性的，允許其符合平坦或宏觀彎曲的襯底以用于將焊料傳遞至襯底。例如，在實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移模具506和襯底508兩者都是柔性的并且是非平面的，而焊料被從轉(zhuǎn)移模具506轉(zhuǎn)移到襯底502。在實(shí)施例中，襯底508是剛性的但宏觀上彎曲，并且轉(zhuǎn)移模具506是柔性的并且彎曲以符合襯底508的形狀，同時(shí)將焊料傳遞到襯底502。[0081]參見圖5D,轉(zhuǎn)移模具506在有機(jī)襯底502上形成焊料凸塊514,如以上參見圖1H和1J所描述的，使得柱512變成焊料凸塊514。在實(shí)施例中，有機(jī)襯底502可的可潤濕墊(未示出),以提供用于與焊料凸塊514形成金屬結(jié)合的接觸表面。[0082]參見圖5E和5F,這些圖描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例的示例半導(dǎo)體封裝的橫截面視圖。在具體實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝是倒裝芯片封裝，該倒裝芯片封裝包括半導(dǎo)體器件516,該半導(dǎo)體器件具有面朝下布置在有機(jī)襯底502上的多個(gè)量子位約瑟夫遜結(jié)518。[0083]在實(shí)施例中，約瑟夫遜結(jié)518與由有機(jī)襯底502限定的通孔504對(duì)齊。在實(shí)施例中，通孔504允許結(jié)修改系統(tǒng)526沿著路徑528發(fā)射直接熱量、電磁(EM)輻射、或反應(yīng)性化學(xué)物種來調(diào)諧每個(gè)量子位約瑟夫遜結(jié)518?；蚍磻?yīng)性化學(xué)物質(zhì)發(fā)射到約瑟夫遜結(jié)518上來修改約瑟夫遜結(jié)518以允許在約瑟夫遜結(jié)518內(nèi)發(fā)生導(dǎo)致電阻變化的物理變化。[0085]參見圖6,該圖描繪了在焊料凸塊606之間具有深阱特征604的內(nèi)插器600,該深阱特征604可以以上文結(jié)合圖1A-1J描述的相同方式使用轉(zhuǎn)移模具形成。在特定實(shí)施例中，內(nèi)插器600包括在凹部604的底部具有凹部電路組件608的襯底602。例如，在實(shí)施例中，這些凹部604是微波空腔并且這些電路元件是具有約瑟夫遜結(jié)的量子位。在實(shí)施例中，焊料凸塊606由銦或銦合金形成。在實(shí)施例中，使用轉(zhuǎn)移模具(諸如圖1F所示的轉(zhuǎn)移模具100)在襯底602上形成焊料凸塊606,其中用于焊料凸塊606的焊料從轉(zhuǎn)移模具100上的柱112轉(zhuǎn)移。[0086]參見圖7,該圖描繪了根據(jù)說明性實(shí)施例的用于焊料凸塊的示例過程700的流程括用于改進(jìn)即將到來的光致抗蝕劑材料對(duì)襯底的粘附性的一個(gè)或多個(gè)工藝。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，以這樣的方式制備襯底，該方式包括以下中的至少一種：(1)清潔以除去污染物，(2)脫水烘焙以除去水分，以及(3)將粘合促進(jìn)劑加入至襯底。[0088]在實(shí)施例中，在框704處，使用適合的任何已知的光刻工藝在襯底之上形成和圖案化第一光致抗蝕劑層。在一個(gè)實(shí)施例中，第一光致抗蝕劑層由相對(duì)難以去除的“永久性”光致抗蝕劑材料的一個(gè)或多個(gè)子層組成。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，第一光致抗蝕劑層由可光圖案化的抗蝕劑組成，該可光圖案化的抗蝕劑在熔融焊料溫度下是穩(wěn)定的并且相對(duì)于可剝離溶劑(如高度交聯(lián)的環(huán)氧樹脂)是穩(wěn)定的。在一個(gè)實(shí)施例中，第一光致抗蝕劑層通過一次或多次涂覆涂層材料而形成，包括旋涂涂層材料的每次涂覆以形成一個(gè)或多個(gè)薄的、均勻的子層，所述子層共同形成具有特定預(yù)定厚度的第二光致抗蝕劑層，隨后圖案化以選擇性[0089]在實(shí)施例中，在框706處，根據(jù)用于使用適當(dāng)?shù)娜魏我阎饪坦に噥韴D案化第一光致抗蝕劑層的相同圖案化，在第一光致抗蝕劑層上形成并圖案化第二光致抗蝕劑層。在一個(gè)實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層由相對(duì)容易去除的光致抗蝕劑材料的一個(gè)或多個(gè)子層組該抗蝕劑在熔融焊料溫度下是穩(wěn)定的，但是也易于用溶劑剝離。在一個(gè)實(shí)施例中，第二光致抗蝕劑層通過一次或多次涂覆涂層材料而形成，包括旋涂涂層材料的每次涂覆以形成一個(gè)或多個(gè)薄的、均勻的子層，所述子層共同形成具有特定預(yù)定厚度的第二光致抗蝕劑層，隨后圖案化以選擇性地去除光致抗蝕劑材料的部分，從而形成凹部。[0090]在實(shí)施例中，在方框708處，在方框704和706處的圖案化包括圖案特征，在所述圖案特征中，凹部被形成并且被布置成使得在方框704處形成的凹部與在方框706處形成的凹部對(duì)準(zhǔn)。在實(shí)施例中，在框704和706處形成的凹部從第二光致抗蝕劑層的上表面延伸到襯底的上表面。在一些實(shí)施例中，框706和708可以任選地包括在位置412、414、416和418處形成參見圖4所描述的任何一個(gè)或多個(gè)層。[0091]在實(shí)施例中，在框710處，使用注塑焊接(IMS)來填充凹部，其中填充頭橫穿襯底并且將熔融焊料注入到凹部中以形成柱。在實(shí)施例中，凹部被完全填充到頂部，由此確保所得焊料凸塊的高度的均勻性而不在掩模上留下焊料殘余物，并且允許柱固化，符合凹部的形[0092]在實(shí)施例中，在框712,使用適合于晶圓級(jí)封裝(WLP)的抗蝕劑去除器來去除第二光致抗蝕劑層。例如，在實(shí)施例中，抗蝕劑去除器是水性有機(jī)混合物，其被配制以有效地去除在晶圓凸塊和WLP中使用的厚光致抗蝕劑，例如DuPontTMEKC162抗蝕劑去除器。由于第一光致抗蝕劑層由相對(duì)于這種抗蝕劑去除穩(wěn)定的光致抗蝕劑材料形成，所以第一光致抗蝕劑層保留，而第二光致抗蝕劑層的剩余部分被剝離而留下導(dǎo)電柱。[0093]在實(shí)施例中，在框714處，內(nèi)插器由晶圓或由合適的半導(dǎo)體襯底材料形成的襯底形成。在實(shí)施例中，該內(nèi)插器限定了多個(gè)通孔，這些通孔被選擇性地定位成與將以倒裝芯片的方式連接到該內(nèi)插器上的半導(dǎo)體器件上的多個(gè)量子位對(duì)齊。在實(shí)施例中，通過蝕刻光刻工藝或激光鉆孔來形成通孔。[0094]在實(shí)施例中，在框716,通過翻轉(zhuǎn)內(nèi)插器使得內(nèi)插器上的焊接點(diǎn)面向轉(zhuǎn)移模具的柱并與其對(duì)準(zhǔn)而將內(nèi)插器安裝到轉(zhuǎn)移模具上。[0095]在實(shí)施例中，在框718處，通過在內(nèi)插器UBM焊盤與相應(yīng)轉(zhuǎn)移模柱之間形成金屬結(jié)合來將內(nèi)插器附接至轉(zhuǎn)移模。在一個(gè)實(shí)施例中，使用回流工藝將柱附接到相應(yīng)的UBM焊盤，所述回流工藝加熱柱直到它們?cè)谂cUBM焊盤接觸時(shí)開始熔化，并且然后允許它們冷卻和重新固化，從而在柱與相應(yīng)的UBM焊盤之間產(chǎn)生焊料接合。在另一實(shí)施例中，通過在低于回流溫度的溫度(諸如室溫?cái)U(kuò)散或在室溫和回流溫度之間的溫度下的擴(kuò)散)接合某些金屬的冷焊接工藝來形成柱與UBM焊盤之間的金屬結(jié)合。例如，在實(shí)施例中，柱與UBM焊盤之間的金屬結(jié)合通過冷焊接工藝形成，冷焊接工藝包括在室溫下施加壓力或者施加一定量的熱量。[0096]在實(shí)施例中，在框720,從現(xiàn)在以金屬方式接合到內(nèi)插器的柱去除襯底和第一光致抗蝕劑層。在特定實(shí)施例中，襯底和第一光致抗蝕劑層可以被提升遠(yuǎn)離內(nèi)插器并且留下附接至內(nèi)插器的柱，因?yàn)橹械暮噶吓cUBM焊盤之間的金屬結(jié)合比將柱保持至襯底的力的第二類型強(qiáng)得多，諸如力的分散或范德華類型。[0097]在實(shí)施例中，在方框722處，將具有多個(gè)量子位約瑟夫遜結(jié)的半導(dǎo)體器件面朝下地布置在硅內(nèi)插器上。在實(shí)施例中，這些約瑟夫遜結(jié)與由該內(nèi)插器限定的這些通孔對(duì)齊，以允許結(jié)修改系統(tǒng)發(fā)射直接熱量、電磁(EM)輻射、或反應(yīng)性化學(xué)物種來調(diào)諧該半導(dǎo)體器件上的這些量子位約瑟夫遜結(jié)。[0098]在實(shí)施例中，在方框724處，該過程調(diào)節(jié)該約瑟夫遜結(jié)的電阻以便調(diào)節(jié)該量子位的頻率。在實(shí)施例中，結(jié)修改系統(tǒng)通過使用穿過該內(nèi)插器中的通孔的路徑來施加直接熱量、電[0099]以下定義和縮寫將用于解釋權(quán)利要求書和說明書。如在此使用的，術(shù)語“包括”設(shè)備固有的其他要素?！罢f明性的”任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)不一定被解釋為是比其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)優(yōu)選的或有利的。術(shù)述的實(shí)施方式可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每個(gè)實(shí)施方式可以包括或可以不包括描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合其他實(shí)施例(無論是否明確描述)影響這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)。特定量的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的誤差程度。例如，“約”可以包括給定值的±8%或5%、或2%的范圍。[0103]已經(jīng)出于說明的目的呈現(xiàn)了本發(fā)明的各種實(shí)施方式的描述，但并不旨在是詳盡的或者限于所公開的實(shí)施方式。在不脫離所描述的實(shí)施例的范圍的情況下，許多修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。本文使用的術(shù)語被選擇來最好地解釋實(shí)施例的原理、實(shí)際應(yīng)用或優(yōu)于市場(chǎng)中發(fā)現(xiàn)的技術(shù)的技術(shù)改進(jìn)，或者使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠理解本文描述的實(shí)施例。[0104]已經(jīng)出于說明的目的呈現(xiàn)了本發(fā)明的各種實(shí)施方式的描述，但并不旨在是詳盡的或者限于所公開的實(shí)施方式。在不脫離所描述的實(shí)施例的范圍的情況下，許多修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。本文使用的術(shù)語被選擇來最好地解釋實(shí)施例的原理、實(shí)際應(yīng)用或優(yōu)于市場(chǎng)中發(fā)現(xiàn)的技術(shù)的技術(shù)改進(jìn)，或者使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠理解本文描述的實(shí)施例。[0105]因此，在說明性實(shí)施例中提供了用于管理在線社區(qū)的參與和其他相關(guān)特征、功能或操作的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法、系統(tǒng)或裝置以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。當(dāng)關(guān)于裝置的類型描述實(shí)施例或其部分時(shí)，計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法、系統(tǒng)或設(shè)備、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品或其部分被適配或配置用于與該類型裝置的合適且可比較的表現(xiàn)一起使用。[0106]在實(shí)施例被描述為在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)的情況下，將軟件即服務(wù)(SaaS)模型中的應(yīng)用的傳遞構(gòu)想在說明性實(shí)施例的范圍內(nèi)。在SaaS模型中，通過在云基礎(chǔ)設(shè)施中執(zhí)行應(yīng)用來將實(shí)現(xiàn)實(shí)施例的應(yīng)用的能力提供給用戶。用戶可通過諸如web瀏覽器(例如，基于web的電子郵件)或其他輕量級(jí)客戶機(jī)應(yīng)用之類的瘦客戶機(jī)接口使用各種客戶機(jī)設(shè)備來訪問應(yīng)用。用戶不管理或控制包括網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器、操作系統(tǒng)或云基礎(chǔ)設(shè)施的存儲(chǔ)的底層云基礎(chǔ)設(shè)施。在一些可允許有限的用戶特定應(yīng)用配置設(shè)置的可能異常。[0107]本發(fā)明可以是任何可能的技術(shù)細(xì)節(jié)集成度的系統(tǒng)、方法和/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可包括其上具有用于使處理器執(zhí)行本發(fā)明的各方面的計(jì)算機(jī)可讀程序指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)(或多個(gè)介質(zhì))。[0108]計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體可為可保留和存儲(chǔ)供指令執(zhí)行裝置使用的指令的有形裝置。存儲(chǔ)設(shè)備、半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備、或者上述的任意合適的組合。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒質(zhì)的更具體示例的非窮盡列表包括以下各項(xiàng)：便攜式計(jì)算機(jī)盤、硬盤、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM或者凹部中具有記錄在其上的指令的凸起結(jié)構(gòu)、以及上述各項(xiàng)的任何合適的組合。如本文所使用的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體不應(yīng)被解釋為暫時(shí)性信號(hào)本身，例如無線電波或其他自由傳播的電磁波、通過波導(dǎo)或其他傳輸媒體傳播的電磁波(例如，穿過光纖電纜的光脈沖)或通過電線發(fā)射的電信號(hào)。[0109]本文中所描述的計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)(例如，互聯(lián)網(wǎng)、局域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和/或無線網(wǎng)絡(luò))從計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)下載到相應(yīng)的計(jì)算/處理設(shè)備，或者下載到外部計(jì)算機(jī)或外部存儲(chǔ)設(shè)備。網(wǎng)絡(luò)可以包括銅傳輸電纜、光傳輸纖維、無線傳輸、路由器、防火墻、交換機(jī)、網(wǎng)關(guān)計(jì)算機(jī)和/或邊緣服務(wù)器。每個(gè)計(jì)算/處理設(shè)備中的網(wǎng)絡(luò)適配器卡或網(wǎng)絡(luò)接口接收來自網(wǎng)絡(luò)的計(jì)算機(jī)可讀程序指令，并轉(zhuǎn)發(fā)計(jì)算機(jī)可讀程序指令以存儲(chǔ)在相應(yīng)計(jì)算/處理設(shè)備內(nèi)的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中。[0110]用于執(zhí)行本發(fā)明的操作的計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以是匯編指令、指令集架構(gòu)據(jù)、或以一種或多種程序設(shè)計(jì)語言的任何組合編寫的源代碼或目標(biāo)代碼，這些程序設(shè)計(jì)語言包括面向?qū)ο蟮某绦蛟O(shè)計(jì)語言(諸如Smalltalk、C++等)和過程程序設(shè)計(jì)語言(諸如“C”程序設(shè)計(jì)語言或類似程序設(shè)計(jì)語言)。計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以完全地在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、部分在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、作為獨(dú)立軟件包執(zhí)行、部分在用戶計(jì)算機(jī)上部分在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)上執(zhí)行或者完全